JPS58119111A - 電気的に導電性の非金属パタ−ンを部分的に金属化する方法 - Google Patents

電気的に導電性の非金属パタ−ンを部分的に金属化する方法

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JPS58119111A
JPS58119111A JP57235078A JP23507882A JPS58119111A JP S58119111 A JPS58119111 A JP S58119111A JP 57235078 A JP57235078 A JP 57235078A JP 23507882 A JP23507882 A JP 23507882A JP S58119111 A JPS58119111 A JP S58119111A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は導電性非金属パターンを絶縁基体上に部分的に
金属化する方法およびこの方法で形成した物品に関する
。゛ この種の方法として透明絶縁基体からなる装置の製造方
法が英国特許第１．４３５．３１９号明細書に記載され
ており、この場合透明導体のパターンを金属層の１部上
に設け、この結合をはんだ付け、溶接、熱圧接および他
の技術によって行っている。
この英国特許の方法では形成すべき導体パターンの形状
の１または２個以上のくぼみを有する補助金属層を用い
ている。透明の金属酸化物の導電層を補助金属層上に設
け、かつくぼみで基体と接触させ、次いで透明導電層の
１部に結合を形成することのできる金属の層を設けてい
る。透明導電層のかかる部分上の結合を形成する金属層
の部分と共に補助金属層上の透明導電層の部分を補助層
の選択的溶解によって除去し、このために導体パターン
は部分的に透明層から形成され、残部は一番内側部分が
透明導電材料からなりおよび一番外側部分が結合を形成
できる金属からなる少なくとも２層から形成されている
。
この英国特許の方法で用いられる金属層は蒸箸またスパ
ッターにより設け、および透明金属酸化物層は表面で関
連する金属化合物を加水分解および／または熱分解によ
りまたはスパッターにより設けている。
上記方法では、例えばネガを介して露光するフォトレジ
ストによってマスクを２回被看し、次いで現像し、しか
る後にフォトレジストのタイプによって露光部分または
非露光部分を除去する。また、他の材料の補助層を用い
ることができる。マスクは蒸着、電着、無電解金属めっ
き、または均一金属層の部分の腐食除去におけるスクリ
ーニングとして用いる。
露光を数回にわたり行う場合に、位置合せ問題（ｒｅＱ
ｉｓｔｒａｔｉｏｎ　　ｐｒｏｂｌｅｍｓ）が生ずると
共に、アンダーカットが異なる材料の存在のために腐食
中に生ずる。これらの技術において、電流複雑さくｃｕ
ｒｒｅｎｔ　　ｃｏｍｐｌｅｘｉｔｙ）およびパターン
における細部の存在が短絡または遮断を起しやすくする
。
本発明は上述する従来方法を著しくし簡単化しかつ上述
する欠点を除去する方法を提供することである。
本発明の方法は金属化すべきパターンの部分を無電解め
っき液に浸漬し、電位差をパターンとめつき溶液との間
に短い時間の間加えて金属堆積を開始することを特徴と
する。ここに記載する短い時間とは１０秒程度を意味す
る。
本発明において、特に好ましい例は透明電極を有する液
晶パネルである。金属化は部分的にのみ、すなわち、表
示素子のための供給導体を存在゛させる部分に必要で□
あり、金属化はかかる導体部分を保持して開始し、次い
で電圧パルスを加える。
電解液に関して金属化すべき部分において電位を減少す
ることは種々の手段で行うことができる。
この１つの手段としては外部電圧源および電解液に突出
する補助電極を用いることである。他の可能な手段とし
ては金属化すべきパターンを他の物体と外部的に短絡さ
せ、その上に金属堆積を進行させ、電位を堆積金属と電
解液との間に固定する。
堆積すべき金属としてはニッケルが好ましく、もつとも
好ましい還元剤はボラザンである。この場合には大きい
比導電率を有するｌ　−８−堆積が得られ、この堆積は
良好なはんだ付は適性を有する。また、還元剤としては
次亜リン酸塩を用いることができる。
厚いフィルムスクリーニング法（ｔｈｉｃｋ−ｆｉｌｍ
−ｓｉｌｋ−ｓｃｒｅｅｎｉｎｇｔｅｃｈｎｉｑｕｅｓ
）によって形成するパターンにおいて、本発明の方法は
、例えば抵抗または導体トラック上に低オーム接続を設
けることができる。この場合、゛ガラス状マトリックス
に分散した金属粒子および／または金属酸化物粒子から
なるか、または結合剤中に分、散した無定形炭素または
グラ７７４６粒子からなる、いわゆるセラミック材料で
ある。抵抗体パターンにおいて、金属堆積の開始はもっ
ばら外部直流電圧源によって行う。
次に、本発明を添付図面について説明する。
添付図面はバイレックス　ガラス板上に透明な酸化錫イ
ンジウムの電極を設けた液晶表示体の側面を示している
。表示体はそれぞれ７つのセグメント（４１〜４７）か
ら形成される９個の記号を示しており、これからディジ
タル１〜９およびＯを構成する。各セグメントは細い導
体トラック（４８〜５４）によってはんだ付は接点（５
５〜６１）に接続する。区域ＥＦＤＡにおけるすべての
接点および導体トラックに金属層を本発明の方法によっ
て被覆する。この目的のために、開始に望ましい電位は
区域ＥＦＣＢ内の導体４８〜５４を電圧源に接続するこ
とによって供給する。接点を遮断した後、区域ＥＦＤＡ
内の核形成部分（ｕｎｃｌｅａｔｅｄ　　ｐａｒｔｓ　
）を無電解めっきする。
次に本発明を例について説明する。
ｌ上 ３×３ｄのガラス基板を３０Ω／口の抵抗を有する酸化
錫インジウムの透明層で被覆し、０．１−の相互間隔を
有する２７ｘ０．５ｍ園の導体トラックのパターンに腐
食し、常温でアルカリ性脱脂溶液中での処理後冷脱イオ
ン水中で洗浄し、次いで６５℃の温度でニッケル塩に加
えて還元剤としてジメチルアミノボランを含有するシッ
プレイの沈澱「ニボシット　４６８　（ＮＩＰＯ８ＩＴ
４６８）Ｊによる組成を有する無電解ニッケルめっき浴
中に導体トラックの長さの８０％を浸漬させた。
導体パターンのトラックを同じ溶液中に配置し、すでに
金属堆積が行われている基板に外部的に導電接続する場
合に、金属堆積が約１５秒後溶液に浸漬したトラックの
部分の表面上に開始した。約１０分後、各トラックに１
μ−の層厚さの均一層を有する接着しやすいはんだ付け
しうる金属層が選択的に形成した。
豊」し 例１に記載すると同じ導体パターンを同じ無電解ニッケ
ルめっき溶液に配置したが、この例では常温で行った。
約１■の電圧差を導体トラックと同じ溶液に配置した不
活性電極（例えばＰｔ）との間に５秒間外部電圧源によ
って（陰極的に（ｃａｔｈｏｄｉｃａｌｌｙ）　）加え
た時に、まだ目で確認できないけれども上記トラックに
十分な接触核（ｃａｔａｌｙｔｔｃ　　ｎｕｃｌｅｉ）
が形成した。
上記基板を６５℃で例１におけると同じ組成の溶液に移
した後、ただちに、核形成したトラックの選択無電解堆
積がトラックの全長にわたって開始した。勿論、核形成
は同じ溶液および同じ温度で行うことができる。この例
において、電圧パルスは接触核だけを生じ、かつ金属化
は選択的無電解堆積によるものであることを確かめた。
１ 例２に記載したと同じ核形成方法を稀薄「ニボシット４
６８」ニッケルめっき溶液で行った。
１：２０の稀釈は、核形成基体を６５℃の非稀釈ニッケ
ルめっき溶液に移した後、約１０秒間５．５の最小電圧
差が金属化を均質に開始するために必要であることを意
味する。核形成中、加える電圧を高め、同時に濃度を減
少することは３０Ω／口以上の抵抗値を有する導体に特
に有利であることを確めた。
ｌ上 金属化すべき基体をセラミック板とし、この基体に抵抗
性パターンを設けた。この場合、パターンは１にΩ／口
の抵抗を有するＥ、　　Ｉ　、Ｄｕｐｏｎｔｄｅ　　Ｎ
　ｅｌｏｕｒｓ社製のＮｏ、１３３１のペーストから酸
化ルテニウムの導電性粒子を含有するガラス上にスクリ
ーニング印刷により設けた。
１．７Ｘ２．５−の面積を有する上記パターンの接触個
所を０．２５＋ｍ巾の通路に接続した。
アルカリ性溶液において例１に記載するように脱脂し、
かつ脱イオン化水でゆすいた後、１．７×２．５−の接
触個所を上述する同じ組成の非稀釈金属化溶液（「ニボ
シット　４６８Ｊ　）に浸漬した。
外部直流電圧源を溶液上に存在する０、２５１１の抵抗
トラックと同じ溶液中に配置した不活性補助電極、例え
ばｐｔとの間に接続した。接触個所を１５Ｖの供給電圧
で補助電極に対して１０秒間抵抗トラックを介して陰極
的に（ｃａｔｈｏｄｉｃａｌｌｙ）切替える時に、この
結果として表面が十分に接触して６５℃の同じ溶液に移
動した後に均一厚さの金属層が選択的に生長した。
電圧パルスを測定した後ただちに抵抗が減少しないで、
接触表面が６５℃のニッケルめっき溶液に浸漬中時間が
たつにつれて連続的に減少するから、効果的金属化が無
電解期間中においてのみ生じたことを確めた。
【図面の簡単な説明】
添付図面はパイレックス　ガラス板上に透明な酸化錫イ
ンジウムの電極を設けた液晶表示体の一側面を示す説明
用線図である。 ４１〜４１・・・セグメント　４８〜５４・・・導体ト
ラック５５〜６１・・・はんだ付は接点。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、絶縁基体上に電気的に導電性の非金属パターンを部
    分的に金属化する方法において、金属化すべきバ、ター
    ンの１ａｌｌを無電解めっき溶液に浸漬し、電位差をパ
    ターンと溶液との間に短い時間の間加えて金属堆積を開
    始することを特徴とする電気的に導電性の非金属パター
    ンを部分的に金属化する方法。 ２、ガラス基体上に酸化インジウムおよび／または酸化
    錫の透明なパターンを部分的に金属化する特許請求の範
    囲第１項記載の電気的に導電性の非金属パターンを部分
    的に金属化する方法。 ３、ガラス状マトリックス中の金属酸化物および／また
    は微細金属からなるか、または結合剤中に分散した無定
    形粒子またはグラファイト粒子からなる導電性材料上に
    おける抵抗を部分的に金属化する特許請求の範囲第１項
    記載の電気的に導電性の非金属パターンを部分的に金属
    化する方法。
JP57235078A 1981-12-31 1982-12-27 電気的に導電性の非金属パタ−ンを部分的に金属化する方法 Granted JPS58119111A (ja)

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NL8105922A NL8105922A (nl) 1981-12-31 1981-12-31 Werkwijze voor het partieel metalliseren van elektrisch geleidende niet-metallische patronen.
NL8105922 1981-12-31

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JPS58119111A true JPS58119111A (ja) 1983-07-15
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JP57235078A Granted JPS58119111A (ja) 1981-12-31 1982-12-27 電気的に導電性の非金属パタ−ンを部分的に金属化する方法

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EP (1) EP0083458B1 (ja)
JP (1) JPS58119111A (ja)
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HK (1) HK75786A (ja)
NL (1) NL8105922A (ja)

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