JPS58161759A - アルミニウム基板のめつき方法 - Google Patents
アルミニウム基板のめつき方法Info
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- JPS58161759A JPS58161759A JP4432782A JP4432782A JPS58161759A JP S58161759 A JPS58161759 A JP S58161759A JP 4432782 A JP4432782 A JP 4432782A JP 4432782 A JP4432782 A JP 4432782A JP S58161759 A JPS58161759 A JP S58161759A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
- C23C18/1803—Pretreatment of the material to be coated of metallic material surfaces or of a non-specific material surfaces
- C23C18/1813—Pretreatment of the material to be coated of metallic material surfaces or of a non-specific material surfaces by radiant energy
- C23C18/1817—Heat
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C18/1827—Pretreatment of the material to be coated of metallic material surfaces or of a non-specific material surfaces by chemical pretreatment only one step pretreatment
- C23C18/1831—Use of metal, e.g. activation, sensitisation with noble metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/31—Coating with metals
- C23C18/32—Coating with nickel, cobalt or mixtures thereof with phosphorus or boron
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は密着性が良好で量産性のすぐれたアルミニウム
基板のめっき方法に関するものである。
基板のめっき方法に関するものである。
アルミニウム（Ａｌ）は、その表面に均一に薄く強固な
酸化皮膜層を有しているため、はんだ付し難い金属であ
る。そのために、従来からＡ１表面を各種の表面処理に
よって、はんだ付可能な状態にする方法が行なわれてい
る。
酸化皮膜層を有しているため、はんだ付し難い金属であ
る。そのために、従来からＡ１表面を各種の表面処理に
よって、はんだ付可能な状態にする方法が行なわれてい
る。
たとえば、Ａ１表面を亜鉛（Ｚｎ）置換による前処理を
した後、ニッケル（Ｎｉ）めっき、銅（Ｃｕ）めっきを
施こす方法とか、陽極酸化処理後Ｎｉめっき。
した後、ニッケル（Ｎｉ）めっき、銅（Ｃｕ）めっきを
施こす方法とか、陽極酸化処理後Ｎｉめっき。
Ｃｕめっきを施こす方法のように、湿式めっきにより、
はんだ付可能な金属層をＡ１表面に形成する方法がある
。しかしながら、この方法には密着性が弱いとか、局部
めっきが困難であるなどの欠点かめる。
はんだ付可能な金属層をＡ１表面に形成する方法がある
。しかしながら、この方法には密着性が弱いとか、局部
めっきが困難であるなどの欠点かめる。
また、Ａ１表面に蒸着、スパッターなどによりはんだ付
可能な金属を形成する方法もあるが、この方法には密着
がやや弱いとか、量産性が悪くコストが高いなどの欠点
がある。
可能な金属を形成する方法もあるが、この方法には密着
がやや弱いとか、量産性が悪くコストが高いなどの欠点
がある。
従来、Ａ１表面にはんだ付を必要とした基体的な例とし
ては、たとえば、ＡＩ！基板を用いた混成集積回路かめ
る。混成集積回路は、以前はセラミックなどの絶縁基板
上に抵抗体、コンデンサ、トランジスターなどの素子を
取付けたものであっ／乙が、放熱性が悪いために、発熱
し易い電力用トランジスターや大電流の流れる抵抗体を
用いた場合には、その熱によって抵抗体やトランジスタ
ー、更には周辺部品を劣化させる原因となっていた。
ては、たとえば、ＡＩ！基板を用いた混成集積回路かめ
る。混成集積回路は、以前はセラミックなどの絶縁基板
上に抵抗体、コンデンサ、トランジスターなどの素子を
取付けたものであっ／乙が、放熱性が悪いために、発熱
し易い電力用トランジスターや大電流の流れる抵抗体を
用いた場合には、その熱によって抵抗体やトランジスタ
ー、更には周辺部品を劣化させる原因となっていた。
そこで、基板にＡｌなどを用い、その上に絶縁物層を介
して混成集積回路を形成し熱放散を良好にする方法がと
られている。しかしながら、このような構成にした場合
には、絶縁層を介して、トランジスターや抵抗体の各々
の電極とＡｌ基板との間に浮遊容量が発生し、電気回路
に悪影響を及ぼす問題が発生する。この問題を解消する
ためには、Ａｌ基板と各々の電極とを接続する必要があ
り、その接続法の最も簡単で確実な方法としてはんだ付
が好ましい。このようなことからＡｌ基板へのはんだ付
方法が望まれている。
して混成集積回路を形成し熱放散を良好にする方法がと
られている。しかしながら、このような構成にした場合
には、絶縁層を介して、トランジスターや抵抗体の各々
の電極とＡｌ基板との間に浮遊容量が発生し、電気回路
に悪影響を及ぼす問題が発生する。この問題を解消する
ためには、Ａｌ基板と各々の電極とを接続する必要があ
り、その接続法の最も簡単で確実な方法としてはんだ付
が好ましい。このようなことからＡｌ基板へのはんだ付
方法が望まれている。
本発明はこ−ような点に鑑みて成されたもので、Ａｌ基
板の必要個所にＮｉ、銀（Ａ（Ｊ）およびＰｄ成分を含
むペーストを塗布乾燥し、これを熱処理した後、その上
に無電解ＮｉめりきによりＮｉ層を形成することによっ
て、Ａｌ基板への密着性のよいはんだ付を可能にしたも
のである。
板の必要個所にＮｉ、銀（Ａ（Ｊ）およびＰｄ成分を含
むペーストを塗布乾燥し、これを熱処理した後、その上
に無電解ＮｉめりきによりＮｉ層を形成することによっ
て、Ａｌ基板への密着性のよいはんだ付を可能にしたも
のである。
すなわち、本発明はＡｔ 基板へのめっき形成法および
Ｐｄ成分を含むペーストを塗布乾燥し、熱処理すること
により、Ａｌ基板に無電解Ｎｉめつきの触媒金属を密着
させ、この」二に無電解Ｎｉめっきを施こすものであり
、密着性の良好なＮｉ層力得られるものである。さらに
、本発明は印刷とか吹付などの手法で所要個所に精度よ
く簡単にペーストを塗布する゛ことができるため、必要
なノーター２部分にのみ簡単にＮｉ層が形成できる利点
を有している。
Ｐｄ成分を含むペーストを塗布乾燥し、熱処理すること
により、Ａｌ基板に無電解Ｎｉめつきの触媒金属を密着
させ、この」二に無電解Ｎｉめっきを施こすものであり
、密着性の良好なＮｉ層力得られるものである。さらに
、本発明は印刷とか吹付などの手法で所要個所に精度よ
く簡単にペーストを塗布する゛ことができるため、必要
なノーター２部分にのみ簡単にＮｉ層が形成できる利点
を有している。
図面は本発明によりＮｉめつきを施したＡｌ基板の断面
を示しだものであり、１はＡｌ基板、２は無電解Ｎｉめ
つきの触媒核となる金属微粒子層で、これはＮｉ、Ａｇ
およびＰｄ成分を含むペーストを所要個所に塗布、乾燥
し、熱処理してＡｅ基体の表面に金属微粒子として析出
させたものである。
を示しだものであり、１はＡｌ基板、２は無電解Ｎｉめ
つきの触媒核となる金属微粒子層で、これはＮｉ、Ａｇ
およびＰｄ成分を含むペーストを所要個所に塗布、乾燥
し、熱処理してＡｅ基体の表面に金属微粒子として析出
させたものである。
このペースト中のＰｄ成分としては、粒径２μ以下のＰ
ｄ微粒末あるいは塩化パラジウム、硝酸パラジウムなど
のＰｄ化合物を用いることができる。また、Ｎｉ成分と
しては粒径２μ以下のＮｉ微粉末を用いることができ、
Ａｑ酸成分しては２μ以下のＡｑ微粉末あるいは塩化銀
、硝酸銀などの化合物を用いることができる。
ｄ微粒末あるいは塩化パラジウム、硝酸パラジウムなど
のＰｄ化合物を用いることができる。また、Ｎｉ成分と
しては粒径２μ以下のＮｉ微粉末を用いることができ、
Ａｑ酸成分しては２μ以下のＡｑ微粉末あるいは塩化銀
、硝酸銀などの化合物を用いることができる。
これらの金属成分の比率は、Ｎｉ成分１０〜９８．６重
量％、Ａｑ成分１〜８９．６重量％、Ｐｄ成分０．０１
〜６重量％が好ましいが、Ａ９成分が８９．６重輩係を
超える比率、Ｎｉ成分が１０重量％未満、およびＰｄ成
分が０，０１重１未Ａ率では、均一なめっき皮膜が得ら
れにりく、密着性も悪く好ましくない。また、Ａｑ酸成
分１重量％未満、Ｎｉ成分が９８．５重量％およびＰｄ
成分が６重量％を超える比率では、基板との接着強度が
弱くなる。またＰｄ成分の比率はコストの点からも少な
い方が好ましい。
量％、Ａｑ成分１〜８９．６重量％、Ｐｄ成分０．０１
〜６重量％が好ましいが、Ａ９成分が８９．６重輩係を
超える比率、Ｎｉ成分が１０重量％未満、およびＰｄ成
分が０，０１重１未Ａ率では、均一なめっき皮膜が得ら
れにりく、密着性も悪く好ましくない。また、Ａｑ酸成
分１重量％未満、Ｎｉ成分が９８．５重量％およびＰｄ
成分が６重量％を超える比率では、基板との接着強度が
弱くなる。またＰｄ成分の比率はコストの点からも少な
い方が好ましい。
上記本発明の金属成分比率において、ペースト中の金属
成分量は１〜４０重量係が好ましい。１重量％未満では
均一なめっき皮膜が得られにくく密着性も悪くなる。ま
た、４０重量％を超えると接着強度が悪くなるとともに
印刷特性が悪くなり好ましくない。
成分量は１〜４０重量係が好ましい。１重量％未満では
均一なめっき皮膜が得られにくく密着性も悪くなる。ま
た、４０重量％を超えると接着強度が悪くなるとともに
印刷特性が悪くなり好ましくない。
このペーストに用いるビヒクルは、エチルセルロース、
ポリビニルブチラール、ポリビニルピロリドンなどの樹
脂をアルコール、セロソルブ、ターピネオールなどの溶
剤に溶解したものである。
ポリビニルブチラール、ポリビニルピロリドンなどの樹
脂をアルコール、セロソルブ、ターピネオールなどの溶
剤に溶解したものである。
このペーストを塗布、乾燥した後、熱処理を行なって、
Ｎｉ、ＡｇおよびＰｄの金属微粒子を析出させるが、こ
の熱処理は、大気中３６０〜６００ ”Ｃの温度で熱処
理する。大気中３６０°Ｃ未満の温度での熱処理ではペ
ースト中の樹脂分が完全に燃焼せずに残り、均一な無電
解めっき析出が得られに＜＜、また接着強度が悪くなる
。熱処理温度が６００°Ｃを超えるとＡｌの融点に近く
なり、基板の変形の原因になったシするため好ましくな
い。
Ｎｉ、ＡｇおよびＰｄの金属微粒子を析出させるが、こ
の熱処理は、大気中３６０〜６００ ”Ｃの温度で熱処
理する。大気中３６０°Ｃ未満の温度での熱処理ではペ
ースト中の樹脂分が完全に燃焼せずに残り、均一な無電
解めっき析出が得られに＜＜、また接着強度が悪くなる
。熱処理温度が６００°Ｃを超えるとＡｌの融点に近く
なり、基板の変形の原因になったシするため好ましくな
い。
なお、この後還元雰囲気において６００″Ｃ以下の温度
で熱処理すると、めっきに対する活性化が強まり、均一
なめっきが形成され易くなり、接着強度も向上する。
で熱処理すると、めっきに対する活性化が強まり、均一
なめっきが形成され易くなり、接着強度も向上する。
図面中の３は無電解Ｎｉめっき層であり、これは上記の
ペーストを塗布乾燥した後、熱処理したＡｌ基板を無電
解Ｎｉめっき液に浸漬することによって、ペースト塗布
部分にのみ選択的にＮｉ層が形成されるものである。
ペーストを塗布乾燥した後、熱処理したＡｌ基板を無電
解Ｎｉめっき液に浸漬することによって、ペースト塗布
部分にのみ選択的にＮｉ層が形成されるものである。
以上のように、本発明においては、Ａｌ基板の所要個所
に精度よく、簡単に、密着性のよいＮｉ層を形成できる
ため、必要部分にのみはんだ付可能なパターンを有する
Ａｌ基板を量産性よく製造することができる。
に精度よく、簡単に、密着性のよいＮｉ層を形成できる
ため、必要部分にのみはんだ付可能なパターンを有する
Ａｌ基板を量産性よく製造することができる。
以下、本発明の実施例について説明する。
（実施例°）
０．８朝厚のＡｌ基板の表面に、６φのパターン状にＡ
ｑ成分０〜１００重量％、Ｎｉ成成分０〜１０止 金属成分０．１〜６０重量％を含み、樹脂分としてポリ
ビニルピロリドン、溶剤としてターピネオールからなる
ビヒクルを用いた活性ペーストを塗布し、１２０”Ｃで
１０分間乾燥した後、大気中２５０〜６５０″Ｃの温度
で１時間熱処理し、一部は、その後グリーンガス中５０
０″Ｃの温度で２０分熱処理した。
ｑ成分０〜１００重量％、Ｎｉ成成分０〜１０止 金属成分０．１〜６０重量％を含み、樹脂分としてポリ
ビニルピロリドン、溶剤としてターピネオールからなる
ビヒクルを用いた活性ペーストを塗布し、１２０”Ｃで
１０分間乾燥した後、大気中２５０〜６５０″Ｃの温度
で１時間熱処理し、一部は、その後グリーンガス中５０
０″Ｃの温度で２０分熱処理した。
次に、この基板を硫酸ニッケル、クエン酸ソーダ、次亜
リン酸ソーダからなる無電解ニッケルめっき液中に３０
分間浸漬し、Ａｌ基板のパターン上にＮｉめりき皮膜を
約７μ析出した。なお、Ｐｄ成分としては２μ以下のＰ
ｄ微粉末もしくは塩化パラジウム粉末を用いた。また、
Ｎｉ成分には２μ以下のＮｉ粒末、Ａｇ成分には２μ以
下のＡｑ粒末および塩化銀粉末を用いた。
リン酸ソーダからなる無電解ニッケルめっき液中に３０
分間浸漬し、Ａｌ基板のパターン上にＮｉめりき皮膜を
約７μ析出した。なお、Ｐｄ成分としては２μ以下のＰ
ｄ微粉末もしくは塩化パラジウム粉末を用いた。また、
Ｎｉ成分には２μ以下のＮｉ粒末、Ａｇ成分には２μ以
下のＡｑ粒末および塩化銀粉末を用いた。
従来例として、Ａ４基板の所要部分以外にレジストを塗
布硬化した後、Ｚｎで置換処理し、次いで無電解Ｎｉめ
っき，電気Ｎｉめっきにより約７μのＮｉ皮膜を形成し
た。
布硬化した後、Ｚｎで置換処理し、次いで無電解Ｎｉめ
っき，電気Ｎｉめっきにより約７μのＮｉ皮膜を形成し
た。
得られた各試料について、めっきの析出状態。
はんだ付性，めっきの接着強度を調べ、その結果を次表
に示した。表中、めっきの接着強度は上記Ｎｉめっき層
上に導線をはんだ付して引張強度を測定した。
に示した。表中、めっきの接着強度は上記Ｎｉめっき層
上に導線をはんだ付して引張強度を測定した。
（以 下 余 白）
以上の説明および表の結果より明らかなように、本発明
により得られるＮｉめっき層を形成したＡｌ基板は、は
んだ付の良好な接着強度の優れためっき皮膜が形成され
、しかもＮｉめっき層の形成が必要部分にのみ量産性よ
く形成できるため、その産業上の価値は大なるものがあ
る。
により得られるＮｉめっき層を形成したＡｌ基板は、は
んだ付の良好な接着強度の優れためっき皮膜が形成され
、しかもＮｉめっき層の形成が必要部分にのみ量産性よ
く形成できるため、その産業上の価値は大なるものがあ
る。
図面は本発明によりＮｉめっきを施したＡｌ基板の断面
図である。 １ 、、、、、、ＡＪ基板、２ 、、、、、、金属微粒
子層、３・・・・・・無電解Ｎｉ めつき層。
図である。 １ 、、、、、、ＡＪ基板、２ 、、、、、、金属微粒
子層、３・・・・・・無電解Ｎｉ めつき層。
Claims (1)
- アルミニウム基板の必要個所に１０〜９８．６重量％の
ニッケル成分、１〜８９．６重量−の銀成分および０．
０１〜６重ｉ％のパラジウム成分か鯨なる金属成分１〜
４０重量％を含むペーストを塗布して乾燥し、これを３
６０〜ｅｏｏ”ｃの温度で熱処理して金属微粒子層を析
出させた後、その上に無電解ニッケルめっきによりニッ
ケル皮膜層を形成することを特徴とするアルミニウム基
板のめつき方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4432782A JPS58161759A (ja) | 1982-03-18 | 1982-03-18 | アルミニウム基板のめつき方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4432782A JPS58161759A (ja) | 1982-03-18 | 1982-03-18 | アルミニウム基板のめつき方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58161759A true JPS58161759A (ja) | 1983-09-26 |
Family
ID=12688402
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4432782A Pending JPS58161759A (ja) | 1982-03-18 | 1982-03-18 | アルミニウム基板のめつき方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58161759A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60198894A (ja) * | 1984-03-23 | 1985-10-08 | 日立化成工業株式会社 | 多層印刷配線板の製造法 |
| JPS60198897A (ja) * | 1984-03-23 | 1985-10-08 | 日立化成工業株式会社 | 多層印刷配線板の製造法 |
| JPS60198896A (ja) * | 1984-03-23 | 1985-10-08 | 日立化成工業株式会社 | 多層印刷配線板の製造法 |
| JPS60198895A (ja) * | 1984-03-23 | 1985-10-08 | 日立化成工業株式会社 | 多層印刷配線板の製造法 |
-
1982
- 1982-03-18 JP JP4432782A patent/JPS58161759A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60198894A (ja) * | 1984-03-23 | 1985-10-08 | 日立化成工業株式会社 | 多層印刷配線板の製造法 |
| JPS60198897A (ja) * | 1984-03-23 | 1985-10-08 | 日立化成工業株式会社 | 多層印刷配線板の製造法 |
| JPS60198896A (ja) * | 1984-03-23 | 1985-10-08 | 日立化成工業株式会社 | 多層印刷配線板の製造法 |
| JPS60198895A (ja) * | 1984-03-23 | 1985-10-08 | 日立化成工業株式会社 | 多層印刷配線板の製造法 |
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