JPH03211706A - 抵抗器 - Google Patents
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Landscapes
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- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は各種電子回路に使用される抵抗器に関するもの
であり、特（−１可変抵抗器用として適した抵抗器に関
するものである。
であり、特（−１可変抵抗器用として適した抵抗器に関
するものである。
従来の技術
従来より、抵抗膜材料としては各種の材料が使用されて
きた。このなかで、ルテニウム酸化物およびその誘導体
をガラス中に分散した厚膜抵抗体は信頼性に優れ産業用
に広く使用されている。しかし、従来のこれら厚膜抵抗
体は、抵抗材料を絶縁物であるガラス中に分散した構造
であるため、ノイズ特性、パルス特性などが悪（、改良
が望まれてきた。
きた。このなかで、ルテニウム酸化物およびその誘導体
をガラス中に分散した厚膜抵抗体は信頼性に優れ産業用
に広く使用されている。しかし、従来のこれら厚膜抵抗
体は、抵抗材料を絶縁物であるガラス中に分散した構造
であるため、ノイズ特性、パルス特性などが悪（、改良
が望まれてきた。
これに対し真空法で作られる薄膜抵抗体はノイズ特性、
パルス特性などは良好なものの、製造コストが高く、量
産性に劣る欠点を有していた。
パルス特性などは良好なものの、製造コストが高く、量
産性に劣る欠点を有していた。
本発明者らは、上記従来の抵抗体の欠点を解決するため
に、ルテニウム酸化物およびその誘導体からなる抵抗体
薄膜をルテニウムおよび他の金属を含有する有機化合物
の熱分解により製造する方法を既に発明した。
に、ルテニウム酸化物およびその誘導体からなる抵抗体
薄膜をルテニウムおよび他の金属を含有する有機化合物
の熱分解により製造する方法を既に発明した。
発明が解決しようとする課題
上記熱分解法によるルテニウム酸化物およびその誘導体
からなる抵抗体薄膜は安価に生産でき、かつ良好なノイ
ズ特性、パルス特性を示すため固定抵抗器としては優れ
た特性を示すものの、可変抵抗器のように抵抗体が空気
中に露出して使用される場合は雰囲気ガスの影響を受け
て抵抗値が変化し、また、摺動ブラシにより薄膜が摩耗
するなどの問題点を有していた。
からなる抵抗体薄膜は安価に生産でき、かつ良好なノイ
ズ特性、パルス特性を示すため固定抵抗器としては優れ
た特性を示すものの、可変抵抗器のように抵抗体が空気
中に露出して使用される場合は雰囲気ガスの影響を受け
て抵抗値が変化し、また、摺動ブラシにより薄膜が摩耗
するなどの問題点を有していた。
本発明は上記熱分解法によるルテニウム酸化物およびそ
の誘導体からなる抵抗体薄膜の問題点を解決した抵抗器
を提供することを目的とするものである。
の誘導体からなる抵抗体薄膜の問題点を解決した抵抗器
を提供することを目的とするものである。
課題を解決するための手段
上記課題を解決するために本発明はルテニウム酸化物お
よびその誘導体を主体とする抵抗薄膜上にカーボンレジ
ン゛系抵抗膜を種薯した構成とするものである。
よびその誘導体を主体とする抵抗薄膜上にカーボンレジ
ン゛系抵抗膜を種薯した構成とするものである。
作用
以上のようにルテニウム酸化物およびその誘導体を主体
とする抵抗薄膜上にカーボンレジン系抵抗膜を積饗して
抵抗器とすることにより、抵抗値が雰囲気ガスにより変
化することがなくなり、なおかつ、ブラシなどに対する
摺動特性に優れた可変抵抗器用に適した抵抗体が得られ
る。
とする抵抗薄膜上にカーボンレジン系抵抗膜を積饗して
抵抗器とすることにより、抵抗値が雰囲気ガスにより変
化することがなくなり、なおかつ、ブラシなどに対する
摺動特性に優れた可変抵抗器用に適した抵抗体が得られ
る。
実施例
以下本発明の概要につき第１図を用いて説明する。
第１図においてｌは絶縁性基板、２はルテニウム酸化物
およびその誘導体を主体とする抵抗薄膜、３はこの抵抗
薄膜２上に形成したカーボンレジン系抵抗膜である。
およびその誘導体を主体とする抵抗薄膜、３はこの抵抗
薄膜２上に形成したカーボンレジン系抵抗膜である。
本発明に使用されるルテニウム酸化物およびその誘導体
を主体とする抵抗薄膜２とは酸化ルテニウム、ルテニウ
ム酸ビスマス、ルテニウム酸バリウム、ルテニウム酸鉛
等に代表される各種ルテニウム酸塩および抵抗温度係数
を調整するための各種金属酸化物からなる薄膜であって
、スパッタ。
を主体とする抵抗薄膜２とは酸化ルテニウム、ルテニウ
ム酸ビスマス、ルテニウム酸バリウム、ルテニウム酸鉛
等に代表される各種ルテニウム酸塩および抵抗温度係数
を調整するための各種金属酸化物からなる薄膜であって
、スパッタ。
蒸着、ＣＶＤ等、従来公知の各種薄膜形成方法により形
成される。またこの他に、ルテニウム、ビスマス、バリ
ウム、鉛その他の金属を含有する有機化合物を溶媒に溶
解し、必要により増粘剤などと混合してペーストとし、
絶縁性基板１上に塗布、熱分解することにより安価に製
造されるものである。ここに使用されるルテニウム、ビ
スマス、バリウム、鉛その他の金属を含有する有機化合
物の例七しては、上記金属の有機酸塩、有機金属化合物
、金属アルコキシド、有機金属錯体なとがあり、溶媒や
使用方法に応じて任意に選択可能であるが、ペーストの
保存安定性、入手の容易性などを勘案すると上記金属の
樹脂酸塩、２−エチルヘキサン酸塩などに代表される有
機酸塩を使用することが好ましい。
成される。またこの他に、ルテニウム、ビスマス、バリ
ウム、鉛その他の金属を含有する有機化合物を溶媒に溶
解し、必要により増粘剤などと混合してペーストとし、
絶縁性基板１上に塗布、熱分解することにより安価に製
造されるものである。ここに使用されるルテニウム、ビ
スマス、バリウム、鉛その他の金属を含有する有機化合
物の例七しては、上記金属の有機酸塩、有機金属化合物
、金属アルコキシド、有機金属錯体なとがあり、溶媒や
使用方法に応じて任意に選択可能であるが、ペーストの
保存安定性、入手の容易性などを勘案すると上記金属の
樹脂酸塩、２−エチルヘキサン酸塩などに代表される有
機酸塩を使用することが好ましい。
上記抵抗薄膜２上に積層するカーボンレジン系抵抗膜３
とは、各種カーボン微粒子を樹脂中に均一に分散させて
なるものであり、各種の抵抗値のものがあるが、本発明
に使用されるものとしては上記抵抗薄膜２の面積抵抗値
の１０倍ないし１０００倍の面積抵抗値を有するものが
好ましい。カーボンレジン系抵抗膜３の面積抵抗値が抵
抗薄膜２の面積抵抗値の１０倍以下であると抵抗薄膜２
に比して電気特性の劣るカーボンレジン系抵抗膜３の影
響で本発明の抵抗体の特性が劣ったものとなり、逆に、
カーボンレシン系抵抗膜３の面積抵抗値が抵抗薄膜２の
面積抵抗値の１０００倍以上であると抵抗膜と摺動ブラ
シとの接触抵抗が大きくなって使用に際して不都合であ
る。
とは、各種カーボン微粒子を樹脂中に均一に分散させて
なるものであり、各種の抵抗値のものがあるが、本発明
に使用されるものとしては上記抵抗薄膜２の面積抵抗値
の１０倍ないし１０００倍の面積抵抗値を有するものが
好ましい。カーボンレジン系抵抗膜３の面積抵抗値が抵
抗薄膜２の面積抵抗値の１０倍以下であると抵抗薄膜２
に比して電気特性の劣るカーボンレジン系抵抗膜３の影
響で本発明の抵抗体の特性が劣ったものとなり、逆に、
カーボンレシン系抵抗膜３の面積抵抗値が抵抗薄膜２の
面積抵抗値の１０００倍以上であると抵抗膜と摺動ブラ
シとの接触抵抗が大きくなって使用に際して不都合であ
る。
以下具体的な実施例により説明する。
（実施例１）
２−エチルヘキサン酸ルテニウム７５モル％。
２−エチルヘキサン酸コバルト２５モル％からなる抵抗
形成材料をアルコール系溶媒に溶解し、増粘剤としてア
ビエチン酸を添加して抵抗形成用ペーストを製造した。
形成材料をアルコール系溶媒に溶解し、増粘剤としてア
ビエチン酸を添加して抵抗形成用ペーストを製造した。
本ペーストをグレーズガラスコートしたアルミナ基板（
以下グレーズドアルミナと記述）上にスクリーン印刷し
、乾燥の後、６５０℃で熱分解して厚さ５００Ａの薄膜
抵抗を製造した。本抵抗膜は１００Ω／口の面積抵抗を
有するものであった。本抵抗膜の上に３０％のカーボン
微粉末を含有する面積抵抗値ＩＫΩ／口のカーボンレジ
ン系抵抗体を印刷、硬化して抵抗器を製造した。本抵抗
体の２５℃ないし１２５℃の抵抗温度係数を測定したと
ころ、その値は＝５０ｐｐｍ以内であった。また、本抵
抗体を６０℃。
以下グレーズドアルミナと記述）上にスクリーン印刷し
、乾燥の後、６５０℃で熱分解して厚さ５００Ａの薄膜
抵抗を製造した。本抵抗膜は１００Ω／口の面積抵抗を
有するものであった。本抵抗膜の上に３０％のカーボン
微粉末を含有する面積抵抗値ＩＫΩ／口のカーボンレジ
ン系抵抗体を印刷、硬化して抵抗器を製造した。本抵抗
体の２５℃ないし１２５℃の抵抗温度係数を測定したと
ころ、その値は＝５０ｐｐｍ以内であった。また、本抵
抗体を６０℃。
９５％の耐湿試験および１２５℃の耐熱試験にかけた結
果、その抵抗値変化は１０００時間後においても０．５
％以下であり、薄膜抵抗として十分な特性を示した。
果、その抵抗値変化は１０００時間後においても０．５
％以下であり、薄膜抵抗として十分な特性を示した。
比較のため、上記抵抗薄膜の上にカーボンレジン系抵抗
体を設けない抵抗膜について同じ試験を行ったところ、
体温試験および体熱試験においてそれぞれ５％を越える
抵抗値変化を示し、また、抵抗温度係数の測定において
２５℃の抵抗値に復帰せず測定不能であった。この結果
より、薄膜抵抗の上にカーボンレジン系抵抗体を設ける
ことにより抵抗膜の電気特性が安定することが明らかと
なった。さらに、本実施例にかかる抵抗器およびカーボ
ンレシン系抵抗体を設けない抵抗膜を可変抵抗器に組み
込み、比較試験を行ったところ、カーボンレジン系抵抗
体を設けない抵抗膜は１００回の摺動て摩耗したのに対
し、本実施例にかかる抵抗器は２万回の摺動に対しても
異常を示さなかった。
体を設けない抵抗膜について同じ試験を行ったところ、
体温試験および体熱試験においてそれぞれ５％を越える
抵抗値変化を示し、また、抵抗温度係数の測定において
２５℃の抵抗値に復帰せず測定不能であった。この結果
より、薄膜抵抗の上にカーボンレジン系抵抗体を設ける
ことにより抵抗膜の電気特性が安定することが明らかと
なった。さらに、本実施例にかかる抵抗器およびカーボ
ンレシン系抵抗体を設けない抵抗膜を可変抵抗器に組み
込み、比較試験を行ったところ、カーボンレジン系抵抗
体を設けない抵抗膜は１００回の摺動て摩耗したのに対
し、本実施例にかかる抵抗器は２万回の摺動に対しても
異常を示さなかった。
（実施例２）
実施例１において面積抵抗値１０にΩ／口のカーボンレ
ジン系抵抗体を使用した場合は耐湿、耐熱両試験におい
て抵抗値変化は０．１％以下であった。本抵抗体を可変
抵抗器に組み込み、接触抵抗を測定したところその値は
６％以下であった。さらに、カーボンレジン系抵抗体の
面積抵抗値を１００ＫΩ／口にした場合は抵抗値変化は
変わらず、接触抵抗は１５％となった。
ジン系抵抗体を使用した場合は耐湿、耐熱両試験におい
て抵抗値変化は０．１％以下であった。本抵抗体を可変
抵抗器に組み込み、接触抵抗を測定したところその値は
６％以下であった。さらに、カーボンレジン系抵抗体の
面積抵抗値を１００ＫΩ／口にした場合は抵抗値変化は
変わらず、接触抵抗は１５％となった。
（実施例３）
２−エチルへキサン酸ルテニウム６０モル％、チタン酸
ｎ−ブチル４０モル％をメチルエチルケトンに溶解し、
スピナーを用いてグレーズドアルミナ上に塗布し、乾燥
の後６５０℃で熱分解して厚さ１００ＯＡの抵抗薄膜を
形成した。この薄膜よＩＫΩ／口の面積抵抗値を有する
ものであった。本抵抗膜の上に面積抵抗値１０にΩ／′
口のカーボンレシン系抵抗体を印刷、硬化して抵抗器を
製造した。ここに得られた抵抗器の抵抗温度係数は±５
０ｐｐｍ以内であった。また、本抵抗体を６０℃、９５
％の耐湿試験および１２５℃の耐熱試験にかけた結果、
その抵抗値変化は１０００時間後においても０．５％以
下であり、薄膜抵抗として十分な特性を示した。
ｎ−ブチル４０モル％をメチルエチルケトンに溶解し、
スピナーを用いてグレーズドアルミナ上に塗布し、乾燥
の後６５０℃で熱分解して厚さ１００ＯＡの抵抗薄膜を
形成した。この薄膜よＩＫΩ／口の面積抵抗値を有する
ものであった。本抵抗膜の上に面積抵抗値１０にΩ／′
口のカーボンレシン系抵抗体を印刷、硬化して抵抗器を
製造した。ここに得られた抵抗器の抵抗温度係数は±５
０ｐｐｍ以内であった。また、本抵抗体を６０℃、９５
％の耐湿試験および１２５℃の耐熱試験にかけた結果、
その抵抗値変化は１０００時間後においても０．５％以
下であり、薄膜抵抗として十分な特性を示した。
（実施例４）
実施例３において面積抵抗値１００にΩ／口のカーボン
レジン系抵抗体を使用した場合は耐湿。
レジン系抵抗体を使用した場合は耐湿。
耐熱両試験において抵抗値変化は０．１％以下であった
。
。
（実施例５）
２−エチルヘキサン酸ルテニウム５０モル％、２−エチ
ルヘキサン酸鉛５０モル％をメチルエチルケトンに溶解
し、スピナーを用いてグレーズドアルミナ上に塗布し、
乾燥の後は６５０℃で熱分解して厚さ１００ＯＡの抵抗
薄膜を形成した。この薄膜は３にΩ／口の面積抵抗値を
有するものであった。本抵抗膜の上に面積抵抗値５０に
Ω／口のカーボンレシン系抵抗体を印刷、硬化して抵抗
器を製造した。ここに得られた抵抗器の抵抗温度係数は
一１５０ｐｐｍであった。また、本抵抗体を６０℃、９
５’６の耐湿試験および１２５℃の耐熱試験にかけた結
果、その抵抗値変化は１０００時間後においても０．５
％以下であり、薄膜抵抗として十分な特性を示した。
ルヘキサン酸鉛５０モル％をメチルエチルケトンに溶解
し、スピナーを用いてグレーズドアルミナ上に塗布し、
乾燥の後は６５０℃で熱分解して厚さ１００ＯＡの抵抗
薄膜を形成した。この薄膜は３にΩ／口の面積抵抗値を
有するものであった。本抵抗膜の上に面積抵抗値５０に
Ω／口のカーボンレシン系抵抗体を印刷、硬化して抵抗
器を製造した。ここに得られた抵抗器の抵抗温度係数は
一１５０ｐｐｍであった。また、本抵抗体を６０℃、９
５’６の耐湿試験および１２５℃の耐熱試験にかけた結
果、その抵抗値変化は１０００時間後においても０．５
％以下であり、薄膜抵抗として十分な特性を示した。
（実施例６）
２−エチルヘキサン酸ルテニウム４５モル％。
２−エチルヘキサン酸バリウム４５モル％、２一エチル
ヘキサン酸マンガン１０モル％をメチルエチルケトンに
溶解し、スピナーを用いてグレーズドアルミナ上に塗布
し、乾燥の後６５０℃で熱分解して厚さ１００ＯＡの抵
抗薄膜を形成した。この薄膜は５にΩ／口の面積抵抗値
を有するものであった。本抵抗膜の上に面積抵抗値５０
にΩ／口のカーボンレジン系抵抗体を印刷、硬化して抵
抗器を製造した。ここに得られた抵抗器の抵抗温度係数
は±５０ｐｐｍ以内であった。また、本抵抗体を６０℃
、９５％の耐湿試験および１２５℃の耐熱試験にかけた
結果、その抵抗値変化は１０００時間後においても０．
５％以下であり、薄膜抵抗として十分な特性を示した。
ヘキサン酸マンガン１０モル％をメチルエチルケトンに
溶解し、スピナーを用いてグレーズドアルミナ上に塗布
し、乾燥の後６５０℃で熱分解して厚さ１００ＯＡの抵
抗薄膜を形成した。この薄膜は５にΩ／口の面積抵抗値
を有するものであった。本抵抗膜の上に面積抵抗値５０
にΩ／口のカーボンレジン系抵抗体を印刷、硬化して抵
抗器を製造した。ここに得られた抵抗器の抵抗温度係数
は±５０ｐｐｍ以内であった。また、本抵抗体を６０℃
、９５％の耐湿試験および１２５℃の耐熱試験にかけた
結果、その抵抗値変化は１０００時間後においても０．
５％以下であり、薄膜抵抗として十分な特性を示した。
発明の詳細
な説明のごと（、本発明にかかる抵抗器は抵抗値が雰囲
気ガスにより変化することがなくなり、なおかっ、ブラ
シなどに対する摺動特性に優れた可変抵抗器用に適した
抵抗体が得られるもので産業上の効果大なるものである
。
気ガスにより変化することがなくなり、なおかっ、ブラ
シなどに対する摺動特性に優れた可変抵抗器用に適した
抵抗体が得られるもので産業上の効果大なるものである
。
第１図は本発明の抵抗器の一実施例を示す断面図である
。 １・・・・・・絶縁性基板、２・・・・・・抵抗薄膜、
３・・・・・・カーボンレジン系抵抗膜。
。 １・・・・・・絶縁性基板、２・・・・・・抵抗薄膜、
３・・・・・・カーボンレジン系抵抗膜。
Claims (2)
- （１）ルテニウム酸化物およびその誘導体を主体とする
抵抗薄膜上に上記抵抗薄膜の面積抵抗値の１０倍ないし
１０００倍の面積抵抗値を有するカーボンレジン系抵抗
膜を積層してなる抵抗器。 - （２）ルテニウム酸化物およびその誘電体を主体とする
抵抗薄膜が金属を含有する有機化合物の熱分解により製
造されたものを用いる請求項１記載の抵抗器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006600A JPH03211706A (ja) | 1990-01-16 | 1990-01-16 | 抵抗器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006600A JPH03211706A (ja) | 1990-01-16 | 1990-01-16 | 抵抗器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03211706A true JPH03211706A (ja) | 1991-09-17 |
Family
ID=11642829
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006600A Pending JPH03211706A (ja) | 1990-01-16 | 1990-01-16 | 抵抗器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03211706A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1202294A2 (en) * | 2000-10-31 | 2002-05-02 | Alps Electric Co., Ltd. | Precision Resistor |
| US7079005B2 (en) * | 2003-12-01 | 2006-07-18 | Cochran Gary D | Mechanically buffered contact wiper |
-
1990
- 1990-01-16 JP JP2006600A patent/JPH03211706A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1202294A2 (en) * | 2000-10-31 | 2002-05-02 | Alps Electric Co., Ltd. | Precision Resistor |
| EP1202294A3 (en) * | 2000-10-31 | 2004-07-14 | Alps Electric Co., Ltd. | Precision Resistor |
| US7079005B2 (en) * | 2003-12-01 | 2006-07-18 | Cochran Gary D | Mechanically buffered contact wiper |
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