JP3606908B2 - AlNメタライズ基板 - Google Patents
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Description
【産業上の利用分野】
本発明は、窒化アルミニウム(AlN)基板を用いたメタライズ基板に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、半導体素子等の高出力化や高集積化等に伴って、素子からの発熱量は年々増加する傾向にある。これにより、半導体素子の搭載基板やヒートシンク、あるいはハイブリッドIC用回路基板等として、高熱伝導性を有するAlN焼結体からなる基板が注目されている。
【0003】
AlN基板を上記したような電子部品用材料として用いる場合には、回路や素子搭載部の形成等を目的として、その表面に導電性金属層を形成することが不可欠である。このような金属層(メタライズ層)は、MoやW等の高融点金属を主成分とし、これに必要に応じてTi、TiN等の活性金属成分等を添加したメタライズ組成物を用い、これをペースト化したもの(メタライズペースト)を塗布、焼成することにより形成することが一般的である。
【0004】
ところで、上記したようなメタライズ層上には、通常、NiめっきやAuめっき等が施されるが、AlN基板へのメタライズに伴う処理温度は、従来のアルミナ基板等に比べて高温であるため、AlN基板中の粒界相成分やメタライズ層中のガラス成分がメタライズ層表面に拡散して、めっき層の密着性を阻害したり、さらにはめっき層にふくれが生じる等の問題を招いていた。
【0005】
また、上述したようなめっき層を無電解めっきで形成する場合、無電解Niめっきの触媒化液や無電解Auめっき液は、pHが12〜13程度のアルカリ溶液であるため、AlN基板にダメージが生じ、メタライズ層の接合強度が低下したり、またAlN基板の表面平滑度の悪化等に伴って、非メタライズ部分にめっき金属が付着する等の問題を招いていた。さらに、上述したようなめっき層上に予めはんだ層を形成(プレソルダー)する場合、めっき層にふくれが生じていたり、あるいはメタライズ層にはがれが生じていると、はんだ層にポア等が形成され易くなり、また非メタライズ部分にめっき金属が付着していると、はんだも不要部分に付着してしまうというような問題をも招いていた。
【0006】
上述したようなメタライズ層やめっき層の接合(密着)強度の低下、めっき層のふくれやはんだ層のポア等は、いずれも半導体素子の搭載時等に大きな悪影響を及ぼし、またいずれも基板作製時における最終工程近くで生じるため、その実害は大きい。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
上述したように、従来のAlN基板表面に形成したメタライズ層へのめっき処理やはんだ処理においては、メタライズ層やめっき層の接合(密着)強度の低下を招いたり、さらにはめっき層のふくれやはんだ層のポア等が発生するという問題があった。
【0008】
本発明は、このような課題を解決するためになされたもので、AlN基板とメタライズ層、あるいはメタライズ層とめっき層との接合(密着)強度を十分に保つことができ、めっき層のふくれやメタライズ層のはがれの発生を防止し得るAlNメタライズ基板、さらにはめっき層上にはんだ層を形成する場合には、はんだ層の形成状態を良好に保つことが可能なAlNメタライズ基板を提供することを目的としている。
【0009】
【課題を解決するための手段と作用】
本発明のAlNメタライズ基板において、請求項1記載のAlNメタライズ基板は、AlN焼結体からなる基板と、前記基板表面に設けられたメタライズ層と、前記メタライズ層上に設けられためっき層とを具備するAlNメタライズ基板において、前記めっき層は、前記メタライズ層中の酸化物成分を除く成分と接触していることを特徴としている。
【0010】
本発明のAlNメタライズ基板に用いられる基板は、AlNを主成分とし、これにY2O3やAl2O3等の焼結助剤成分を適量添加して作製したAlN焼結体からなるものである。また、メタライズ層としては、MoやW等の高融点金属を主成分とし、これに必要に応じてTi、TiN等の活性金属成分等を添加したメタライズ組成物等を用い、これをペースト化したメタライズペーストの塗布、焼成により形成したもの等が挙げられる。
【0011】
メタライズ層中の酸化物成分、例えばメタライズ層中に拡散したAlN基板中の焼結助剤成分やメタライズ層内のガラス成分等は、めっき層の密着性の低下要因となる。そこで、請求項1記載のAlNメタライズ基板においては、メタライズ層上に設けられためっき層がメタライズ層中の酸化物成分を除く成分と接触した状態、言い換えればメタライズ層中の酸化物成分とは直接接触していない状態としたものである。
【0012】
めっき層とメタライズ層中の酸化物成分とが直接接触していない状態は、例えばめっき処理前にメタライズ層の最表面に存在する酸化物成分を予め化学的エッチング処理等で除去し、その後にめっき処理を施すことによって実現することができる。酸化物成分は、ガラス状態でメタライズ層の最表面に存在しているため、アルカリ溶液等のエッチング液を用いることによって、MoやW等のメタライズ層の主成分に対して選択的に除去することができる。
【0013】
また、メタライズ層の厚さを例えば9μm以上と厚くすることによっても、上述したようなめっき層とメタライズ層中の酸化物成分とが直接接触していない状態を得ることができる。メタライズ層の厚さを9μm以上とすると、AlN基板へのメタライズ処理中の高温下においても、処理時間内に酸化物成分がメタライズ層の表面まで拡散することが防止できる。このようなメタライズ層の厚さ設定と上記化学的エッチング処理とを組合せることが望ましい。なお、9μmというメタライズ層の厚さは、一般的なAlN基板へのメタライズ処理条件に基いて設定したものであり、処理条件等によっては異なる最適値が存在する場合がある。
【0016】
上述したような本発明のAlNメタライズ基板においては、めっき層上にはんだ層を予め設けた場合、めっき層のふくれやメタライズ層のはがれ等が防止されているため、形成状態の良好なはんだ層を得ることができる。
【0017】
【実施例】
次に、本発明の実施例について説明する。
【0018】
実施例1〜4
まず、AlNを主成分とする熱伝導率が200W/m KのAlN基板(焼結助剤としてY2 O3 を 3重量% 含む)を用意し、このAlN基板の表面に、Mo粉末と TiN粉末との混合粉末に有機系バインダを加えてペースト化したものを、スクリーン印刷法により所望の形状に印刷し、乾燥させた後、窒素雰囲気中にて1973K で焼成して、厚さ13μm のメタライズ層を形成した。
【0019】
次に、上記AlN基板のメタライズ層表面の酸化物成分を、328Kの5%水酸化ナトリウム溶液で 3分間エッチングすることにより除去した後、ワット浴中にて電気Niめっきを施し、厚さ 3μm のNiめっき層を形成した(実施例1)。また、5%水酸化ナトリウム溶液による処理時間を 6分間(実施例2)、10分間(実施例3)、30分間(実施例4)に変更する以外は同様にして、Niめっき層を有するAlNメタライズ基板を作製した。
【0020】
このようにして得たNiめっき層を有するAlNメタライズ基板のめっき前のメタライズ層最表面における酸化物成分の有無、めっき層を含めて熱処理(窒水素雰囲気中、 1073K× 5分)を施した後のめっきふくれの発生率(めっきの密着性)を測定、評価した。その結果を表1に示す。なお、表1中の比較例は、エッチングを行っていないもの(比較例1)とエッチング不足のもの(比較例2)である。
【0021】
【表1】
表1から明らかなように、メタライズ層に 3分間以上エッチング処理を施して、メタライズ層最表面の酸化物成分を除去したAlNメタライズ基板は、めっき層の密着性に優れ、めっき層にふくれが生じていないことが分かる。
【0022】
また、上記実施例1のAlNメタライズ基板のめっき層上に、Pb/Su/Ag=95/3.5/1.5の組成のはんだ箔(厚さ=0.1mm)を配置し、カーボン治具で挟んだ後、還元雰囲気中(N2 /H2 =80/20)で通炉してプレソルダーを行った。得られたはんだ層の状態を評価したところ、形成状態の良好なはんだ層が得られていることを確認した。
【0023】
実施例5〜7
メタライズ層の厚さを 9μm (実施例5)、13μm (実施例6)、17μm (実施例7)とすると共に、5%水酸化ナトリウム溶液によるエッチング処理時間を 6分間とする以外は、上記実施例1と同様にして、厚さ 3μm のNiめっき層を有するAlNメタライズ基板を作製した。
【0024】
このようにして得たNiめっき層を有するAlNメタライズ基板のめっき前のメタライズ層最表面における酸化物成分の有無、めっき層を含めて熱処理を施した後のめっきふくれの発生率(めっきの密着性)を測定、評価した。その結果を表2に示す。なお、表2中の比較例3、4は、メタライズ層の厚さを薄くしたものである。
【0025】
【表2】
表2から明らかなように、メタライズ層の厚さが 9μm 以上で、メタライズ層の表面に酸化物成分が拡散していないAlNメタライズ基板は、めっき層の密着性に優れ、めっき層にふくれが生じていないことが分かる。これに対し、メタライズ層の厚さが薄い比較例のAlNメタライズ基板では、酸化物成分のメタライズ層表面への拡散が著しく、エッチングが不十分となっているために、メタライズ層とめっき層との密着力が低下してめっき層にふくれが生じた。
【0034】
【発明の効果】
以上説明したように、請求項1記載のAlNメタライズ基板によれば、メタライズ層とめっき層との密着強度を十分に保つことができるため、めっき層のふくれ等を防止することが可能となる。これにより、電子部品の搭載基板等として好適な健全なAlNメタライズ基板を提供することができる。
【0036】
Claims (3)
- AlN焼結体からなる基板と、前記基板表面に設けられたメタライズ層と、前記メタライズ層上に設けられためっき層とを具備するAlNメタライズ基板において、
前記めっき層は、前記メタライズ層中の酸化物成分を除く成分と接触していることを特徴とするAlNメタライズ基板。 - 請求項1記載のAlNメタライズ基板において、
前記メタライズ層の最表面に酸化物成分が存在しないように、化学的エッチング処理により前記メタライズ層最表面の酸化物成分が除去されていることを特徴とするAlNメタライズ基板。 - 請求項1または請求項2記載のAlNメタライズ基板において、
前記めっき層上には、はんだ層が設けられていることを特徴とするAlNメタライズ基板。
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-
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- 1994-07-11 JP JP15835194A patent/JP3606908B2/ja not_active Expired - Lifetime
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