JPH026833B2 - - Google Patents
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- JPH026833B2 JPH026833B2 JP56183480A JP18348081A JPH026833B2 JP H026833 B2 JPH026833 B2 JP H026833B2 JP 56183480 A JP56183480 A JP 56183480A JP 18348081 A JP18348081 A JP 18348081A JP H026833 B2 JPH026833 B2 JP H026833B2
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1603—Process or apparatus coating on selected surface areas
- C23C18/1605—Process or apparatus coating on selected surface areas by masking
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
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- C23C18/1608—Process or apparatus coating on selected surface areas by direct patterning from pretreatment step, i.e. selective pre-treatment
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ガラス、プラスチツク、セラミツク
結晶体等の絶縁体上にSnO2又はIn2O3等の酸化物
被膜を形成し、光感光性レジストを塗布し、目的
の形状パターニングを行い、Zn粉末+Hcl又は
Cr2+/Cr3+レドツクス系を用いて不必要部の酸化
物被膜をエツチング処理し、レジストをはくりし
てから、Sncl2−Pdcl2混合前処理液で浸漬処理し
た後、無電解メツキ液に入れて、金属被覆するこ
とからなる絶縁体上へのパターンメツキ製造方法
に関する。
結晶体等の絶縁体上にSnO2又はIn2O3等の酸化物
被膜を形成し、光感光性レジストを塗布し、目的
の形状パターニングを行い、Zn粉末+Hcl又は
Cr2+/Cr3+レドツクス系を用いて不必要部の酸化
物被膜をエツチング処理し、レジストをはくりし
てから、Sncl2−Pdcl2混合前処理液で浸漬処理し
た後、無電解メツキ液に入れて、金属被覆するこ
とからなる絶縁体上へのパターンメツキ製造方法
に関する。
従来、絶縁体上に金属被覆パターニングする場
合、蒸着、スパツタ等の真空設備を用いて全面被
膜をつくり、以下次の工程に進む。
合、蒸着、スパツタ等の真空設備を用いて全面被
膜をつくり、以下次の工程に進む。
(1) 光感光性レジスト塗布
(2) 紫外線露光
(3) 現像(光照射部又は非光照射部を溶剤でエツ
チング) (4) 金属エツチング (5) レジスト剥離 以上のような工程を用いた場合、真空設備が高
価な上、大量又は大表面積をもつ絶縁体基板に全
面金属被覆することは難しい。
チング) (4) 金属エツチング (5) レジスト剥離 以上のような工程を用いた場合、真空設備が高
価な上、大量又は大表面積をもつ絶縁体基板に全
面金属被覆することは難しい。
また、絶縁体基板上に無電解メツキを行う場
合、目的とする金属メツキ被膜の密着性向上、及
び均一なメツキ膜を得るために、絶縁体基板面を
機械的研摩、化学的研摩及びその両方を用いて表
面を粗していた。それにもかかわらず均一で密着
性のよいメツキ膜を得ることが困難であり作業性
の問題も大きい。
合、目的とする金属メツキ被膜の密着性向上、及
び均一なメツキ膜を得るために、絶縁体基板面を
機械的研摩、化学的研摩及びその両方を用いて表
面を粗していた。それにもかかわらず均一で密着
性のよいメツキ膜を得ることが困難であり作業性
の問題も大きい。
一方SnO2又はIn2O3等酸化物被膜に密着よく無
電解メツキ被膜が形成されることを利用して次の
工程で行うことができる。
電解メツキ被膜が形成されることを利用して次の
工程で行うことができる。
(1) 絶縁体上にSnO2又はIn2O3等の酸化物被膜を
形成し、 (2) Sncl2−Pdcl2混合前処理液又はSncl2前処理
(センシタイジング)した後Pdcl2前処理溶液に
浸漬して(アクテイベイテイング)増感剤に通
した後 (3) 無電解メツキを行い金属被覆し (4) 光感光性レジストを塗布して (5) 紫外露光により目的の形状にパターニングを
行い (6) 不必要部のレジストをエツチングし、 (7) 金属エツチングしたのち (8) SnO2又はIn2O3等酸化物膜エツチングをして (9) レジストをエツチング(剥離)をする。
形成し、 (2) Sncl2−Pdcl2混合前処理液又はSncl2前処理
(センシタイジング)した後Pdcl2前処理溶液に
浸漬して(アクテイベイテイング)増感剤に通
した後 (3) 無電解メツキを行い金属被覆し (4) 光感光性レジストを塗布して (5) 紫外露光により目的の形状にパターニングを
行い (6) 不必要部のレジストをエツチングし、 (7) 金属エツチングしたのち (8) SnO2又はIn2O3等酸化物膜エツチングをして (9) レジストをエツチング(剥離)をする。
この方法の場合、エツチング工程が増えてしま
い作業短縮化の意に反する。またレジストにわず
かのピンホールが存在していた場合、金属被膜に
直接影響を及ぼすこととなり、形成されたパター
ンのピンホール、サイドエツジの切れにつながる
可能性がある。
い作業短縮化の意に反する。またレジストにわず
かのピンホールが存在していた場合、金属被膜に
直接影響を及ぼすこととなり、形成されたパター
ンのピンホール、サイドエツジの切れにつながる
可能性がある。
又、(7)のSnO2又はIn2O3膜のエツチング工程を
除いてもかまわない場合、(透明導電膜としてで
なく、フオトマスクなどに使用)、注意する点は、
酸化被膜の変色である。透明基板を用いた場合、
特に透過率の問題となるものは、変色による透過
率の低下吸収波長の長波長側移行も考慮に入れ
て、処理しなければならない。
除いてもかまわない場合、(透明導電膜としてで
なく、フオトマスクなどに使用)、注意する点は、
酸化被膜の変色である。透明基板を用いた場合、
特に透過率の問題となるものは、変色による透過
率の低下吸収波長の長波長側移行も考慮に入れ
て、処理しなければならない。
本発明はかかる欠点を除去したものでその目的
は、真空設備を用いることなく、作業工程短縮も
含めて低コストで大量及び大表面積の基板も使
え、ピンホール等のパターン不良も少ない、無電
解メツキによる絶縁体上へのパターンメツキ製造
方法を提供するものである。
は、真空設備を用いることなく、作業工程短縮も
含めて低コストで大量及び大表面積の基板も使
え、ピンホール等のパターン不良も少ない、無電
解メツキによる絶縁体上へのパターンメツキ製造
方法を提供するものである。
本発明における絶縁体上へのパターンメツキ製
造方法は、 (1) 絶縁体上にSnO2又は、In2O3等の酸化物被膜
を形成する工程と、 (2) 光感光性レジストを塗布する工程と、 (3) 紫外線露光により、目的の形状にパターニン
グする工程と、 (4) 不必要部の前記酸化物被膜をエツチングする
工程と、 (5) 前記光感光性レジストを剥離する工程と、 (6) SnCl2−PdCl2混合前処理液で浸漬処理ある
いは、SnCl2溶液浸漬後PdCl2溶液で浸漬処理
する工程と、 (7) 酸あるいはアルカリ溶液にPd,Mn,Zn,
Cd,As,Sb,Biから選ばれた一種又は二種以
上の金属を溶解し、その溶液中に浸漬処理する
工程と、 (8) 無電界メツキ液に入れて金属被覆する工程と
を有することを特徴とする。
造方法は、 (1) 絶縁体上にSnO2又は、In2O3等の酸化物被膜
を形成する工程と、 (2) 光感光性レジストを塗布する工程と、 (3) 紫外線露光により、目的の形状にパターニン
グする工程と、 (4) 不必要部の前記酸化物被膜をエツチングする
工程と、 (5) 前記光感光性レジストを剥離する工程と、 (6) SnCl2−PdCl2混合前処理液で浸漬処理ある
いは、SnCl2溶液浸漬後PdCl2溶液で浸漬処理
する工程と、 (7) 酸あるいはアルカリ溶液にPd,Mn,Zn,
Cd,As,Sb,Biから選ばれた一種又は二種以
上の金属を溶解し、その溶液中に浸漬処理する
工程と、 (8) 無電界メツキ液に入れて金属被覆する工程と
を有することを特徴とする。
以下実施例に基づいて本発明を詳しく説明す
る。
る。
図1は本発明のパターニング工程であり、aは
未処理、bは酸化被膜形成後、cは光感光性レジ
スト塗布、dは紫外線露光、eは現像後、fは酸
化被膜エツチング後、gはレジストハクリ後、h
は無電解メツキ後、1は絶縁基板、2は酸化物被
膜、3は光感光性レジスト被膜、4は金属被膜、
5はフオトマスクである。
未処理、bは酸化被膜形成後、cは光感光性レジ
スト塗布、dは紫外線露光、eは現像後、fは酸
化被膜エツチング後、gはレジストハクリ後、h
は無電解メツキ後、1は絶縁基板、2は酸化物被
膜、3は光感光性レジスト被膜、4は金属被膜、
5はフオトマスクである。
絶縁基板1をよく洗浄し、CVD法又は金属ア
ルコキサイドの加水分解により金属酸化物被膜を
得る方法を採用した。(b)ガラス、セラミツク
結晶体のように比較的高温に耐えられるものは
CVDでもかまわないが特にプラスチツク基板等
は、加熱温度が80℃〜100℃が限界であるためア
ルコキサイドの型で処理した方がよい。金属アル
コキサイドは一般式M(OR)oで表わされ、Mはこ
れらの金属、Rはアルキル基、nはMの原子価を
表わしている。前記混合酸化被膜はこれらのアル
コキサイドを適当に混合することにより得られ
る。これらのアルコキサイドを0.01%〜10%に適
当な有機溶媒(アルコール類、ハロゲン化炭素
類、エステル類、ケトン類、芳香族類等)に溶解
し、絶縁体基板にコーテイングするのだが、それ
にはスプレー法、ロールコーター法、エアロゾル
法、デイツピング法がある。コーテイング後、常
温〜500℃の温度範囲で加水分解を行う。先に述
べたように各基板の耐熱限界内で加熱することで
ある。
ルコキサイドの加水分解により金属酸化物被膜を
得る方法を採用した。(b)ガラス、セラミツク
結晶体のように比較的高温に耐えられるものは
CVDでもかまわないが特にプラスチツク基板等
は、加熱温度が80℃〜100℃が限界であるためア
ルコキサイドの型で処理した方がよい。金属アル
コキサイドは一般式M(OR)oで表わされ、Mはこ
れらの金属、Rはアルキル基、nはMの原子価を
表わしている。前記混合酸化被膜はこれらのアル
コキサイドを適当に混合することにより得られ
る。これらのアルコキサイドを0.01%〜10%に適
当な有機溶媒(アルコール類、ハロゲン化炭素
類、エステル類、ケトン類、芳香族類等)に溶解
し、絶縁体基板にコーテイングするのだが、それ
にはスプレー法、ロールコーター法、エアロゾル
法、デイツピング法がある。コーテイング後、常
温〜500℃の温度範囲で加水分解を行う。先に述
べたように各基板の耐熱限界内で加熱することで
ある。
M(OR)2n+nH2O→MOn+2nROH
の反応で酸化物被膜が形成される。次に光感光性
レジストを塗布し、被膜を作り(c工程)、紫外
線露光を行つた基板(d工程)を現像液(1.2%
KOHを使用した。)に入れ、不必要部のレジスト
をエツチングをし、(e工程)さらに、SnO2,
In2O3などの酸化被膜をZn粉末Hcl法又はCr3+/
Cr2+レドツクス系を用いた浸漬エツチングし、10
%KOHにてレジストエツチングをする。酸化物
被膜パターンが得られた基板に無電解メツキを行
う。無電解メツキするために使用される前処理液
は、Sncl2−Pdcl2混合コロイド溶液又はSncl2溶
液、Pdcl2溶液の分離型溶液を用い、そして、密
着促進剤(酸あるいはアルカリ溶液にPb,Mn,
Zn,Cd,As,Sb,Biから選ばれた一種又は二種
以上の金属を溶解した液)を用いることを特徴と
している。ここで密着促進剤を用いない場合、処
理部(酸化被膜形成部)以外の箇所にもメツキさ
れてしまい、目的の意に添わない。本研究の前処
理液として、Sncl2溶液浸漬(1g/l)(センシ
タイジング)後アクテイベテイングとして日本カ
ニゼン社製のレツドシユーマーの5倍希釈液を用
いた。又はSncl2−Pdcl2混合前処理液には日立化
成増感剤HS−101Bを用い所定の手段にて希釈し
て溶液に3分間浸漬した。水洗後日立化製密着促
進剤ADP−201を所定の手段によつて希釈した溶
液に5分間浸漬し、充分水洗した後日本カニゼン
(株)製シユーマーS680を純水にて8倍希釈した無
電解ニツケル浴(45℃)に基板を5分間浸漬し水
洗後乾燥した。メツキ厚は3500Åで、密着性試験
のため得られたメツキ面で20Kgの圧力をかけて6
回こすつても変化がなかつた。
レジストを塗布し、被膜を作り(c工程)、紫外
線露光を行つた基板(d工程)を現像液(1.2%
KOHを使用した。)に入れ、不必要部のレジスト
をエツチングをし、(e工程)さらに、SnO2,
In2O3などの酸化被膜をZn粉末Hcl法又はCr3+/
Cr2+レドツクス系を用いた浸漬エツチングし、10
%KOHにてレジストエツチングをする。酸化物
被膜パターンが得られた基板に無電解メツキを行
う。無電解メツキするために使用される前処理液
は、Sncl2−Pdcl2混合コロイド溶液又はSncl2溶
液、Pdcl2溶液の分離型溶液を用い、そして、密
着促進剤(酸あるいはアルカリ溶液にPb,Mn,
Zn,Cd,As,Sb,Biから選ばれた一種又は二種
以上の金属を溶解した液)を用いることを特徴と
している。ここで密着促進剤を用いない場合、処
理部(酸化被膜形成部)以外の箇所にもメツキさ
れてしまい、目的の意に添わない。本研究の前処
理液として、Sncl2溶液浸漬(1g/l)(センシ
タイジング)後アクテイベテイングとして日本カ
ニゼン社製のレツドシユーマーの5倍希釈液を用
いた。又はSncl2−Pdcl2混合前処理液には日立化
成増感剤HS−101Bを用い所定の手段にて希釈し
て溶液に3分間浸漬した。水洗後日立化製密着促
進剤ADP−201を所定の手段によつて希釈した溶
液に5分間浸漬し、充分水洗した後日本カニゼン
(株)製シユーマーS680を純水にて8倍希釈した無
電解ニツケル浴(45℃)に基板を5分間浸漬し水
洗後乾燥した。メツキ厚は3500Åで、密着性試験
のため得られたメツキ面で20Kgの圧力をかけて6
回こすつても変化がなかつた。
また本発明の応用例としてはフオトマスク、エ
ンコーダースリツト板、回路パターン形成、透明
導電膜端の金属化等があげられる。
ンコーダースリツト板、回路パターン形成、透明
導電膜端の金属化等があげられる。
以上述べたように本発明によれば、絶縁板上へ
のパターン形成を前述の如き各工程にて構成した
ので、例えば従来技術における絶縁体へのパター
ン形成の製造方法と比較すればピンホール等のパ
ターン不良が解消されると共に絶縁体をSnO2又
はIn2O3等の酸化物被膜上と前記酸化物被膜上に
形成される金属被覆層との密着性が向上すること
からパターンの剥離等の不良が解消される品質の
向上がはかれ、且つ工程が著しく短縮可能となる
のでコストダウンできるという効果を有する。
のパターン形成を前述の如き各工程にて構成した
ので、例えば従来技術における絶縁体へのパター
ン形成の製造方法と比較すればピンホール等のパ
ターン不良が解消されると共に絶縁体をSnO2又
はIn2O3等の酸化物被膜上と前記酸化物被膜上に
形成される金属被覆層との密着性が向上すること
からパターンの剥離等の不良が解消される品質の
向上がはかれ、且つ工程が著しく短縮可能となる
のでコストダウンできるという効果を有する。
第1図a〜hは本発明の絶縁体上へのパターン
メツキ製造方法の実施例を示す各工程毎の絶縁体
の断面図。aは未処理状態の絶縁体を示す断面
図。bは酸化物被膜形成後の絶縁体を示す断面
図。cは光感光性レジスト塗布後の絶縁体を示す
断面図。dは紫外線露光状態の絶縁体を示す断面
図。eは現像されパターニングされた状態を示す
断面図。fは前記酸化物被膜のエツチング後の絶
縁体を示す断面図。gは前記レジストのエツチン
グ後の絶縁体を示す断面図。hは無電解メツキ後
の絶縁体を示す断面図。 1……絶縁基板、2……酸化物被膜、3……光
感光性レジスト被膜、4……金属被膜、5……フ
オトマスク。
メツキ製造方法の実施例を示す各工程毎の絶縁体
の断面図。aは未処理状態の絶縁体を示す断面
図。bは酸化物被膜形成後の絶縁体を示す断面
図。cは光感光性レジスト塗布後の絶縁体を示す
断面図。dは紫外線露光状態の絶縁体を示す断面
図。eは現像されパターニングされた状態を示す
断面図。fは前記酸化物被膜のエツチング後の絶
縁体を示す断面図。gは前記レジストのエツチン
グ後の絶縁体を示す断面図。hは無電解メツキ後
の絶縁体を示す断面図。 1……絶縁基板、2……酸化物被膜、3……光
感光性レジスト被膜、4……金属被膜、5……フ
オトマスク。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 絶縁体上にSnO2又は、In2O3等の酸化物被膜
を形成する工程と、 2 光感光性レジストを塗布する工程と、 3 紫外線露光により、目的の形状にパターニン
グする工程と、 4 不必要部の前記酸化物被膜をエツチングする
工程と、 5 前記光感光性レジストを剥離する工程と、 6 SnCl2−PdCl2混合前処理液で浸漬処理ある
いは、SnCl2溶液浸漬後PdCl2溶液で浸漬処理す
る工程と、 7 酸あるいはアルカリ溶液にPd,Mn,Zn,
Cd,As,Sb,Biから選ばれた一種又は二種以上
の金属を溶解し、その溶液中に浸漬処理する工程
と、 8 無電界メツキ液に入れて金属被覆する工程と
を有することを特徴とする絶縁体上へのパターン
メツキ製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56183480A JPS5884964A (ja) | 1981-11-16 | 1981-11-16 | 絶縁体上へのパタ−ンメツキ製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56183480A JPS5884964A (ja) | 1981-11-16 | 1981-11-16 | 絶縁体上へのパタ−ンメツキ製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5884964A JPS5884964A (ja) | 1983-05-21 |
JPH026833B2 true JPH026833B2 (ja) | 1990-02-14 |
Family
ID=16136540
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56183480A Granted JPS5884964A (ja) | 1981-11-16 | 1981-11-16 | 絶縁体上へのパタ−ンメツキ製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5884964A (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL8105922A (nl) * | 1981-12-31 | 1983-07-18 | Philips Nv | Werkwijze voor het partieel metalliseren van elektrisch geleidende niet-metallische patronen. |
JPS59147430A (ja) * | 1983-02-10 | 1984-08-23 | Oki Electric Ind Co Ltd | 微細回路の形成方法 |
JPH0791657B2 (ja) * | 1988-10-11 | 1995-10-04 | 上村工業株式会社 | パラジウム活性化剤及びセラミック基板の無電解めっき方法 |
JP2652803B2 (ja) * | 1989-03-14 | 1997-09-10 | 上村工業 株式会社 | パラジウム活性化剤及び無電解めっき方法 |
US5376248A (en) * | 1991-10-15 | 1994-12-27 | Enthone-Omi, Inc. | Direct metallization process |
JPH05241721A (ja) * | 1992-02-27 | 1993-09-21 | Totoku Electric Co Ltd | 透明型デジタイザセンサ板 |
-
1981
- 1981-11-16 JP JP56183480A patent/JPS5884964A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5884964A (ja) | 1983-05-21 |
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