JPH03269908A - 厚膜組成物及びそれを用いた厚膜ハイブリッドic - Google Patents

厚膜組成物及びそれを用いた厚膜ハイブリッドic

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JPH03269908A
JPH03269908A JP2066631A JP6663190A JPH03269908A JP H03269908 A JPH03269908 A JP H03269908A JP 2066631 A JP2066631 A JP 2066631A JP 6663190 A JP6663190 A JP 6663190A JP H03269908 A JPH03269908 A JP H03269908A
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JP
Japan
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thick film
glass
conductor
dielectric
resistor
Prior art date
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Pending
Application number
JP2066631A
Other languages
English (en)
Inventor
Osamu Ito
修 伊藤
Tadamichi Asai
忠道 浅井
Toshio Ogawa
敏夫 小川
Noritaka Kamimura
神村 典孝
Takao Kobayashi
小林 喬雄
Michio Otani
大谷 通男
Hiroshi Niihori
新堀 寛
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Resonac Corp
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
Hitachi Ltd
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Publication date
Application filed by Hitachi Chemical Co Ltd, Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Chemical Co Ltd
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Publication of JPH03269908A publication Critical patent/JPH03269908A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/09Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
    • H05K1/092Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks

Landscapes

  • Non-Adjustable Resistors (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、厚膜ハイブリッドICに用いる導体、抵抗体
および誘電体組成物並びにこれらを適用した厚膜ハイブ
リッドICに関する。
[従来の技術] 従来、厚膜ハイブリッドIC用組成物として、高温焼成
型、即ちガラスを配合した導体、抵抗体または誘電体の
各ペーストは、いずれも前記ガラスとしては破砕された
粉末状のガラスが用いられている。
[発明が解決しようとする課題] このため導体においては、接着強度がばらつき信頼性の
低下、スクリーン印刷による微細(例えば50μm幅)
導体配線の形成困難等の問題がある。抵抗体においては
、焼成後の抵抗値がばらつき易く、トリミング等による
抵抗値の調整もしにくい。特に、高抵抗領域での抵抗温
度係数(以下TCRと云う)が負側に大きくなり易い。
また、誘電体においては、ボイドが発生し易く緻密な膜
の形成が困難であるため、絶縁抵抗値や耐電圧に影響を
及ぼすなどそれぞれ問題がある。
従来の厚膜組成物は、導体材料やガラス成分については
、いろいろな検討がなされてきたが、ガラス粉自体の形
状等については配慮されておらず、前記のような問題が
あった。
本発明の目的は、これらの問題を改善した厚膜組成物お
よび該組成物を用いた厚膜ハイブリッドICを提供する
ことにある。
[課題を解決するための手段] 前記目的を達成するために、本発明者らは種々検討の結
果、厚膜組成物のバインダ等のガラス成分として1球形
状のガラス粉を用いることにより改善できることを見出
し本発明に到達した。本発明の要旨は下記のとおりであ
る。
(1)導体粉、抵抗体粉または誘電体粉のいずれか1種
とガラス粉を含み、塗布、焼成することによって任意の
形状の導体、抵抗体または誘電体を形成し得る厚膜組成
物において、前記ガラス粉が球形状ガラス粉であること
を特徴とする厚膜組成物。
(2)基板上に焼成された導体、抵抗体または誘電体の
少なくとも1つを有する厚膜ハイブリッドICにおいて
、前記導体、抵抗体または誘電体は、球形状ガラス粉を
含む厚膜組成物が焼成されて成ることを特徴とする厚膜
ハイブリッドIC0前記球形状ガラスとは、平均粒径0
.1〜20μmで、球面部分の面積が全表面積に対して
50%以上有するものである。
なお、ガラス成分の全てが球形状であることが最も望ま
しいが、本発明の目的を損なわない範囲であれば一部破
砕状ガラスが混入または配合されていてもよい。
本発明の厚膜ハイブリッドIC用組成物である導体ペー
ストおよび抵抗ペーストは、第1図(a)に示す工程で
作製される。また、誘電体ペーストは第1図(b)に示
す工程で作製される。
導体ペーストは所定量の導電粉、ガラス粉、無機酸化物
粉および有機ビヒクルを混練して作製される。抵抗ペー
ストは、導電粉、ガラス粉、無機酸化物粉(TCRI!
!I用として添加する)および有機ビヒクルを混練し作
製される。誘電体ペーストは、ガラス粉、無機酸化物粉
(電気特性の改善および熱膨張係数の調整用として添加
する)および有機ビヒクルを混練し作製される。
破砕状ガラス粉の代りに球形状ガラス粉を用いることで
、導体、抵抗体および誘電体の各厚膜組成物の諸特性を
大巾に改善することができる。
前記本発明の厚膜組成物は、第2図に示すような工程に
よってハイブリッドICに適用される。
アルミナ基板上に導体、クロスオーバ(誘電体)および
抵抗体をそれぞれの前記厚膜ペーストをスクリーン印刷
等によって任意のパターン状に塗布し、乾燥、焼成、ま
たはトリミング等を行って形成した基板に、半導体素子
等の各種電子部品を搭載することにより厚膜ハイブリッ
ドICが得られる。
[作用] 本発明の厚膜組成物は、用いた球形状ガラスが混線時に
均一分散し易いために該ペーストの流動性がよく、従っ
て印刷性、緻密性が優れ、膜厚および膜幅のばらつきが
少ない。そのために形成された導体、抵抗体および誘電
体の各特性も優れているものと考える。
[実施例] 次に本発明を実施例により具体的に説明する。
〔実施例1〕 第1表に示す組成の導体ペーストを第1図(a)の工程
に従って作製した。
平均粒径3μmの銅粉と、平均粒径3μmのガラス粉に
、アクリル樹脂をブチルカルピトールアセテートに溶解
した有機ビヒクル加えて混練し導体ペーストとした。
次に上記導体ペーストをアルミナ基板上に1.5 mm
のパターンをスクリーン印刷により形成し、乾燥後、窒
素雰囲気中900”Cで焼成した。
これら導体パターン50個について、ビール接着強度を
測定した。その結果、第工表に示す。
球形状ガラスを用いた本発明のペーストは、破砕状ガラ
スを用いたものに比較して、接着強度が大きく、かつ、
そのばらつきも小さい。
第  1 表 〔実施例2〕 実施例1と同様に第1図(a)によって抵抗値の異なる
各種抵抗ペーストを作製した。
平均粒径1μmのLaB、粉と平均粒径3μmのガラス
粉とに、有機ビヒクルを混練し、抵抗ペーストを作製し
た。
次にあらかじめ銅導体パターンが形成されたアルミナ基
板にlmmX1mmのパターンをスクリーン印刷し、乾
燥後、窒素雰囲気中900℃で焼成した。これらの抵抗
体パターン50個について。
表面粗さ、パターン幅、抵抗値およびTCRを測定した
。その結果、抵抗体の表面粗さは、破砕状ガラスを用い
た場合約4μmであるのに対し、球形状ガラスを用いた
場合約2μmである。パターン幅については、約1にΩ
/口の抵抗値のもので。
破砕状ガラスを用いたものが1mm±50μmであるの
に対し、球形状ガラスを用いたものは1mm±20μm
とそのパターン精度が優れている。
また、抵抗値のばらつきを第3図に、抵抗値に対するT
CRの変化を第4図に示す。
第3,4図から明らかなように、球形状ガラスを用いた
ものが、破砕状ガラスを用いたものに比較して、抵抗値
のばらつきおよびTCRの変化ともに優れていることが
分かる。
〔実施例3〕 第士図(b)に示す工程に従って、各種組成の誘電体ペ
ーストを作製した。
平均粒径1μmのアルミナ粉、シリカ粉および平均粒径
3μmのガラス粉に有機ビヒクルを混練し、誘電体ペー
ストを作製した。
これを第5図に示すような下部銅導体2が形成されたア
ルミナ板上1にスクリーン印刷により誘電体3を形成す
る。該誘電体3は上記誘電体ペーストを印刷、乾燥する
工程を2回繰り返して形成後、上部銅導体4を導体ペー
ストを印刷および乾燥して形成し、窒素雰囲気中、90
0℃で同時焼成した。これらの試料30個について、絶
縁抵抗値および耐電圧を測定した。その結果、第2表に
示す。
球形状ガラスを用いた本発明の厚膜ペーストが、破砕状
ガラスを用いたものに比へて、fM!A縁抵抗値および
耐電圧ともに優れている。
[発明の効果] 本発明は、導体、抵抗体および誘電体用の厚膜組成物の
ガラス威令に球形状ガラスを用いたことにより、優れた
特性の導体、抵抗体および誘電体を形成することができ
る。また、該組成物を適用することにより高信頼性の厚
膜ハイブリッドICを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例の厚膜用組成物の製造工程を示
すフロー図、第2図はハイブリッドIC基板の作製工程
を示すフロー図、第3図は抵抗体のガラスの配合比と面
積抵抗値の関係を示すグラフ、第4図は抵抗体の面積抵
抗値とTCHの関係を示すグラフ、第5図は本発明の誘
電体組成物の評価用素子のパターン形状を示す図である
。 31.41・・・球形状ガラス適用品、32.42・・
・破砕状ガラス適用品、l・・・アルミナ板、2・・・
下部銅導体、3・・・誘電体、4・・・上部銅導体、5
・・・オーバーコート。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 1.導体粉、抵抗体粉または誘電体粉のいずれか1種と
    ガラス粉を含み、塗布,焼成することによって任意の形
    状の導体、抵抗体または誘電体を形成し得る厚膜組成物
    において、前記ガラス粉が球形状ガラス粉であることを
    特徴とする厚膜組成物。
  2. 2.基板上に焼成された導体、抵抗体または誘電体の少
    なくとも1つを有する厚膜ハイブリッドICにおいて、
    前記導体、抵抗体または誘電体は、球形状ガラス粉を含
    む厚膜組成物が焼成されて成ることを特徴とする厚膜ハ
    イブリッドIC。
JP2066631A 1990-03-16 1990-03-16 厚膜組成物及びそれを用いた厚膜ハイブリッドic Pending JPH03269908A (ja)

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