JPH0888104A - チップ状電子部品とその製造方法 - Google Patents
チップ状電子部品とその製造方法Info
- Publication number
- JPH0888104A JPH0888104A JP6251384A JP25138494A JPH0888104A JP H0888104 A JPH0888104 A JP H0888104A JP 6251384 A JP6251384 A JP 6251384A JP 25138494 A JP25138494 A JP 25138494A JP H0888104 A JPH0888104 A JP H0888104A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- chip
- electronic component
- plating
- resistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Details Of Resistors (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 金属被膜抵抗器などの外部電極を形成するに
際して、抵抗値の高い被膜上に直接電解メッキを施して
製造することが可能な、メッキ膜厚にバラツキがないチ
ップ状電子部品とその製造方法の提供。 【構成】 複数のアルミナ磁器素体１に回転バレルによ
りスパッター法でＣｒ／Ｓｉ膜２を形成した抵抗体素子
を用意し、この素子の周面にカット部４をスパイラル状
に設けて両端間の抵抗値を調整し、端部に外部電極を形
成するために、周面を樹脂コート５で被覆した素子を過
酸化水素水と弗化アンモニウムを含む前処理液に浸漬し
てから素子端面に電解メッキ層６を形成するとメッキ層
厚のバラツキが少なく、さらに該メッキ層上に半田メッ
キ層７を形成して半田濡れ性を改善したチップ状抵抗体
電子部品が得られる。
際して、抵抗値の高い被膜上に直接電解メッキを施して
製造することが可能な、メッキ膜厚にバラツキがないチ
ップ状電子部品とその製造方法の提供。 【構成】 複数のアルミナ磁器素体１に回転バレルによ
りスパッター法でＣｒ／Ｓｉ膜２を形成した抵抗体素子
を用意し、この素子の周面にカット部４をスパイラル状
に設けて両端間の抵抗値を調整し、端部に外部電極を形
成するために、周面を樹脂コート５で被覆した素子を過
酸化水素水と弗化アンモニウムを含む前処理液に浸漬し
てから素子端面に電解メッキ層６を形成するとメッキ層
厚のバラツキが少なく、さらに該メッキ層上に半田メッ
キ層７を形成して半田濡れ性を改善したチップ状抵抗体
電子部品が得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はチップ状電子部品とその
製造方法に関する。
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、金属被膜抵抗体等のチップ状電子
部品は次のような方法で製造されてきた。すなわち、例
えば直径１．０mm、長さ１．６mmのアルミナ等の絶縁性
円柱状磁器素体を回転するバレルに入れ、スパッター等
の成膜方法によって、素体全体にＮｉ／Ｃｒ、Ｃｒ／Ｓ
ｉ、Ｔａ／ＳｉＯ2 等の抵抗体被膜を形成する。
部品は次のような方法で製造されてきた。すなわち、例
えば直径１．０mm、長さ１．６mmのアルミナ等の絶縁性
円柱状磁器素体を回転するバレルに入れ、スパッター等
の成膜方法によって、素体全体にＮｉ／Ｃｒ、Ｃｒ／Ｓ
ｉ、Ｔａ／ＳｉＯ2 等の抵抗体被膜を形成する。
【０００３】このようにして抵抗体被膜を形成した素体
は、特定の温度で熱処理して抵抗体被膜を安定させた
後、素体端面に金属キャップ端子を嵌着し、端子間の抵
抗値を測定しながら、素体中央部分の周面をスパイラル
状にカットし、所定の抵抗値にする。次いで抵抗値の信
頼性を保証するため、前記外部端子間に絶縁性樹脂を塗
布する。
は、特定の温度で熱処理して抵抗体被膜を安定させた
後、素体端面に金属キャップ端子を嵌着し、端子間の抵
抗値を測定しながら、素体中央部分の周面をスパイラル
状にカットし、所定の抵抗値にする。次いで抵抗値の信
頼性を保証するため、前記外部端子間に絶縁性樹脂を塗
布する。
【０００４】上記が従来行われてきた一般的方法である
が、近年、電子部品の小形化や信頼性改善の要請に応
じ、金属キャップ端子の使用に代えて、導電性ペースト
を個々のチップ片の端面に塗布しこれを焼き付ける方
法、またはカッティングした後その表面に絶縁性の樹脂
を塗布し、外部端子部分に無電解メッキした後、電解メ
ッキする方法などが提案されている。
が、近年、電子部品の小形化や信頼性改善の要請に応
じ、金属キャップ端子の使用に代えて、導電性ペースト
を個々のチップ片の端面に塗布しこれを焼き付ける方
法、またはカッティングした後その表面に絶縁性の樹脂
を塗布し、外部端子部分に無電解メッキした後、電解メ
ッキする方法などが提案されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、金属キ
ャップを嵌着する従来の方法は、セラミック素体と金属
製キャップとの嵌合精度管理が難しく、歩留り向上が困
難であるという問題があり、導電性ペーストを塗布する
方法は、ペーストを焼き付ける温度が８００℃程度と高
いため、抵抗値が変動したり、抵抗体材料が制限される
という問題があるため、カーボン、金属被膜抵抗体等に
は不適である。
ャップを嵌着する従来の方法は、セラミック素体と金属
製キャップとの嵌合精度管理が難しく、歩留り向上が困
難であるという問題があり、導電性ペーストを塗布する
方法は、ペーストを焼き付ける温度が８００℃程度と高
いため、抵抗値が変動したり、抵抗体材料が制限される
という問題があるため、カーボン、金属被膜抵抗体等に
は不適である。
【０００６】一方、無電解メッキした後、電解メッキす
る方法は、無電解メッキを施すために、Ｓｎ、Ｐｄ溶液
に浸漬する前処理が必要であり、また、選択メッキする
ためにメッキレジスト樹脂等をメッキ膜の析出を避ける
部分に塗布するマスキング工程が必要となり、生産性を
損ねるという課題がある。
る方法は、無電解メッキを施すために、Ｓｎ、Ｐｄ溶液
に浸漬する前処理が必要であり、また、選択メッキする
ためにメッキレジスト樹脂等をメッキ膜の析出を避ける
部分に塗布するマスキング工程が必要となり、生産性を
損ねるという課題がある。
【０００７】さりとて、抵抗値の高い被膜上に直接電解
メッキを施すと、メッキ析出速度に極めて大きなバラツ
キがあり、メッキ開始初期に析出開始できた素子は、そ
の後順調に析出が継続するが、メッキ開始初期に析出し
なかった素子は、その後の析出も行われ難く、やがて析
出が行われたとしても析出速度が遅く、しかも遅れて析
出が起こるので、製造ロット内においてメッキ膜厚のバ
ラツキを生ずる。
メッキを施すと、メッキ析出速度に極めて大きなバラツ
キがあり、メッキ開始初期に析出開始できた素子は、そ
の後順調に析出が継続するが、メッキ開始初期に析出し
なかった素子は、その後の析出も行われ難く、やがて析
出が行われたとしても析出速度が遅く、しかも遅れて析
出が起こるので、製造ロット内においてメッキ膜厚のバ
ラツキを生ずる。
【０００８】最初のメッキによる析出膜が薄すぎるとそ
の上への半田メッキ膜の析出が十分になされなかった
り、外部電極の抵抗値が高くなったりして、外部電極と
して不都合をきたす。そのような下地の上に電解メッキ
を施そうとするときは、電流密度を高めたり、メッキ時
間を長くしたりして、メッキ膜の析出を促進させ、膜厚
を高めようとする。そうすると絶縁被膜上までメッキ析
出膜が伸びて絶縁不良を起こすものが生じたり、外部端
子の膜厚が厚すぎて、寸法規格オーバー等の不都合をき
たすという課題があった。
の上への半田メッキ膜の析出が十分になされなかった
り、外部電極の抵抗値が高くなったりして、外部電極と
して不都合をきたす。そのような下地の上に電解メッキ
を施そうとするときは、電流密度を高めたり、メッキ時
間を長くしたりして、メッキ膜の析出を促進させ、膜厚
を高めようとする。そうすると絶縁被膜上までメッキ析
出膜が伸びて絶縁不良を起こすものが生じたり、外部端
子の膜厚が厚すぎて、寸法規格オーバー等の不都合をき
たすという課題があった。
【０００９】したがって、本発明の目的は、金属被膜抵
抗器などの外部電極を形成するに際して、抵抗値の高い
被膜上に直接電解メッキを施しても、メッキ膜厚にばら
つきがないチップ状電子部品とその製造方法を提供する
ことにある。
抗器などの外部電極を形成するに際して、抵抗値の高い
被膜上に直接電解メッキを施しても、メッキ膜厚にばら
つきがないチップ状電子部品とその製造方法を提供する
ことにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明者らは上記目的を
達成すべく研究の結果、チップ状素体の表面にＣｒ／Ｎ
ｉなどの特定の膜をスパッター法で形成し、外部電極端
子以外を絶縁性樹脂コートで被覆し、過酸化水素水など
特定の溶液に浸漬した後、電解メッキを施せば前記課題
が解決されたチップ状電子部品が得られることを見いだ
し本発明に到達した。
達成すべく研究の結果、チップ状素体の表面にＣｒ／Ｎ
ｉなどの特定の膜をスパッター法で形成し、外部電極端
子以外を絶縁性樹脂コートで被覆し、過酸化水素水など
特定の溶液に浸漬した後、電解メッキを施せば前記課題
が解決されたチップ状電子部品が得られることを見いだ
し本発明に到達した。
【００１１】すなわち本発明は第１に、素体の両端部に
設けられている外部電極が、Ｎｉ／Ｃｒ、Ｔａ／ＳｉＯ
2 、Ｃｒ／Ｓｉ、Ｔａ／ＮおよびＲｕ／Ｏからなる群よ
り選択されたいずれか１種類の膜または２種類以上の組
み合わせからなる膜とその上に直接形成された電解メッ
キ膜とにより構成されていることを特徴とするチップ状
電子部品：第２に、素体の両端部に設けられている外部
電極が、Ｎｉ／Ｃｒ、Ｔａ／ＳｉＯ2 、Ｃｒ／Ｓｉ、Ｔ
ａ／ＮおよびＲｕ／Ｏからなる群より選択されたいずれ
か１種類の膜または２種類以上の組み合わせからなる膜
とその上に直接形成された電解メッキ膜と、さらにこの
電解メッキ膜の上に形成されたＣｕ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｎ
ｉ、Ｐｄのうち少なくとも１種の被膜により構成されて
いることを特徴とするチップ状電子部品：第３に、チッ
プ状素体の表面に、Ｎｉ／Ｃｒ、Ｔａ／ＳｉＯ2 、Ｃｒ
／Ｓｉ、Ｔａ／Ｎ、Ｒｕ／Ｏの１種、もしくはこれらの
中から選択された複数の膜を形成し、外部電極端子以外
の部分を絶縁膜で被覆し、塩酸、硝酸、硫酸、過酸化水
素水、弗化水素アンモニウム、弗酸の単体またはこれら
から選択された複数種を含む前処理液に浸漬した後、電
解メッキを施す工程を有してなることを特徴とするチッ
プ状電子部品の製造方法を提供するものである。
設けられている外部電極が、Ｎｉ／Ｃｒ、Ｔａ／ＳｉＯ
2 、Ｃｒ／Ｓｉ、Ｔａ／ＮおよびＲｕ／Ｏからなる群よ
り選択されたいずれか１種類の膜または２種類以上の組
み合わせからなる膜とその上に直接形成された電解メッ
キ膜とにより構成されていることを特徴とするチップ状
電子部品：第２に、素体の両端部に設けられている外部
電極が、Ｎｉ／Ｃｒ、Ｔａ／ＳｉＯ2 、Ｃｒ／Ｓｉ、Ｔ
ａ／ＮおよびＲｕ／Ｏからなる群より選択されたいずれ
か１種類の膜または２種類以上の組み合わせからなる膜
とその上に直接形成された電解メッキ膜と、さらにこの
電解メッキ膜の上に形成されたＣｕ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｎ
ｉ、Ｐｄのうち少なくとも１種の被膜により構成されて
いることを特徴とするチップ状電子部品：第３に、チッ
プ状素体の表面に、Ｎｉ／Ｃｒ、Ｔａ／ＳｉＯ2 、Ｃｒ
／Ｓｉ、Ｔａ／Ｎ、Ｒｕ／Ｏの１種、もしくはこれらの
中から選択された複数の膜を形成し、外部電極端子以外
の部分を絶縁膜で被覆し、塩酸、硝酸、硫酸、過酸化水
素水、弗化水素アンモニウム、弗酸の単体またはこれら
から選択された複数種を含む前処理液に浸漬した後、電
解メッキを施す工程を有してなることを特徴とするチッ
プ状電子部品の製造方法を提供するものである。
【００１２】
【作用】従来は、Ｎｉ／Ｃｒ、Ｔａ／ＳｉＯ2 、Ｃｒ／
Ｓｉ、Ｔａ／Ｎ、Ｒｕ／Ｏ等の比較的抵抗値の高い被膜
上に直接電解メッキを施しても、均一に析出させること
が困難であったが、本発明によればそれが可能である。
すなわち、上記比較的抵抗値の高い被膜上の、電解メッ
キ膜を構成したい部分を塩酸、硝酸、硫酸、過酸化水素
水、弗化水素、アンモニウム、弗酸等から選んだいずれ
か１つの溶液またははこれらから複数選択して調製した
混合溶液に浸漬し、成膜された膜表面の酸化層を除去
し、被膜表面を活性にしてから電解メッキを施すとメッ
キ膜の析出が容易になるのである。
Ｓｉ、Ｔａ／Ｎ、Ｒｕ／Ｏ等の比較的抵抗値の高い被膜
上に直接電解メッキを施しても、均一に析出させること
が困難であったが、本発明によればそれが可能である。
すなわち、上記比較的抵抗値の高い被膜上の、電解メッ
キ膜を構成したい部分を塩酸、硝酸、硫酸、過酸化水素
水、弗化水素、アンモニウム、弗酸等から選んだいずれ
か１つの溶液またははこれらから複数選択して調製した
混合溶液に浸漬し、成膜された膜表面の酸化層を除去
し、被膜表面を活性にしてから電解メッキを施すとメッ
キ膜の析出が容易になるのである。
【００１３】
【実施例１】図２ないし図６および図１は本実施例にお
いて作製されるチップ抵抗体電子部品の製造工程を示す
図であって、これらを参照して以下説明する。
いて作製されるチップ抵抗体電子部品の製造工程を示す
図であって、これらを参照して以下説明する。
【００１４】（１）直径１．０mm、長さ１．６mmのアル
ミナ磁器素体１（図２）を複数、回転バレル中に入れ、
Ｃｒ／Ｓｉをスパッター法によって、前記磁器素体表面
に膜厚０．３μｍのＣｒ／Ｓｉ膜２を形成し、抵抗体素
子３を用意した（図３）。また抵抗体被膜を安定させる
ため熱処理を施した。
ミナ磁器素体１（図２）を複数、回転バレル中に入れ、
Ｃｒ／Ｓｉをスパッター法によって、前記磁器素体表面
に膜厚０．３μｍのＣｒ／Ｓｉ膜２を形成し、抵抗体素
子３を用意した（図３）。また抵抗体被膜を安定させる
ため熱処理を施した。
【００１５】（２）これらの素子は、両端間の抵抗値が
１０００ｋΩになるように、Ｃｒ／Ｓｉ膜２が被着した
磁器素体１の周面にカット部４がスパイラル状に形成さ
れた抵抗体素子であり（図４参照、なおこの図では説明
の都合上端面におけるＣｒ／Ｓｉ膜は省略してある）、
また素子の両端部に外部電極を構成するため、両端部分
を除いた周面を絶縁性の樹脂コート５で被覆し、素子端
部を露出させた状態で用意した（図５）。
１０００ｋΩになるように、Ｃｒ／Ｓｉ膜２が被着した
磁器素体１の周面にカット部４がスパイラル状に形成さ
れた抵抗体素子であり（図４参照、なおこの図では説明
の都合上端面におけるＣｒ／Ｓｉ膜は省略してある）、
また素子の両端部に外部電極を構成するため、両端部分
を除いた周面を絶縁性の樹脂コート５で被覆し、素子端
部を露出させた状態で用意した（図５）。
【００１６】（３）これとは別に、過酸化水素水１．０
ｃｃ、弗化水素アンモニウム０．１ｇと、純水９９ｃｃ
とを混合した前処理液を用意し、３０℃に保温した。
ｃｃ、弗化水素アンモニウム０．１ｇと、純水９９ｃｃ
とを混合した前処理液を用意し、３０℃に保温した。
【００１７】（４）これらの用意ができたら、前記素子
を前記前処理液に４分間浸漬した後水洗し、引き続き市
販のＮｉ電解メッキ液を用いて、浴温を５０℃に保ち、
１２０分間バレルメッキして素子端部にＮｉ電解メッキ
層６を形成し、以後水洗し乾燥した（図６）。
を前記前処理液に４分間浸漬した後水洗し、引き続き市
販のＮｉ電解メッキ液を用いて、浴温を５０℃に保ち、
１２０分間バレルメッキして素子端部にＮｉ電解メッキ
層６を形成し、以後水洗し乾燥した（図６）。
【００１８】（５）これらのチップ部品から無作為に５
０個選択して、外部電極端子上のＮｉ膜厚を、メッキ膜
厚計（セイコー電子社製ＳＦＴ−７０００）で測定した
結果、最大６．０μｍ、最小３．２μｍであり、平均値
は４．５μｍであった。
０個選択して、外部電極端子上のＮｉ膜厚を、メッキ膜
厚計（セイコー電子社製ＳＦＴ−７０００）で測定した
結果、最大６．０μｍ、最小３．２μｍであり、平均値
は４．５μｍであった。
【００１９】（６）これらチップ部品はさらに、外部電
極上に半田メッキ層７を形成して、半田の濡れ性を改善
したチップ状抵抗体電子部品（図１参照）とした。
極上に半田メッキ層７を形成して、半田の濡れ性を改善
したチップ状抵抗体電子部品（図１参照）とした。
【００２０】
【実施例２】実施例１において、前処理液を過酸化水素
水１．０ｃｃ、弗化水素アンモニウム０．１ｇに代え
て、過酸化水素水２．０ｃｃ、弗化水素カリウム０．１
ｇとしたことと、素子を前記前処理液に５分間浸漬した
こと以外は、実施例１と同様に行った結果、外部電極端
子上のＮｉ膜厚は、最大６．３μｍ、最小３．８μｍで
あり、平均値は５．０μｍであった。実施例１と比較し
て膜厚が厚くなり、初期メッキ膜の析出速度が速いとい
う別の効果が認められた。
水１．０ｃｃ、弗化水素アンモニウム０．１ｇに代え
て、過酸化水素水２．０ｃｃ、弗化水素カリウム０．１
ｇとしたことと、素子を前記前処理液に５分間浸漬した
こと以外は、実施例１と同様に行った結果、外部電極端
子上のＮｉ膜厚は、最大６．３μｍ、最小３．８μｍで
あり、平均値は５．０μｍであった。実施例１と比較し
て膜厚が厚くなり、初期メッキ膜の析出速度が速いとい
う別の効果が認められた。
【００２１】これらのチップ部品の外部電極にさらに、
Ｃｕ電解メッキと、半田メッキを施して半田の濡れ性を
改善したチップ部品を構成した。
Ｃｕ電解メッキと、半田メッキを施して半田の濡れ性を
改善したチップ部品を構成した。
【００２２】
【実施例３】実施例１において、過酸化水素水１．０ｃ
ｃ、弗化水素アンモニウム０．１ｇに代えて、硝酸５ｃ
ｃ、硫酸７ｃｃ、弗酸（４０％）１．０ｃｃ、純水を適
量入れて１００ｃｃにし、３０℃で５分間浸漬したこと
以外は、実施例１と同様に行った結果、外部電極端子上
のＮｉ膜厚は、最大５．７μｍ、最小３．０μｍであ
り、平均値は４．１μｍであった。
ｃ、弗化水素アンモニウム０．１ｇに代えて、硝酸５ｃ
ｃ、硫酸７ｃｃ、弗酸（４０％）１．０ｃｃ、純水を適
量入れて１００ｃｃにし、３０℃で５分間浸漬したこと
以外は、実施例１と同様に行った結果、外部電極端子上
のＮｉ膜厚は、最大５．７μｍ、最小３．０μｍであ
り、平均値は４．１μｍであった。
【００２３】本実施例の方法は、実施例１と比して前処
理効果は僅かに弱いが、その分、素体を損傷するような
影響が少ないので、素体への影響を極力避けたい場合に
有効である。
理効果は僅かに弱いが、その分、素体を損傷するような
影響が少ないので、素体への影響を極力避けたい場合に
有効である。
【００２４】
【実施例４】実施例１において、過酸化水素水１．０ｃ
ｃ、弗化水素アンモニウム０．１ｇに代えて、４Ｎ硝酸
溶液を３０℃に保温して１０分間浸漬したこと以外は、
実施例１と同様に行った結果、外部電極端子上のＮｉ膜
厚は、最大５．９μｍ、最小３．１μｍであり、平均値
は４．３μｍであった。
ｃ、弗化水素アンモニウム０．１ｇに代えて、４Ｎ硝酸
溶液を３０℃に保温して１０分間浸漬したこと以外は、
実施例１と同様に行った結果、外部電極端子上のＮｉ膜
厚は、最大５．９μｍ、最小３．１μｍであり、平均値
は４．３μｍであった。
【００２５】
【実施例５】実施例１において、過酸化水素水１．０ｃ
ｃ、弗化水素アンモニウム０．１ｇに代えて、弗酸（４
０％）溶液１０ｃｃと純水で１００ｃｃとし、液温３０
℃、５分間浸漬したこと以外は、実施例１と同様に行っ
た結果、外部電極端子上のＮｉ膜厚は、最大５．９μ
ｍ、最小２．８μｍであり、平均値は４．３μｍであっ
た。
ｃ、弗化水素アンモニウム０．１ｇに代えて、弗酸（４
０％）溶液１０ｃｃと純水で１００ｃｃとし、液温３０
℃、５分間浸漬したこと以外は、実施例１と同様に行っ
た結果、外部電極端子上のＮｉ膜厚は、最大５．９μ
ｍ、最小２．８μｍであり、平均値は４．３μｍであっ
た。
【００２６】
【実施例６】実施例１において、Ｎｉメッキ液に代え
て、市販のＣｕ電解メッキ液としたことと、硝酸５ｃ
ｃ、塩酸５ｃｃ、過酸化水素水２ｃｃと純水で１００ｃ
ｃとしたこと以外は、実施例１と同様に行った結果、外
部電極端子上のＣｕ膜厚は、最大６．２μｍ、最小３．
６μｍであり、平均値は４．９μｍであった。
て、市販のＣｕ電解メッキ液としたことと、硝酸５ｃ
ｃ、塩酸５ｃｃ、過酸化水素水２ｃｃと純水で１００ｃ
ｃとしたこと以外は、実施例１と同様に行った結果、外
部電極端子上のＣｕ膜厚は、最大６．２μｍ、最小３．
６μｍであり、平均値は４．９μｍであった。
【００２７】
【比較例】実施例１において、過酸化水素水１．０ｃ
ｃ、弗化水素アンモニウム０．１ｇと、純水９９ｃｃと
を混合した前処理液を用いなかったこと以外は、実施例
１と同様に行った結果、外部電極端子上のＮｉ膜厚は、
最大５．７μｍ、最小０．１μｍであり、平均値は２．
１μｍであった。
ｃ、弗化水素アンモニウム０．１ｇと、純水９９ｃｃと
を混合した前処理液を用いなかったこと以外は、実施例
１と同様に行った結果、外部電極端子上のＮｉ膜厚は、
最大５．７μｍ、最小０．１μｍであり、平均値は２．
１μｍであった。
【００２８】
【発明の効果】本発明によれば、比較的抵抗値の高い被
膜に対しても、直接電解メッキを施すことができ、ペー
ストを焼き付けるような高温にさらすことがないので、
被膜の安定性を損ねることもなく、また金属キャップを
精度良く嵌着するための精度管理も不要になり、生産性
と信頼性を向上させることができる。また、選択的無電
解メッキを施すための面倒な工程も不要になり、生産性
の向上と信頼性の向上に、その効果は大きい。特に、金
属被膜抵抗器等においては、抵抗膜の安定性を確保する
ために、熱処理は欠かすことができず、したがって被膜
の表面酸化を余儀なくさせられているようなものにとっ
ては、生産性と信頼性の面に特にその効果が顕著であ
る。
膜に対しても、直接電解メッキを施すことができ、ペー
ストを焼き付けるような高温にさらすことがないので、
被膜の安定性を損ねることもなく、また金属キャップを
精度良く嵌着するための精度管理も不要になり、生産性
と信頼性を向上させることができる。また、選択的無電
解メッキを施すための面倒な工程も不要になり、生産性
の向上と信頼性の向上に、その効果は大きい。特に、金
属被膜抵抗器等においては、抵抗膜の安定性を確保する
ために、熱処理は欠かすことができず、したがって被膜
の表面酸化を余儀なくさせられているようなものにとっ
ては、生産性と信頼性の面に特にその効果が顕著であ
る。
【図１】本発明の一実施例において作成されたチップ抵
抗体電子部品を示す縦断面図である。
抗体電子部品を示す縦断面図である。
【図２】アルミナ磁器素体の縦断面図である。
【図３】アルミナ磁器表面にＣｒ／Ｓｉ膜が形成された
抵抗体素子の縦断面図である。
抵抗体素子の縦断面図である。
【図４】抵抗値を調整するために磁器素体周面をスパイ
ラル状にカットした抵抗体素子を示す斜視図である。
ラル状にカットした抵抗体素子を示す斜視図である。
【図５】図４の抵抗体素子の端面近傍を含む両端面部分
を除いた周面を樹脂コートで被覆した抵抗体素子の縦断
面図である。
を除いた周面を樹脂コートで被覆した抵抗体素子の縦断
面図である。
【図６】本発明の方法により両端部分を前処理液で処理
した後、Ｎｉ電解メッキを施した抵抗体素子の縦断面図
である。
した後、Ｎｉ電解メッキを施した抵抗体素子の縦断面図
である。
１ アルミナ磁器素体 ２ Ｃｒ／Ｓｉ膜 ３ 抵抗体素子 ４ カット部 ５ 樹脂コート ６ Ｎｉ電解メッキ層 ７ 半田メッキ層
Claims (3)
- 【請求項１】 素体の両端部に設けられている外部電極
が、Ｎｉ／Ｃｒ、Ｔａ／ＳｉＯ2 、Ｃｒ／Ｓｉ、Ｔａ／
ＮおよびＲｕ／Ｏからなる群より選択されたいずれか１
種類の膜または２種類以上の組み合わせからなる膜とそ
の上に直接形成された電解メッキ膜とにより構成されて
いることを特徴とするチップ状電子部品。 - 【請求項２】 素体の両端部に設けられている外部電極
が、Ｎｉ／Ｃｒ、Ｔａ／ＳｉＯ2 、Ｃｒ／Ｓｉ、Ｔａ／
ＮおよびＲｕ／Ｏからなる群より選択されたいずれか１
種類の膜または２種類以上の組み合わせからなる膜とそ
の上に直接形成された電解メッキ膜と、さらにこの電解
メッキ膜の上に形成されたＣｕ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｎｉ、Ｐ
ｄのうち少なくとも１種の被膜により構成されているこ
とを特徴とするチップ状電子部品。 - 【請求項３】 チップ状素体の表面に、Ｎｉ／Ｃｒ、Ｔ
ａ／ＳｉＯ2 、Ｃｒ／Ｓｉ、Ｔａ／Ｎ、Ｒｕ／Ｏの１
種、もしくはこれらの中から選択された複数の膜を形成
し、外部電極端子以外の部分を絶縁膜で被覆し、塩酸、
硝酸、硫酸、過酸化水素水、弗化水素アンモニウム、弗
酸の単体またはこれらから選択された複数種を含む前処
理液に浸漬した後、電解メッキを施す工程を有してなる
ことを特徴とするチップ状電子部品の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6251384A JPH0888104A (ja) | 1994-09-20 | 1994-09-20 | チップ状電子部品とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6251384A JPH0888104A (ja) | 1994-09-20 | 1994-09-20 | チップ状電子部品とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0888104A true JPH0888104A (ja) | 1996-04-02 |
Family
ID=17222040
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6251384A Pending JPH0888104A (ja) | 1994-09-20 | 1994-09-20 | チップ状電子部品とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0888104A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030068350A (ko) * | 2002-03-14 | 2003-08-21 | 조인셋 주식회사 | 칩 부품에서 외부전극 도금 방법 |
| KR20050034491A (ko) * | 2003-10-09 | 2005-04-14 | (주)이엠피테크놀로지 | 세라믹 코팅용 알루미늄 전처리제 조성물 및 전처리 방법 |
| US8187964B2 (en) | 2007-11-01 | 2012-05-29 | Infineon Technologies Ag | Integrated circuit device and method |
-
1994
- 1994-09-20 JP JP6251384A patent/JPH0888104A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030068350A (ko) * | 2002-03-14 | 2003-08-21 | 조인셋 주식회사 | 칩 부품에서 외부전극 도금 방법 |
| KR20050034491A (ko) * | 2003-10-09 | 2005-04-14 | (주)이엠피테크놀로지 | 세라믹 코팅용 알루미늄 전처리제 조성물 및 전처리 방법 |
| US8187964B2 (en) | 2007-11-01 | 2012-05-29 | Infineon Technologies Ag | Integrated circuit device and method |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US2585752A (en) | Production of discontinuous, conducting coatings upon insulating surfaces | |
| US4668925A (en) | Dielectric resonator and method for making | |
| JPH0888104A (ja) | チップ状電子部品とその製造方法 | |
| US5560812A (en) | Method for producing a metal film resistor | |
| JP2555536B2 (ja) | 白金温度センサの製造方法 | |
| US3935516A (en) | Capacitor with glass metal conductive layer | |
| JPH0252403A (ja) | 電子部品 | |
| JPH11354378A (ja) | セラミック電子部品の電極形成方法 | |
| JP2863710B2 (ja) | 金属皮膜抵抗器の製造方法 | |
| JPS644326B2 (ja) | ||
| JPS6312368B2 (ja) | ||
| JP2613197B2 (ja) | チツプ状電子部品の製造方法 | |
| JPH0511408B2 (ja) | ||
| JPH0822903A (ja) | 角形チップ抵抗器およびその製造方法 | |
| JPS63127501A (ja) | 過負荷溶断形抵抗器 | |
| JP2000021607A (ja) | チップサーミスタの製造方法 | |
| JPH0574614A (ja) | セラミツク電子部品の製造方法 | |
| JPS6312369B2 (ja) | ||
| JPS6317219B2 (ja) | ||
| WO2016194966A1 (ja) | 金属層の形成方法 | |
| JP2003147573A (ja) | 電子部品の製造方法、及び電子部品 | |
| JPS58124206A (ja) | 金属皮膜抵抗器の製造方法 | |
| JPS58124205A (ja) | 金属皮膜抵抗器の製造方法 | |
| JPS63284441A (ja) | ロ−ドセル | |
| JPH08162361A (ja) | 電子部品及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20000725 |