JP3246245B2 - 抵抗体 - Google Patents
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/06—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
- H01C17/065—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thick film techniques, e.g. serigraphy
- H01C17/06506—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits
- H01C17/06513—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits characterised by the resistive component
- H01C17/06533—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits characterised by the resistive component composed of oxides
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- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
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- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49082—Resistor making
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本願発明は、中性あるいは還元性
雰囲気中で焼付けを行うことにより形成される抵抗体に
関する。
雰囲気中で焼付けを行うことにより形成される抵抗体に
関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】アルミ
ナやジルコニアなどからなるセラミック基板には、通
常、種々の電子部品を搭載することができるように、電
極や抵抗などの回路パターンが形成されている。そし
て、電極（電極パターン）は、通常、銀、銀−パラジウ
ム合金などの貴金属ペーストをスクリーン印刷し、空気
中で焼き付けることにより形成されている。
ナやジルコニアなどからなるセラミック基板には、通
常、種々の電子部品を搭載することができるように、電
極や抵抗などの回路パターンが形成されている。そし
て、電極（電極パターン）は、通常、銀、銀−パラジウ
ム合金などの貴金属ペーストをスクリーン印刷し、空気
中で焼き付けることにより形成されている。
【０００３】しかし、上記貴金属ペーストは高価である
ばかりでなく、耐マイグレーション性などに問題がある
ため、貴金属ペーストに代えて銅、ニッケル、アルミニ
ウムなどの卑金属を導電成分とする卑金属ペーストを基
板上にスクリーン印刷し、これを中性あるいは還元性雰
囲気中で焼き付けることにより安価な電極パターンを形
成する方向に移行してきている。
ばかりでなく、耐マイグレーション性などに問題がある
ため、貴金属ペーストに代えて銅、ニッケル、アルミニ
ウムなどの卑金属を導電成分とする卑金属ペーストを基
板上にスクリーン印刷し、これを中性あるいは還元性雰
囲気中で焼き付けることにより安価な電極パターンを形
成する方向に移行してきている。
【０００４】そして、この場合、卑金属ペーストを焼き
付けた後の複数の卑金属電極間を連結するために基板上
に配設される抵抗体（抵抗パターン）を形成するための
抵抗ペーストもまた、中性あるいは還元性雰囲気中で焼
き付けることができるものであることが望ましい。
付けた後の複数の卑金属電極間を連結するために基板上
に配設される抵抗体（抵抗パターン）を形成するための
抵抗ペーストもまた、中性あるいは還元性雰囲気中で焼
き付けることができるものであることが望ましい。
【０００５】そこで、上述のような中性あるいは還元性
雰囲気中で焼付けを行うことが可能な抵抗ペーストとし
て、これまでにも、特公昭５９−６４８１号公報、特公
昭５８−２１４０２号公報に記載されたＬａＢ6系の抵
抗ペースト、特開昭６３−２２４３０１号公報に記載さ
れたＮｂＢ2の抵抗ペースト、特開平２−２４９２０３
号公報に記載されたＮｂxＬａ1-xＢ6-4x固溶体系の抵抗
ペーストなどが提案されるに至っている。
雰囲気中で焼付けを行うことが可能な抵抗ペーストとし
て、これまでにも、特公昭５９−６４８１号公報、特公
昭５８−２１４０２号公報に記載されたＬａＢ6系の抵
抗ペースト、特開昭６３−２２４３０１号公報に記載さ
れたＮｂＢ2の抵抗ペースト、特開平２−２４９２０３
号公報に記載されたＮｂxＬａ1-xＢ6-4x固溶体系の抵抗
ペーストなどが提案されるに至っている。
【０００６】しかし、上記従来の抵抗ペーストにおいて
は、抵抗材料とガラスフリットとの混合比を変えること
によって広範囲な抵抗値を得ようとする場合、わずかな
ガラスフリット量の変化で抵抗値が急変する（すなわち
組成依存性が大きい）ため、再現性が悪いという問題点
があり、抵抗値が１０Ω／□〜１０ＫΩ／□の狭い範囲
でしか実用レベルの抵抗体を得ることができないという
問題点がある。
は、抵抗材料とガラスフリットとの混合比を変えること
によって広範囲な抵抗値を得ようとする場合、わずかな
ガラスフリット量の変化で抵抗値が急変する（すなわち
組成依存性が大きい）ため、再現性が悪いという問題点
があり、抵抗値が１０Ω／□〜１０ＫΩ／□の狭い範囲
でしか実用レベルの抵抗体を得ることができないという
問題点がある。
【０００７】また、ＲｕＯ2や、ＳｒＲｕＯ3、ＣａＲｕ
Ｏ3などの抵抗材料を用いた抵抗ペーストも提案されて
いるが、ＲｕＯ2を用いた場合には、中性あるいは還元
性雰囲気中で焼付けを行うと還元されてＲｕ金属とな
り、抵抗体として使用することができなくなるという問
題点がある。また、ＳｒＲｕＯ3やＣａＲｕＯ3を用いた
場合には、ガラスフリットの配合割合をある程度以上に
増やすと、抵抗値が急激に大きくなり、再現性がきわめ
て悪くなるという問題点がある。
Ｏ3などの抵抗材料を用いた抵抗ペーストも提案されて
いるが、ＲｕＯ2を用いた場合には、中性あるいは還元
性雰囲気中で焼付けを行うと還元されてＲｕ金属とな
り、抵抗体として使用することができなくなるという問
題点がある。また、ＳｒＲｕＯ3やＣａＲｕＯ3を用いた
場合には、ガラスフリットの配合割合をある程度以上に
増やすと、抵抗値が急激に大きくなり、再現性がきわめ
て悪くなるという問題点がある。
【０００８】本願発明は、上記問題点を解決しようとす
るものであり、中性又は還元性雰囲気中で焼き付けるこ
とが可能で、１０ＫΩを越える抵抗値を含む広い抵抗値
範囲で任意の抵抗値を有する抵抗体、すなわち、実現可
能な抵抗値の範囲が広く抵抗値の再現性に優れた抵抗体
を提供することを目的とする。
るものであり、中性又は還元性雰囲気中で焼き付けるこ
とが可能で、１０ＫΩを越える抵抗値を含む広い抵抗値
範囲で任意の抵抗値を有する抵抗体、すなわち、実現可
能な抵抗値の範囲が広く抵抗値の再現性に優れた抵抗体
を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本願発明（請求項１）の抵抗体は、一般式：Ｃａx
Ｓｒ1-xＲｕＯ3（ｘ＝０．２５〜０．７５モル）で表さ
れる組成を有し、還元性雰囲気中で熱処理することによ
り合成された抵抗材料６５〜５重量％と、非還元性ガラ
スフリット３５〜９５重量％とを含有する固形成分に、
有機ビヒクルを添加して混練してなる抵抗ペーストを塗
布し、中性又は還元性雰囲気中で焼付けすることにより
形成された抵抗体であって、１ｋΩ以上の面積抵抗値を
有することを特徴としている。
に、本願発明（請求項１）の抵抗体は、一般式：Ｃａx
Ｓｒ1-xＲｕＯ3（ｘ＝０．２５〜０．７５モル）で表さ
れる組成を有し、還元性雰囲気中で熱処理することによ
り合成された抵抗材料６５〜５重量％と、非還元性ガラ
スフリット３５〜９５重量％とを含有する固形成分に、
有機ビヒクルを添加して混練してなる抵抗ペーストを塗
布し、中性又は還元性雰囲気中で焼付けすることにより
形成された抵抗体であって、１ｋΩ以上の面積抵抗値を
有することを特徴としている。
【００１０】さらに、請求項２の抵抗体は、前記非還元
性ガラスフリットが、Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2−ＢａＯ−Ｃａ
Ｏ−Ｎｂ2Ｏ5系のガラスフリットであることを特徴とし
ている。
性ガラスフリットが、Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2−ＢａＯ−Ｃａ
Ｏ−Ｎｂ2Ｏ5系のガラスフリットであることを特徴とし
ている。
【００１１】なお、本願発明において、抵抗材料のｘの
値を０．２５〜０．７５モルの範囲としたのは、ｘの値
が０．２５モル未満の場合、抵抗体組成物（固形分）中
のガラスフリット含有量増加にともなう急激な抵抗値の
増加を緩和する効果が認められず、また、０．７５モル
を越えると、抵抗値の増加が再び急になり、抵抗値の再
現性が劣化することによる。
値を０．２５〜０．７５モルの範囲としたのは、ｘの値
が０．２５モル未満の場合、抵抗体組成物（固形分）中
のガラスフリット含有量増加にともなう急激な抵抗値の
増加を緩和する効果が認められず、また、０．７５モル
を越えると、抵抗値の増加が再び急になり、抵抗値の再
現性が劣化することによる。
【００１２】また、本願発明において、固形成分中の抵
抗材料を６５〜５重量％の範囲とし、非還元性ガラスフ
リットを３５〜９５重量％の範囲としたのは、固形成分
中の非還元性ガラスフリット量が３５重量％未満になる
と基板との密着性が低下し、９５重量％を越えるとガラ
ス成分が流れ出して電極のはんだ付き性が劣化すること
による。
抗材料を６５〜５重量％の範囲とし、非還元性ガラスフ
リットを３５〜９５重量％の範囲としたのは、固形成分
中の非還元性ガラスフリット量が３５重量％未満になる
と基板との密着性が低下し、９５重量％を越えるとガラ
ス成分が流れ出して電極のはんだ付き性が劣化すること
による。
【００１３】また、本願発明においては、有機ビヒクル
を抵抗材料とガラスフリットの混合物（固形成分）に添
加、混練することによって、必要な印刷特性が付与され
るが、この有機ビヒクルとしては、例えば、厚膜材料ペ
ーストにおいて使用されているエチルセルロース系樹脂
やアクリル系樹脂などをα−テルピネオールのようなテ
ルペン系やケロシン、ブチルカルビトール、カルビトー
ルアセテートなどの高沸点溶剤に溶解させたものなど、
種々のものを用いることが可能であり、また、必要であ
ればチキソ性を付与する添加剤を添加することも可能で
ある。
を抵抗材料とガラスフリットの混合物（固形成分）に添
加、混練することによって、必要な印刷特性が付与され
るが、この有機ビヒクルとしては、例えば、厚膜材料ペ
ーストにおいて使用されているエチルセルロース系樹脂
やアクリル系樹脂などをα−テルピネオールのようなテ
ルペン系やケロシン、ブチルカルビトール、カルビトー
ルアセテートなどの高沸点溶剤に溶解させたものなど、
種々のものを用いることが可能であり、また、必要であ
ればチキソ性を付与する添加剤を添加することも可能で
ある。
【００１４】
【実施例】以下、本願発明の実施例を示してその特徴と
するところをさらに詳しく説明する。
するところをさらに詳しく説明する。
【００１５】まず、アルミナからなる絶縁基板（アルミ
ナ基板）上に銅ペーストをスクリーン印刷し、窒素雰囲
気中で焼き付けて電極（電極パターン）を形成した。
ナ基板）上に銅ペーストをスクリーン印刷し、窒素雰囲
気中で焼き付けて電極（電極パターン）を形成した。
【００１６】次に、抵抗材料の原料として、粉末状のＲ
ｕＯ2、ＣａＣＯ3、ＳｒＣＯ3をＣａxＳｒ1-xＲｕＯ
3（ｘは所定モル比率）の組成になるように秤量し、ポ
ットミルによる湿式混合、乾燥、整粒処理を施した後、
アルミナるつぼに入れて窒素雰囲気中（還元性雰囲気
中）で、９００〜１３００℃に２時間保持して一般式：
ＣａxＳｒ1-xＲｕＯ3で表される材料を合成し、これ
を、アセトン溶媒中、振動ミルで平均粒径が１μm前後
となるまで粉砕した後、乾燥させることにより抵抗材料
を得た。
ｕＯ2、ＣａＣＯ3、ＳｒＣＯ3をＣａxＳｒ1-xＲｕＯ
3（ｘは所定モル比率）の組成になるように秤量し、ポ
ットミルによる湿式混合、乾燥、整粒処理を施した後、
アルミナるつぼに入れて窒素雰囲気中（還元性雰囲気
中）で、９００〜１３００℃に２時間保持して一般式：
ＣａxＳｒ1-xＲｕＯ3で表される材料を合成し、これ
を、アセトン溶媒中、振動ミルで平均粒径が１μm前後
となるまで粉砕した後、乾燥させることにより抵抗材料
を得た。
【００１７】また、合成雰囲気を空気雰囲気とし、それ
以外は上記の方法とまったく同様の方法によって抵抗材
料を合成した。
以外は上記の方法とまったく同様の方法によって抵抗材
料を合成した。
【００１８】なお、この実施例では、一般式：ＣａxＳ
ｒ1-xＲｕＯ3中のｘの値が表１に示すような値を有する
種々の抵抗材料を合成した。表１において、試料番号に
*印を付したものは本願発明の範囲外の比較例の抵抗体
を形成するのに用いた抵抗材 料を示す。
ｒ1-xＲｕＯ3中のｘの値が表１に示すような値を有する
種々の抵抗材料を合成した。表１において、試料番号に
*印を付したものは本願発明の範囲外の比較例の抵抗体
を形成するのに用いた抵抗材 料を示す。
【００１９】
【表１】
【００２０】また、Ｂ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＢａＯ、Ｃａ
Ｏ、Ｎｂ2Ｏ5を、それぞれ３６．０５：３１．６７：１
８．０２：９．２６：５．００のモル比で混合した後、
１２００〜１３５０℃で溶融させることにより、Ｂ2Ｏ3
−ＳｉＯ2−ＢａＯ−ＣａＯ−Ｎｂ2Ｏ5系の溶融ガラス
を得た。そして、この溶融ガラスを純水中に急冷した
後、振動ミルで平均粒径が５μmになるまで粉砕して非
還元性ガラスフリットを得た。
Ｏ、Ｎｂ2Ｏ5を、それぞれ３６．０５：３１．６７：１
８．０２：９．２６：５．００のモル比で混合した後、
１２００〜１３５０℃で溶融させることにより、Ｂ2Ｏ3
−ＳｉＯ2−ＢａＯ−ＣａＯ−Ｎｂ2Ｏ5系の溶融ガラス
を得た。そして、この溶融ガラスを純水中に急冷した
後、振動ミルで平均粒径が５μmになるまで粉砕して非
還元性ガラスフリットを得た。
【００２１】それから、上記抵抗材料と非還元性ガラス
フリットを、表１に示すような種々の割合で混合すると
ともに、これに、アクリル系樹脂をα−テルピネオール
で希釈してなる有機ビヒクルを添加して混練することに
より抵抗ペーストを得た。
フリットを、表１に示すような種々の割合で混合すると
ともに、これに、アクリル系樹脂をα−テルピネオール
で希釈してなる有機ビヒクルを添加して混練することに
より抵抗ペーストを得た。
【００２２】なお、このときの、固形成分（抵抗材料と
非還元性ガラスフリットの混合物）と有機ビヒクルとの
配合割合は、重量比で６０：４０とした。
非還元性ガラスフリットの混合物）と有機ビヒクルとの
配合割合は、重量比で６０：４０とした。
【００２３】次いで、アルミナ基板上に銅ペーストを焼
き付けることにより形成した電極間に、得られた抵抗ペ
ーストをスクリーン印刷した。なお、抵抗ペーストの印
刷パターンは、両端側の電極の一部を含んで長さ１．５
mm、幅１．５mmのパターンとした。そして、抵抗ペース
トを印刷したアルミナ基板を１２０℃で１０分間乾燥し
た後、窒素雰囲気としたトンネル炉にて、ピーク温度９
００℃で１０分間保持して焼付けを行うことにより抵抗
体（抵抗パターン）を形成し、これを試料とした。
き付けることにより形成した電極間に、得られた抵抗ペ
ーストをスクリーン印刷した。なお、抵抗ペーストの印
刷パターンは、両端側の電極の一部を含んで長さ１．５
mm、幅１．５mmのパターンとした。そして、抵抗ペース
トを印刷したアルミナ基板を１２０℃で１０分間乾燥し
た後、窒素雰囲気としたトンネル炉にて、ピーク温度９
００℃で１０分間保持して焼付けを行うことにより抵抗
体（抵抗パターン）を形成し、これを試料とした。
【００２４】上記のようにして、得られた各試料（試料
番号１〜２０）について、面積抵抗値を測定した。その
結果を表１に示す。なお、面積抵抗値は、２５℃の温度
条件で、デジタルボルトメータを用いて測定した。
番号１〜２０）について、面積抵抗値を測定した。その
結果を表１に示す。なお、面積抵抗値は、２５℃の温度
条件で、デジタルボルトメータを用いて測定した。
【００２５】また、図１に、モル比率ｘの値をパラメー
タとした場合の、面積抵抗値とガラスフリット量の関係
を示す。なお、図１において、ｄ（ｘ＝０．５０（試料
番号１９〜２２））のみが空気雰囲気中で合成した抵抗
材料を用いた場合のデータを示し、他はすべて窒素雰囲
気中で合成した抵抗材料を用いた場合のデータを示して
いる。また、図１において、ａ（ｘ＝０．７５（試料番
号６〜８）），ｂ（ｘ＝０．５０（試料番号９〜１
１）），ｃ（ｘ＝０．２５（試料番号１２〜１４）），
ｄ（ｘ＝０．５０（試料番号１９〜２２））はそれぞれ
本願発明の範囲内の実施例のデータであり、他のｅ（ｘ
＝１．００（試料番号１〜３）），ｆ（ｘ＝０．００
（試料番号１７，１８））は本願発明の範囲外の比較例
のデータである。また、ｇ（ｘ＝０．８０（試料番号
４，５））及びｈ（ｘ＝０．２０（試料番号１５，１
６））もモル比率ｘの値が本願発明の範囲外となる比較
例である。
タとした場合の、面積抵抗値とガラスフリット量の関係
を示す。なお、図１において、ｄ（ｘ＝０．５０（試料
番号１９〜２２））のみが空気雰囲気中で合成した抵抗
材料を用いた場合のデータを示し、他はすべて窒素雰囲
気中で合成した抵抗材料を用いた場合のデータを示して
いる。また、図１において、ａ（ｘ＝０．７５（試料番
号６〜８）），ｂ（ｘ＝０．５０（試料番号９〜１
１）），ｃ（ｘ＝０．２５（試料番号１２〜１４）），
ｄ（ｘ＝０．５０（試料番号１９〜２２））はそれぞれ
本願発明の範囲内の実施例のデータであり、他のｅ（ｘ
＝１．００（試料番号１〜３）），ｆ（ｘ＝０．００
（試料番号１７，１８））は本願発明の範囲外の比較例
のデータである。また、ｇ（ｘ＝０．８０（試料番号
４，５））及びｈ（ｘ＝０．２０（試料番号１５，１
６））もモル比率ｘの値が本願発明の範囲外となる比較
例である。
【００２６】表１及び図１より、本願発明の範囲内の組
成の抵抗材料（窒素雰囲気中で合成した抵抗材料（試料
番号６〜１４）、及び空気雰囲気中で合成した抵抗材料
（試料番号１９〜２２））が用いられている抵抗体は、
本願発明の範囲外のもの（試料番号１〜５、及び試料番
号１５〜１８）に比べて組成の変動による面積抵抗値の
変動の割合、すなわち面積抵抗の組成依存性が減少して
いることがわかる。
成の抵抗材料（窒素雰囲気中で合成した抵抗材料（試料
番号６〜１４）、及び空気雰囲気中で合成した抵抗材料
（試料番号１９〜２２））が用いられている抵抗体は、
本願発明の範囲外のもの（試料番号１〜５、及び試料番
号１５〜１８）に比べて組成の変動による面積抵抗値の
変動の割合、すなわち面積抵抗の組成依存性が減少して
いることがわかる。
【００２７】すなわち、表１及び図１から明らかなよう
に、ｘ＝１．００の試料（ＣａＲｕＯ3，試料番号１，
２，３）の場合、ガラスフリット量が８０重量％を越え
ると、抵抗値の増加の傾きが急になり、抵抗材料とガラ
スフリットの混合比のわずかなずれで抵抗値が大幅に変
動し、例えば、５ＫΩ以上の抵抗値を得ることが非常に
困難になるとともに、再現性が低下する。
に、ｘ＝１．００の試料（ＣａＲｕＯ3，試料番号１，
２，３）の場合、ガラスフリット量が８０重量％を越え
ると、抵抗値の増加の傾きが急になり、抵抗材料とガラ
スフリットの混合比のわずかなずれで抵抗値が大幅に変
動し、例えば、５ＫΩ以上の抵抗値を得ることが非常に
困難になるとともに、再現性が低下する。
【００２８】また、ｘ＝０．００の試料（ＳｒＲｕ
Ｏ3，試料番号１７，１８）では、ガラスフリット量が
８０重量％になると抵抗値が１ＧΩ以上に達する。この
ように、ｘ＝０．００の場合には、抵抗値の組成依存性
がきわめて大きく、抵抗材料とガラスフリットの混合比
のわずかなずれで抵抗値が大幅に変動するため、所望の
抵抗値を得ることが非常に困難であるばかりでなく、高
い再現性を期待することはできないことがわかる。ま
た、ｘ＝０．８０とした場合（試料番号４，５）及びｘ
＝０．２とした場合（試料番号１５，１６）にも、同様
に抵抗値の組成依存性がきわめて大きいことがわかる。
Ｏ3，試料番号１７，１８）では、ガラスフリット量が
８０重量％になると抵抗値が１ＧΩ以上に達する。この
ように、ｘ＝０．００の場合には、抵抗値の組成依存性
がきわめて大きく、抵抗材料とガラスフリットの混合比
のわずかなずれで抵抗値が大幅に変動するため、所望の
抵抗値を得ることが非常に困難であるばかりでなく、高
い再現性を期待することはできないことがわかる。ま
た、ｘ＝０．８０とした場合（試料番号４，５）及びｘ
＝０．２とした場合（試料番号１５，１６）にも、同様
に抵抗値の組成依存性がきわめて大きいことがわかる。
【００２９】これに対して、本願発明の範囲内の組成の
抵抗材料が用いられている抵抗体（試料番号６〜１４、
及び試料番号１９〜２２）では、抵抗値の増加傾向が穏
やかになっており、特に高い抵抗値範囲において所望の
抵抗値を実現することが容易になるとともに、抵抗値の
再現性を向上させることが可能になる。
抵抗材料が用いられている抵抗体（試料番号６〜１４、
及び試料番号１９〜２２）では、抵抗値の増加傾向が穏
やかになっており、特に高い抵抗値範囲において所望の
抵抗値を実現することが容易になるとともに、抵抗値の
再現性を向上させることが可能になる。
【００３０】したがって、本願発明の範囲内でｘの値を
適宜選択する、すなわち、一般式：ＣａxＳｒ1-xＲｕＯ
3で表される組成を有する抵抗材料中のＣａとＳｒの比
率を調整するとともに、抵抗材料とガラスフリットとの
配合比率を適宜選択することにより、１０ＫΩを越える
抵抗値を含む広い抵抗値範囲で（例えば１ｋΩ〜数Ｍ
Ω）任意の抵抗値を有する抵抗体を確実に形成すること
が可能になる。
適宜選択する、すなわち、一般式：ＣａxＳｒ1-xＲｕＯ
3で表される組成を有する抵抗材料中のＣａとＳｒの比
率を調整するとともに、抵抗材料とガラスフリットとの
配合比率を適宜選択することにより、１０ＫΩを越える
抵抗値を含む広い抵抗値範囲で（例えば１ｋΩ〜数Ｍ
Ω）任意の抵抗値を有する抵抗体を確実に形成すること
が可能になる。
【００３１】なお、表１及び図１からわかるように、空
気雰囲気中で合成した抵抗材料が用いられている抵抗体
（ｄ（ｘ＝０．５０），試料番号１９〜２２）のほう
が、同じ組成でも、窒素雰囲気中で合成した抵抗材料が
用いられている抵抗体（ｂ（ｘ＝０．５０），試料番号
９，１１）よりも面積抵抗値のレベルが高くなる傾向が
ある。したがって、合成時の雰囲気を使い分けることに
より、面積抵抗値のレベルを制御することができる。本
願発明では、ＣａＲｕＯ3とＳｒＲｕＯ3について、ｘ＝
０．２５〜０．７５モルの範囲になるようにあらかじめ
混合した後、窒素あるいは空気雰囲気中で合成固溶体化
したＣａxＳｒ1-xＲｕＯ3系の抵抗材料を作成するとこ
ろに意義があり、これにより特有の効果を奏することが
可能になるということができる。
気雰囲気中で合成した抵抗材料が用いられている抵抗体
（ｄ（ｘ＝０．５０），試料番号１９〜２２）のほう
が、同じ組成でも、窒素雰囲気中で合成した抵抗材料が
用いられている抵抗体（ｂ（ｘ＝０．５０），試料番号
９，１１）よりも面積抵抗値のレベルが高くなる傾向が
ある。したがって、合成時の雰囲気を使い分けることに
より、面積抵抗値のレベルを制御することができる。本
願発明では、ＣａＲｕＯ3とＳｒＲｕＯ3について、ｘ＝
０．２５〜０．７５モルの範囲になるようにあらかじめ
混合した後、窒素あるいは空気雰囲気中で合成固溶体化
したＣａxＳｒ1-xＲｕＯ3系の抵抗材料を作成するとこ
ろに意義があり、これにより特有の効果を奏することが
可能になるということができる。
【００３２】なお、上記実施例では、非還元性ガラスフ
リットとして、Ｂ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＢａＯ、ＣａＯ、Ｎ
ｂ2Ｏ5をそれぞれ、３６．０５：３１．６７：１８．０
２：９．２６：５．００のモル比で含有するガラスフリ
ットを用いた場合について説明したが、非還元性ガラス
フリットの成分や組成比はこれに限定されるものではな
く、他の成分からなるガラスフリットや組成比の異なる
非還元性ガラスフリットを用いることも可能である。
リットとして、Ｂ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＢａＯ、ＣａＯ、Ｎ
ｂ2Ｏ5をそれぞれ、３６．０５：３１．６７：１８．０
２：９．２６：５．００のモル比で含有するガラスフリ
ットを用いた場合について説明したが、非還元性ガラス
フリットの成分や組成比はこれに限定されるものではな
く、他の成分からなるガラスフリットや組成比の異なる
非還元性ガラスフリットを用いることも可能である。
【００３３】また、上記実施例では、アルミナ基板上に
抵抗体を形成する場合を例にとって説明したが、抵抗体
を形成する対象である基板はアルミナ基板に限定される
ものではなく、他の種々の材料からなる基板や基体上に
抵抗体を形成する場合に本願発明を適用することが可能
である。
抵抗体を形成する場合を例にとって説明したが、抵抗体
を形成する対象である基板はアルミナ基板に限定される
ものではなく、他の種々の材料からなる基板や基体上に
抵抗体を形成する場合に本願発明を適用することが可能
である。
【００３４】本願発明は、さらにその他の点においても
上記実施例に限定されるものではなく、抵抗材料と非還
元性ガラスフリットを配合してなる固形成分と有機ビヒ
クルの配合割合、焼付け時の温度条件や雰囲気条件など
に関し、発明の要旨の範囲内において、種々の応用、変
形を加えることが可能である。
上記実施例に限定されるものではなく、抵抗材料と非還
元性ガラスフリットを配合してなる固形成分と有機ビヒ
クルの配合割合、焼付け時の温度条件や雰囲気条件など
に関し、発明の要旨の範囲内において、種々の応用、変
形を加えることが可能である。
【００３５】
【発明の効果】上述のように、本願発明の抵抗体は、一
般式：ＣａxＳｒ1-xＲｕＯ3（ｘ＝０．２５〜０．７５
モル）で表される組成を有する抵抗材料６５〜５重量％
と、非還元性ガラスフリット３５〜９５重量％とを含有
する固形成分を、有機ビヒクルと混練してなる抵抗ペー
ストを塗布し、中性又は還元性雰囲気中で焼き付けるこ
とにより形成されているので、従来の抵抗体と比べて、
抵抗値の増加傾向が穏やかで、抵抗値の再現性を向上さ
せることが可能になる。
般式：ＣａxＳｒ1-xＲｕＯ3（ｘ＝０．２５〜０．７５
モル）で表される組成を有する抵抗材料６５〜５重量％
と、非還元性ガラスフリット３５〜９５重量％とを含有
する固形成分を、有機ビヒクルと混練してなる抵抗ペー
ストを塗布し、中性又は還元性雰囲気中で焼き付けるこ
とにより形成されているので、従来の抵抗体と比べて、
抵抗値の増加傾向が穏やかで、抵抗値の再現性を向上さ
せることが可能になる。
【００３６】すなわち、上述の抵抗ペーストを用い、一
般式：ＣａxＳｒ1-xＲｕＯ3中のｘの値を適宜選択する
とともに、抵抗材料とガラスフリットとの配合比率を適
宜選択することにより、１０ＫΩを越える抵抗値を含む
広い抵抗値範囲（例えば１ｋΩ〜数ＭΩ）で任意の抵抗
値を有する抵抗体を確実に形成することが可能になる。
般式：ＣａxＳｒ1-xＲｕＯ3中のｘの値を適宜選択する
とともに、抵抗材料とガラスフリットとの配合比率を適
宜選択することにより、１０ＫΩを越える抵抗値を含む
広い抵抗値範囲（例えば１ｋΩ〜数ＭΩ）で任意の抵抗
値を有する抵抗体を確実に形成することが可能になる。
【図１】本願発明の実施例及び比較例における面積抵抗
値とガラスフリット量の関係を示す線図である。
値とガラスフリット量の関係を示す線図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−249203（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−125901（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−85394（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−335107（ＪＰ，Ａ) 特公 昭55−50361（ＪＰ，Ｂ２) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01C 7/00 H01C 17/06
Claims (2)
- 【請求項１】一般式：ＣａxＳｒ1-xＲｕＯ3（ｘ＝０．
２５〜０．７５モル）で表される組成を有し、還元性雰
囲気中で熱処理することにより合成された抵抗材料６５
〜５重量％と、非還元性ガラスフリット３５〜９５重量
％とを含有する固形成分に、有機ビヒクルを添加して混
練してなる抵抗ペーストを塗布し、中性又は還元性雰囲
気中で焼付けすることにより形成された抵抗体であっ
て、１ｋΩ以上の面積抵抗値を有することを特徴とする
抵抗体。 - 【請求項２】前記非還元性ガラスフリットが、Ｂ2Ｏ3−
ＳｉＯ2−ＢａＯ−ＣａＯ−Ｎｂ2Ｏ5系のガラスフリッ
トであることを特徴とする請求項１記載の抵抗体。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33987894A JP3246245B2 (ja) | 1994-12-30 | 1994-12-30 | 抵抗体 |
| US08/578,106 US6355188B1 (en) | 1994-12-30 | 1995-12-26 | Resistive material, and resistive paste and resistor comprising the material |
| DE69513377T DE69513377T2 (de) | 1994-12-30 | 1995-12-28 | Widerstandspaste und dieses Material enthaltender Widerstand |
| EP95120699A EP0720184B1 (en) | 1994-12-30 | 1995-12-28 | Resistance paste and resistor comprising the material |
| KR1019950066344A KR100213343B1 (ko) | 1994-12-30 | 1995-12-29 | 저항재료와, 이것을 사용한 저항 페이스트 및 저항체 |
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|---|---|---|---|
| JP33987894A JP3246245B2 (ja) | 1994-12-30 | 1994-12-30 | 抵抗体 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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| EP (1) | EP0720184B1 (ja) |
| JP (1) | JP3246245B2 (ja) |
| KR (1) | KR100213343B1 (ja) |
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| JPS596481A (ja) | 1982-07-02 | 1984-01-13 | Nissan Motor Co Ltd | アクスルケ−ス |
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| JPH0828282B2 (ja) | 1987-03-13 | 1996-03-21 | 株式会社村田製作所 | 抵抗ペ−スト |
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| JPH04125901A (ja) | 1990-09-18 | 1992-04-27 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 厚膜抵抗体用組成物 |
| DE4127845C1 (ja) * | 1991-08-22 | 1992-11-19 | W.C. Heraeus Gmbh, 6450 Hanau, De | |
| US5345212A (en) * | 1993-07-07 | 1994-09-06 | National Starch And Chemical Investment Holding Corporation | Power surge resistor with palladium and silver composition |
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-
1994
- 1994-12-30 JP JP33987894A patent/JP3246245B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-12-26 US US08/578,106 patent/US6355188B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1995-12-28 EP EP95120699A patent/EP0720184B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-12-28 DE DE69513377T patent/DE69513377T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1995-12-29 KR KR1019950066344A patent/KR100213343B1/ko not_active IP Right Cessation
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| US6355188B1 (en) | 2002-03-12 |
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| DE69513377D1 (de) | 1999-12-23 |
| JPH08186003A (ja) | 1996-07-16 |
| EP0720184A3 (en) | 1997-01-15 |
| EP0720184A2 (en) | 1996-07-03 |
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