NL8105922A - Werkwijze voor het partieel metalliseren van elektrisch geleidende niet-metallische patronen. - Google Patents

Werkwijze voor het partieel metalliseren van elektrisch geleidende niet-metallische patronen. Download PDF

Info

Publication number
NL8105922A
NL8105922A NL8105922A NL8105922A NL8105922A NL 8105922 A NL8105922 A NL 8105922A NL 8105922 A NL8105922 A NL 8105922A NL 8105922 A NL8105922 A NL 8105922A NL 8105922 A NL8105922 A NL 8105922A
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
metal
metallization
electrically conductive
conductive non
pattern
Prior art date
Application number
NL8105922A
Other languages
English (en)
Original Assignee
Philips Nv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Nv filed Critical Philips Nv
Priority to NL8105922A priority Critical patent/NL8105922A/nl
Priority to EP82201626A priority patent/EP0083458B1/en
Priority to DE8282201626T priority patent/DE3269524D1/de
Priority to US06/452,570 priority patent/US4478690A/en
Priority to JP57235078A priority patent/JPS58119111A/ja
Publication of NL8105922A publication Critical patent/NL8105922A/nl
Priority to HK757/86A priority patent/HK75786A/xx

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/24Reinforcing the conductive pattern
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601Process or apparatus
    • C23C18/1603Process or apparatus coating on selected surface areas
    • C23C18/1607Process or apparatus coating on selected surface areas by direct patterning
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601Process or apparatus
    • C23C18/1603Process or apparatus coating on selected surface areas
    • C23C18/1607Process or apparatus coating on selected surface areas by direct patterning
    • C23C18/1608Process or apparatus coating on selected surface areas by direct patterning from pretreatment step, i.e. selective pre-treatment
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601Process or apparatus
    • C23C18/1633Process of electroless plating
    • C23C18/1635Composition of the substrate
    • C23C18/1639Substrates other than metallic, e.g. inorganic or organic or non-conductive
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601Process or apparatus
    • C23C18/1633Process of electroless plating
    • C23C18/1655Process features
    • C23C18/1664Process features with additional means during the plating process
    • C23C18/1671Electric field
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/18Pretreatment of the material to be coated
    • C23C18/1851Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material
    • C23C18/1872Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material by chemical pretreatment
    • C23C18/1875Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material by chemical pretreatment only one step pretreatment
    • C23C18/1879Use of metal, e.g. activation, sensitisation with noble metals
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/18Pretreatment of the material to be coated
    • C23C18/1851Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material
    • C23C18/1896Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material by electrochemical pretreatment
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/31Coating with metals
    • C23C18/32Coating with nickel, cobalt or mixtures thereof with phosphorus or boron
    • C23C18/34Coating with nickel, cobalt or mixtures thereof with phosphorus or boron using reducing agents
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/31Coating with metals
    • C23C18/32Coating with nickel, cobalt or mixtures thereof with phosphorus or boron
    • C23C18/34Coating with nickel, cobalt or mixtures thereof with phosphorus or boron using reducing agents
    • C23C18/36Coating with nickel, cobalt or mixtures thereof with phosphorus or boron using reducing agents using hypophosphites
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/03Conductive materials
    • H05K2201/032Materials
    • H05K2201/0326Inorganic, non-metallic conductor, e.g. indium-tin oxide [ITO]
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S205/00Electrolysis: processes, compositions used therein, and methods of preparing the compositions
    • Y10S205/916Sequential electrolytic and nonelectrolytic, or nonelectrolytic and electrolytic coating from the same bath

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Description

\ é> EHN 10.241 1 N.V. Philips’ Gloeilairpenfabrieken te Eindhoven "Werkwijze voor het partieel metalliseren van elektrisch geleidende niet-metallische patronen".
De uitvinding heeft betrekking op een werkwijze voor het partieel metalliseren van elektrisch geleidende niet-metallische patronen op isolerende substraten en op de aldus verkregen produkten.
Uit het GB octrooischrift 1,435,319 is een dergelijke werk-5 wijze bekend voor de vervaardiging van een inrichting bestaande uit een transparant isolerend substraat, waarop een patroon van transparante geleiders is aangebracht, op een gedeelte waarvan zich een laag bevindt bestaande uit een metaal waarmee een verbinding gemaakt kan worden door middel van solderen, lassen, thermocompressie en andere 10 technieken.
Bij deze werkwijze wordt gebruik gemaakt van een uit metaal bestaande hulplaag, die één of meer uitsparingen in de vorm van het te maken geleiderpatrocn heeft..Een transparante, metaaloxidische, geleidende laag wordt op de metalen hulplaag en in de uitsparingen in 15 contact met het substraat aangebracht en een deel van de transparante geleidende laag wordt vervolgens voorzien van een laag van een metaal waarmede een verbinding gemaakt kan worden. De delen van de transparante geleidende laag op de metalen hulplaag tezamen met delen van de metaal laag, waarmede een verbinding genaakt kan worden, op bedoelde 20 delen van de transparante geleidende laag worden door selectief oplossen van de hulplaag verwijderd, waardoor een geleiderpatrocn achterblijft, dat voor een gedeelte bestaat uit een transparante laag en voor het resterende deel uit tenminste twee lagen, waarvan de binnenste uit transparant, geleidend materiaal en de buitenste uit metaal, waarmede 25 een verbinding kan worden gemaakt.
De me taallagen, waarvan bij deze werkwijze sprake is, worden door opdampen of sputteren aangebracht en de transparante metaaloxidische laag door hydrolyse en/of pyrolyse van een betreffende metaalverbinding aan het oppervlak of door sputteren.
30 Hierbij wordt twee maal een masker opgebracht, bijvoorbeeld door middel van een fotolak, die wordt belicht via een negatief en vervolgens wordt ontwikkeld, waarna ófwel de belichte delen óf de niet-belichte delen, afhankelijk van het type fotolak, worden verwijderd.
8105922 Γ ΡΗΝ 10.241 2 t
Ook hulplagen van ander materiaal kunnen toepassing vinden. De maskers worden gebruikt als afscherming bij het opdampen, het galvanisch of stroomloos afzetten van metaal of bij het wegetsen van delen van een uniforme metaallaag.
5 Bij het meerdere malen belichten treden registratieproblemen op, terwijl bij het etsen vanwege de aanwezigheid van verschillende materialen onderetsen kan plaatsvinden. De tegenwoordige ingewikkeldheid van, en de aanwezigheid van fijne details in de patronen geeft bij deze technieken gemakkelijk aanleiding tot kortsluiting of onder-10 breking.
De uitvinding biedt een belangrijke vereenvoudiging van deze werkwijze en vermijdt de bovengenoemde nadelen.
Zij is daardoor gekenmerkt, dat het te metalliseren deel van het patroon wordt ondergedompeld in een stroomloos metalliseringsbad 15 en dat kortstondig een potentiaalverschil wordt opgelegd tussen het patroon en de badvloeistof ter initieering van de metaalafscheiding.
Een in het kader van de uitvinding zeer interessante uitvoering is een vloeibaar kristal-paneel met doorzichtige elektroden. De metallisering is slechts aan een gedeelte nodig, dat wil zeggen slechts 20 aan het deel waarop zich de toevoergeleiders voor de weergave-elementen bevinden, en kan dan geïnitieerd worden door dit deel ondergedcmpeld te houden en vervolgens de spanningsstoot te geven,
De op te leggen verlaging in potentiaal van het te metalliseren deel ten opzichte van de oplossing kan op verschillende wijzen 25 gerealiseerd worden. Een methode is door gebruik te maken van een uitwendige spanningsbron en een hulpelektrode, die in de oplossing steekt. Een andere mogelijkheid is het te metalliseren patroon uitwendig kort te sluiten met een ander voorwerp waarop de bewuste metaalaf zetting reeds in gang is en zich een potentiaal tussen ,het zich afzettende, 30 metaal en de oplossing heeft ingesteld.
Het af te scheiden metaal is bij voorkeur nikkel, waarbij het meest gunstige reduktiemiddel een borazaan is. In dat geval wordt een Ni-B-neerslag verkregen met een groot specifiek geleidingsvermogen, dat door een uitstekende soldeerbaarheid uitmunt. Een hypofosfiet als 35 reduktiemiddel is ook mogelijk.
Ook bij patronen, die met behulp van dikke-fiM-zeefdruktechnieken zijn vervaardigd, is de werkwijze volgens de uitvinding mogelijk bijvoorbeeld voor het maken van laagobmige aansluitingen aan· weer- 8105922 EHN 10.241 3 % stands -of geleidersporen. Het betreft hier zogenaamde cermet-materialen, die bestaan uit gedispergeerde metallische deeltjes en/of metaalcxi-dische deeltjes in een glasachtige matrix of ook uit amorfe koolstof of grafietdeeltjes, in een bindmiddel gedispergeerd. Bij de weerstands-5 patronen wordt de initieering van de metaalafscheiding uitsluitend door middel van een uitwandige gelijkspanningsbran tot stand gebracht.
De uitvinding zal aan de hand van bijgaande tekening en van enkele uitvoeringsvoorbeelden nader warden toegelicht.
De figuur vertoont één van de zijden van een vloeibaar-kristal-10 display met de electroden uit transparant indium-tinoxide op een pyrex-glasplaat. Het display vertoont negen, elk uit zeven segmenten (41 t/m 47) bestaande symbolen, waaruit de cijfers 1 tot en met 9 en 0 samengesteld kunnen warden. Elk segment is door middel van een smalle geleider baan (48 t/m 54) met een soldeercontact (55 t/m 66) verbonden. Alle 15 contacten en de geleiderbanen in het gebied EFDA worden met een metaal-laag volgens de werkwijze van de uitvinding bekleed. Daartoe wordt de benodigde potentiaal voor de initieer ing opgelegd door de geleiderbanen . 48 t/m 54 binnen het gebied EPCB te verbinden met de spanningsbron.
Vervolgens wordt na het verbreken van het contact de beklemde delen 20 binnen het gebied EFDA stroomloos gemetalliseerd.
Voorbeeld 1 2
Een glazen substraat van 3x3 cm , die bedekt is met een doorzichtige laag van indium-tinoxide met een weerstand van 30-TL per vierkant en geetst tot een patroon van 50 geleiderbanen van 27x0,5 rem met 25 een onderlinge afstand van 0,1 nrn, wordt na behandeling in een alkalische ontvettingsoplossing van kamertenperatuur gewassen in koud gedeïoniseerd water en vervolgens voor 80% van de lengte van de geleiderbaan gedompeld In een stroomloos vemikkelbad met een samenstelling volgens de receptuur "NIPOSIT 468" van Shipley, dat naast een nikkelzout dimethylamlno-30 boraan als reductiemiddel bevat, bij een temperatuur van 65°C.
Verbindt men nu uitwendig de banen van het geleiderpatroon geleidend met een in dezelfde oplossing geplaatst substraat waaraan de metaalaf zetting reeds plaatsvindt, dan start na ongeveer 15 seconden de metaalaf zetting zichtbaar over het gehele oppervlak van het in de vloei-35 stof gedompelde deel van de banen. Na circa 10 minuten is dan selectief iedere baan voorzien van een goed hechtende soldeerbare metaallaag met een uniforme laagdikte van 1^um.
Voorbeeld 2 8105922 PHN 10.241 4
X
•Γ j»
Hetzelfde geleiderpatroon als van Voorbeeld 1 wordt geplaatst in dezelfde stroomloze vernikkeloplossing doch nu bij kamertemperatuur. Brengt men nu met behulp van een uitwendige spanningsbron gedurende 5 seconden,- een spanningsverschil aan van circa 1V tussen de geleiderbanen 5 (kathodisch) en een tevens in dezelfde oplossing geplaatste inerte electrode (bijvoorbeeld Pt), dan blijken hierdoor deze banen hoewel nog niet zichtbaar, van voldoende katalytische kiemen voorzien te zijn.
Direct na overbrenging van dit substraat in een oplossing van dezelfde samenstelling als in Voorbeeld 1, bij 65°C, start selectieve 10 stroomloze metallisering van de bekiemde banen over de gehele lengte van de banen. Uiteraard kan de bekieming ook in dezelfde oplossing en bij dezelfde temperatuur plaatsvinden. In dit voorbeeld is aangetoond, dat de spanningspuls. slechts de katalytische kiemen levert en dat de metallisering geheel het gevolg is van selectieve stroomloze metaal-15 afzetting.
Voorbeeld 3
Dezelfde bekiemingsmethode als in Voorbeeld 2 beschreven wordt nu uitgevoerd in een verdunde "NIPOSIT 468” vernikkeloplossing. Een verdunning van 1:20 betekent dat nu minimaal een badspanning van 5,5 V 20 gedurende circa 10 seconden nodig is cm de metallisering homogeen te laten starten na de overbrenging van het bekiemde substraat in de onverdunde vernikkeloplossing van 65°C. Het verhogen van de aangelegde spanning en tegelijkertijd verlagen, van de concentraties tijdens bekieming blijkt vooral van voordeel voor geleiders met een hogere weerstands-25 waarde dan 30jCL /vierkant.
Voorbeeld 4
Een ander te metalliseren substraat bestaat uit een door zeefdruk op een keramisch plaatje aangebracht weerstandspatroon van een glas met hierin geleiderdeeltjes van rutheniumoxide uit een pasta geprepa-30 reerd door de Fa. E.I. Dupont de Nemours onder nummer 1331, met een oppervlakteweerstand van 1k Cl /vierkant.
De ccntactplaatsen van dit patroon met een oppervlak van 1,7 x 2 2,5 mm zijn verbonden met banen van 0,25 mm breed.
Na ontvetting als beschreven in Voorbeeld 1 in een alkalische 35 oplossing en spoelen in gedeïoniseerd water, worden de contactplaatsen 2 van 1,7x2,5 mm in de onverdunde metalliseringsoplossing, met dezelfde samenstelling als hierboven genoemd ("NIPOSIT 468"), gedompeld.
Een uitwendige gelijkspanningsbron wordt nu aangesloten tussen 8105922 1 EHN 10.241 5 «- * de zich boven de vloeistof bevindende wserstandsbanen van 0,25 nm en een in dezelfde vloeistof geplaatste inerte hulpelektrode, bijvoorbeeld Pt. Schakelt men nu de contactplaatsen via de weerstandsbanen gedurende 10 seconden kathodisch ten opzichte van de hulpelektrode bij een aan-5 gelegde spanning van 157, dan is het oppervlak hierdoor weer voldoende katalytisch geworden cm na overbrenging in een zelfde oplossing van 65°C weer een metaallaag van uniforme dikte selectief te laten aangroeien.
Effectieve metallisering vindt blijkbaar alleen in de strocm-10 loze periode plaats, daar geen veerstands vermindering direct na de spanningspuls gemeten kon worden en de weerstand van het contactvlak gedurende het verblijf in de vemikkeloplossing van 65°C continu met de tijd af neemt.
15 20 25 30 35 8105922

Claims (4)

1. Werkwijze voor het partieel metalliseren van elektrisch geleidende niet-metallische patronen op isolerende substraten, met het kenmerk, dat het te metalliseren deel van het patroon wordt ondergedompeld in een stroomloos metalliseringsbad en kortstondig een po-5 tentiaalverschil wordt aangelegd tussen het patroon en de badvloeistof ter initieering van de metaalafscheiding.
2. Werkwijze volgens conclusie 1 voor het partieel metalliseren van doorzichtige patronen uit indium- en/of tinoxide op een glazen substraat.
3. Werkwijze volgens conclusie 1 voor het partieel metalliseren van weerstands of -geleidermateriaal, bestaande uit metaaloxide en/of fijnverdeeld metaal in een glasachtige matrix, of ook amorfe koolstof-of grafietdeeltjes, in een bindmiddel gedispergeerd.
4. Erodukten, verkregen volgens de werkwijze van een van de 15 conclusie 1 tot en met 3. 20 25 30 35 8105922
NL8105922A 1981-12-31 1981-12-31 Werkwijze voor het partieel metalliseren van elektrisch geleidende niet-metallische patronen. NL8105922A (nl)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL8105922A NL8105922A (nl) 1981-12-31 1981-12-31 Werkwijze voor het partieel metalliseren van elektrisch geleidende niet-metallische patronen.
EP82201626A EP0083458B1 (en) 1981-12-31 1982-12-20 Method of partially metallising electrically conductive non-metallic patterns
DE8282201626T DE3269524D1 (en) 1981-12-31 1982-12-20 Method of partially metallising electrically conductive non-metallic patterns
US06/452,570 US4478690A (en) 1981-12-31 1982-12-23 Method of partially metallizing electrically conductive non-metallic patterns
JP57235078A JPS58119111A (ja) 1981-12-31 1982-12-27 電気的に導電性の非金属パタ−ンを部分的に金属化する方法
HK757/86A HK75786A (en) 1981-12-31 1986-10-09 Method of partially metallising electrically conductive non-metallic patterns

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL8105922 1981-12-31
NL8105922A NL8105922A (nl) 1981-12-31 1981-12-31 Werkwijze voor het partieel metalliseren van elektrisch geleidende niet-metallische patronen.

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL8105922A true NL8105922A (nl) 1983-07-18

Family

ID=19838645

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL8105922A NL8105922A (nl) 1981-12-31 1981-12-31 Werkwijze voor het partieel metalliseren van elektrisch geleidende niet-metallische patronen.

Country Status (6)

Country Link
US (1) US4478690A (nl)
EP (1) EP0083458B1 (nl)
JP (1) JPS58119111A (nl)
DE (1) DE3269524D1 (nl)
HK (1) HK75786A (nl)
NL (1) NL8105922A (nl)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4671968A (en) * 1985-04-01 1987-06-09 Macdermid, Incorporated Method for electroless deposition of copper on conductive surfaces and on substrates containing conductive surfaces
DE3536821A1 (de) * 1985-10-16 1987-04-16 Standard Elektrik Lorenz Ag Verfahren zur herstellung einer stromlos abgeschiedenen, loetbaren metallschicht
DE3705251A1 (de) * 1987-02-19 1988-09-01 Standard Elektrik Lorenz Ag Verfahren zur herstellung einer stromlos abgeschiedenen, loetbaren metallschicht
JPS63250488A (ja) * 1987-04-06 1988-10-18 Murata Mfg Co Ltd めつき処理方法
JPS63311235A (ja) * 1987-06-12 1988-12-20 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶電気光学装置作製方法
JPH0196383A (ja) * 1987-10-07 1989-04-14 Seiko Instr & Electron Ltd 透明導電膜パターン上へのめっき方法
US5016986A (en) * 1988-04-12 1991-05-21 Sharp Kabushiki Kaisha Display device having an improvement in insulating between conductors connected to electronic components
DE69204564T2 (de) * 1991-06-12 1996-05-02 Philips Electronics Nv Verfahren zur selektiven stromlosen Metallisierung eines Musters aus einem anderen Werkstoff als Glas auf einem Glasträger.
JPH0544075A (ja) * 1991-08-15 1993-02-23 Nippon Riironaale Kk 無電解銅めつき代替銅ストライクめつき方法
DE19841900A1 (de) * 1998-09-11 2000-03-30 Schott Glas Verfahren zum Aufbringen von metallischen Leiterbahnen als Elektroden auf eine Kanalplatte für großflächige Flachbildschirme
DE10011455B4 (de) * 2000-03-10 2005-12-08 Schott Ag Verfahren zum Aufbringen von metallischen Leiterbahnen als Elektroden auf eine Kanalplatte aus Glas für großflächige Flachbildschirme
US7152291B2 (en) 2002-04-15 2006-12-26 Avx Corporation Method for forming plated terminations
KR20060098522A (ko) * 2005-03-03 2006-09-19 삼성전자주식회사 유기 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
AU2017408933B2 (en) * 2017-04-14 2020-07-09 Mitsubishi Electric Corporation Indoor unit of air-conditioning apparatus

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3303111A (en) * 1963-08-12 1967-02-07 Arthur L Peach Electro-electroless plating method
JPS52120929A (en) * 1976-04-05 1977-10-11 Suwa Seikosha Kk Method of etching transparent conductive films
JPS55845A (en) * 1978-06-19 1980-01-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd Device for burning liquid fuel
US4264646A (en) * 1979-03-12 1981-04-28 Xerox Corporation Selectively electrolessly depositing a metal pattern on the surface of a laminar film
JPS5884964A (ja) * 1981-11-16 1983-05-21 Seiko Epson Corp 絶縁体上へのパタ−ンメツキ製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0340452B2 (nl) 1991-06-19
EP0083458B1 (en) 1986-02-26
HK75786A (en) 1986-10-17
DE3269524D1 (en) 1986-04-03
JPS58119111A (ja) 1983-07-15
US4478690A (en) 1984-10-23
EP0083458A1 (en) 1983-07-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL8105922A (nl) Werkwijze voor het partieel metalliseren van elektrisch geleidende niet-metallische patronen.
KR100371298B1 (ko) 금속배선의 제조방법
EP0475567B1 (en) Method for fabricating printed circuits
EP0391314B1 (en) Method for patterning on a substrate
TW201250725A (en) Resistor and method for making same
DE3421989A1 (de) Verfahren zum metallisieren von keramischen oberflaechen
JP2021515406A (ja) 超広帯域性能を有する積層セラミックコンデンサ
DE3421988A1 (de) Verfahren zum metallisieren von keramischen oberflaechen
KR840005498A (ko) 비금속면 전기 도금 방법
JPH0799790B2 (ja) 印刷回路基板の製造方法
US7504199B2 (en) Method of forming metal pattern having low resistivity
US4495524A (en) Part for a slide variable resistor
JPH08227656A (ja) プラズマディスプレイの導電パターン形成方法
US20060097622A1 (en) Method of forming metal pattern having low resistivity
TW442817B (en) Process for depositing metallic conductor paths as electrodes on a channel plate for large-screen flat-panel displays
CN116635960B (zh) 具有超宽带性能的多层陶瓷电容器
EP0290577A4 (en) IMPROVED PHOTOSELECTIVE PLATING PROCESS.
JPH03203341A (ja) 微小電極を有する基板およびその製造方法
JPH04208591A (ja) セラミック・プリント配線板
JPS60262304A (ja) 液晶表示装置
GB1596493A (en) Additive method of manufacturing wiring patterns
JPS60245782A (ja) 透明導電膜パタ−ン上へのめつき方法
KR20040087963A (ko) 도금 전처리 용액 및 도금 전처리 방법
TW524880B (en) Activation method for substrate to be electrolessly plated
CN117121193A (zh) 表面安装射频部件

Legal Events

Date Code Title Description
A1B A search report has been drawn up
BV The patent application has lapsed