JPH0252403A - 電子部品 - Google Patents
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/48—Coating with alloys
- C23C18/50—Coating with alloys with alloys based on iron, cobalt or nickel
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/003—Thick film resistors
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
この発明は、セラミックチップ表面に無電解メッキ層を
形成した金属皮膜固定抵抗器、金属皮膜メルフ固定抵抗
器、コンデンサ、センサ用抵抗、パターンを有する基板
などの電子部品に関する。
形成した金属皮膜固定抵抗器、金属皮膜メルフ固定抵抗
器、コンデンサ、センサ用抵抗、パターンを有する基板
などの電子部品に関する。
（ロ）従来の技術
従来、上述例の電子部品たとえば抵抗体としては、抵抗
温度係数（ＴＣＲ）かｐｐｔＩｌ値で３桁の抵抗体があ
る。
温度係数（ＴＣＲ）かｐｐｔＩｌ値で３桁の抵抗体があ
る。
このような抵抗体は例えば蒸発源を加熱することにより
成膜材料を蒸発させて、基板面に凝縮、堆積させる真空
蒸着手段または無電解メッキ手段によって得ることかで
きる。
成膜材料を蒸発させて、基板面に凝縮、堆積させる真空
蒸着手段または無電解メッキ手段によって得ることかで
きる。
（ハ）発明が解決しようとする問題点
しかし、上述の抵抗体はＩ）ｌ）ｌ値が３桁と高い高抵
抗体であるため、温度変化に対する抵抗値変化が大きく
、例えば温度変化の大きい外部雰囲気での使用が困難と
なる問題点を有していた。
抗体であるため、温度変化に対する抵抗値変化が大きく
、例えば温度変化の大きい外部雰囲気での使用が困難と
なる問題点を有していた。
この発明は、温度変化の大きい外部雰囲気中においても
抵抗値変化率が小さく、同雰囲気での使用が可能な電子
部品の提供を目的とする。
抵抗値変化率が小さく、同雰囲気での使用が可能な電子
部品の提供を目的とする。
（ニ）問題点を解決するための手段
この発明は、セラミックチップ表面に、ニッケル、リン
その他の金属の二元又は三元合金のメッキ層を無電解ニ
ッケルメッキ手段により施し、初期抵抗が０．０２Ω〜
１００Ω以上任意で、かつ抵抗温度係数をｐｐｍ値で２
桁およびそれ以下に設定した電子部品であることを特徴
とする特（ホ）作用 この発明によれば、ニラゲル皮膜の導電性が低い点を応
用して抵抗温度係数＜ＴＣＲ）をＩ）ｌＪＩ値で２桁お
よびそれ以下に設定したので、温度変化に対する抵抗値
の変化が極めて小さい抵抗体を得ることができる。
その他の金属の二元又は三元合金のメッキ層を無電解ニ
ッケルメッキ手段により施し、初期抵抗が０．０２Ω〜
１００Ω以上任意で、かつ抵抗温度係数をｐｐｍ値で２
桁およびそれ以下に設定した電子部品であることを特徴
とする特（ホ）作用 この発明によれば、ニラゲル皮膜の導電性が低い点を応
用して抵抗温度係数＜ＴＣＲ）をＩ）ｌＪＩ値で２桁お
よびそれ以下に設定したので、温度変化に対する抵抗値
の変化が極めて小さい抵抗体を得ることができる。
（へ）発明の効果
このなめ、上述のセラミックチップ表面にメッキ層を形
成した電子部品は、温度変化に大きい外部雰囲気での使
用が可能となる効果がある。
成した電子部品は、温度変化に大きい外部雰囲気での使
用が可能となる効果がある。
（ト）実施例
この発明の一実施例を以下図面に基づいて詳述する。
図面は電子部品を示し、この電子部品の一例としての抵
抗体１は第１図、第２図に示す如く、セラミックチップ
２の表面に、ニッケルＮｉ、リンＰその他の金属の二元
又は三元合金のメッキ層３を無電解ニラゲルメッキ手段
により膜厚的０．１μ〜数十ミクロンに形成し、初期抵
抗が０，０２Ω〜１００Ω以上任意で、かつ抵抗温度係
数（ＴＣＲ）をｐｐｌ′ｌｌ値で２桁およびそれ以下に
設定している。
抗体１は第１図、第２図に示す如く、セラミックチップ
２の表面に、ニッケルＮｉ、リンＰその他の金属の二元
又は三元合金のメッキ層３を無電解ニラゲルメッキ手段
により膜厚的０．１μ〜数十ミクロンに形成し、初期抵
抗が０，０２Ω〜１００Ω以上任意で、かつ抵抗温度係
数（ＴＣＲ）をｐｐｌ′ｌｌ値で２桁およびそれ以下に
設定している。
ここで、上述のセラミックチップ２は例えば直径１．７
ｎ＋Ｉｌφ、長さ５．５ｍ＋で、チップ素材としては、
アルミナ（ＡＩ！２０３）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）
、窒化炭素、酸化チタン（Ｔｉ０２）、酸化％１（Ｐｂ
Ｏ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化ランタン（Ｌａ２０３
） 、ジルコニア（Ｚｒ０２、二酸化ジルコニウムの
こと）を単体又は複合体として用いる。
ｎ＋Ｉｌφ、長さ５．５ｍ＋で、チップ素材としては、
アルミナ（ＡＩ！２０３）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）
、窒化炭素、酸化チタン（Ｔｉ０２）、酸化％１（Ｐｂ
Ｏ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化ランタン（Ｌａ２０３
） 、ジルコニア（Ｚｒ０２、二酸化ジルコニウムの
こと）を単体又は複合体として用いる。
また、上述のその他の金属としては原子番号５のホウ素
（Ｂ）、原子番号２４のクロム（Ｃｒ）、原子番号２６
の鉄（Ｆｅ）、原子番号７４のタングステン（Ｗ）、原
子番号８４のボロニウム（ＰＯ）を用いる。
（Ｂ）、原子番号２４のクロム（Ｃｒ）、原子番号２６
の鉄（Ｆｅ）、原子番号７４のタングステン（Ｗ）、原
子番号８４のボロニウム（ＰＯ）を用いる。
上述のセラミックチップ２をメッキ液中浸漬して無電解
ニッケルメッキを行なった結果、メッキ厚０．１μ〜数
十ミクロンのメッキ層３を得ることができた。
ニッケルメッキを行なった結果、メッキ厚０．１μ〜数
十ミクロンのメッキ層３を得ることができた。
上述のメッキ液の組成は次表の通りである。
メッキ液の組成
また、上述のメッキ作業の条件（メッキ条件）は次の通
りである。
りである。
（１） ｐ Ｉ−ｒ価 ３．５〜４．８（２）メ
ッキ液温 ８０〜９３℃ （３）メッキ時間 各機能別 このようにして得られた抵抗体１の各種データの測定結
果を次表に示す。
ッキ液温 ８０〜９３℃ （３）メッキ時間 各機能別 このようにして得られた抵抗体１の各種データの測定結
果を次表に示す。
（以下余白 次頁に続く）
上表から明らかな如く、上述の無電解ニラゲルメッキ手
段により得な抵抗体１の抵抗温度係数（Ｔ（、Ｒ）は０
１１１値で、その最大値が５９．３４１０＋１１／’Ｃ
１最小値がＯ，０Ｏｕ１１／’Ｃ平均値が３９ 、 ２
２ｐ１１＋１１ ／’Ｃとなった。
段により得な抵抗体１の抵抗温度係数（Ｔ（、Ｒ）は０
１１１値で、その最大値が５９．３４１０＋１１／’Ｃ
１最小値がＯ，０Ｏｕ１１／’Ｃ平均値が３９ 、 ２
２ｐ１１＋１１ ／’Ｃとなった。
また、初期抵抗値はメッキ条件を変えることにより０．
０２Ω〜１００Ω以上の範囲で任意に設定することがで
きる。
０２Ω〜１００Ω以上の範囲で任意に設定することがで
きる。
さらに抵抗体１の抵抗値はメッキ時間によりメッキ層３
の膜厚を可変すること並びにメッキ層３に自動機切条手
段により切条４（第３図参照）を形成することにより調
整することができる。ここで、メッキ層３の膜厚を大に
すると抵抗値が減少することは電気理論から容易に理解
できよう。
の膜厚を可変すること並びにメッキ層３に自動機切条手
段により切条４（第３図参照）を形成することにより調
整することができる。ここで、メッキ層３の膜厚を大に
すると抵抗値が減少することは電気理論から容易に理解
できよう。
上述の抵抗体１は、抵抗温度係数（ＴＣＲ）がｐｐｎ値
で２桁およびそれ以下の低抵抗体となるため、温度変化
に対する抵抗値の変化が極めて小となり、温度変化の大
きい外部雰囲気での使用が可能となる効果があり、この
抵抗体１は例えば金属皮膜固定抵抗器、金属皮膜メルフ
固定抵抗器、センサ用抵抗器として用いることができる
。
で２桁およびそれ以下の低抵抗体となるため、温度変化
に対する抵抗値の変化が極めて小となり、温度変化の大
きい外部雰囲気での使用が可能となる効果があり、この
抵抗体１は例えば金属皮膜固定抵抗器、金属皮膜メルフ
固定抵抗器、センサ用抵抗器として用いることができる
。
また、リン（Ｐ）の含有によりメッキ層３の組織はメタ
ステーブルの組織となり、ハンダ付は性がよいので、従
来の抵抗体キャップに相当するものが不要となり、上述
の抵抗体１にリード線を直付けすることが可能となる。
ステーブルの組織となり、ハンダ付は性がよいので、従
来の抵抗体キャップに相当するものが不要となり、上述
の抵抗体１にリード線を直付けすることが可能となる。
第４図、第５図は電子部品の他の実施例を示し、この実
施例では第１図乃至第３図に示す抵抗体に代えて、基板
５を示す。
施例では第１図乃至第３図に示す抵抗体に代えて、基板
５を示す。
すなわち、縮約２５開、補的５１１Ｉｆｆｉ、板厚的１
ｎｕｎのセラミックチップ２の表面に、ニッケル、リン
その他の金属の二元又は三元合金のメッキ層３を無電解
ニラゲルメッキ手段により膜厚的０． １μ〜数十ミク
ロンに形成し、初期抵抗が０．０２Ω〜１００Ω以上任
意で、かつ抵抗温度係数（′１゛ＣＲ）を１１１Ｊｌ値
で２桁およびそれ以下に設定している。
ｎｕｎのセラミックチップ２の表面に、ニッケル、リン
その他の金属の二元又は三元合金のメッキ層３を無電解
ニラゲルメッキ手段により膜厚的０． １μ〜数十ミク
ロンに形成し、初期抵抗が０．０２Ω〜１００Ω以上任
意で、かつ抵抗温度係数（′１゛ＣＲ）を１１１Ｊｌ値
で２桁およびそれ以下に設定している。
なお、メッキ液の組成およびメッキ条件は前述とほぼ同
様である。
様である。
このようにしてセラミックチップ２の全表面に無電解ニ
ッケルメッキを施した後に、シルク印刷手段により所定
のパターン（図示せず）を残して素地を露呈すると、パ
ターンを有する基板（従来のＰＣＢに相当するもの）を
形成することができる。
ッケルメッキを施した後に、シルク印刷手段により所定
のパターン（図示せず）を残して素地を露呈すると、パ
ターンを有する基板（従来のＰＣＢに相当するもの）を
形成することができる。
一方、無電解ニッケルメッキ工程の前工程において所定
のパターンに従った部分をレジストによりマスキングし
た後に、上述のセラミックチップ２に対して無電解ニッ
ケルメッキを施すと、レジストの部分にはメッキ層３が
形成されないので、無電解ニラゲルメッキ工程完了後に
おいて上述のレジストを洗浄除去することで、パターン
を有する基板を形成することができる。
のパターンに従った部分をレジストによりマスキングし
た後に、上述のセラミックチップ２に対して無電解ニッ
ケルメッキを施すと、レジストの部分にはメッキ層３が
形成されないので、無電解ニラゲルメッキ工程完了後に
おいて上述のレジストを洗浄除去することで、パターン
を有する基板を形成することができる。
上述の基板５は先の実施例同様、抵抗温度係数（’１”
ＣＲ）がｐｐＨｌ値で２桁およびそれ以下の特性であ
るため、温度変化に対するパターン抵抗値の変化が極め
て小となり、温度変化の大きい外部雰囲気での使用が可
能となる効果がある。
ＣＲ）がｐｐＨｌ値で２桁およびそれ以下の特性であ
るため、温度変化に対するパターン抵抗値の変化が極め
て小となり、温度変化の大きい外部雰囲気での使用が可
能となる効果がある。
なお、上記実施例においては電子部品として抵抗体１お
よびパターンを有する基板５を例示したが、チタン酸バ
リウム（ＢａＯ−Ｔｉ０２ ）等の誘電体セラミックス
にメッキ層３を形成し、不要部のメッキ層３を除去する
ことで、コンデンサに適用してもよいことは勿論である
。
よびパターンを有する基板５を例示したが、チタン酸バ
リウム（ＢａＯ−Ｔｉ０２ ）等の誘電体セラミックス
にメッキ層３を形成し、不要部のメッキ層３を除去する
ことで、コンデンサに適用してもよいことは勿論である
。
この発明の構成と、−上述の実施例との対応において、
この発明の電子部品は、実施例の抵抗体１およびパター
ンを有する基板５に対応するも、この発明は、上述の実
施例の構成のみに限定されるものではない。
ンを有する基板５に対応するも、この発明は、上述の実
施例の構成のみに限定されるものではない。
図面はこの発明の一実施例を示し、
第１図は電子部品の一例としての抵抗体を示す斜視図、
第２図は第１図の部分拡大断面図、
第３図は切条形成による抵抗値コントロールを示す説明
図、 第４図は電子部品の一例としての基板を示す斜視図、 第５図は第４図の部分拡大断面図である。 １・・・抵抗体 ２・・・セラミックチップ
３・・・メンキ１−５・・・基 板
図、 第４図は電子部品の一例としての基板を示す斜視図、 第５図は第４図の部分拡大断面図である。 １・・・抵抗体 ２・・・セラミックチップ
３・・・メンキ１−５・・・基 板
Claims (1)
- （１）セラミックチップ表面に、ニッケル、リンその他
の金属の二元又は三元合金のメッキ 層を無電解ニッケルメッキ手段により施し、初期抵抗が
０．０２Ω〜１００Ω以上任意 で、かつ抵抗温度係数をｐｐｍ値びそれ以下に設定した
電子部品。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63204016A JP2567678B2 (ja) | 1988-08-17 | 1988-08-17 | 電子部品の製造方法 |
| US07/284,697 US4935305A (en) | 1988-08-17 | 1988-12-15 | Method of forming a plating layer on ceramic chip surfaces and electronic parts thereby manufactured |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63204016A JP2567678B2 (ja) | 1988-08-17 | 1988-08-17 | 電子部品の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0252403A true JPH0252403A (ja) | 1990-02-22 |
| JP2567678B2 JP2567678B2 (ja) | 1996-12-25 |
Family
ID=16483376
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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Also Published As
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| US4935305A (en) | 1990-06-19 |
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