JPH0878801A - 回路基板およびその製造方法 - Google Patents
回路基板およびその製造方法Info
- Publication number
- JPH0878801A JPH0878801A JP6207297A JP20729794A JPH0878801A JP H0878801 A JPH0878801 A JP H0878801A JP 6207297 A JP6207297 A JP 6207297A JP 20729794 A JP20729794 A JP 20729794A JP H0878801 A JPH0878801 A JP H0878801A
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- JP
- Japan
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- plating
- film
- substrate
- thin film
- plating layer
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Abstract
(57)【要約】
【目的】基板に接着強度の高い金属薄膜を無電解メッキ
により形成する方法を提供する。 【構成】アルミナなどの絶縁基板に、まず成膜速度は小
さいが接着強度の大きい薄膜無電解メッキを施し、続い
て成膜速度の大きい厚膜無電解メッキを施す。このよう
な二段階メッキを行うことにより接着強度の高いメッキ
層を短時間で形成することができる。
により形成する方法を提供する。 【構成】アルミナなどの絶縁基板に、まず成膜速度は小
さいが接着強度の大きい薄膜無電解メッキを施し、続い
て成膜速度の大きい厚膜無電解メッキを施す。このよう
な二段階メッキを行うことにより接着強度の高いメッキ
層を短時間で形成することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】金属薄膜からなる回路パタ−ンが
形成された回路基板およびその製造方法に関する。
形成された回路基板およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から絶縁材料、誘電材料、圧電材料
などからなる基板に様々な金属を形成した回路基板がつ
くられている。前記回路基板は例えばＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ
などの導電性材料からなる薄膜が、無電解メッキやスパ
ッタリングなどの方法により、例えば絶縁性基板に形成
された構成となっている。
などからなる基板に様々な金属を形成した回路基板がつ
くられている。前記回路基板は例えばＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ
などの導電性材料からなる薄膜が、無電解メッキやスパ
ッタリングなどの方法により、例えば絶縁性基板に形成
された構成となっている。
【０００３】従来の回路基板の製造方法を説明する。
【０００４】まずアルミナなどからなる絶縁性基板を準
備する。次に基板表面を洗浄・粗化するために２０℃に
保った２０％フッ酸水溶液に１０分間浸漬される。その
後触媒となるめっき成長の核を付与するために、活性化
感受性化処理が行われる。この活性化感受性化処理はセ
ンシタイジング−アクチベ−ション法およびレドックス
反応によるもので塩化第二錫水溶液（濃度は例えば１．
０ｇ・ｄｍ-3とする）と塩酸（濃度は例えば１．２ｇ・
ｄｍ-3とする）との混合溶液中で、二価のSnイオンを基
板表面に吸着させ、続いて塩化パラジウム（濃度は例え
ば０．１ｇ・ｄｍ-3とする）と塩酸（濃度は例えば０．
１２ｇ・ｄｍ-3とする）との混合溶液中でパラジウム核
を沈着させる。なお反応条件は温度が２５℃、時間が１
分間とする。
備する。次に基板表面を洗浄・粗化するために２０℃に
保った２０％フッ酸水溶液に１０分間浸漬される。その
後触媒となるめっき成長の核を付与するために、活性化
感受性化処理が行われる。この活性化感受性化処理はセ
ンシタイジング−アクチベ−ション法およびレドックス
反応によるもので塩化第二錫水溶液（濃度は例えば１．
０ｇ・ｄｍ-3とする）と塩酸（濃度は例えば１．２ｇ・
ｄｍ-3とする）との混合溶液中で、二価のSnイオンを基
板表面に吸着させ、続いて塩化パラジウム（濃度は例え
ば０．１ｇ・ｄｍ-3とする）と塩酸（濃度は例えば０．
１２ｇ・ｄｍ-3とする）との混合溶液中でパラジウム核
を沈着させる。なお反応条件は温度が２５℃、時間が１
分間とする。
【０００５】そして目標とするめっき厚みによりCuイオ
ンなどの濃度を変えためっき浴を用いる。すなわち薄付
けめっき方法による薄膜形成を行う場合は、EDTAで錯体
化されたCuイオンを２．５ｇ・ｄｍ-3、ホルムアルデヒ
ドを４．０ｇ・ｄｍ-3、水酸化ナトリウムを８．０ｇ・
ｄｍ-3それぞれ含むめっき浴を準備する。前記めっき浴
を３６℃に保って膜厚が１．０μｍの薄膜が形成され
る。また厚付けめっき方法による薄膜形成を行う場合は
EDTAで錯体化されたCuイオンを９．０ｇ・ｄｍ-3、ホル
ムアルデヒドを３．５ｇ・ｄｍ-3、水酸化ナトリウムを
３．５ｇ・ｄｍ-3それぞれ含むめっき浴を用いると良
い。前記めっき浴を７０℃に保って膜厚が３．０μｍの
薄膜が形成される。
ンなどの濃度を変えためっき浴を用いる。すなわち薄付
けめっき方法による薄膜形成を行う場合は、EDTAで錯体
化されたCuイオンを２．５ｇ・ｄｍ-3、ホルムアルデヒ
ドを４．０ｇ・ｄｍ-3、水酸化ナトリウムを８．０ｇ・
ｄｍ-3それぞれ含むめっき浴を準備する。前記めっき浴
を３６℃に保って膜厚が１．０μｍの薄膜が形成され
る。また厚付けめっき方法による薄膜形成を行う場合は
EDTAで錯体化されたCuイオンを９．０ｇ・ｄｍ-3、ホル
ムアルデヒドを３．５ｇ・ｄｍ-3、水酸化ナトリウムを
３．５ｇ・ｄｍ-3それぞれ含むめっき浴を用いると良
い。前記めっき浴を７０℃に保って膜厚が３．０μｍの
薄膜が形成される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来の薄
付けメッキ方法による薄膜形成では薄膜と基板との接着
強度が大きいが、メッキ層の成膜速度が小さく長時間を
要する。例えばめっき厚みを１．０μｍ形成しようとす
れば２時間３０分要する。またメッキ層の成膜速度が速
い厚付けメッキ方法によれば、薄膜と基板との接着強度
が小さいという問題がある。
付けメッキ方法による薄膜形成では薄膜と基板との接着
強度が大きいが、メッキ層の成膜速度が小さく長時間を
要する。例えばめっき厚みを１．０μｍ形成しようとす
れば２時間３０分要する。またメッキ層の成膜速度が速
い厚付けメッキ方法によれば、薄膜と基板との接着強度
が小さいという問題がある。
【０００７】本発明は上記問題点を解決するためになさ
れたものであり、薄付けメッキ方法による第一メッキ層
と厚付けメッキ方法による第二メッキ層とから構成され
たメッキ層を有することを特徴とする回路パタ−ン基板
およびその製造方法を提供するものである。
れたものであり、薄付けメッキ方法による第一メッキ層
と厚付けメッキ方法による第二メッキ層とから構成され
たメッキ層を有することを特徴とする回路パタ−ン基板
およびその製造方法を提供するものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１にかか
る回路基板は、第一メッキ層と第二メッキ層とから構成
されたメッキ層を有することを特徴とする。本発明の請
求項２に係る回路基板の製造方法は、第一メッキ層と第
二メッキ層とを互いに事なる成膜速度で基板に形成する
ことを特徴とする。
る回路基板は、第一メッキ層と第二メッキ層とから構成
されたメッキ層を有することを特徴とする。本発明の請
求項２に係る回路基板の製造方法は、第一メッキ層と第
二メッキ層とを互いに事なる成膜速度で基板に形成する
ことを特徴とする。
【０００９】
【作用】本発明に係る回路基板は基板との接着界面に接
着強度の大きな薄膜メッキ層を有しているので、無電解
メッキにより形成された金属薄膜が基板から剥離しにく
くなる。また本発明にかかるメッキ形成方法は、薄膜メ
ッキ形成方法と厚膜メッキ形成方法とを有しているの
で、所定の厚みのメッキ膜を短時間で形成することがで
きる。
着強度の大きな薄膜メッキ層を有しているので、無電解
メッキにより形成された金属薄膜が基板から剥離しにく
くなる。また本発明にかかるメッキ形成方法は、薄膜メ
ッキ形成方法と厚膜メッキ形成方法とを有しているの
で、所定の厚みのメッキ膜を短時間で形成することがで
きる。
【００１０】
【実施例】まずアルミナなどからなる絶縁性基板を準備
する。次に基板表面を洗浄・粗化するために２０℃に保
った２０％フッ酸水溶液に１０分間浸漬される。
する。次に基板表面を洗浄・粗化するために２０℃に保
った２０％フッ酸水溶液に１０分間浸漬される。
【００１１】次に触媒となるめっき成長の核を付与する
ために、活性化感受性化処理が行われる。この活性化感
受性化処理はセンシタイジング−アクチベ−ション法お
よびレドックスト反応によるもので塩化第二錫水溶液
（濃度は例えば１．０ｇ・ｄｍ-3とする）と塩酸（濃度
は例えば１．２ｇ・ｄｍ-3とする）との混合溶液中で、
二価のSnイオンを基板表面に吸着させ、続いて塩化パラ
ジウム（濃度は例えば０．１ｇ・ｄｍ-3とする）と塩酸
（濃度は例えば０．１２ｇ・ｄｍ-3とする）との混合溶
液中でパラジウム核を沈着させる。なお反応温度は２５
℃、反応時間は１分間とする。
ために、活性化感受性化処理が行われる。この活性化感
受性化処理はセンシタイジング−アクチベ−ション法お
よびレドックスト反応によるもので塩化第二錫水溶液
（濃度は例えば１．０ｇ・ｄｍ-3とする）と塩酸（濃度
は例えば１．２ｇ・ｄｍ-3とする）との混合溶液中で、
二価のSnイオンを基板表面に吸着させ、続いて塩化パラ
ジウム（濃度は例えば０．１ｇ・ｄｍ-3とする）と塩酸
（濃度は例えば０．１２ｇ・ｄｍ-3とする）との混合溶
液中でパラジウム核を沈着させる。なお反応温度は２５
℃、反応時間は１分間とする。
【００１２】次にEDTAで錯体化されたCuイオンを２．５
ｇ・ｄｍ-3、ホルムアルデヒドを４．０ｇ・ｄｍ-3、水
酸化ナトリウムを８．０ｇ・ｄｍ-3それぞれ含むめっき
浴で３６℃、３．０ｄｍ2 ／ｌの条件でメッキ膜厚を
０．２μｍ形成する。この成膜条件によるメッキ膜の成
膜速度は０．４μｍ／ｈｒであり、０．２μｍの膜厚を
形成するのに要する時間は３０分であった。
ｇ・ｄｍ-3、ホルムアルデヒドを４．０ｇ・ｄｍ-3、水
酸化ナトリウムを８．０ｇ・ｄｍ-3それぞれ含むめっき
浴で３６℃、３．０ｄｍ2 ／ｌの条件でメッキ膜厚を
０．２μｍ形成する。この成膜条件によるメッキ膜の成
膜速度は０．４μｍ／ｈｒであり、０．２μｍの膜厚を
形成するのに要する時間は３０分であった。
【００１３】次にEDTAで錯体化されたCuイオンを９．０
ｇ・ｄｍ-3、ホルムアルデヒドを３．５ｇ・ｄｍ-3、水
酸化ナトリウムを３．５ｇ・ｄｍ-3それぞれ含むめっき
浴で７０℃、３．０ｄｍ2 ／ｌの条件でメッキ膜厚を
３．０μｍ形成する。この成膜条件によるメッキ膜の成
膜速度は５μｍ／ｈｒであり、３．０μｍの膜厚を形成
するのに要する時間は３６分であった。すなわち３．４
μｍのメッキ層を成膜するには１時間６分を要した。前
記製造方法により二層構造を有するメッキ膜が基板に形
成される。
ｇ・ｄｍ-3、ホルムアルデヒドを３．５ｇ・ｄｍ-3、水
酸化ナトリウムを３．５ｇ・ｄｍ-3それぞれ含むめっき
浴で７０℃、３．０ｄｍ2 ／ｌの条件でメッキ膜厚を
３．０μｍ形成する。この成膜条件によるメッキ膜の成
膜速度は５μｍ／ｈｒであり、３．０μｍの膜厚を形成
するのに要する時間は３６分であった。すなわち３．４
μｍのメッキ層を成膜するには１時間６分を要した。前
記製造方法により二層構造を有するメッキ膜が基板に形
成される。
【００１４】前記製造方法により無電解銅めっき膜が端
面電極として形成された電子部品の電極強度をタワミ強
度および端子電極固着力を測定することにより評価し
た。
面電極として形成された電子部品の電極強度をタワミ強
度および端子電極固着力を測定することにより評価し
た。
【００１５】タワミ強度とは図１に示すように、幅 100
mmのガラスエポキシ基板にハンダ付けされた電子部品
が、ガラスエポキシ基板をたわませて基板から外れたと
きのたわみ量Ａで表すものである。また端子電極固着力
とは図２に示すようにガラスエポキシ基板にハンダ付け
された電子部品にガラスエポキシ基板と平行な力を加
え、外れた時の力Ｆで表すものである。
mmのガラスエポキシ基板にハンダ付けされた電子部品
が、ガラスエポキシ基板をたわませて基板から外れたと
きのたわみ量Ａで表すものである。また端子電極固着力
とは図２に示すようにガラスエポキシ基板にハンダ付け
された電子部品にガラスエポキシ基板と平行な力を加
え、外れた時の力Ｆで表すものである。
【００１６】
【表１】
【００１７】表１にこれらのタワミ強度と端子電極固着
力を本実施例による電子部品について測定した値と従来
例の値とを示す。表１から明らかなように本実施例によ
る電子部品のタワミ強度は従来例の２倍以上でそのバラ
ツキも小さく、強度が大幅に改善されていることが分か
る。また端子電極固着力も従来例より向上している。
力を本実施例による電子部品について測定した値と従来
例の値とを示す。表１から明らかなように本実施例によ
る電子部品のタワミ強度は従来例の２倍以上でそのバラ
ツキも小さく、強度が大幅に改善されていることが分か
る。また端子電極固着力も従来例より向上している。
【００１８】以上の結果から二段階により形成されたメ
ッキ層からなる端子電極は、二層構造を有し基板との接
着強度が改善されたものとなっている。
ッキ層からなる端子電極は、二層構造を有し基板との接
着強度が改善されたものとなっている。
【００１９】
【発明の効果】二種のメッキ浴により連続して、組織の
異なる同一組成の金属薄膜を形成することにより、接着
強度が大きいメッキ層を短時間で形成することができ
る。
異なる同一組成の金属薄膜を形成することにより、接着
強度が大きいメッキ層を短時間で形成することができ
る。
【図１】タワミ強度の測定方法を示す図である。
【図２】端子電極固着力の測定方法を示す図である。
Claims (2)
- 【請求項１】第一メッキ層と第二メッキ層とから構成さ
れたメッキ層を有することを特徴とする回路基板。 - 【請求項２】請求項１記載の第一メッキ層と第二メッキ
層とを互いに異なる成膜速度で基板に形成することを特
徴とする回路基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6207297A JPH0878801A (ja) | 1994-08-31 | 1994-08-31 | 回路基板およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6207297A JPH0878801A (ja) | 1994-08-31 | 1994-08-31 | 回路基板およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0878801A true JPH0878801A (ja) | 1996-03-22 |
Family
ID=16537456
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6207297A Pending JPH0878801A (ja) | 1994-08-31 | 1994-08-31 | 回路基板およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0878801A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004031447A1 (ja) * | 2002-10-07 | 2004-04-15 | Tokyo Electron Limited | 無電解メッキ方法 |
| JP2008174817A (ja) * | 2007-01-22 | 2008-07-31 | C Uyemura & Co Ltd | 置換錫合金めっき皮膜の形成方法、置換錫合金めっき浴及びめっき性能の維持方法 |
-
1994
- 1994-08-31 JP JP6207297A patent/JPH0878801A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004031447A1 (ja) * | 2002-10-07 | 2004-04-15 | Tokyo Electron Limited | 無電解メッキ方法 |
| JP2008174817A (ja) * | 2007-01-22 | 2008-07-31 | C Uyemura & Co Ltd | 置換錫合金めっき皮膜の形成方法、置換錫合金めっき浴及びめっき性能の維持方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Effective date: 20040817 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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