JPS58124205A - 金属皮膜抵抗器の製造方法 - Google Patents
金属皮膜抵抗器の製造方法Info
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- JPS58124205A JPS58124205A JP811482A JP811482A JPS58124205A JP S58124205 A JPS58124205 A JP S58124205A JP 811482 A JP811482 A JP 811482A JP 811482 A JP811482 A JP 811482A JP S58124205 A JPS58124205 A JP S58124205A
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- metal film
- film resistor
- plating
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- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は金属皮膜抵抗器の製造方法に関し、安定した特
性を有する量産性のすぐれた金属皮膜抵抗器の製造方法
を提供しようとするものである。
性を有する量産性のすぐれた金属皮膜抵抗器の製造方法
を提供しようとするものである。
従来、無電解めっきによる金属皮膜抵抗器は、以下に示
すような方法によって製造されている。
すような方法によって製造されている。
すなわち、絶縁基体である碍子をエツチングにより粗面
化した後、塩化第１錫と塩化パラジウムとによる活性化
処理によって、碍子の表面にＰｄ核を付着し、その上に
無電解めっきして金属皮膜を形成する。しかる後、通常
は、このめっき皮膜形成碍子を熱処理した後、電極リー
ドのキャップを装着し、さらに溝切り加工によって抵抗
値を調整する。そして外装塗料を塗布して製品としてい
る。
化した後、塩化第１錫と塩化パラジウムとによる活性化
処理によって、碍子の表面にＰｄ核を付着し、その上に
無電解めっきして金属皮膜を形成する。しかる後、通常
は、このめっき皮膜形成碍子を熱処理した後、電極リー
ドのキャップを装着し、さらに溝切り加工によって抵抗
値を調整する。そして外装塗料を塗布して製品としてい
る。
しかしながら、上記工程の中で、活性化処理は不安定に
なり易く、基体表面上のＰｄ核の生成が不充分のため、
均一なめっき皮膜が得られないとか、処理条件によって
は基体上に析出したＰｄ核が吸着不充分で、無電解めっ
き浴中に持ち込まれ、浴の自然分解の原因となったりす
るなどの欠点があった。
なり易く、基体表面上のＰｄ核の生成が不充分のため、
均一なめっき皮膜が得られないとか、処理条件によって
は基体上に析出したＰｄ核が吸着不充分で、無電解めっ
き浴中に持ち込まれ、浴の自然分解の原因となったりす
るなどの欠点があった。
さらにまた、上記抵抗値調整のだめの溝切り加工におい
ては、カッターの調整が難かしく、そのため抵抗値のバ
ラツキが多く、また高倍率の溝切りをすることはきわめ
て困難であった。捷だ、碍子が硬い材料である場合には
、溝切り加工がしにくいだけでなく、場合によってはめ
っき皮膜の剥離を生じたり、溝切りにより皮膜端部が高
温になるため皮膜の特性が劣化したり、また、カッター
の歯の寿命も短かいものであった。
ては、カッターの調整が難かしく、そのため抵抗値のバ
ラツキが多く、また高倍率の溝切りをすることはきわめ
て困難であった。捷だ、碍子が硬い材料である場合には
、溝切り加工がしにくいだけでなく、場合によってはめ
っき皮膜の剥離を生じたり、溝切りにより皮膜端部が高
温になるため皮膜の特性が劣化したり、また、カッター
の歯の寿命も短かいものであった。
本発明は絶縁基体の所要個所にＰｄ成分を含むペースト
を塗布、乾燥した後、熱処理によりＰｄ金属微粒子を析
出させ、その上に無電解めっきによりＮｉ系合金皮膜を
形成して金属抵抗皮膜とすることによって、上述の欠点
を解消するものである０ すなわち、本発明は無電解めっきの触媒核の形成方法と
して、従来の塩化第１錫と塩化パラジウムとの化学反応
によるＰｄ金属形成に代え、Ｐｄ成分を含むペーストを
塗布乾燥し、これを熱処理することにより、絶縁基体上
にＰｄ金属微粒子を密着させて触媒核とするものである
。本発明によるＰｄ核の形成方法は、従来の方法に比べ
て密着性のすぐれだＰｄ微粒子を安定して形成すること
ができるため、均一な無電解めっき皮膜が得られるとと
もに、無電解めっき浴の自然分解も起りにくい。
を塗布、乾燥した後、熱処理によりＰｄ金属微粒子を析
出させ、その上に無電解めっきによりＮｉ系合金皮膜を
形成して金属抵抗皮膜とすることによって、上述の欠点
を解消するものである０ すなわち、本発明は無電解めっきの触媒核の形成方法と
して、従来の塩化第１錫と塩化パラジウムとの化学反応
によるＰｄ金属形成に代え、Ｐｄ成分を含むペーストを
塗布乾燥し、これを熱処理することにより、絶縁基体上
にＰｄ金属微粒子を密着させて触媒核とするものである
。本発明によるＰｄ核の形成方法は、従来の方法に比べ
て密着性のすぐれだＰｄ微粒子を安定して形成すること
ができるため、均一な無電解めっき皮膜が得られるとと
もに、無電解めっき浴の自然分解も起りにくい。
さらに壕だ、本発明では、印刷とか吹付等により所要個
所に精度よく、かつ簡単に無電解めっきの触媒核となる
Ｐｄ金属微粒子の形成ができるだめ、後の抵抗値調整の
だめの溝切り加工がほとんど不要になり、このために前
述の溝切り加工における欠点が解消できるものである。
所に精度よく、かつ簡単に無電解めっきの触媒核となる
Ｐｄ金属微粒子の形成ができるだめ、後の抵抗値調整の
だめの溝切り加工がほとんど不要になり、このために前
述の溝切り加工における欠点が解消できるものである。
次に図面を参照して、本発明の構成を詳述する。
第１図は本発明により得られる金属皮膜抵抗器の断面図
であり、図において、１は絶縁基体で、通常はアルミナ
磁器、フォルステライト磁器、ムライト磁器等を用いる
。その基体表面は研磨あるいはフッ酸−硝酸混液中での
化学エツチングによる粗面化によって、めっき皮膜の密
着性を向上させる。図中２は無電解めっきの触媒核とな
るＰｄ金属微粒子層で、これはＰｄ成分を含むペースト
を所要個所に塗布、乾燥し、熱処理して、絶縁基体表面
にＰｄ微粒子として析出させたものである。
であり、図において、１は絶縁基体で、通常はアルミナ
磁器、フォルステライト磁器、ムライト磁器等を用いる
。その基体表面は研磨あるいはフッ酸−硝酸混液中での
化学エツチングによる粗面化によって、めっき皮膜の密
着性を向上させる。図中２は無電解めっきの触媒核とな
るＰｄ金属微粒子層で、これはＰｄ成分を含むペースト
を所要個所に塗布、乾燥し、熱処理して、絶縁基体表面
にＰｄ微粒子として析出させたものである。
このペースト中のＰｄ成分としては、粒径２μ以下のＰ
ｄ微粉末あるいは塩化パラジウム、硝酸パラジウムなど
のＰｄ化合物を用いることができる。
ｄ微粉末あるいは塩化パラジウム、硝酸パラジウムなど
のＰｄ化合物を用いることができる。
ペースト中のＰｄ成分量としては０．０２〜５重量％が
好適であり、０．０２重量％未満では均一な無電解めっ
きが形成されず、５重量％を超えると基体との接着強度
が低下し、コストメリットがなくなるだめ好ましくない
。
好適であり、０．０２重量％未満では均一な無電解めっ
きが形成されず、５重量％を超えると基体との接着強度
が低下し、コストメリットがなくなるだめ好ましくない
。
上記ペーストのビヒクルとしては、エチルセルロース、
ポリビニルブチラール、ポリビニルピロリドンなどの闇
脂をアルコール、セロソルブ、ターピネオールなどの溶
剤に溶解したもので゛ある。
ポリビニルブチラール、ポリビニルピロリドンなどの闇
脂をアルコール、セロソルブ、ターピネオールなどの溶
剤に溶解したもので゛ある。
上記Ｐｄ成分を含むペーストを用いれば充分な接着強度
が得られるが、このペースト中にさらに、０．５〜５重
量％のガラス粉末あるいはＢｔ２０３゜Ｂ２Ｏ３，５ｂ
２０３．ＰｂＯなどの低融点酸化物（焼成後酸化物にな
るものを含む）を加えることによって、さらに接着強度
を向上させることができる。また、上記ペースト中にカ
ーボン粉末の１〜３０重量％を添加することによって、
印刷精度の向上を図ることができる。
が得られるが、このペースト中にさらに、０．５〜５重
量％のガラス粉末あるいはＢｔ２０３゜Ｂ２Ｏ３，５ｂ
２０３．ＰｂＯなどの低融点酸化物（焼成後酸化物にな
るものを含む）を加えることによって、さらに接着強度
を向上させることができる。また、上記ペースト中にカ
ーボン粉末の１〜３０重量％を添加することによって、
印刷精度の向上を図ることができる。
上記ペーストを絶縁基体に塗布、乾燥した後、熱処理を
行うわけであるが、この熱処理は好ましくは大気中で４
００〜９ｏ○℃の温度範囲で行なわれる。この温度が４
００℃未満ではペーストの樹脂酸されないため、均一な
無電解めっき析出がされず、所望の抵抗皮膜が得られな
かったり、接着強度の悪化の原因となる。また、９００
℃を超えると金属微粒子の均一な析出が得られないため
、均一なめっき皮膜形成が行なわれない。なお、本発明
において、上記熱処理により析出しだＰｄ金属微粒子層
は、厚みが平均１μ以下とうすく、また導通もないもの
である。
行うわけであるが、この熱処理は好ましくは大気中で４
００〜９ｏ○℃の温度範囲で行なわれる。この温度が４
００℃未満ではペーストの樹脂酸されないため、均一な
無電解めっき析出がされず、所望の抵抗皮膜が得られな
かったり、接着強度の悪化の原因となる。また、９００
℃を超えると金属微粒子の均一な析出が得られないため
、均一なめっき皮膜形成が行なわれない。なお、本発明
において、上記熱処理により析出しだＰｄ金属微粒子層
は、厚みが平均１μ以下とうすく、また導通もないもの
である。
第１図の３は無電解めっきにより得られるＮｉ系合金皮
膜層である。これはＮ Ｉ Ｐ ｒ Ｎ ｉＢ ＋あ
るいはこれらとＦ ｅ ＋ Ｍ ｎ ＋ Ｚ ｎ ｒ
Ｃｕなどの金属との合金めっき皮膜であり、この上に電
気めっきすることもできる。このめっき皮膜はその！、
までも抵抗皮膜として用いられるが、通常は熱処理して
抵抗皮膜とするもので、１５０〜３２０℃の温度範囲の
熱処理によって皮膜の抵抗温度係数を向上させることが
できる。また、この皮膜の抵抗値は無電解めっきの条件
、めっき時間および熱処理温度によって所望の値にする
ことができる。寸だ、抵抗値の微調整として、抵抗皮膜
の一部にカッティング個所を設けることもできる。
膜層である。これはＮ Ｉ Ｐ ｒ Ｎ ｉＢ ＋あ
るいはこれらとＦ ｅ ＋ Ｍ ｎ ＋ Ｚ ｎ ｒ
Ｃｕなどの金属との合金めっき皮膜であり、この上に電
気めっきすることもできる。このめっき皮膜はその！、
までも抵抗皮膜として用いられるが、通常は熱処理して
抵抗皮膜とするもので、１５０〜３２０℃の温度範囲の
熱処理によって皮膜の抵抗温度係数を向上させることが
できる。また、この皮膜の抵抗値は無電解めっきの条件
、めっき時間および熱処理温度によって所望の値にする
ことができる。寸だ、抵抗値の微調整として、抵抗皮膜
の一部にカッティング個所を設けることもできる。
このめっき皮膜を形成した後Ｊ常は、碍子の両端にキャ
ップ４を装着し、次いで碍子全体を絶縁塗料６で被覆硬
化することにより、金属皮膜抵抗器が完成する。なお、
めっき皮膜を形成した後、１５０〜３２０℃の温度範囲
で熱処理することにより、皮膜の抵抗温度係数を向上さ
せることができる０ 以上のように、本発明においては、所要個所に精度よく
金属めっき皮膜を形成できるため、抵抗調整のだめの溝
切り工程がほとんど不要になり、特性の安定した、量産
性のすぐれた金属皮膜抵抗器が製造できる。
ップ４を装着し、次いで碍子全体を絶縁塗料６で被覆硬
化することにより、金属皮膜抵抗器が完成する。なお、
めっき皮膜を形成した後、１５０〜３２０℃の温度範囲
で熱処理することにより、皮膜の抵抗温度係数を向上さ
せることができる０ 以上のように、本発明においては、所要個所に精度よく
金属めっき皮膜を形成できるため、抵抗調整のだめの溝
切り工程がほとんど不要になり、特性の安定した、量産
性のすぐれた金属皮膜抵抗器が製造できる。
以下、本発明を実施例にもとづき説明する。
２φｘ ｓ ｍｙの１ ／２ Ｗのフォルステライト磁
器系絶縁基体をフッ酸および硝酸の混液を用いて粗面化
し、ともづり研磨後、その表面に塩化パラジウムもしく
は２ Ｉｔ以下のＰｄ粉末を０．０１〜１０重量％含み
、樹脂分としてポリビニルピロリドン、溶剤としてター
ピネオールからなるビヒクルを用いた活性ペーストを第
２図に示すようにスパイラル状に塗布した。次に、この
碍子を１２０℃で１０分間乾燥した後、大気中２００〜
１０００℃の温度で３０分間熱処理した。これを、硫酸
二・ノケル、硫酸第１鉄、クエン酸Ｎａ、次亜リン酸ソ
ーダからなる、Ｎ１−Ｐ−Ｆｅ合金系無電解めっき液中
に２０分間浸漬し基体表面にめっき皮膜を約２μ析出し
た○ 次いで、２５０℃で１時間熱処理し、両端にＳｎめっき
したキヤらプを圧入し、碍子上に絶縁塗料を塗布、乾燥
して金属皮膜抵抗器を作成した。
器系絶縁基体をフッ酸および硝酸の混液を用いて粗面化
し、ともづり研磨後、その表面に塩化パラジウムもしく
は２ Ｉｔ以下のＰｄ粉末を０．０１〜１０重量％含み
、樹脂分としてポリビニルピロリドン、溶剤としてター
ピネオールからなるビヒクルを用いた活性ペーストを第
２図に示すようにスパイラル状に塗布した。次に、この
碍子を１２０℃で１０分間乾燥した後、大気中２００〜
１０００℃の温度で３０分間熱処理した。これを、硫酸
二・ノケル、硫酸第１鉄、クエン酸Ｎａ、次亜リン酸ソ
ーダからなる、Ｎ１−Ｐ−Ｆｅ合金系無電解めっき液中
に２０分間浸漬し基体表面にめっき皮膜を約２μ析出し
た○ 次いで、２５０℃で１時間熱処理し、両端にＳｎめっき
したキヤらプを圧入し、碍子上に絶縁塗料を塗布、乾燥
して金属皮膜抵抗器を作成した。
従来例としては、上記のエツチングした碍子を塩化第１
錫液と塩化パラジウム液による活性化処理を行い、上記
無電解めっき浴で２０分間めっきした後、２５０℃で１
時間熱処理し、この後カッターを用いてスパイラルカゾ
トし、キャップ圧入。
錫液と塩化パラジウム液による活性化処理を行い、上記
無電解めっき浴で２０分間めっきした後、２５０℃で１
時間熱処理し、この後カッターを用いてスパイラルカゾ
トし、キャップ圧入。
絶縁塗料塗布硬化し抵抗器を作成した。
得られた各試料について、めっきの析出状態、めっきの
接着強度および抵抗値を調べ、その結果を次表に示した
。
接着強度および抵抗値を調べ、その結果を次表に示した
。
なお、めっきの接着強度はフォルステライト磁器基板を
用い、上記と同様な処理を行ない（従来例ではめっきレ
ジストを使用して）、基板表面に５φのめっきを施こし
、はんだ付して接着強度を測定した。なお、上記実施例
においては、抵抗値の微調整は施こされていない。
用い、上記と同様な処理を行ない（従来例ではめっきレ
ジストを使用して）、基板表面に５φのめっきを施こし
、はんだ付して接着強度を測定した。なお、上記実施例
においては、抵抗値の微調整は施こされていない。
（以 下 余 白）
１ｏ 、
１１ 、
特開ＨＵ５８−１２４２０５（４）
１３ 、ｚ ・
以上の説明および表の結果より明らかなように、本発明
によれば、所要個所に精度よく、安定で均一なしかも接
着強度のすぐれためつき皮膜を形成することができるた
め、抵抗値のバラツキの小さい特性の安定した金属皮膜
抵抗器の製造が可能となり、また、本発明の方法におい
ては、後の抵抗値調整用の溝切り加工工程がほとんど不
要となるため、量産性にすぐれた産業上の価値の大なる
ものである。
によれば、所要個所に精度よく、安定で均一なしかも接
着強度のすぐれためつき皮膜を形成することができるた
め、抵抗値のバラツキの小さい特性の安定した金属皮膜
抵抗器の製造が可能となり、また、本発明の方法におい
ては、後の抵抗値調整用の溝切り加工工程がほとんど不
要となるため、量産性にすぐれた産業上の価値の大なる
ものである。
第１図は本発明により得られる金属皮膜抵抗器の一例を
示す断面図、第２図は本発明の一実施例における活性ペ
ーストを塗布した碍子を示す正面図である。 １・・・・・・絶縁基体、２・・・・・・Ｐｄ金属微粒
子層、３・・・・・・めっき皮膜層、４・・・・・・キ
ャップリード、５・・・・・・絶縁塗料、２２・・・・
・・活性ペースト。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 ＷＪ２図
示す断面図、第２図は本発明の一実施例における活性ペ
ーストを塗布した碍子を示す正面図である。 １・・・・・・絶縁基体、２・・・・・・Ｐｄ金属微粒
子層、３・・・・・・めっき皮膜層、４・・・・・・キ
ャップリード、５・・・・・・絶縁塗料、２２・・・・
・・活性ペースト。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 ＷＪ２図
Claims (3)
- （１）絶縁基体の所要個所に０．０２〜５重量％のＰｄ
成分を含むペーストを塗布乾燥し、これを４００〜９０
０℃の温度範囲で熱処理する工程と、その上にＮｉ系無
電解めっきを施こす工程と、前記絶縁基体の両端に電極
を形成した後、絶縁塗料を塗布硬化する工程を含むこと
を特徴とする金属皮膜抵抗器の製造方法。 - （２）絶縁基体の表面を物理的、化学的処理により粗面
化することを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載
の金属皮膜抵抗器の製造方法。 - （３） ペースト中にガラス粉末および低融点酸化物
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP811482A JPS58124205A (ja) | 1982-01-20 | 1982-01-20 | 金属皮膜抵抗器の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP811482A JPS58124205A (ja) | 1982-01-20 | 1982-01-20 | 金属皮膜抵抗器の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58124205A true JPS58124205A (ja) | 1983-07-23 |
Family
ID=11684258
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP811482A Pending JPS58124205A (ja) | 1982-01-20 | 1982-01-20 | 金属皮膜抵抗器の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58124205A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110349722A (zh) * | 2019-07-12 | 2019-10-18 | 南京萨特科技发展有限公司 | 一种合金电阻器的热处理方法 |
-
1982
- 1982-01-20 JP JP811482A patent/JPS58124205A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110349722A (zh) * | 2019-07-12 | 2019-10-18 | 南京萨特科技发展有限公司 | 一种合金电阻器的热处理方法 |
| CN110349722B (zh) * | 2019-07-12 | 2021-04-30 | 南京萨特科技发展有限公司 | 一种合金电阻器的热处理方法 |
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