JPS63891B2 - - Google Patents
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- JPS63891B2 JPS63891B2 JP53028852A JP2885278A JPS63891B2 JP S63891 B2 JPS63891 B2 JP S63891B2 JP 53028852 A JP53028852 A JP 53028852A JP 2885278 A JP2885278 A JP 2885278A JP S63891 B2 JPS63891 B2 JP S63891B2
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- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はプラズマデイスプレイ用電極板の製造
方法に関する。
方法に関する。
従来、プラズマデイスプレイ用電極板は印刷法
若しくは蒸着法で製造されていた。印刷法は金粉
を主材とするペーストを得、該ペーストを用いて
印刷法により電極基板に電極を印刷形成して電極
板を得るものである。
若しくは蒸着法で製造されていた。印刷法は金粉
を主材とするペーストを得、該ペーストを用いて
印刷法により電極基板に電極を印刷形成して電極
板を得るものである。
かかる方法によれば比較的容易に電極板を得る
ことができる反面、貴金属材料を用いるため極め
て非経済的であり、さらには精度の良い電極パタ
ーンを形成しにくいという欠点を有する。
ことができる反面、貴金属材料を用いるため極め
て非経済的であり、さらには精度の良い電極パタ
ーンを形成しにくいという欠点を有する。
又、蒸着法は電極基板に金属蒸着を施して、電
極パターンをエツチングして電極を得るものであ
るが、かかる方法は析出速度が遅く非能率的で量
産するには極めて大きな設備を必要とする等の欠
点を有する。
極パターンをエツチングして電極を得るものであ
るが、かかる方法は析出速度が遅く非能率的で量
産するには極めて大きな設備を必要とする等の欠
点を有する。
本発明は従来法の此等の欠点に鑑みなされたも
のであつて、ガラス基板に無電解めつきにより第
一の金属層を形成し、つぎにその第一の金属層上
に電気めつき若しくは無電解めつきにより、第一
の金属層と同種又は異種の金属からなる第二の金
属層を形成し、しかる後写真的手法により電極パ
ターンのレジストを形成し、該金属層をエツチン
グして得られることを特徴とするプラズマデイス
プレイ用電極板及びその製造方法であり、若しく
は、ガラス基板に無電解めつきにより第一の金属
層を形成し、つぎにその第一の金属層上に電気め
つき若しくは無電解めつきにより第一の金属層と
同種又は異種の金属からなる第二の金属層を形成
し、さらにその第二の金属層上にクロム若しくは
金のめつきにより第三の金属層を形成し、しかる
後、写真的手法により電極パターンのレジストを
形成し、該金属層をエツチングして得られること
を特徴とするプラズマデイスプレイ用電極板及び
その製造方法である。
のであつて、ガラス基板に無電解めつきにより第
一の金属層を形成し、つぎにその第一の金属層上
に電気めつき若しくは無電解めつきにより、第一
の金属層と同種又は異種の金属からなる第二の金
属層を形成し、しかる後写真的手法により電極パ
ターンのレジストを形成し、該金属層をエツチン
グして得られることを特徴とするプラズマデイス
プレイ用電極板及びその製造方法であり、若しく
は、ガラス基板に無電解めつきにより第一の金属
層を形成し、つぎにその第一の金属層上に電気め
つき若しくは無電解めつきにより第一の金属層と
同種又は異種の金属からなる第二の金属層を形成
し、さらにその第二の金属層上にクロム若しくは
金のめつきにより第三の金属層を形成し、しかる
後、写真的手法により電極パターンのレジストを
形成し、該金属層をエツチングして得られること
を特徴とするプラズマデイスプレイ用電極板及び
その製造方法である。
また、その具体例として無電解めつきの後、熱
処理をすることを特徴とするものであり、かつ又
第一の金属層がニツケル及びニツケル合金である
場合にあつては、第二の金属層を形成する前に還
元性物質の溶液に浸漬することを特徴とする。
処理をすることを特徴とするものであり、かつ又
第一の金属層がニツケル及びニツケル合金である
場合にあつては、第二の金属層を形成する前に還
元性物質の溶液に浸漬することを特徴とする。
以下本発明を詳細に説明する。
第一の金属層としてはNi,Cu,Ni−Co,Ni
−P,Ni−Co−B,Ni−Co−P,Ni−Fe−P,
Ni−W−P,CO,Co−Ni−P,Co−W−P,
Au,Ag,Sn等の無電解めつき可能な金属、第二
の金属層としてはNi,Cu,Cr,Sn,Fe,Au,
Pt,Ag等の電気めつき可能な金属若しくはNi,
Cu,Ni−Co,Ni−P,Ni−Co−B,Ni−Co−
P,Ni−Fe−P,Ni−W−P,Co,Co−Ni−
P,Co−W−P,Au,Ag,Sn等の無電解めつ
き可能な金属であれば何でも使用できる。
−P,Ni−Co−B,Ni−Co−P,Ni−Fe−P,
Ni−W−P,CO,Co−Ni−P,Co−W−P,
Au,Ag,Sn等の無電解めつき可能な金属、第二
の金属層としてはNi,Cu,Cr,Sn,Fe,Au,
Pt,Ag等の電気めつき可能な金属若しくはNi,
Cu,Ni−Co,Ni−P,Ni−Co−B,Ni−Co−
P,Ni−Fe−P,Ni−W−P,Co,Co−Ni−
P,Co−W−P,Au,Ag,Sn等の無電解めつ
き可能な金属であれば何でも使用できる。
第二の金属層がクロム若しくは金以外のものに
あつては第三の金属層としてクロム若しくは金を
使用するものである。
あつては第三の金属層としてクロム若しくは金を
使用するものである。
次に図面の第1図から第6図に基いて、製造方
法を説明する。
法を説明する。
まず、ガラス基板1を用意する。ガラス基板1
の片面は、粘着テープ、レジスト膜等でシールす
る。ガラス基板1はアルカリ水溶液で洗浄した
後、クロム酸−硫酸混液で処理して親水性とす
る。
の片面は、粘着テープ、レジスト膜等でシールす
る。ガラス基板1はアルカリ水溶液で洗浄した
後、クロム酸−硫酸混液で処理して親水性とす
る。
次に0.1〜20g/ SnCl2水溶液若しくは市販
の無電解めつき感受性化液に数分〜数十分浸漬
し、弱流動水槽中で数秒乃至数分浸漬洗浄し、
0.1〜3g/ PdCl2水溶液に数分浸漬し、ガラ
ス基板1へ触媒となるPd核を付与する。次に必
要なら10〜100g/ NaH2PO2水溶液に数秒
乃至数分浸漬し、活性化促進処理を行う。次に又
弱流動水槽中で数秒乃至数分浸漬洗浄し、市販の
無電解めつき液、例えばカニゼン無電解めつき液
(カニゼンCO製)、シツプレイ無電解めつき液
(シツプレイ〓製)、NICKA無電解めつき液(化
成品興業〓製)、CUST無電解めつき液(日立化
成工業〓製)に浸漬して第1図に示すように0.1μ
乃至数μの無電解めつきによる第一の金属層2を
得る。水洗乾燥の後好ましくは100乃至350℃で10
分乃至数時間のベーキング(baking)処理を行
う。次に表面を炭酸カルシウム又はアルカリ脱脂
剤で脱脂洗浄した後酸洗し、前述したNi,Cu,
Au,Pt,Sn,Zn等のめつき浴で数μの電気めつ
き、若しくは無電解めつきを施して第2図に示す
第二の金属層3を得る。この際第一の金属層2が
Ni及びNi合金の場合は次亜リン酸ナトリウム、
亜硫酸水素ナトリウム、次亜硫酸ナトリウム等の
還元性物質の1g/乃至飽和水溶液(温度0℃
〜100℃)で数秒乃至数分間めつき前に浸漬処理
してから第二の金属層3を形成する。第二の金属
層を電気めつきで形成する場合は、電極パターン
に関係しない端部に電気接点をとる。次に他の端
部に電気接点をとつてクロム又は金を電気めつき
して第三の金属層4とする。この接点部分はガラ
ス基板端部にとるものであり、電極パターン外に
位置し、後にエツチングによりとりのぞかれる。
あるいは又金を無電解めつきして第三の金属層4
を形成する。
の無電解めつき感受性化液に数分〜数十分浸漬
し、弱流動水槽中で数秒乃至数分浸漬洗浄し、
0.1〜3g/ PdCl2水溶液に数分浸漬し、ガラ
ス基板1へ触媒となるPd核を付与する。次に必
要なら10〜100g/ NaH2PO2水溶液に数秒
乃至数分浸漬し、活性化促進処理を行う。次に又
弱流動水槽中で数秒乃至数分浸漬洗浄し、市販の
無電解めつき液、例えばカニゼン無電解めつき液
(カニゼンCO製)、シツプレイ無電解めつき液
(シツプレイ〓製)、NICKA無電解めつき液(化
成品興業〓製)、CUST無電解めつき液(日立化
成工業〓製)に浸漬して第1図に示すように0.1μ
乃至数μの無電解めつきによる第一の金属層2を
得る。水洗乾燥の後好ましくは100乃至350℃で10
分乃至数時間のベーキング(baking)処理を行
う。次に表面を炭酸カルシウム又はアルカリ脱脂
剤で脱脂洗浄した後酸洗し、前述したNi,Cu,
Au,Pt,Sn,Zn等のめつき浴で数μの電気めつ
き、若しくは無電解めつきを施して第2図に示す
第二の金属層3を得る。この際第一の金属層2が
Ni及びNi合金の場合は次亜リン酸ナトリウム、
亜硫酸水素ナトリウム、次亜硫酸ナトリウム等の
還元性物質の1g/乃至飽和水溶液(温度0℃
〜100℃)で数秒乃至数分間めつき前に浸漬処理
してから第二の金属層3を形成する。第二の金属
層を電気めつきで形成する場合は、電極パターン
に関係しない端部に電気接点をとる。次に他の端
部に電気接点をとつてクロム又は金を電気めつき
して第三の金属層4とする。この接点部分はガラ
ス基板端部にとるものであり、電極パターン外に
位置し、後にエツチングによりとりのぞかれる。
あるいは又金を無電解めつきして第三の金属層4
を形成する。
次に第4図に示すように写真的手法によりプラ
ズマデイスプレイ用電極パターンのレジスト膜5
を形成し、第三、第二、第一の順に金属層をエツ
チングする。
ズマデイスプレイ用電極パターンのレジスト膜5
を形成し、第三、第二、第一の順に金属層をエツ
チングする。
感光性レジストとしてはKPR(イーストマンコ
ダツク社製)、TRR(東京応化〓製)FPR(富士薬
品)、AZ(シツプレイ〓製)等が使用できる。
ダツク社製)、TRR(東京応化〓製)FPR(富士薬
品)、AZ(シツプレイ〓製)等が使用できる。
エツチング液は王水等により、第三、第二、第
一の金属層を一液で行うこともできるが、好まし
くは三層をそれぞれ適切なエツチング液で処理し
たほうがよい。例えば第三の金属層4がクロムで
あれば、エツチング液として塩酸又は過マンガン
酸カリ、正リン酸ナトリウム溶液を使用する。次
に第二の金属層3がニツケルであれば、硝酸/過
酸化水素水/水系のエツチング液を使用する。又
第二の金属層3が銅であれば、塩化第2鉄あるい
は過硫酸アンモンをエツチング液として使用す
る。
一の金属層を一液で行うこともできるが、好まし
くは三層をそれぞれ適切なエツチング液で処理し
たほうがよい。例えば第三の金属層4がクロムで
あれば、エツチング液として塩酸又は過マンガン
酸カリ、正リン酸ナトリウム溶液を使用する。次
に第二の金属層3がニツケルであれば、硝酸/過
酸化水素水/水系のエツチング液を使用する。又
第二の金属層3が銅であれば、塩化第2鉄あるい
は過硫酸アンモンをエツチング液として使用す
る。
次に第一の金属層2がニツケルであれば、硝
酸/過酸化水素水/水系のエツチング液を使用す
る。又第一の金属層2が銅であれば塩化第2鉄あ
るいは、過硫酸アンモンをエツチング液として使
用する。
酸/過酸化水素水/水系のエツチング液を使用す
る。又第一の金属層2が銅であれば塩化第2鉄あ
るいは、過硫酸アンモンをエツチング液として使
用する。
エツチング方式は浸漬、スプレーのいずれでも
よいが、均一エツチングの点ではスプレー方式が
好ましい。
よいが、均一エツチングの点ではスプレー方式が
好ましい。
次にレジスト膜5を溶剤ではくりすれば、第6
図に示すようにプラズマデイスプレイ用電極が完
成する。この方法において第三の金属層4は必要
により適宜施すものであり、第二の金属層3まで
としてもよい。この発明において第一の金属層2
はガラス基板との接着層として働くものであり、
より強度な密着を得るため好ましくはベーキング
(baking)処理を施すのである。もちろん強度な
密着を必要としない場合はベーキング処理はしな
くてもよい。第二の金属層3は電極の主要なる導
電層となるところである。第三の金属層4は保護
層として働くのである。
図に示すようにプラズマデイスプレイ用電極が完
成する。この方法において第三の金属層4は必要
により適宜施すものであり、第二の金属層3まで
としてもよい。この発明において第一の金属層2
はガラス基板との接着層として働くものであり、
より強度な密着を得るため好ましくはベーキング
(baking)処理を施すのである。もちろん強度な
密着を必要としない場合はベーキング処理はしな
くてもよい。第二の金属層3は電極の主要なる導
電層となるところである。第三の金属層4は保護
層として働くのである。
本発明によれば、従来の印刷法に比較し、電極
パターン精度が極めて高く、かつ貴金属は用いな
くともよく、安価にプラズマデイスプレイ用電極
を得ることができる。又蒸着法においては析出速
度が極めて遅く、非能率的であり量産には不適当
であるが、本発明によれば、無電解めつきと電気
めつきとの組合せを採用するため量産性に適して
おり、ガラス基板との密着においてもベーキング
処理を施すことにより、蒸着法と比較して優ると
も劣らず、また、第一の金属層に対して還元処理
を行うことにより、表面酸化膜の除去が行え、第
二の金属層を接着性の良い状態で積層でき、テー
プテストにおいてはくりすることはなく、精度に
おいても写真製版的手法を用いる為、蒸着法と同
じ精度を得ることができるのである。
パターン精度が極めて高く、かつ貴金属は用いな
くともよく、安価にプラズマデイスプレイ用電極
を得ることができる。又蒸着法においては析出速
度が極めて遅く、非能率的であり量産には不適当
であるが、本発明によれば、無電解めつきと電気
めつきとの組合せを採用するため量産性に適して
おり、ガラス基板との密着においてもベーキング
処理を施すことにより、蒸着法と比較して優ると
も劣らず、また、第一の金属層に対して還元処理
を行うことにより、表面酸化膜の除去が行え、第
二の金属層を接着性の良い状態で積層でき、テー
プテストにおいてはくりすることはなく、精度に
おいても写真製版的手法を用いる為、蒸着法と同
じ精度を得ることができるのである。
〈実施例〉
300mm×300mmのフロートソーダガラスを60℃3
%NaOH水溶液に3min浸漬し、水洗した後、無
水クロム酸150g/、硫酸150g/の組成の60
℃水溶液に3min浸漬し、流水中で充分に洗浄し
た。
%NaOH水溶液に3min浸漬し、水洗した後、無
水クロム酸150g/、硫酸150g/の組成の60
℃水溶液に3min浸漬し、流水中で充分に洗浄し
た。
次に市販の無電解めつき用感受性化液(化成品
興業)を使用して3%水溶液として80℃5min浸
漬し、その後弱流動水中に30秒浸漬し、その後組
成塩化パラジウム0.1g/60℃の水溶液に3分
浸漬し、その後、次亜リン酸ナトリウム30g/
の60℃の水溶液に30秒浸漬し、その後、弱流動水
中に15秒浸漬し、次に市販の無電解ニツケルめつ
き液(化成品興業)のPH4.7浴温55℃の条件で10
分間無電解ニツケルめつきを行つた。
興業)を使用して3%水溶液として80℃5min浸
漬し、その後弱流動水中に30秒浸漬し、その後組
成塩化パラジウム0.1g/60℃の水溶液に3分
浸漬し、その後、次亜リン酸ナトリウム30g/
の60℃の水溶液に30秒浸漬し、その後、弱流動水
中に15秒浸漬し、次に市販の無電解ニツケルめつ
き液(化成品興業)のPH4.7浴温55℃の条件で10
分間無電解ニツケルめつきを行つた。
次にこれを恒温乾燥炉中で200℃30分の間ベー
キング処理を行つたのち室温まで除冷した。
キング処理を行つたのち室温まで除冷した。
次にこれを炭酸カルシウムで脱脂洗浄し、20
g/の次亜リン酸ナトリウムの60℃の水溶液に
5分間浸漬し、次に充分水洗した。
g/の次亜リン酸ナトリウムの60℃の水溶液に
5分間浸漬し、次に充分水洗した。
この基板の端部に接点をとつて、酸性銅めつき
浴にて2μの銅めつき層を形成した。次にクロム
めつき浴にて0.2μのクロムめつきを行つた。
浴にて2μの銅めつき層を形成した。次にクロム
めつき浴にて0.2μのクロムめつきを行つた。
次に光溶解型感光性レジストAZ−1350(シツプ
レイ社製)を塗布し、電極パターンネガを焼付現
像し、スプレー腐食機を用いてクロム層を過マン
ガン酸カリ、正リン酸ナトリウム水溶液でエツチ
ングした。更に別のスプレー腐食機に過硫酸アン
モン水溶液を入れ、次の銅層をエツチングした。
更に又別のスプレー腐食機に、硝酸、過酸化水素
水、水溶液を入れ、次の無電解ニツケルめつき層
をエツチングした。
レイ社製)を塗布し、電極パターンネガを焼付現
像し、スプレー腐食機を用いてクロム層を過マン
ガン酸カリ、正リン酸ナトリウム水溶液でエツチ
ングした。更に別のスプレー腐食機に過硫酸アン
モン水溶液を入れ、次の銅層をエツチングした。
更に又別のスプレー腐食機に、硝酸、過酸化水素
水、水溶液を入れ、次の無電解ニツケルめつき層
をエツチングした。
最後に感光性レジストを溶剤で除去して、プラ
ズマデイスプレイ用電極板を完成しえた。
ズマデイスプレイ用電極板を完成しえた。
図面の第1図から第6図までは本発明の製造工
程を示す断面図である。 1……ガラス基板、2……第一の金属層、3…
…第二の金属層、4……第三の金属層、5……レ
ジスト膜。
程を示す断面図である。 1……ガラス基板、2……第一の金属層、3…
…第二の金属層、4……第三の金属層、5……レ
ジスト膜。
Claims (1)
- 1 ガラス基板上に無電解めつきにより第一の金
属層を形成し、つぎにその第一の金属層上に電気
めつきもしくは無電解めつきにより、第一の金属
層と同種又は異種の金属からなる第二の金属層を
形成し、さらに金もしくはクロムの第三の金属層
を形成し、しかる後写真的手法により電極パター
ンのレジストを形成し、該金属層をエツチングさ
せて得られるプラズマデイスプレイ用電極板の製
造方法であつて、前記第一の金属層をニツケル、
銅などの金属にて形成し、該第一の金属層を形成
した後で第二の金属層を形成する前に、ベーキン
グ処理を行い、次に還元処理を行うことを特徴と
するプラズマデイスプレイ用電極板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2885278A JPS54121665A (en) | 1978-03-14 | 1978-03-14 | Plasma display electrode plate and method of fabricating same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2885278A JPS54121665A (en) | 1978-03-14 | 1978-03-14 | Plasma display electrode plate and method of fabricating same |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS54121665A JPS54121665A (en) | 1979-09-20 |
JPS63891B2 true JPS63891B2 (ja) | 1988-01-09 |
Family
ID=12259900
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2885278A Granted JPS54121665A (en) | 1978-03-14 | 1978-03-14 | Plasma display electrode plate and method of fabricating same |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS54121665A (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6555956B1 (en) | 1998-03-04 | 2003-04-29 | Lg Electronics Inc. | Method for forming electrode in plasma display panel and structure thereof |
KR100326535B1 (ko) | 1999-02-09 | 2002-03-25 | 구자홍 | 플라즈마 디스플레이 패널의 전극 및 그 제조방법 |
US6323128B1 (en) * | 1999-05-26 | 2001-11-27 | International Business Machines Corporation | Method for forming Co-W-P-Au films |
-
1978
- 1978-03-14 JP JP2885278A patent/JPS54121665A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS54121665A (en) | 1979-09-20 |
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