JPH0891969A - セラミック基材へのＮｉメタライズ法 - Google Patents
セラミック基材へのＮｉメタライズ法Info
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- JPH0891969A JPH0891969A JP23097294A JP23097294A JPH0891969A JP H0891969 A JPH0891969 A JP H0891969A JP 23097294 A JP23097294 A JP 23097294A JP 23097294 A JP23097294 A JP 23097294A JP H0891969 A JPH0891969 A JP H0891969A
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- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/009—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone characterised by the material treated
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- C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
- C04B41/50—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials
- C04B41/51—Metallising, e.g. infiltration of sintered ceramic preforms with molten metal
- C04B41/5144—Metallising, e.g. infiltration of sintered ceramic preforms with molten metal with a composition mainly composed of one or more of the metals of the iron group
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- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
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- C04B2111/00844—Uses not provided for elsewhere in C04B2111/00 for electronic applications
Abstract
(57)【要約】
【目的】 非酸化性雰囲気等の特殊な雰囲気を必要とせ
ず、平滑なセラミック基材表面に、安定した強固な密着
力を持つＮｉの導体層が形成できるセラミック基材への
Ｎｉメタライズ法を提供する。 【構成】 セラミック基材の表面にＶ及びＮｉを含有す
る層を形成し、次に酸化性雰囲気中で５００〜７００℃
で熱処理し、次に還元性溶液中に浸漬して還元処理し、
次いでめっき法または気相法によるＮｉメタライズを施
すことを特徴としている。
ず、平滑なセラミック基材表面に、安定した強固な密着
力を持つＮｉの導体層が形成できるセラミック基材への
Ｎｉメタライズ法を提供する。 【構成】 セラミック基材の表面にＶ及びＮｉを含有す
る層を形成し、次に酸化性雰囲気中で５００〜７００℃
で熱処理し、次に還元性溶液中に浸漬して還元処理し、
次いでめっき法または気相法によるＮｉメタライズを施
すことを特徴としている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば電子部品の製造
等において利用される、セラミック基材へのＮｉメタラ
イズ法に関する。
等において利用される、セラミック基材へのＮｉメタラ
イズ法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、セラミック基材表面にめっき法
（無電解めっき法、電解めっき法）または気相法（蒸着
法、スパッタリング法等）によりＮｉメタライズを施し
てＮｉの導体層を形成する場合は、フッ酸、リン酸、水
酸化ナトリウムなどの高温溶液にセラミック基材を浸漬
する化学エッチング法などの方法によってセラミック基
材表面を予め粗面化して、いわゆるアンカー効果により
Ｎｉの導体層とセラミック基材との密着力を確保するこ
とが一般的である。
（無電解めっき法、電解めっき法）または気相法（蒸着
法、スパッタリング法等）によりＮｉメタライズを施し
てＮｉの導体層を形成する場合は、フッ酸、リン酸、水
酸化ナトリウムなどの高温溶液にセラミック基材を浸漬
する化学エッチング法などの方法によってセラミック基
材表面を予め粗面化して、いわゆるアンカー効果により
Ｎｉの導体層とセラミック基材との密着力を確保するこ
とが一般的である。
【０００３】しかし、セラミック基材表面を粗面化する
ことは高周波特性を損うという問題があるため、極力平
滑なセラミック基材表面に、強固に密着しているＮｉの
導体層を形成できるセラミック基材へのＮｉメタライズ
法の開発が望まれている。粗面化せずに、密着性の優れ
たＮｉの導体層を形成できる方法として、特公昭６３−
４３３６号等の提案がされている。
ことは高周波特性を損うという問題があるため、極力平
滑なセラミック基材表面に、強固に密着しているＮｉの
導体層を形成できるセラミック基材へのＮｉメタライズ
法の開発が望まれている。粗面化せずに、密着性の優れ
たＮｉの導体層を形成できる方法として、特公昭６３−
４３３６号等の提案がされている。
【０００４】しかし、特公昭６３−４３３６号の提案で
は、Ｈ2 −Ｎ2 混合ガス等の非酸化性雰囲気中での熱処
理を必須としており、製造装置や製造工程が複雑になる
という問題点や、雰囲気制御状態によりセラミック基板
とＮｉの導体層間の密着力が変動するという問題点があ
った。
は、Ｈ2 −Ｎ2 混合ガス等の非酸化性雰囲気中での熱処
理を必須としており、製造装置や製造工程が複雑になる
という問題点や、雰囲気制御状態によりセラミック基板
とＮｉの導体層間の密着力が変動するという問題点があ
った。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記の事情に鑑みて、
本発明は、非酸化性雰囲気等の特殊な雰囲気を必要とせ
ず、平滑なセラミック基材表面に、安定した強固な密着
力を持つＮｉの導体層が形成できるセラミック基材への
Ｎｉメタライズ法を開発することを課題としている。
本発明は、非酸化性雰囲気等の特殊な雰囲気を必要とせ
ず、平滑なセラミック基材表面に、安定した強固な密着
力を持つＮｉの導体層が形成できるセラミック基材への
Ｎｉメタライズ法を開発することを課題としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明に係るセ
ラミック基材へのＮｉメタライズ法は、セラミック基材
の表面にＶ及びＮｉを含有する層を形成し、次に酸化性
雰囲気中で５００〜７００℃で熱処理し、次に還元性溶
液中に浸漬して還元処理し、次いでめっき法または気相
法によるＮｉメタライズを施すことを特徴としている。
ラミック基材へのＮｉメタライズ法は、セラミック基材
の表面にＶ及びＮｉを含有する層を形成し、次に酸化性
雰囲気中で５００〜７００℃で熱処理し、次に還元性溶
液中に浸漬して還元処理し、次いでめっき法または気相
法によるＮｉメタライズを施すことを特徴としている。
【０００７】請求項２の発明に係るセラミック基材への
Ｎｉメタライズ法は、請求項１記載のセラミック基材へ
のＮｉメタライズ法において、Ｖ及びＮｉの両金属成分
を含有する原料を用いて、セラミック基材表面にＶ及び
Ｎｉを含有する層を形成することを特徴としている。
Ｎｉメタライズ法は、請求項１記載のセラミック基材へ
のＮｉメタライズ法において、Ｖ及びＮｉの両金属成分
を含有する原料を用いて、セラミック基材表面にＶ及び
Ｎｉを含有する層を形成することを特徴としている。
【０００８】請求項３の発明に係るセラミック基材への
Ｎｉメタライズ法は、請求項１記載のセラミック基材へ
のＮｉメタライズ法において、セラミック基材表面にＮ
ｉ含有層を形成し、次に前記Ｎｉ含有層上にＶ含有層を
形成することにより、セラミック基材表面にＶ及びＮｉ
を含有する層を形成することを特徴としている。
Ｎｉメタライズ法は、請求項１記載のセラミック基材へ
のＮｉメタライズ法において、セラミック基材表面にＮ
ｉ含有層を形成し、次に前記Ｎｉ含有層上にＶ含有層を
形成することにより、セラミック基材表面にＶ及びＮｉ
を含有する層を形成することを特徴としている。
【０００９】請求項４の発明に係るセラミック基材への
Ｎｉメタライズ法は、請求項１記載のセラミック基材へ
のＮｉメタライズ法において、セラミック基材表面にＶ
含有層を形成し、次に前記Ｖ含有層上にＮｉ含有層を形
成することにより、セラミック基材表面にＶ及びＮｉを
含有する層を形成することを特徴としている。
Ｎｉメタライズ法は、請求項１記載のセラミック基材へ
のＮｉメタライズ法において、セラミック基材表面にＶ
含有層を形成し、次に前記Ｖ含有層上にＮｉ含有層を形
成することにより、セラミック基材表面にＶ及びＮｉを
含有する層を形成することを特徴としている。
【００１０】以下、本発明を詳細に説明する。本発明で
用いるセラミック基材の材質としては、例えば、アルミ
ナ、ジルコニア、コージェライト、チタン酸バリウム等
の酸化物系のセラミックや窒化アルミニウム、窒化珪素
等の窒化物系のセラミックや炭化珪素等の炭化物系のセ
ラミック等があり、特に限定はない。
用いるセラミック基材の材質としては、例えば、アルミ
ナ、ジルコニア、コージェライト、チタン酸バリウム等
の酸化物系のセラミックや窒化アルミニウム、窒化珪素
等の窒化物系のセラミックや炭化珪素等の炭化物系のセ
ラミック等があり、特に限定はない。
【００１１】上記のセラミック基板の表面にＶ及びＮｉ
を含有する層を形成するが、この形成方法としては次の
３種類があり、いずれの方法をとってもよい。 例えばＶレジネートペーストとＮｉレジネートペース
トを混合した混合レジネートペースト等のＶ及びＮｉの
両金属成分を含有する原料を用いてＶ及びＮｉが混在す
る層を単一工程で形成する方法。 Ｎｉ含有層を形成し、次にＮｉ含有層上にＶ含有層を
形成することにより、Ｖ及びＮｉを含有する層を形成す
る方法。 Ｖ含有層を形成し、次にＶ含有層上にＮｉ含有層を形
成することにより、Ｖ及びＮｉを含有する層を形成する
方法。
を含有する層を形成するが、この形成方法としては次の
３種類があり、いずれの方法をとってもよい。 例えばＶレジネートペーストとＮｉレジネートペース
トを混合した混合レジネートペースト等のＶ及びＮｉの
両金属成分を含有する原料を用いてＶ及びＮｉが混在す
る層を単一工程で形成する方法。 Ｎｉ含有層を形成し、次にＮｉ含有層上にＶ含有層を
形成することにより、Ｖ及びＮｉを含有する層を形成す
る方法。 Ｖ含有層を形成し、次にＶ含有層上にＮｉ含有層を形
成することにより、Ｖ及びＮｉを含有する層を形成する
方法。
【００１２】また、Ｖ及びＮｉを含有する層を形成する
ための、Ｎｉ含有層、Ｖ含有層及びＶ及びＮｉが混在す
る層の形成手段に関しては、特に限定はなく、例えば無
電解めっき法、スパッタ法、金属ペースト法、有機金属
レジネート（またはそのペースト）法等で形成すること
ができる。そして、Ｖ及びＮｉを含有する層を形成する
ための、Ｎｉ含有層、Ｖ含有層及びＶ及びＮｉが混在す
る層の厚みについても、特に限定はないが、０．０５〜
３．０μｍの範囲にあることが、最終的に得られるＮｉ
の導体層が安定した密着力を有するためには好ましい。
ための、Ｎｉ含有層、Ｖ含有層及びＶ及びＮｉが混在す
る層の形成手段に関しては、特に限定はなく、例えば無
電解めっき法、スパッタ法、金属ペースト法、有機金属
レジネート（またはそのペースト）法等で形成すること
ができる。そして、Ｖ及びＮｉを含有する層を形成する
ための、Ｎｉ含有層、Ｖ含有層及びＶ及びＮｉが混在す
る層の厚みについても、特に限定はないが、０．０５〜
３．０μｍの範囲にあることが、最終的に得られるＮｉ
の導体層が安定した密着力を有するためには好ましい。
【００１３】本発明では、上記のようにしてセラミック
基材表面にＶ及びＮｉを含有する層を形成した後、酸化
性雰囲気中で５００〜７００℃で熱処理する。５００℃
未満の熱処理温度では、最終的に得られるＮｉ導体層の
平滑なセラミック基材に対する密着力が不十分となり、
また７００℃を越える温度では熱処理中に形成される酸
化バナジウムが飛散し、密着力向上に寄与するＶ量が確
保できないためと考えられるが、やはり密着力が不十分
となる。
基材表面にＶ及びＮｉを含有する層を形成した後、酸化
性雰囲気中で５００〜７００℃で熱処理する。５００℃
未満の熱処理温度では、最終的に得られるＮｉ導体層の
平滑なセラミック基材に対する密着力が不十分となり、
また７００℃を越える温度では熱処理中に形成される酸
化バナジウムが飛散し、密着力向上に寄与するＶ量が確
保できないためと考えられるが、やはり密着力が不十分
となる。
【００１４】上記の熱処理を終えたセラミック基板を還
元性溶液中に浸漬してＶ及びＮｉを含有する層の還元処
理を行う。この工程により、Ｖ及びＮｉを含有する層の
表面に存在する酸化ニッケルは容易に還元されて金属ニ
ッケルになる。この還元性溶液については酸化ニッケル
を還元するものであればよく、特に限定はないが、例え
ば、水素化ホウ素塩液、次亜リン酸塩液などを用いるこ
とができる。
元性溶液中に浸漬してＶ及びＮｉを含有する層の還元処
理を行う。この工程により、Ｖ及びＮｉを含有する層の
表面に存在する酸化ニッケルは容易に還元されて金属ニ
ッケルになる。この還元性溶液については酸化ニッケル
を還元するものであればよく、特に限定はないが、例え
ば、水素化ホウ素塩液、次亜リン酸塩液などを用いるこ
とができる。
【００１５】次いで、上記の還元処理を終えたセラミッ
ク基材に所望する膜厚のＮｉメタライズを施して導体層
を形成する。このＮｉメタライズはめっき法（無電解め
っき法、電解めっき法）または気相法（蒸着法、スパッ
タリング法等）により行うことができる。
ク基材に所望する膜厚のＮｉメタライズを施して導体層
を形成する。このＮｉメタライズはめっき法（無電解め
っき法、電解めっき法）または気相法（蒸着法、スパッ
タリング法等）により行うことができる。
【００１６】
【作用】本発明に係るセラミック基材へのＮｉメタライ
ズ法では、セラミック基材と最終的に形成されるＮｉの
導体層との中間に、Ｖ及びＮｉを含有する層を形成し、
次に酸化性雰囲気中で５００〜７００℃で熱処理するこ
とにより、酸化バナジウム及び酸化ニッケルが形成され
るが、この酸化バナジウムはセラミック基材とのぬれ性
がよく、拡散してセラミック基材に対する密着性を向上
させる働きをする。また、酸化バナジウムと酸化ニッケ
ルは化合物を形成するので、それら同士の密着は強固な
ものになる。
ズ法では、セラミック基材と最終的に形成されるＮｉの
導体層との中間に、Ｖ及びＮｉを含有する層を形成し、
次に酸化性雰囲気中で５００〜７００℃で熱処理するこ
とにより、酸化バナジウム及び酸化ニッケルが形成され
るが、この酸化バナジウムはセラミック基材とのぬれ性
がよく、拡散してセラミック基材に対する密着性を向上
させる働きをする。また、酸化バナジウムと酸化ニッケ
ルは化合物を形成するので、それら同士の密着は強固な
ものになる。
【００１７】さらに、酸化バナジウムのセラミック基材
側への拡散速度は酸化ニッケルの拡散速度に比べて速い
ことから、Ｖ及びＮｉを含有する層を前記の〜のい
ずれの方法で形成しても、熱処理後のＶ及びＮｉを含有
する層の表面には酸化ニッケル層が現れることになる。
この酸化ニッケル層を還元性溶液で還元して得られる金
属ニッケルは、次の工程が無電解めっき法によるＮｉメ
タライズの場合にはめっきの触媒として作用することが
できる。
側への拡散速度は酸化ニッケルの拡散速度に比べて速い
ことから、Ｖ及びＮｉを含有する層を前記の〜のい
ずれの方法で形成しても、熱処理後のＶ及びＮｉを含有
する層の表面には酸化ニッケル層が現れることになる。
この酸化ニッケル層を還元性溶液で還元して得られる金
属ニッケルは、次の工程が無電解めっき法によるＮｉメ
タライズの場合にはめっきの触媒として作用することが
できる。
【００１８】
【実施例】以下に、本発明の具体的な実施例及び比較例
を示す。
を示す。
【００１９】（１）Ｖ及びＮｉの両金属成分を含有する
原料を用いて、Ｖ及びＮｉが混在する層を形成した実施
例。（実施例１〜実施例５） 表面粗化処理を行なっていない、表１に示す各種のセラ
ミック基板表面に、Ｖレジネートペースト（エヌ・イー
ケムキャット社製、＃５１−Ｆ、Ｖ含有率３．９％）
とＮｉレジネートペースト（エヌ・イー ケムキャット
社製、＃５８−Ａ、Ｎｉ含有率９．４％）を混合した混
合レジネートペーストを印刷して、回路パターンを形成
し、次いで、１２５℃、１０分間の乾燥を行なって、Ｖ
及びＮｉを含有する層を形成した。その後、上記基板を
６００℃、１時間、大気中で熱処理し、次いで８０℃の
水素化ホウ素ナトリウム水溶液（ｐＨ１２．５）に浸漬
して還元処理を行なった。
原料を用いて、Ｖ及びＮｉが混在する層を形成した実施
例。（実施例１〜実施例５） 表面粗化処理を行なっていない、表１に示す各種のセラ
ミック基板表面に、Ｖレジネートペースト（エヌ・イー
ケムキャット社製、＃５１−Ｆ、Ｖ含有率３．９％）
とＮｉレジネートペースト（エヌ・イー ケムキャット
社製、＃５８−Ａ、Ｎｉ含有率９．４％）を混合した混
合レジネートペーストを印刷して、回路パターンを形成
し、次いで、１２５℃、１０分間の乾燥を行なって、Ｖ
及びＮｉを含有する層を形成した。その後、上記基板を
６００℃、１時間、大気中で熱処理し、次いで８０℃の
水素化ホウ素ナトリウム水溶液（ｐＨ１２．５）に浸漬
して還元処理を行なった。
【００２０】還元処理を終えた基板に、無電解Ｎｉめっ
きを施し、前記の回路パターン上に厚みが１０μｍのＮ
ｉめっき膜を厚付けしてＮｉ導体層を形成し、セラミッ
ク配線板を得た。得られたセラミック配線板におけるセ
ラミック基板とＮｉ導体層との密着力を測定した。この
密着力の測定は、図１に示すように、セラミック基板１
上に形成した２ｍｍ角の導体層２に０．７ｍｍφのスズ
めっき銅線４をはんだ３により接合した試験片を用いて
行なった。なお図１中の矢印は引張試験の引張方向を示
す。得られた密着力の測定結果を表１に示す。表１の結
果から、実施例１〜実施例５では良好な密着力が得られ
ていることがわかる。
きを施し、前記の回路パターン上に厚みが１０μｍのＮ
ｉめっき膜を厚付けしてＮｉ導体層を形成し、セラミッ
ク配線板を得た。得られたセラミック配線板におけるセ
ラミック基板とＮｉ導体層との密着力を測定した。この
密着力の測定は、図１に示すように、セラミック基板１
上に形成した２ｍｍ角の導体層２に０．７ｍｍφのスズ
めっき銅線４をはんだ３により接合した試験片を用いて
行なった。なお図１中の矢印は引張試験の引張方向を示
す。得られた密着力の測定結果を表１に示す。表１の結
果から、実施例１〜実施例５では良好な密着力が得られ
ていることがわかる。
【００２１】
【表１】
【００２２】（２）Ｎｉ含有層を形成し、次にＮｉ含有
層上にＶ含有層を形成して、Ｖ及びＮｉを含有する層を
形成した実施例。（実施例６〜実施例１５） 表面粗化処理を行なっていない、表２に示す各種のセラ
ミック基板表面にＰｄ成分を有する核付けをした後、無
電解Ｎｉめっきを施し表２に示す厚みのＮｉ含有層をセ
ラミック基板表面の全面に形成した。次いで、Ｖレジネ
ートペースト（エヌ・イー ケムキャット社製、＃５１
−Ｆ、Ｖ含有率３．９％）を基板の全面にスクリーン印
刷法により塗布し、１２５℃で１０分間の乾燥処理を行
なって、上記Ｎｉ含有層上にＢｉ含有層を形成した。
層上にＶ含有層を形成して、Ｖ及びＮｉを含有する層を
形成した実施例。（実施例６〜実施例１５） 表面粗化処理を行なっていない、表２に示す各種のセラ
ミック基板表面にＰｄ成分を有する核付けをした後、無
電解Ｎｉめっきを施し表２に示す厚みのＮｉ含有層をセ
ラミック基板表面の全面に形成した。次いで、Ｖレジネ
ートペースト（エヌ・イー ケムキャット社製、＃５１
−Ｆ、Ｖ含有率３．９％）を基板の全面にスクリーン印
刷法により塗布し、１２５℃で１０分間の乾燥処理を行
なって、上記Ｎｉ含有層上にＢｉ含有層を形成した。
【００２３】次に、上記基板を６００℃、１時間、大気
中で熱処理し、次いで８０℃の水素化ホウ素ナトリウム
水溶液（ｐＨ１２．５）に浸漬して還元処理を行なっ
た。この還元処理により基板最表面の酸化ニッケル層は
金属ニッケルに変化した。そして、還元処理を終えた基
板に、無電解Ｎｉめっきを施し、厚みが１０μｍのＮｉ
めっき膜を厚付けしてＮｉ導体層を形成し、Ｎｉメタラ
イズ基板を得た。
中で熱処理し、次いで８０℃の水素化ホウ素ナトリウム
水溶液（ｐＨ１２．５）に浸漬して還元処理を行なっ
た。この還元処理により基板最表面の酸化ニッケル層は
金属ニッケルに変化した。そして、還元処理を終えた基
板に、無電解Ｎｉめっきを施し、厚みが１０μｍのＮｉ
めっき膜を厚付けしてＮｉ導体層を形成し、Ｎｉメタラ
イズ基板を得た。
【００２４】得られたＮｉメタライズ基板におけるセラ
ミック基板とＮｉ導体層との密着力を、前記の実施例１
〜実施例５の場合と同様の方法で測定し、得られた測定
結果を表２に示す。表２の結果から、実施例６〜実施例
１５では良好な密着力が得られていることがわかる。
ミック基板とＮｉ導体層との密着力を、前記の実施例１
〜実施例５の場合と同様の方法で測定し、得られた測定
結果を表２に示す。表２の結果から、実施例６〜実施例
１５では良好な密着力が得られていることがわかる。
【００２５】
【表２】
【００２６】（３）Ｖ含有層を形成し、次にＶ含有層上
にＮｉ含有層を形成して、Ｖ及びＮｉを含有する層を形
成した実施例。（実施例１６〜実施例２０） 表面粗化処理を行なっていない、表３に示す各種のセラ
ミック基板に対して、Ｖレジネートペースト（エヌ・イ
ー ケムキャット社製、＃５１−Ｆ、Ｖ含有率３．９
％）をスクリーン印刷して乾燥することにより、Ｖ含有
層をセラミック基板表面の全面に形成した。
にＮｉ含有層を形成して、Ｖ及びＮｉを含有する層を形
成した実施例。（実施例１６〜実施例２０） 表面粗化処理を行なっていない、表３に示す各種のセラ
ミック基板に対して、Ｖレジネートペースト（エヌ・イ
ー ケムキャット社製、＃５１−Ｆ、Ｖ含有率３．９
％）をスクリーン印刷して乾燥することにより、Ｖ含有
層をセラミック基板表面の全面に形成した。
【００２７】次いで、Ｎｉレジネートペースト（エヌ・
イー ケムキャット社製、＃５８−Ａ、Ｎｉ含有率９．
４％）を用いて、印刷、乾燥処理を施して、上記基板の
全面にＮｉ含有層を形成して、Ｖ含有層上にＮｉ含有層
が形成されている、Ｖ及びＮｉを含有する層を形成し
た。
イー ケムキャット社製、＃５８−Ａ、Ｎｉ含有率９．
４％）を用いて、印刷、乾燥処理を施して、上記基板の
全面にＮｉ含有層を形成して、Ｖ含有層上にＮｉ含有層
が形成されている、Ｖ及びＮｉを含有する層を形成し
た。
【００２８】次いで、上記基板を６００℃、１時間、大
気中で熱処理し、次いで８０℃の水素化ホウ素ナトリウ
ム水溶液（ｐＨ１２．５）に浸漬して還元処理を行なっ
た。そして、還元処理を終えた基板に、無電解Ｎｉめっ
きを施し、厚みが１０μｍのＮｉめっき膜を厚付けして
Ｎｉ導体層を形成し、Ｎｉメタライズ基板を得た。
気中で熱処理し、次いで８０℃の水素化ホウ素ナトリウ
ム水溶液（ｐＨ１２．５）に浸漬して還元処理を行なっ
た。そして、還元処理を終えた基板に、無電解Ｎｉめっ
きを施し、厚みが１０μｍのＮｉめっき膜を厚付けして
Ｎｉ導体層を形成し、Ｎｉメタライズ基板を得た。
【００２９】得られたＮｉメタライズ基板におけるセラ
ミック基板とＮｉ導体層との密着力を、前記の実施例１
〜実施例５の場合と同様の方法で測定し、得られた測定
結果を表３に示す。表３の結果から、実施例１６〜実施
例２０では良好な密着力が得られていることがわかる。
ミック基板とＮｉ導体層との密着力を、前記の実施例１
〜実施例５の場合と同様の方法で測定し、得られた測定
結果を表３に示す。表３の結果から、実施例１６〜実施
例２０では良好な密着力が得られていることがわかる。
【００３０】
【表３】
【００３１】（４）前記の実施例１６の製造条件の中
の、熱処理温度を変えた例（実施例２１、２２及び比較
例１、比較例２） 大気中で熱処理する熱処理温度を表４に示す条件にした
以外については、前記の実施例１６（熱処理温度６００
℃）と同様にして、Ｎｉメタライズ基板を得た。得られ
たＮｉメタライズ基板におけるセラミック基板とＮｉ導
体層との密着力を、前記の実施例１〜実施例５の場合と
同様の方法で測定し、得られた測定結果を実施例１６の
値も含めて表４に示す。表４の結果から、熱処理温度が
５００〜７００℃の範囲であれば良好な密着力が得られ
ることが確認された。
の、熱処理温度を変えた例（実施例２１、２２及び比較
例１、比較例２） 大気中で熱処理する熱処理温度を表４に示す条件にした
以外については、前記の実施例１６（熱処理温度６００
℃）と同様にして、Ｎｉメタライズ基板を得た。得られ
たＮｉメタライズ基板におけるセラミック基板とＮｉ導
体層との密着力を、前記の実施例１〜実施例５の場合と
同様の方法で測定し、得られた測定結果を実施例１６の
値も含めて表４に示す。表４の結果から、熱処理温度が
５００〜７００℃の範囲であれば良好な密着力が得られ
ることが確認された。
【００３２】
【表４】
【００３３】（５）前記の実施例１６の製造条件の中
の、還元処理後のＮｉメタライズ法を変えた実施例（実
施例２３、実施例２４） 還元処理後のＮｉメタライズ法を表５に示す方法に変更
した以外については、前記の実施例１６（Ｎｉメタライ
ズ法は無電解めっき法）と同様にして、Ｎｉメタライズ
基板を得た。得られたＮｉメタライズ基板におけるセラ
ミック基板とＮｉ導体層との密着力を、前記の実施例１
〜実施例５の場合と同様の方法で測定し、得られた測定
結果を実施例１６の値も含めて表５に示す。表５の結果
から、Ｎｉメタライズ法が電解めっき法、スパッタリン
グ法であっても良好な密着力が得られることが確認され
た。
の、還元処理後のＮｉメタライズ法を変えた実施例（実
施例２３、実施例２４） 還元処理後のＮｉメタライズ法を表５に示す方法に変更
した以外については、前記の実施例１６（Ｎｉメタライ
ズ法は無電解めっき法）と同様にして、Ｎｉメタライズ
基板を得た。得られたＮｉメタライズ基板におけるセラ
ミック基板とＮｉ導体層との密着力を、前記の実施例１
〜実施例５の場合と同様の方法で測定し、得られた測定
結果を実施例１６の値も含めて表５に示す。表５の結果
から、Ｎｉメタライズ法が電解めっき法、スパッタリン
グ法であっても良好な密着力が得られることが確認され
た。
【００３４】
【表５】
【００３５】
【発明の効果】請求項１〜請求項４記載の発明に係るセ
ラミック基材へのＮｉメタライズ法は、セラミック基板
表面にＶ及びＮｉを含有する層を形成し、次に酸化性雰
囲気中で５００〜７００℃で熱処理し、次に還元性溶液
中に浸漬して還元処理し、次いでＮｉメタライズを施す
構成となっているので、請求項１〜請求項４記載の発明
によれば、還元性雰囲気等の特殊な雰囲気を必要とせず
に、平滑なセラミック基材表面に、安定した強固な密着
力を持つＮｉの導体層を形成することができる。
ラミック基材へのＮｉメタライズ法は、セラミック基板
表面にＶ及びＮｉを含有する層を形成し、次に酸化性雰
囲気中で５００〜７００℃で熱処理し、次に還元性溶液
中に浸漬して還元処理し、次いでＮｉメタライズを施す
構成となっているので、請求項１〜請求項４記載の発明
によれば、還元性雰囲気等の特殊な雰囲気を必要とせず
に、平滑なセラミック基材表面に、安定した強固な密着
力を持つＮｉの導体層を形成することができる。
【図１】セラミック基板とＮｉ導体層との密着力の測定
法を示す断面図である。
法を示す断面図である。
１ セラミック基板 ２ 導体層 ３ はんだ ４ スズめっき銅線
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ２５Ｄ 5/54 Ｈ０５Ｋ 1/03 ６１０ Ｄ 7511−4Ｅ 3/14 Ａ 7511−4Ｅ 3/18 Ａ 7511−4Ｅ 3/38 Ａ 7511−4Ｅ
Claims (4)
- 【請求項１】 セラミック基材の表面にＶ及びＮｉを含
有する層を形成し、次に酸化性雰囲気中で５００〜７０
０℃で熱処理し、次に還元性溶液中に浸漬して還元処理
し、次いでめっき法または気相法によるＮｉメタライズ
を施すことを特徴とするセラミック基材へのＮｉメタラ
イズ法。 - 【請求項２】 Ｖ及びＮｉの両金属成分を含有する原料
を用いて、セラミック基材表面にＶ及びＮｉを含有する
層を形成することを特徴とする請求項１記載のセラミッ
ク基材へのＮｉメタライズ法。 - 【請求項３】 セラミック基材表面にＮｉ含有層を形成
し、次に前記Ｎｉ含有層上にＶ含有層を形成することに
より、セラミック基材表面にＶ及びＮｉを含有する層を
形成することを特徴とする請求項１記載のセラミック基
材へのＮｉメタライズ法。 - 【請求項４】 セラミック基材表面にＶ含有層を形成
し、次に前記Ｖ含有層上にＮｉ含有層を形成することに
より、セラミック基材表面にＶ及びＮｉを含有する層を
形成することを特徴とする請求項１記載のセラミック基
材へのＮｉメタライズ法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23097294A JPH0891969A (ja) | 1994-09-27 | 1994-09-27 | セラミック基材へのＮｉメタライズ法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23097294A JPH0891969A (ja) | 1994-09-27 | 1994-09-27 | セラミック基材へのＮｉメタライズ法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0891969A true JPH0891969A (ja) | 1996-04-09 |
Family
ID=16916215
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23097294A Withdrawn JPH0891969A (ja) | 1994-09-27 | 1994-09-27 | セラミック基材へのＮｉメタライズ法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0891969A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0815989A2 (de) * | 1996-07-06 | 1998-01-07 | Thyssen Guss Ag | Verfahren zur Herstellung von lokal keramikverstärkten, gegossenen Bremsscheiben aus Leichtmetallegierungen |
| US6565917B1 (en) | 1998-05-01 | 2003-05-20 | International Business Machines Corporation | Method of forming features on a ceramic substrate using platible pastes |
| JP2009511748A (ja) * | 2005-10-13 | 2009-03-19 | ヴェロシス インコーポレイテッド | マイクロチャンネルにおける無電解めっき法 |
| JP2009235455A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-10-15 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 金属構造体の形成方法 |
-
1994
- 1994-09-27 JP JP23097294A patent/JPH0891969A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0815989A2 (de) * | 1996-07-06 | 1998-01-07 | Thyssen Guss Ag | Verfahren zur Herstellung von lokal keramikverstärkten, gegossenen Bremsscheiben aus Leichtmetallegierungen |
| EP0815989A3 (de) * | 1996-07-06 | 2000-05-10 | SAB WABCO BSI Verkehrstechnik Products GmbH | Verfahren zur Herstellung von lokal keramikverstärkten, gegossenen Bremsscheiben aus Leichtmetallegierungen |
| US6565917B1 (en) | 1998-05-01 | 2003-05-20 | International Business Machines Corporation | Method of forming features on a ceramic substrate using platible pastes |
| JP2009511748A (ja) * | 2005-10-13 | 2009-03-19 | ヴェロシス インコーポレイテッド | マイクロチャンネルにおける無電解めっき法 |
| JP2009235455A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-10-15 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 金属構造体の形成方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20020115 |