JPH026833B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH026833B2 JPH026833B2 JP56183480A JP18348081A JPH026833B2 JP H026833 B2 JPH026833 B2 JP H026833B2 JP 56183480 A JP56183480 A JP 56183480A JP 18348081 A JP18348081 A JP 18348081A JP H026833 B2 JPH026833 B2 JP H026833B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solution
- insulator
- oxide film
- metal
- etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 22
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 16
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 11
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 claims description 10
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 238000007654 immersion Methods 0.000 claims description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 6
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 6
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 14
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 10
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 10
- 101150003085 Pdcl gene Proteins 0.000 description 5
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002318 adhesion promoter Substances 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 2
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 description 2
- 230000001235 sensitizing effect Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 238000001856 aerosol method Methods 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- -1 halogenated carbons Chemical class 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1603—Process or apparatus coating on selected surface areas
- C23C18/1605—Process or apparatus coating on selected surface areas by masking
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1603—Process or apparatus coating on selected surface areas
- C23C18/1607—Process or apparatus coating on selected surface areas by direct patterning
- C23C18/1608—Process or apparatus coating on selected surface areas by direct patterning from pretreatment step, i.e. selective pre-treatment
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ガラス、プラスチツク、セラミツク
結晶体等の絶縁体上にSnO2又はIn2O3等の酸化物
被膜を形成し、光感光性レジストを塗布し、目的
の形状パターニングを行い、Zn粉末＋Hcl又は
Cr2+／Cr3+レドツクス系を用いて不必要部の酸化
物被膜をエツチング処理し、レジストをはくりし
てから、Sncl2−Pdcl2混合前処理液で浸漬処理し
た後、無電解メツキ液に入れて、金属被覆するこ
とからなる絶縁体上へのパターンメツキ製造方法
に関する。
結晶体等の絶縁体上にSnO2又はIn2O3等の酸化物
被膜を形成し、光感光性レジストを塗布し、目的
の形状パターニングを行い、Zn粉末＋Hcl又は
Cr2+／Cr3+レドツクス系を用いて不必要部の酸化
物被膜をエツチング処理し、レジストをはくりし
てから、Sncl2−Pdcl2混合前処理液で浸漬処理し
た後、無電解メツキ液に入れて、金属被覆するこ
とからなる絶縁体上へのパターンメツキ製造方法
に関する。
従来、絶縁体上に金属被覆パターニングする場
合、蒸着、スパツタ等の真空設備を用いて全面被
膜をつくり、以下次の工程に進む。
合、蒸着、スパツタ等の真空設備を用いて全面被
膜をつくり、以下次の工程に進む。
(1) 光感光性レジスト塗布
(2) 紫外線露光
(3) 現像（光照射部又は非光照射部を溶剤でエツ
チング） (4) 金属エツチング (5) レジスト剥離 以上のような工程を用いた場合、真空設備が高
価な上、大量又は大表面積をもつ絶縁体基板に全
面金属被覆することは難しい。
チング） (4) 金属エツチング (5) レジスト剥離 以上のような工程を用いた場合、真空設備が高
価な上、大量又は大表面積をもつ絶縁体基板に全
面金属被覆することは難しい。
また、絶縁体基板上に無電解メツキを行う場
合、目的とする金属メツキ被膜の密着性向上、及
び均一なメツキ膜を得るために、絶縁体基板面を
機械的研摩、化学的研摩及びその両方を用いて表
面を粗していた。それにもかかわらず均一で密着
性のよいメツキ膜を得ることが困難であり作業性
の問題も大きい。
合、目的とする金属メツキ被膜の密着性向上、及
び均一なメツキ膜を得るために、絶縁体基板面を
機械的研摩、化学的研摩及びその両方を用いて表
面を粗していた。それにもかかわらず均一で密着
性のよいメツキ膜を得ることが困難であり作業性
の問題も大きい。
一方SnO2又はIn2O3等酸化物被膜に密着よく無
電解メツキ被膜が形成されることを利用して次の
工程で行うことができる。
電解メツキ被膜が形成されることを利用して次の
工程で行うことができる。
(1) 絶縁体上にSnO2又はIn2O3等の酸化物被膜を
形成し、 (2) Sncl2−Pdcl2混合前処理液又はSncl2前処理
（センシタイジング）した後Pdcl2前処理溶液に
浸漬して（アクテイベイテイング）増感剤に通
した後 (3) 無電解メツキを行い金属被覆し (4) 光感光性レジストを塗布して (5) 紫外露光により目的の形状にパターニングを
行い (6) 不必要部のレジストをエツチングし、 (7) 金属エツチングしたのち (8) SnO2又はIn2O3等酸化物膜エツチングをして (9) レジストをエツチング（剥離）をする。
形成し、 (2) Sncl2−Pdcl2混合前処理液又はSncl2前処理
（センシタイジング）した後Pdcl2前処理溶液に
浸漬して（アクテイベイテイング）増感剤に通
した後 (3) 無電解メツキを行い金属被覆し (4) 光感光性レジストを塗布して (5) 紫外露光により目的の形状にパターニングを
行い (6) 不必要部のレジストをエツチングし、 (7) 金属エツチングしたのち (8) SnO2又はIn2O3等酸化物膜エツチングをして (9) レジストをエツチング（剥離）をする。
この方法の場合、エツチング工程が増えてしま
い作業短縮化の意に反する。またレジストにわず
かのピンホールが存在していた場合、金属被膜に
直接影響を及ぼすこととなり、形成されたパター
ンのピンホール、サイドエツジの切れにつながる
可能性がある。
い作業短縮化の意に反する。またレジストにわず
かのピンホールが存在していた場合、金属被膜に
直接影響を及ぼすこととなり、形成されたパター
ンのピンホール、サイドエツジの切れにつながる
可能性がある。
又、(7)のSnO2又はIn2O3膜のエツチング工程を
除いてもかまわない場合、（透明導電膜としてで
なく、フオトマスクなどに使用）、注意する点は、
酸化被膜の変色である。透明基板を用いた場合、
特に透過率の問題となるものは、変色による透過
率の低下吸収波長の長波長側移行も考慮に入れ
て、処理しなければならない。
除いてもかまわない場合、（透明導電膜としてで
なく、フオトマスクなどに使用）、注意する点は、
酸化被膜の変色である。透明基板を用いた場合、
特に透過率の問題となるものは、変色による透過
率の低下吸収波長の長波長側移行も考慮に入れ
て、処理しなければならない。
本発明はかかる欠点を除去したものでその目的
は、真空設備を用いることなく、作業工程短縮も
含めて低コストで大量及び大表面積の基板も使
え、ピンホール等のパターン不良も少ない、無電
解メツキによる絶縁体上へのパターンメツキ製造
方法を提供するものである。
は、真空設備を用いることなく、作業工程短縮も
含めて低コストで大量及び大表面積の基板も使
え、ピンホール等のパターン不良も少ない、無電
解メツキによる絶縁体上へのパターンメツキ製造
方法を提供するものである。
本発明における絶縁体上へのパターンメツキ製
造方法は、 (1) 絶縁体上にSnO2又は、In2O3等の酸化物被膜
を形成する工程と、 (2) 光感光性レジストを塗布する工程と、 (3) 紫外線露光により、目的の形状にパターニン
グする工程と、 (4) 不必要部の前記酸化物被膜をエツチングする
工程と、 (5) 前記光感光性レジストを剥離する工程と、 (6) SnCl2−PdCl2混合前処理液で浸漬処理ある
いは、SnCl2溶液浸漬後PdCl2溶液で浸漬処理
する工程と、 (7) 酸あるいはアルカリ溶液にPd，Mn，Zn，
Cd，As，Sb，Biから選ばれた一種又は二種以
上の金属を溶解し、その溶液中に浸漬処理する
工程と、 (8) 無電界メツキ液に入れて金属被覆する工程と
を有することを特徴とする。
造方法は、 (1) 絶縁体上にSnO2又は、In2O3等の酸化物被膜
を形成する工程と、 (2) 光感光性レジストを塗布する工程と、 (3) 紫外線露光により、目的の形状にパターニン
グする工程と、 (4) 不必要部の前記酸化物被膜をエツチングする
工程と、 (5) 前記光感光性レジストを剥離する工程と、 (6) SnCl2−PdCl2混合前処理液で浸漬処理ある
いは、SnCl2溶液浸漬後PdCl2溶液で浸漬処理
する工程と、 (7) 酸あるいはアルカリ溶液にPd，Mn，Zn，
Cd，As，Sb，Biから選ばれた一種又は二種以
上の金属を溶解し、その溶液中に浸漬処理する
工程と、 (8) 無電界メツキ液に入れて金属被覆する工程と
を有することを特徴とする。
以下実施例に基づいて本発明を詳しく説明す
る。
る。
図１は本発明のパターニング工程であり、ａは
未処理、ｂは酸化被膜形成後、ｃは光感光性レジ
スト塗布、ｄは紫外線露光、ｅは現像後、ｆは酸
化被膜エツチング後、ｇはレジストハクリ後、ｈ
は無電解メツキ後、１は絶縁基板、２は酸化物被
膜、３は光感光性レジスト被膜、４は金属被膜、
５はフオトマスクである。
未処理、ｂは酸化被膜形成後、ｃは光感光性レジ
スト塗布、ｄは紫外線露光、ｅは現像後、ｆは酸
化被膜エツチング後、ｇはレジストハクリ後、ｈ
は無電解メツキ後、１は絶縁基板、２は酸化物被
膜、３は光感光性レジスト被膜、４は金属被膜、
５はフオトマスクである。
絶縁基板１をよく洗浄し、CVD法又は金属ア
ルコキサイドの加水分解により金属酸化物被膜を
得る方法を採用した。（ｂ）ガラス、セラミツク
結晶体のように比較的高温に耐えられるものは
CVDでもかまわないが特にプラスチツク基板等
は、加熱温度が80℃〜100℃が限界であるためア
ルコキサイドの型で処理した方がよい。金属アル
コキサイドは一般式Ｍ（OR）oで表わされ、Ｍはこ
れらの金属、Ｒはアルキル基、ｎはＭの原子価を
表わしている。前記混合酸化被膜はこれらのアル
コキサイドを適当に混合することにより得られ
る。これらのアルコキサイドを0.01％〜10％に適
当な有機溶媒（アルコール類、ハロゲン化炭素
類、エステル類、ケトン類、芳香族類等）に溶解
し、絶縁体基板にコーテイングするのだが、それ
にはスプレー法、ロールコーター法、エアロゾル
法、デイツピング法がある。コーテイング後、常
温〜500℃の温度範囲で加水分解を行う。先に述
べたように各基板の耐熱限界内で加熱することで
ある。
ルコキサイドの加水分解により金属酸化物被膜を
得る方法を採用した。（ｂ）ガラス、セラミツク
結晶体のように比較的高温に耐えられるものは
CVDでもかまわないが特にプラスチツク基板等
は、加熱温度が80℃〜100℃が限界であるためア
ルコキサイドの型で処理した方がよい。金属アル
コキサイドは一般式Ｍ（OR）oで表わされ、Ｍはこ
れらの金属、Ｒはアルキル基、ｎはＭの原子価を
表わしている。前記混合酸化被膜はこれらのアル
コキサイドを適当に混合することにより得られ
る。これらのアルコキサイドを0.01％〜10％に適
当な有機溶媒（アルコール類、ハロゲン化炭素
類、エステル類、ケトン類、芳香族類等）に溶解
し、絶縁体基板にコーテイングするのだが、それ
にはスプレー法、ロールコーター法、エアロゾル
法、デイツピング法がある。コーテイング後、常
温〜500℃の温度範囲で加水分解を行う。先に述
べたように各基板の耐熱限界内で加熱することで
ある。
Ｍ（OR）2n＋nH2O→MOn＋2nROH
の反応で酸化物被膜が形成される。次に光感光性
レジストを塗布し、被膜を作り（ｃ工程）、紫外
線露光を行つた基板（ｄ工程）を現像液（1.2％
KOHを使用した。）に入れ、不必要部のレジスト
をエツチングをし、（ｅ工程）さらに、SnO2，
In2O3などの酸化被膜をZn粉末Hcl法又はCr3+／
Cr2+レドツクス系を用いた浸漬エツチングし、10
％KOHにてレジストエツチングをする。酸化物
被膜パターンが得られた基板に無電解メツキを行
う。無電解メツキするために使用される前処理液
は、Sncl2−Pdcl2混合コロイド溶液又はSncl2溶
液、Pdcl2溶液の分離型溶液を用い、そして、密
着促進剤（酸あるいはアルカリ溶液にPb，Mn，
Zn，Cd，As，Sb，Biから選ばれた一種又は二種
以上の金属を溶解した液）を用いることを特徴と
している。ここで密着促進剤を用いない場合、処
理部（酸化被膜形成部）以外の箇所にもメツキさ
れてしまい、目的の意に添わない。本研究の前処
理液として、Sncl2溶液浸漬（１ｇ／ｌ）（センシ
タイジング）後アクテイベテイングとして日本カ
ニゼン社製のレツドシユーマーの５倍希釈液を用
いた。又はSncl2−Pdcl2混合前処理液には日立化
成増感剤HS−101Bを用い所定の手段にて希釈し
て溶液に３分間浸漬した。水洗後日立化製密着促
進剤ADP−201を所定の手段によつて希釈した溶
液に５分間浸漬し、充分水洗した後日本カニゼン
(株)製シユーマーS680を純水にて８倍希釈した無
電解ニツケル浴（45℃）に基板を５分間浸漬し水
洗後乾燥した。メツキ厚は3500Åで、密着性試験
のため得られたメツキ面で20Kgの圧力をかけて６
回こすつても変化がなかつた。
レジストを塗布し、被膜を作り（ｃ工程）、紫外
線露光を行つた基板（ｄ工程）を現像液（1.2％
KOHを使用した。）に入れ、不必要部のレジスト
をエツチングをし、（ｅ工程）さらに、SnO2，
In2O3などの酸化被膜をZn粉末Hcl法又はCr3+／
Cr2+レドツクス系を用いた浸漬エツチングし、10
％KOHにてレジストエツチングをする。酸化物
被膜パターンが得られた基板に無電解メツキを行
う。無電解メツキするために使用される前処理液
は、Sncl2−Pdcl2混合コロイド溶液又はSncl2溶
液、Pdcl2溶液の分離型溶液を用い、そして、密
着促進剤（酸あるいはアルカリ溶液にPb，Mn，
Zn，Cd，As，Sb，Biから選ばれた一種又は二種
以上の金属を溶解した液）を用いることを特徴と
している。ここで密着促進剤を用いない場合、処
理部（酸化被膜形成部）以外の箇所にもメツキさ
れてしまい、目的の意に添わない。本研究の前処
理液として、Sncl2溶液浸漬（１ｇ／ｌ）（センシ
タイジング）後アクテイベテイングとして日本カ
ニゼン社製のレツドシユーマーの５倍希釈液を用
いた。又はSncl2−Pdcl2混合前処理液には日立化
成増感剤HS−101Bを用い所定の手段にて希釈し
て溶液に３分間浸漬した。水洗後日立化製密着促
進剤ADP−201を所定の手段によつて希釈した溶
液に５分間浸漬し、充分水洗した後日本カニゼン
(株)製シユーマーS680を純水にて８倍希釈した無
電解ニツケル浴（45℃）に基板を５分間浸漬し水
洗後乾燥した。メツキ厚は3500Åで、密着性試験
のため得られたメツキ面で20Kgの圧力をかけて６
回こすつても変化がなかつた。
また本発明の応用例としてはフオトマスク、エ
ンコーダースリツト板、回路パターン形成、透明
導電膜端の金属化等があげられる。
ンコーダースリツト板、回路パターン形成、透明
導電膜端の金属化等があげられる。
以上述べたように本発明によれば、絶縁板上へ
のパターン形成を前述の如き各工程にて構成した
ので、例えば従来技術における絶縁体へのパター
ン形成の製造方法と比較すればピンホール等のパ
ターン不良が解消されると共に絶縁体をSnO2又
はIn2O3等の酸化物被膜上と前記酸化物被膜上に
形成される金属被覆層との密着性が向上すること
からパターンの剥離等の不良が解消される品質の
向上がはかれ、且つ工程が著しく短縮可能となる
のでコストダウンできるという効果を有する。
のパターン形成を前述の如き各工程にて構成した
ので、例えば従来技術における絶縁体へのパター
ン形成の製造方法と比較すればピンホール等のパ
ターン不良が解消されると共に絶縁体をSnO2又
はIn2O3等の酸化物被膜上と前記酸化物被膜上に
形成される金属被覆層との密着性が向上すること
からパターンの剥離等の不良が解消される品質の
向上がはかれ、且つ工程が著しく短縮可能となる
のでコストダウンできるという効果を有する。
第１図ａ〜ｈは本発明の絶縁体上へのパターン
メツキ製造方法の実施例を示す各工程毎の絶縁体
の断面図。ａは未処理状態の絶縁体を示す断面
図。ｂは酸化物被膜形成後の絶縁体を示す断面
図。ｃは光感光性レジスト塗布後の絶縁体を示す
断面図。ｄは紫外線露光状態の絶縁体を示す断面
図。ｅは現像されパターニングされた状態を示す
断面図。ｆは前記酸化物被膜のエツチング後の絶
縁体を示す断面図。ｇは前記レジストのエツチン
グ後の絶縁体を示す断面図。ｈは無電解メツキ後
の絶縁体を示す断面図。 １……絶縁基板、２……酸化物被膜、３……光
感光性レジスト被膜、４……金属被膜、５……フ
オトマスク。
メツキ製造方法の実施例を示す各工程毎の絶縁体
の断面図。ａは未処理状態の絶縁体を示す断面
図。ｂは酸化物被膜形成後の絶縁体を示す断面
図。ｃは光感光性レジスト塗布後の絶縁体を示す
断面図。ｄは紫外線露光状態の絶縁体を示す断面
図。ｅは現像されパターニングされた状態を示す
断面図。ｆは前記酸化物被膜のエツチング後の絶
縁体を示す断面図。ｇは前記レジストのエツチン
グ後の絶縁体を示す断面図。ｈは無電解メツキ後
の絶縁体を示す断面図。 １……絶縁基板、２……酸化物被膜、３……光
感光性レジスト被膜、４……金属被膜、５……フ
オトマスク。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 絶縁体上にSnO2又は、In2O3等の酸化物被膜
を形成する工程と、 ２ 光感光性レジストを塗布する工程と、 ３ 紫外線露光により、目的の形状にパターニン
グする工程と、 ４ 不必要部の前記酸化物被膜をエツチングする
工程と、 ５ 前記光感光性レジストを剥離する工程と、 ６ SnCl2−PdCl2混合前処理液で浸漬処理ある
いは、SnCl2溶液浸漬後PdCl2溶液で浸漬処理す
る工程と、 ７ 酸あるいはアルカリ溶液にPd，Mn，Zn，
Cd，As，Sb，Biから選ばれた一種又は二種以上
の金属を溶解し、その溶液中に浸漬処理する工程
と、 ８ 無電界メツキ液に入れて金属被覆する工程と
を有することを特徴とする絶縁体上へのパターン
メツキ製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56183480A JPS5884964A (ja) | 1981-11-16 | 1981-11-16 | 絶縁体上へのパタ−ンメツキ製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56183480A JPS5884964A (ja) | 1981-11-16 | 1981-11-16 | 絶縁体上へのパタ−ンメツキ製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5884964A JPS5884964A (ja) | 1983-05-21 |
| JPH026833B2 true JPH026833B2 (ja) | 1990-02-14 |
Family
ID=16136540
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56183480A Granted JPS5884964A (ja) | 1981-11-16 | 1981-11-16 | 絶縁体上へのパタ−ンメツキ製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5884964A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL8105922A (nl) * | 1981-12-31 | 1983-07-18 | Philips Nv | Werkwijze voor het partieel metalliseren van elektrisch geleidende niet-metallische patronen. |
| JPS59147430A (ja) * | 1983-02-10 | 1984-08-23 | Oki Electric Ind Co Ltd | 微細回路の形成方法 |
| JPH0791657B2 (ja) * | 1988-10-11 | 1995-10-04 | 上村工業株式会社 | パラジウム活性化剤及びセラミック基板の無電解めっき方法 |
| JP2652803B2 (ja) * | 1989-03-14 | 1997-09-10 | 上村工業 株式会社 | パラジウム活性化剤及び無電解めっき方法 |
| US5376248A (en) * | 1991-10-15 | 1994-12-27 | Enthone-Omi, Inc. | Direct metallization process |
| JPH05241721A (ja) * | 1992-02-27 | 1993-09-21 | Totoku Electric Co Ltd | 透明型デジタイザセンサ板 |
-
1981
- 1981-11-16 JP JP56183480A patent/JPS5884964A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5884964A (ja) | 1983-05-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3117386B2 (ja) | 基板を選択的に金属被覆する方法 | |
| US6127052A (en) | Substrate and method for producing it | |
| US3666549A (en) | Method of making additive printed circuit boards and product thereof | |
| JP2002348680A (ja) | 金属膜パターンおよびその製造方法 | |
| EP0288491A1 (en) | SELECTIVE METALLIZATION PROCESS, ADDITIVE PROCESS FOR THE MANUFACTURE OF PRINTED CICRUIT PLATES, AND COMPOSITION USED. | |
| US3949121A (en) | Method of forming a hydrophobic surface | |
| US4328298A (en) | Process for manufacturing lithography masks | |
| EP0312551A1 (en) | Additive method for manufacturing printed circuit boards using aqueous alkaline developable and strippable photoresists | |
| US4574031A (en) | Additive processing electroless metal plating using aqueous photoresist | |
| US4526810A (en) | Process for improved wall definition of an additive printed circuit | |
| US3950570A (en) | Method of depositing a metal on a surface | |
| JPH026833B2 (ja) | ||
| DE19642922C2 (de) | Aktivierende katalytische Lösung zur stromlosen Metallisierung und Verfahren zur Vorbereitung eines Substrats zur stromlosen Metallisierung | |
| US3916056A (en) | Photomask bearing a pattern of metal plated areas | |
| USRE28042E (en) | Method of making additive printed circuit boards and product thereof | |
| JPH11330652A (ja) | 基板及びその製造方法 | |
| US3791939A (en) | Method of selectively depositing a metal on a surface | |
| CA1045909A (en) | Processes and products of sensitizing substrates | |
| JPS6133905B2 (ja) | ||
| JP2872940B2 (ja) | 基板金属化法 | |
| JPH0230385B2 (ja) | Mudenkaimetsukiho | |
| JPH0123551B2 (ja) | ||
| JPH0212204A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPH08184708A (ja) | ブラックマトリックス及びその製法 | |
| JPH0257336A (ja) | プラスチック上への無電解メッキ方法 |