JP3538700B2 - 抵抗材料、これを用いた抵抗ペーストおよび抵抗体、ならびにセラミック多層基板 - Google Patents
抵抗材料、これを用いた抵抗ペーストおよび抵抗体、ならびにセラミック多層基板Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、抵抗材料、これ
を用いた抵抗ペーストおよび抵抗体、ならびにセラミッ
ク多層基板に関するもので、特に、中性または還元性雰
囲気中で焼付けを行なうことが可能な抵抗ペースト、こ
の抵抗ペーストに有利に含有される抵抗材料、この抵抗
ペーストを用いて形成される抵抗体、およびこの抵抗体
を備えるセラミック多層基板に関するものである。
を用いた抵抗ペーストおよび抵抗体、ならびにセラミッ
ク多層基板に関するもので、特に、中性または還元性雰
囲気中で焼付けを行なうことが可能な抵抗ペースト、こ
の抵抗ペーストに有利に含有される抵抗材料、この抵抗
ペーストを用いて形成される抵抗体、およびこの抵抗体
を備えるセラミック多層基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】アルミナからなるセラミック基板には、
通常、種々の電子部品を搭載できるように、電極や抵抗
体などをもって構成される回路パターンが形成されてい
る。また、電極あるいは電極パターンを形成するため、
銀、銀−パラジウム合金などの貴金属ペーストをスクリ
ーン印刷し、空気中で焼き付けることが一般に行なわれ
ている。
通常、種々の電子部品を搭載できるように、電極や抵抗
体などをもって構成される回路パターンが形成されてい
る。また、電極あるいは電極パターンを形成するため、
銀、銀−パラジウム合金などの貴金属ペーストをスクリ
ーン印刷し、空気中で焼き付けることが一般に行なわれ
ている。
【０００３】また、基板を積層化して導体を内部に立体
的に配置することにより高密度化を図り、それによっ
て、さらなる製品の小型化を図ろうとする検討もされて
いる。しかし、従来の一般的なアルミナ基板を用いて、
内層配線および積層化を行なおうとする場合には、アル
ミナの焼結温度が高いため、導体材料として、タングス
テン、モリブデンなどの高融点金属を用いなければなら
ないが、これらの金属の比抵抗が高いため、用途が制約
され、実用的でないという問題がある。
的に配置することにより高密度化を図り、それによっ
て、さらなる製品の小型化を図ろうとする検討もされて
いる。しかし、従来の一般的なアルミナ基板を用いて、
内層配線および積層化を行なおうとする場合には、アル
ミナの焼結温度が高いため、導体材料として、タングス
テン、モリブデンなどの高融点金属を用いなければなら
ないが、これらの金属の比抵抗が高いため、用途が制約
され、実用的でないという問題がある。
【０００４】そこで、このような問題を解決する目的
で、低温（１０００℃以下）で焼結することが可能で、
銀、パラジウム、銅などの金属を内層材料として用いる
ことを可能とする低温焼結基板（たとえば、セラミック
とガラスとからなる複合基板など）が用いられるように
なってきている。
で、低温（１０００℃以下）で焼結することが可能で、
銀、パラジウム、銅などの金属を内層材料として用いる
ことを可能とする低温焼結基板（たとえば、セラミック
とガラスとからなる複合基板など）が用いられるように
なってきている。
【０００５】このような低温焼結基板において用いる電
極材料としては、前述した貴金属ペーストが考えられ
る。しかしながら、貴金属ペーストは、高価であるばか
りでなく、インピーダンスが高く、エレクトロマイグレ
ーションを起こしやすいという欠点があるため、実用上
問題となっている。
極材料としては、前述した貴金属ペーストが考えられ
る。しかしながら、貴金属ペーストは、高価であるばか
りでなく、インピーダンスが高く、エレクトロマイグレ
ーションを起こしやすいという欠点があるため、実用上
問題となっている。
【０００６】これに対して、インピーダンスが低く、エ
レクトロマイグレーションを起こさない銅などの卑金属
材料を含む卑金属ペーストを、焼結基板またはグリーン
シート上にスクリーン印刷し、これを中性または還元性
雰囲気中で焼成すれば、高品質の電極パターンを安価に
形成できることがわかっており、注目されている。
レクトロマイグレーションを起こさない銅などの卑金属
材料を含む卑金属ペーストを、焼結基板またはグリーン
シート上にスクリーン印刷し、これを中性または還元性
雰囲気中で焼成すれば、高品質の電極パターンを安価に
形成できることがわかっており、注目されている。
【０００７】この場合、卑金属ペーストを焼き付けた後
の複数の卑金属電極間を連結するように基板上に設けら
れる抵抗体あるいは抵抗パターンを形成するための抵抗
ペーストは、導電材料としてＲｕＯ2 系材料を使用した
ものでは還元されてしまうため、使用できない。抵抗材
料としては、窒素などの中性または還元性雰囲気中で焼
き付けることができるものであることが望ましい。
の複数の卑金属電極間を連結するように基板上に設けら
れる抵抗体あるいは抵抗パターンを形成するための抵抗
ペーストは、導電材料としてＲｕＯ2 系材料を使用した
ものでは還元されてしまうため、使用できない。抵抗材
料としては、窒素などの中性または還元性雰囲気中で焼
き付けることができるものであることが望ましい。
【０００８】そこで、上述のような中性または還元性雰
囲気中で焼付けを行なうことが可能な抵抗ペーストとし
て、特公昭５５−３０８８９号公報に記載されたＬａＢ
6 系の導電材料を含有する抵抗ペースト、特開昭６３−
２２４３０１号公報に記載されたＮｂＢ2 系の導電材料
を含有する抵抗ペースト、特開平２−２４９２０３号公
報に記載されたＮｂx Ｌａ1-x Ｂ6-4x固溶体系の導電材
料を含有する抵抗ペーストなどが提案されている。
囲気中で焼付けを行なうことが可能な抵抗ペーストとし
て、特公昭５５−３０８８９号公報に記載されたＬａＢ
6 系の導電材料を含有する抵抗ペースト、特開昭６３−
２２４３０１号公報に記載されたＮｂＢ2 系の導電材料
を含有する抵抗ペースト、特開平２−２４９２０３号公
報に記載されたＮｂx Ｌａ1-x Ｂ6-4x固溶体系の導電材
料を含有する抵抗ペーストなどが提案されている。
【０００９】特に、導電材料としてＮｂx Ｌａ1-x Ｂ
6-4x系を含有する抵抗ペーストを用いて形成された抵抗
体は、ＬａＢ6 系などの導電材料を含有する抵抗ペース
トを用いて形成された抵抗体よりも、導電材料およびガ
ラスフリットの混合比率を変えることによって、良好な
再現性が得られる面積抵抗値の範囲が広いという利点を
有している。
6-4x系を含有する抵抗ペーストを用いて形成された抵抗
体は、ＬａＢ6 系などの導電材料を含有する抵抗ペース
トを用いて形成された抵抗体よりも、導電材料およびガ
ラスフリットの混合比率を変えることによって、良好な
再現性が得られる面積抵抗値の範囲が広いという利点を
有している。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特にＮ
ｂx Ｌａ1-x Ｂ6-4x系の導電材料を含有する抵抗ペース
トをもって形成された抵抗体では、その面積抵抗値が高
い領域（約１０ｋΩ／□以上）において抵抗温度係数
（以下、「ＴＣＲ」と言う。）がマイナス（−）方向へ
シフトし、絶対値が０から離れていく傾向にある。特開
平５−３３５１０７号公報では、Ｂ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、
Ａｌ2 Ｏ3 、ＣｒＢ、ＮｉＢ、ＴａＳｉ2 、Ｔａ、およ
びＡｌＮのいずれか１種または複数種を添加すること
で、アルミナ基板上でのＴＣＲをプラス方向にシフトさ
せられることが示されているが、セラミックとガラスと
の複合基板などの低温焼結基板に抵抗体を形成した場合
には、特に低抵抗領域でのＴＣＲ制御効果および再現性
が十分ではなく、必要とされるＴＣＲ特性が十分に得ら
れないのが実状であった。
ｂx Ｌａ1-x Ｂ6-4x系の導電材料を含有する抵抗ペース
トをもって形成された抵抗体では、その面積抵抗値が高
い領域（約１０ｋΩ／□以上）において抵抗温度係数
（以下、「ＴＣＲ」と言う。）がマイナス（−）方向へ
シフトし、絶対値が０から離れていく傾向にある。特開
平５−３３５１０７号公報では、Ｂ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、
Ａｌ2 Ｏ3 、ＣｒＢ、ＮｉＢ、ＴａＳｉ2 、Ｔａ、およ
びＡｌＮのいずれか１種または複数種を添加すること
で、アルミナ基板上でのＴＣＲをプラス方向にシフトさ
せられることが示されているが、セラミックとガラスと
の複合基板などの低温焼結基板に抵抗体を形成した場合
には、特に低抵抗領域でのＴＣＲ制御効果および再現性
が十分ではなく、必要とされるＴＣＲ特性が十分に得ら
れないのが実状であった。
【００１１】そこで、この発明の目的は、Ｎｂx Ｌａ
1-x Ｂ6-4x系またはＮｂＢ2 などの導電材料を含有する
抵抗ペーストを低温焼結基板上で焼き付けても、それに
よって形成された抵抗体における面積抵抗値の高い領域
（約１０ｋΩ／□以上）のＴＣＲを、プラス方向へシフ
トさせて０に近づけることを可能にして、上述したよう
な問題を解決しようとすることである。
1-x Ｂ6-4x系またはＮｂＢ2 などの導電材料を含有する
抵抗ペーストを低温焼結基板上で焼き付けても、それに
よって形成された抵抗体における面積抵抗値の高い領域
（約１０ｋΩ／□以上）のＴＣＲを、プラス方向へシフ
トさせて０に近づけることを可能にして、上述したよう
な問題を解決しようとすることである。
【００１２】より特定的には、この発明の目的は、上述
のような問題の解決を図り得る、抵抗ペースト、この抵
抗ペーストに有利に含有される抵抗材料、この抵抗ペー
ストを用いて形成される抵抗体、およびこの抵抗体を備
えるセラミック多層基板を提供しようとすることであ
る。
のような問題の解決を図り得る、抵抗ペースト、この抵
抗ペーストに有利に含有される抵抗材料、この抵抗ペー
ストを用いて形成される抵抗体、およびこの抵抗体を備
えるセラミック多層基板を提供しようとすることであ
る。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上述した技術的課題を解
決するため、この発明は、まず、抵抗ペーストに有利に
含有される抵抗材料に向けられる。
決するため、この発明は、まず、抵抗ペーストに有利に
含有される抵抗材料に向けられる。
【００１４】この発明に係る抵抗材料は、一般的には、
導電材料と添加剤とを含有し、導電材料として、一般
式：Ｎｂx Ｌａ1-x Ｂ6-4x（ｘ＝０．１〜０．９）で表
される導電材料を含有し、添加剤として、平均粒径が
０．５μｍ以下の窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、および
平均粒径が０．５μｍ以下の酸化珪素（ＳｉＯ2 ）を含
有することを特徴としている。
導電材料と添加剤とを含有し、導電材料として、一般
式：Ｎｂx Ｌａ1-x Ｂ6-4x（ｘ＝０．１〜０．９）で表
される導電材料を含有し、添加剤として、平均粒径が
０．５μｍ以下の窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、および
平均粒径が０．５μｍ以下の酸化珪素（ＳｉＯ2 ）を含
有することを特徴としている。
【００１５】この発明に係る抵抗材料は、より特定的な
局面では、一般式：Ｎｂx Ｌａ1-xＢ6-4x（ｘ＝０．１
〜０．９）で表される導電材料と非還元性ガラスフリッ
トと添加剤とを含有し、添加剤として、導電材料および
非還元性ガラスフリットの合計量１００重量部に対し
て、平均粒径が０．５μｍ以下の窒化アルミニウム（Ａ
ｌＮ）が５〜１５重量部、および平均粒径が０．５μｍ
以下の酸化珪素（ＳｉＯ 2 ）が１〜５重量部、それぞ
れ、含有することを特徴としている。
局面では、一般式：Ｎｂx Ｌａ1-xＢ6-4x（ｘ＝０．１
〜０．９）で表される導電材料と非還元性ガラスフリッ
トと添加剤とを含有し、添加剤として、導電材料および
非還元性ガラスフリットの合計量１００重量部に対し
て、平均粒径が０．５μｍ以下の窒化アルミニウム（Ａ
ｌＮ）が５〜１５重量部、および平均粒径が０．５μｍ
以下の酸化珪素（ＳｉＯ 2 ）が１〜５重量部、それぞ
れ、含有することを特徴としている。
【００１６】上述したより特定的な局面において、導電
材料／非還元性ガラスフリットの配合割合が、７０〜１
０重量部／３０〜９０重量部の範囲にあることが好まし
い。
材料／非還元性ガラスフリットの配合割合が、７０〜１
０重量部／３０〜９０重量部の範囲にあることが好まし
い。
【００１７】この発明は、また、上述した抵抗材料に有
機ビヒクルを添加し、混練して得られた、抵抗ペースト
にも向けられる。
機ビヒクルを添加し、混練して得られた、抵抗ペースト
にも向けられる。
【００１８】この抵抗ペーストは、ＢａＯが１５〜７５
重量％、ＳｉＯ2 が２５〜８０重量％、Ａｌ2 Ｏ3 が３
０重量％以下、Ｂ2 Ｏ3 が１．５〜５重量％、ＣａＯが
１．５〜５重量％、それぞれ、含有する組成を有する低
温焼結基板上に抵抗体を形成するために有利に用いられ
る。
重量％、ＳｉＯ2 が２５〜８０重量％、Ａｌ2 Ｏ3 が３
０重量％以下、Ｂ2 Ｏ3 が１．５〜５重量％、ＣａＯが
１．５〜５重量％、それぞれ、含有する組成を有する低
温焼結基板上に抵抗体を形成するために有利に用いられ
る。
【００１９】この発明は、また、上述した抵抗ペースト
を塗布し、焼き付けることによって形成された、抵抗体
にも向けられる。
を塗布し、焼き付けることによって形成された、抵抗体
にも向けられる。
【００２０】この発明は、さらに、上述した抵抗体を備
える、セラミック多層基板にも向けられる。
える、セラミック多層基板にも向けられる。
【００２１】
【発明の実施の形態】この発明の好ましい実施形態によ
る抵抗ペーストでは、一般式：Ｎｂx Ｌａ1- x Ｂ
6-4x（ｘ＝０．１〜０．９）で表される導電材料と非還
元性ガラスフリットと添加剤とを含有し、添加剤とし
て、導電材料および非還元性ガラスフリットの合計量１
００重量部に対して、平均粒径が０．５μｍ以下の窒化
アルミニウム（ＡｌＮ）が５〜１５重量部、および平均
粒径が０．５μｍ以下の酸化珪素（ＳｉＯ2 ）が１〜５
重量部、それぞれ、含有する、そのような抵抗材料が添
加される。
る抵抗ペーストでは、一般式：Ｎｂx Ｌａ1- x Ｂ
6-4x（ｘ＝０．１〜０．９）で表される導電材料と非還
元性ガラスフリットと添加剤とを含有し、添加剤とし
て、導電材料および非還元性ガラスフリットの合計量１
００重量部に対して、平均粒径が０．５μｍ以下の窒化
アルミニウム（ＡｌＮ）が５〜１５重量部、および平均
粒径が０．５μｍ以下の酸化珪素（ＳｉＯ2 ）が１〜５
重量部、それぞれ、含有する、そのような抵抗材料が添
加される。
【００２２】上述した抵抗材料は、これに有機ビヒクル
を添加し、混練することによって、抵抗ペーストとされ
る。この抵抗ペーストは、これを塗布し、焼き付けるこ
とによって抵抗体を形成する。
を添加し、混練することによって、抵抗ペーストとされ
る。この抵抗ペーストは、これを塗布し、焼き付けるこ
とによって抵抗体を形成する。
【００２３】上述の導電材料であるＮｂx Ｌａ1-x Ｂ
6-4xの粒子径は、０．１〜５μｍの範囲が好ましく、
０．１〜３μｍの範囲がより好ましい。
6-4xの粒子径は、０．１〜５μｍの範囲が好ましく、
０．１〜３μｍの範囲がより好ましい。
【００２４】非還元性ガラスフリットとしては、Ｂａ、
Ｃａ、もしくは他のアルカリ土類金属の硼珪酸ガラスま
たは硼アルミノ珪酸ガラスなどが選ばれる。また、非還
元性ガラスフリットの粒子径は、１〜１０μｍの範囲が
好ましく、１〜５μｍの範囲がより好ましい。
Ｃａ、もしくは他のアルカリ土類金属の硼珪酸ガラスま
たは硼アルミノ珪酸ガラスなどが選ばれる。また、非還
元性ガラスフリットの粒子径は、１〜１０μｍの範囲が
好ましく、１〜５μｍの範囲がより好ましい。
【００２５】上述した抵抗材料において、導電材料およ
び非還元性ガラスフリットの合計量１００重量部に対し
て、添加剤としての平均粒径が０．５μｍ以下の窒化ア
ルミニウム（ＡｌＮ）を５〜１５重量部、および平均粒
径が０．５μｍ以下の酸化珪素（ＳｉＯ2 ）を１〜５重
量部、それぞれ、添加するようにしたのは、いずれも、
添加量の各範囲を下回ると、当該抵抗材料を含む抵抗ペ
ーストから得られた抵抗体の抵抗値およびＴＣＲの制御
効果が不十分になることがあり、また、添加量の各範囲
を上回ると、抵抗値が急激に増加することがあるばかり
でなく、ＴＣＲの劣化が著しくなったり、再現性が悪く
なったりすることがあるからである。
び非還元性ガラスフリットの合計量１００重量部に対し
て、添加剤としての平均粒径が０．５μｍ以下の窒化ア
ルミニウム（ＡｌＮ）を５〜１５重量部、および平均粒
径が０．５μｍ以下の酸化珪素（ＳｉＯ2 ）を１〜５重
量部、それぞれ、添加するようにしたのは、いずれも、
添加量の各範囲を下回ると、当該抵抗材料を含む抵抗ペ
ーストから得られた抵抗体の抵抗値およびＴＣＲの制御
効果が不十分になることがあり、また、添加量の各範囲
を上回ると、抵抗値が急激に増加することがあるばかり
でなく、ＴＣＲの劣化が著しくなったり、再現性が悪く
なったりすることがあるからである。
【００２６】また、上述した抵抗材料に係る各実施形態
において、好ましくは、導電材料／非還元性ガラスフリ
ットの配合割合が、７０〜１０重量部／３０〜９０重量
部の範囲にあるように選ばれる。これによって、基板へ
の密着性を優れたものとし、かつ、ガラス成分の流れ出
しのない抵抗ペーストを得ることができるようになる。
より詳細には、非還元性ガラスフリットの割合が上記範
囲を下回ると、当該抵抗材料を含む抵抗ペーストを基板
に塗布し、焼き付けることによって得られた抵抗体の基
板への密着性が低下することがあり、他方、上記範囲を
上回ると、焼付け工程において、抵抗ペースト中のガラ
ス成分が流れ出すことがあり、これによって、隣接して
配置される電極の半田付け性を劣化させ、また、抵抗値
が急変したり、再現性に乏しかったりして、実用に適さ
ないことがある。
において、好ましくは、導電材料／非還元性ガラスフリ
ットの配合割合が、７０〜１０重量部／３０〜９０重量
部の範囲にあるように選ばれる。これによって、基板へ
の密着性を優れたものとし、かつ、ガラス成分の流れ出
しのない抵抗ペーストを得ることができるようになる。
より詳細には、非還元性ガラスフリットの割合が上記範
囲を下回ると、当該抵抗材料を含む抵抗ペーストを基板
に塗布し、焼き付けることによって得られた抵抗体の基
板への密着性が低下することがあり、他方、上記範囲を
上回ると、焼付け工程において、抵抗ペースト中のガラ
ス成分が流れ出すことがあり、これによって、隣接して
配置される電極の半田付け性を劣化させ、また、抵抗値
が急変したり、再現性に乏しかったりして、実用に適さ
ないことがある。
【００２７】また、この発明に係る抵抗ペーストにおい
ては、前述したように、導電材料と非還元性ガラスフリ
ットとの混合物（固形成分）に有機ビヒクルを添加し
て、混練することにより、必要な印刷特性が付与されて
いるが、この有機ビヒクルとしては、たとえば、厚膜材
料ペーストにおいて使用されているエチルセルロース系
樹脂やアクリル系樹脂などをα−テレピネオールのよう
なテルペン系やケロシン、ブチルカルビトール、カルビ
トールアセテートなどの高沸点溶剤に溶解させたものな
ど、種々のものを用いることが可能であり、また、必要
であれば、チキソ性を付与するための添加剤を添加する
ことも可能である。
ては、前述したように、導電材料と非還元性ガラスフリ
ットとの混合物（固形成分）に有機ビヒクルを添加し
て、混練することにより、必要な印刷特性が付与されて
いるが、この有機ビヒクルとしては、たとえば、厚膜材
料ペーストにおいて使用されているエチルセルロース系
樹脂やアクリル系樹脂などをα−テレピネオールのよう
なテルペン系やケロシン、ブチルカルビトール、カルビ
トールアセテートなどの高沸点溶剤に溶解させたものな
ど、種々のものを用いることが可能であり、また、必要
であれば、チキソ性を付与するための添加剤を添加する
ことも可能である。
【００２８】以上のようにして、導電材料７０〜１０重
量部と非還元性ガラスフリット３０〜９０重量部との合
計量１００重量部に対して、平均粒径が０．５μｍ以下
の窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を５〜１５重量部、およ
び平均粒径が０．５μｍ以下の酸化珪素（ＳｉＯ2 ）を
１〜５重量部、それぞれ、含有する抵抗材料に、有機ビ
ヒクルを添加し、混練することにより得られた抵抗ペー
ストを用いることにより、低温焼結基板上に塗布、焼付
けした場合にも、ＴＣＲが０により近い抵抗体を確実に
形成することが可能になる。
量部と非還元性ガラスフリット３０〜９０重量部との合
計量１００重量部に対して、平均粒径が０．５μｍ以下
の窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を５〜１５重量部、およ
び平均粒径が０．５μｍ以下の酸化珪素（ＳｉＯ2 ）を
１〜５重量部、それぞれ、含有する抵抗材料に、有機ビ
ヒクルを添加し、混練することにより得られた抵抗ペー
ストを用いることにより、低温焼結基板上に塗布、焼付
けした場合にも、ＴＣＲが０により近い抵抗体を確実に
形成することが可能になる。
【００２９】また、この発明に係る抵抗ペーストによれ
ば、アルミナ基板上でのＴＣＲのみならず、従来、制御
効果の十分でなかった、たとえば、ＢａＯが１５〜７５
重量％、ＳｉＯ2 が２５〜８０重量％、Ａｌ2 Ｏ3 が３
０重量％以下、Ｂ2 Ｏ3 が１．５〜５重量％、ＣａＯが
１．５〜５重量％、それぞれ、含有する組成を有する低
温焼結基板上に塗布、焼付けした場合にも、ＴＣＲが０
に近い抵抗体を形成することができる。
ば、アルミナ基板上でのＴＣＲのみならず、従来、制御
効果の十分でなかった、たとえば、ＢａＯが１５〜７５
重量％、ＳｉＯ2 が２５〜８０重量％、Ａｌ2 Ｏ3 が３
０重量％以下、Ｂ2 Ｏ3 が１．５〜５重量％、ＣａＯが
１．５〜５重量％、それぞれ、含有する組成を有する低
温焼結基板上に塗布、焼付けした場合にも、ＴＣＲが０
に近い抵抗体を形成することができる。
【００３０】また、この発明に係る抵抗ペーストを塗
布、焼付けすることにより形成された抵抗体は、基板と
の密着性が良好で、かつ、低温焼結基板上に形成された
場合にも、実用可能な面積抵抗値が広く、しかも、ＴＣ
Ｒが良好であるという特徴を有している。
布、焼付けすることにより形成された抵抗体は、基板と
の密着性が良好で、かつ、低温焼結基板上に形成された
場合にも、実用可能な面積抵抗値が広く、しかも、ＴＣ
Ｒが良好であるという特徴を有している。
【００３１】図１は、この発明の一実施形態によるセラ
ミック多層基板１を図解的に示す断面図である。
ミック多層基板１を図解的に示す断面図である。
【００３２】セラミック多層基板１は、複数のセラミッ
ク層２を備える。セラミック多層基板１を製造するにあ
たり、所定のセラミック組成物を含む複数のグリーンシ
ートを積層して得られたセラミック積層体を焼成するこ
とが行なわれるが、複数のセラミック層２は、これら複
数のグリーンシートの焼成の結果としてもたらされたも
のである。
ク層２を備える。セラミック多層基板１を製造するにあ
たり、所定のセラミック組成物を含む複数のグリーンシ
ートを積層して得られたセラミック積層体を焼成するこ
とが行なわれるが、複数のセラミック層２は、これら複
数のグリーンシートの焼成の結果としてもたらされたも
のである。
【００３３】セラミック多層基板１の外表面上には、表
面導体３、４、５および６が形成され、かつ、同じく内
部には、特定のセラミック層２間の界面に沿って内部導
体７、８、９、１０および１１が形成されるともに、特
定のセラミック層２を貫通するようにバイアホール導体
１２、１３、１４、１５および１６が形成されている。
また、セラミック多層基板１の外表面上であって、表面
導体３および４間を接続するように、抵抗体１７が形成
されている。
面導体３、４、５および６が形成され、かつ、同じく内
部には、特定のセラミック層２間の界面に沿って内部導
体７、８、９、１０および１１が形成されるともに、特
定のセラミック層２を貫通するようにバイアホール導体
１２、１３、１４、１５および１６が形成されている。
また、セラミック多層基板１の外表面上であって、表面
導体３および４間を接続するように、抵抗体１７が形成
されている。
【００３４】上述の表面導体３〜６、内部導体７〜１１
ならびにビアホール導体１２〜１６は、これらを形成す
るための金属ペーストを前述のセラミック積層体に予め
付与しておき、このセラミック積層体と同時焼成するこ
とによって形成されたものである。この場合、好ましく
は、金属ペーストとしては、卑金属ペーストが用いら
れ、焼成において、中性または還元性雰囲気が適用され
る。
ならびにビアホール導体１２〜１６は、これらを形成す
るための金属ペーストを前述のセラミック積層体に予め
付与しておき、このセラミック積層体と同時焼成するこ
とによって形成されたものである。この場合、好ましく
は、金属ペーストとしては、卑金属ペーストが用いら
れ、焼成において、中性または還元性雰囲気が適用され
る。
【００３５】また、抵抗体１７は、前述したようなこの
発明に係る抵抗ペーストを、焼成後の表面導体３および
４間を接続するように付与し、中性または還元性雰囲気
中で焼き付けることによって形成される。
発明に係る抵抗ペーストを、焼成後の表面導体３および
４間を接続するように付与し、中性または還元性雰囲気
中で焼き付けることによって形成される。
【００３６】なお、図１に示したセラミック多層基板１
の構造、より特定的には、電気的要素および電気的接続
態様等は、この発明が適用され得るセラミック多層基板
の一例にすぎないことを指摘しておく。
の構造、より特定的には、電気的要素および電気的接続
態様等は、この発明が適用され得るセラミック多層基板
の一例にすぎないことを指摘しておく。
【００３７】
【実施例】まず、以下の要領により、電極を形成した基
板を作製した。
板を作製した。
【００３８】ＢａＯ、ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＣａＯ、
およびＢ2 Ｏ3 をそれぞれ用意し、これらを、重量比で
３０：６０：５：２：３の割合で配合し、これを粉砕混
合した後、８５０〜９５０℃の温度で仮焼し、さらに粉
砕した。そして、得られた粉体に有機バインダを加え
て、ドクターブレード法により、厚さ１２８μｍのシー
トを成形した。次いで、所定の大きさに切断したこのシ
ートに銅ペーストをスクリーン印刷し、乾燥した後、圧
着成形し、基材を得た。次に、この基材を、窒素をキャ
リアガスとし、酸素および水素を微量含有させた窒素−
水蒸気雰囲気（Ｎ 2 が９９．７〜９９．８％）中、８５
０〜１０００℃の条件で、電気炉により、仮焼および本
焼を行ない、銅電極を形成した基板を得た。
およびＢ2 Ｏ3 をそれぞれ用意し、これらを、重量比で
３０：６０：５：２：３の割合で配合し、これを粉砕混
合した後、８５０〜９５０℃の温度で仮焼し、さらに粉
砕した。そして、得られた粉体に有機バインダを加え
て、ドクターブレード法により、厚さ１２８μｍのシー
トを成形した。次いで、所定の大きさに切断したこのシ
ートに銅ペーストをスクリーン印刷し、乾燥した後、圧
着成形し、基材を得た。次に、この基材を、窒素をキャ
リアガスとし、酸素および水素を微量含有させた窒素−
水蒸気雰囲気（Ｎ 2 が９９．７〜９９．８％）中、８５
０〜１０００℃の条件で、電気炉により、仮焼および本
焼を行ない、銅電極を形成した基板を得た。
【００３９】他方、以下のような手順で、Ｎｂx Ｌａ
1-x Ｂ6-4x（ｘ＝０．１〜０．９）の組成を有する導電
材料と非還元性ガラスフリットとを作製した後、所要の
添加剤および有機ビヒクルを加えて、抵抗ペーストを作
製した。
1-x Ｂ6-4x（ｘ＝０．１〜０．９）の組成を有する導電
材料と非還元性ガラスフリットとを作製した後、所要の
添加剤および有機ビヒクルを加えて、抵抗ペーストを作
製した。
【００４０】まず、導電材料の出発原料である粉末状の
ＮｂＢ2 とＬａＢ6 とを用意し、これらをＮｂx Ｌａ
1-x Ｂ6-4x（ｘ＝０．１〜０．９）の組成となるように
秤量して混合した後、るつぼに入れ、ピーク温度が１０
００℃に設定された窒素（Ｎ2）雰囲気中で２時間以上
焼成することにより、ＮｂＢ2 にＬａＢ6 を固溶させた
状態の合成物を作製した。なお、このときの昇温速度
は、１分間当たり３℃となるように設定した。そして、
得られた合成物を、振動ミルを用いて、平均粒径が０．
５μｍとなるまで粉砕した上で乾燥させることにより、
Ｎｂx Ｌａ1-x Ｂ6- 4x（ｘ＝０．１〜０．９）の組成を
有する導電材料を得た。
ＮｂＢ2 とＬａＢ6 とを用意し、これらをＮｂx Ｌａ
1-x Ｂ6-4x（ｘ＝０．１〜０．９）の組成となるように
秤量して混合した後、るつぼに入れ、ピーク温度が１０
００℃に設定された窒素（Ｎ2）雰囲気中で２時間以上
焼成することにより、ＮｂＢ2 にＬａＢ6 を固溶させた
状態の合成物を作製した。なお、このときの昇温速度
は、１分間当たり３℃となるように設定した。そして、
得られた合成物を、振動ミルを用いて、平均粒径が０．
５μｍとなるまで粉砕した上で乾燥させることにより、
Ｎｂx Ｌａ1-x Ｂ6- 4x（ｘ＝０．１〜０．９）の組成を
有する導電材料を得た。
【００４１】また、導電材料とは別に、非還元性ガラス
フリットの出発原料であるＢ2 Ｏ3、ＳｉＯ2 、Ｂａ
Ｏ、ＣａＯ、Ｎｂ2 Ｏ5 、およびＫ2 Ｏをそれぞれ用意
し、これら各々を３５．５６：３１．２４：１７．７
８：１０．０４：２．４１：２．９７のモル比で混合し
た後、得られた混合物を１３００℃ないし１４００℃の
温度下で溶融することによって溶融ガラスを作製した。
さらに、この溶融ガラスを純水中で急冷した後、振動ミ
ルを用いて、平均粒径が２μｍとなるまで粉砕すること
により、非還元性ガラスフリットを得た。
フリットの出発原料であるＢ2 Ｏ3、ＳｉＯ2 、Ｂａ
Ｏ、ＣａＯ、Ｎｂ2 Ｏ5 、およびＫ2 Ｏをそれぞれ用意
し、これら各々を３５．５６：３１．２４：１７．７
８：１０．０４：２．４１：２．９７のモル比で混合し
た後、得られた混合物を１３００℃ないし１４００℃の
温度下で溶融することによって溶融ガラスを作製した。
さらに、この溶融ガラスを純水中で急冷した後、振動ミ
ルを用いて、平均粒径が２μｍとなるまで粉砕すること
により、非還元性ガラスフリットを得た。
【００４２】さらに、気相合成法で作られた各平均粒径
が０．５μｍ以下である、ＡｌＮ（０．２〜０．３μ
ｍ）を第１添加剤、ＳｉＯ2 （０．２μｍ）を第２添加
剤として用意した。また、粒径に関する比較例として、
各平均粒径が１μｍ前後である、ＡｌＮおよびＳｉＯ2
を用意した。これらを、表１に示すように、Ｎｂx Ｌａ
1-x Ｂ6-4x系の導電材料と非還元性ガラスフリットとの
混合物に対して、添加することによって、混合物を得
た。
が０．５μｍ以下である、ＡｌＮ（０．２〜０．３μ
ｍ）を第１添加剤、ＳｉＯ2 （０．２μｍ）を第２添加
剤として用意した。また、粒径に関する比較例として、
各平均粒径が１μｍ前後である、ＡｌＮおよびＳｉＯ2
を用意した。これらを、表１に示すように、Ｎｂx Ｌａ
1-x Ｂ6-4x系の導電材料と非還元性ガラスフリットとの
混合物に対して、添加することによって、混合物を得
た。
【００４３】なお、表１中のパラメータであるｘは、Ｎ
ｂx Ｌａ1-x Ｂ6-4x系の導電材料における組成割合を示
している。また、表１において、試料２１は、前述のよ
うに、比較例として用意された平均粒径が１μｍ前後で
あるＡｌＮを用いたものであり、試料２２は、平均粒径
が１μｍ前後であるＳｉＯ2 を用いたものである。
ｂx Ｌａ1-x Ｂ6-4x系の導電材料における組成割合を示
している。また、表１において、試料２１は、前述のよ
うに、比較例として用意された平均粒径が１μｍ前後で
あるＡｌＮを用いたものであり、試料２２は、平均粒径
が１μｍ前後であるＳｉＯ2 を用いたものである。
【００４４】
【表１】
【００４５】以上のようにして得られた混合物に対し、
アクリル樹脂をα−テルピネオールに溶解した有機ビヒ
クルを加えた後、混練することによって、抵抗ペースト
を得た。
アクリル樹脂をα−テルピネオールに溶解した有機ビヒ
クルを加えた後、混練することによって、抵抗ペースト
を得た。
【００４６】得られた各抵抗ペーストを、先に、銅電極
を形成した低温焼結基板上の電極間に、長さ１．０mm、
幅１．０mm、乾燥膜厚２０μｍをもって、スクリーン印
刷した後、１５０℃の温度で１０分間にわたって乾燥さ
せた。その後、Ｎ2 雰囲気としたトンネル炉にて、ピー
ク温度９００℃で１０分間保持して焼付けを行ない、そ
れによって抵抗体を形成した試料を得た。
を形成した低温焼結基板上の電極間に、長さ１．０mm、
幅１．０mm、乾燥膜厚２０μｍをもって、スクリーン印
刷した後、１５０℃の温度で１０分間にわたって乾燥さ
せた。その後、Ｎ2 雰囲気としたトンネル炉にて、ピー
ク温度９００℃で１０分間保持して焼付けを行ない、そ
れによって抵抗体を形成した試料を得た。
【００４７】次に、得られた各試料について、面積抵抗
値（１．０×１．０mm□）およびＴＣＲ（Ｃｏｌｄ／Ｔ
ＣＲ：２５〜−５５℃間、Ｈｏｔ／ＴＣＲ：２５〜１５
０℃間）を測定した。その結果を表２に示す。
値（１．０×１．０mm□）およびＴＣＲ（Ｃｏｌｄ／Ｔ
ＣＲ：２５〜−５５℃間、Ｈｏｔ／ＴＣＲ：２５〜１５
０℃間）を測定した。その結果を表２に示す。
【００４８】
【表２】
【００４９】なお、表２および前掲の表１において、＊
を付した試料は、この発明における好ましい範囲外の比
較例であり、それ以外は、すべて、この発明における好
ましい範囲内の実施例である。
を付した試料は、この発明における好ましい範囲外の比
較例であり、それ以外は、すべて、この発明における好
ましい範囲内の実施例である。
【００５０】図２は、表２に示した各試料の面積抵抗値
とＴＣＲとの関係を示したものである。ＴＣＲは、Ｃｏ
ｌｄ／Ｈｏｔいずれか絶対値の大きい方の値をプロット
している。図２において、○は、添加剤を添加していな
い試料に相当し、△は、その他のこの発明における好ま
しい範囲外の試料に相当し、●は、この発明における好
ましい範囲内の試料に相当している。
とＴＣＲとの関係を示したものである。ＴＣＲは、Ｃｏ
ｌｄ／Ｈｏｔいずれか絶対値の大きい方の値をプロット
している。図２において、○は、添加剤を添加していな
い試料に相当し、△は、その他のこの発明における好ま
しい範囲外の試料に相当し、●は、この発明における好
ましい範囲内の試料に相当している。
【００５１】表１、表２および図２に示すように、平均
粒径が０．５μｍ以下の窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、
および平均粒径が０．５μｍ以下の酸化珪素（Ｓｉ
Ｏ2 ）を、それぞれ、この発明における好ましい範囲内
で添加した実施例に係る試料では、比較例である、いず
れの添加剤も添加していない試料に比べて、ＴＣＲが上
方に位置しており、同レベルの抵抗値で比較しても、そ
のＴＣＲは、±０ｐｐｍ／℃に近づいている。
粒径が０．５μｍ以下の窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、
および平均粒径が０．５μｍ以下の酸化珪素（Ｓｉ
Ｏ2 ）を、それぞれ、この発明における好ましい範囲内
で添加した実施例に係る試料では、比較例である、いず
れの添加剤も添加していない試料に比べて、ＴＣＲが上
方に位置しており、同レベルの抵抗値で比較しても、そ
のＴＣＲは、±０ｐｐｍ／℃に近づいている。
【００５２】このように、この発明における好ましい範
囲内にある試料では、±１５０ｐｐｍ／℃以内に入り、
このように、±１５０ｐｐｍ／℃以内に入っているの
は、この発明における好ましい範囲にある試料のみであ
り、この好ましい範囲を外れている試料では、抵抗値の
増大、ＴＣＲの著しい劣化、また、抵抗値あるいはＴＣ
Ｒの再現性およびばらつきの劣化が認められ、安定に高
い面積抵抗値領域を得ることができない。
囲内にある試料では、±１５０ｐｐｍ／℃以内に入り、
このように、±１５０ｐｐｍ／℃以内に入っているの
は、この発明における好ましい範囲にある試料のみであ
り、この好ましい範囲を外れている試料では、抵抗値の
増大、ＴＣＲの著しい劣化、また、抵抗値あるいはＴＣ
Ｒの再現性およびばらつきの劣化が認められ、安定に高
い面積抵抗値領域を得ることができない。
【００５３】また、試料２１および２２のように、Ａｌ
ＮおよびＳｉＯ2 の平均粒径が１μｍ前後のものを使用
した場合には、平均粒径が０．５μｍ以下のＡｌＮおよ
びＳｉＯ2 を使用した場合において奏された、高い抵抗
値およびＴＣＲのマイナスからプラス方向へシフトさせ
る効果を得ることができない。
ＮおよびＳｉＯ2 の平均粒径が１μｍ前後のものを使用
した場合には、平均粒径が０．５μｍ以下のＡｌＮおよ
びＳｉＯ2 を使用した場合において奏された、高い抵抗
値およびＴＣＲのマイナスからプラス方向へシフトさせ
る効果を得ることができない。
【００５４】これらの結果から、添加剤に関して、導電
材料と非還元性ガラスフリットとの合計量１００重量部
に対して、平均粒径が０．５μｍ以下の窒化アルミニウ
ム（ＡｌＮ）が５〜１５重量部、および平均粒径が０．
５μｍ以下の酸化珪素（ＳｉＯ2 ）が１〜５重量部であ
るものが、特に好ましいことがわかる。
材料と非還元性ガラスフリットとの合計量１００重量部
に対して、平均粒径が０．５μｍ以下の窒化アルミニウ
ム（ＡｌＮ）が５〜１５重量部、および平均粒径が０．
５μｍ以下の酸化珪素（ＳｉＯ2 ）が１〜５重量部であ
るものが、特に好ましいことがわかる。
【００５５】なお、この実施例では、導電材料の組成比
に関して、ｘ＝０．５、０．７５であったが、組成比は
これらに限定されるものではない。
に関して、ｘ＝０．５、０．７５であったが、組成比は
これらに限定されるものではない。
【００５６】また、非還元性ガラスフリットの成分およ
び組成比についても、実施例で用いられたものに限定さ
れるものではなく、他の種々の材料または組成比を備え
る非還元性ガラスフリットを用いることもできる。
び組成比についても、実施例で用いられたものに限定さ
れるものではなく、他の種々の材料または組成比を備え
る非還元性ガラスフリットを用いることもできる。
【００５７】また、抵抗体を形成する対象である基板
は、実施例に示した低温焼結基板に限定されるものでは
なく、他の種々の材料からなる基板に抵抗体を形成する
場合にも、この発明を適用することができる。
は、実施例に示した低温焼結基板に限定されるものでは
なく、他の種々の材料からなる基板に抵抗体を形成する
場合にも、この発明を適用することができる。
【００５８】この発明は、さらに、その他の点において
も、実施例に限定されるものではなく、材料、組成、焼
付け条件、雰囲気条件などに関し、この発明の趣旨を逸
脱しない範囲で、種々の応用、変形を加えることが可能
である。
も、実施例に限定されるものではなく、材料、組成、焼
付け条件、雰囲気条件などに関し、この発明の趣旨を逸
脱しない範囲で、種々の応用、変形を加えることが可能
である。
【００５９】
【発明の効果】以上のように、この発明に係る抵抗材
料、これを用いた抵抗ペーストおよび抵抗体、ならびに
この抵抗体を備えるセラミック多層基板によれば、抵抗
材料が、導電材料と添加剤とを含有し、導電材料とし
て、一般式：Ｎｂx Ｌａ1-x Ｂ6-4x（ｘ＝０．１〜０．
９）で表される導電材料を含有し、添加剤として、平均
粒径が０．５μｍ以下の窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、
および平均粒径が０．５μｍ以下の酸化珪素（Ｓｉ
Ｏ2 ）を含有しているので、この抵抗材料を含む抵抗ペ
ーストを焼き付けて形成した抵抗体において、その面積
抵抗値が低い領域（１０ｋΩ／□以上）におけるＴＣＲ
をマイナスからプラス方向へシフトさせ、ＴＣＲの絶対
値を０に近づけることが可能となり、かつ安定に高い抵
抗値が得られ、それゆえ、中性または還元性雰囲気中で
焼き付けられる抵抗ペーストに実用上必要とされるＴＣ
Ｒを十分満たすような調整が可能となる。
料、これを用いた抵抗ペーストおよび抵抗体、ならびに
この抵抗体を備えるセラミック多層基板によれば、抵抗
材料が、導電材料と添加剤とを含有し、導電材料とし
て、一般式：Ｎｂx Ｌａ1-x Ｂ6-4x（ｘ＝０．１〜０．
９）で表される導電材料を含有し、添加剤として、平均
粒径が０．５μｍ以下の窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、
および平均粒径が０．５μｍ以下の酸化珪素（Ｓｉ
Ｏ2 ）を含有しているので、この抵抗材料を含む抵抗ペ
ーストを焼き付けて形成した抵抗体において、その面積
抵抗値が低い領域（１０ｋΩ／□以上）におけるＴＣＲ
をマイナスからプラス方向へシフトさせ、ＴＣＲの絶対
値を０に近づけることが可能となり、かつ安定に高い抵
抗値が得られ、それゆえ、中性または還元性雰囲気中で
焼き付けられる抵抗ペーストに実用上必要とされるＴＣ
Ｒを十分満たすような調整が可能となる。
【００６０】この発明において、導電材料および非還元
性ガラスフリットの合計量１００重量部に対する、上述
した添加剤の添加量が、平均粒径が０．５μｍ以下の窒
化アルミニウム（ＡｌＮ）が５〜１５重量部、および平
均粒径が０．５μｍ以下の酸化珪素（ＳｉＯ2 ）が１〜
５重量部とそれぞれなるように選ばれると、上述した効
果がより確実に達成される。
性ガラスフリットの合計量１００重量部に対する、上述
した添加剤の添加量が、平均粒径が０．５μｍ以下の窒
化アルミニウム（ＡｌＮ）が５〜１５重量部、および平
均粒径が０．５μｍ以下の酸化珪素（ＳｉＯ2 ）が１〜
５重量部とそれぞれなるように選ばれると、上述した効
果がより確実に達成される。
【００６１】また、この発明において、導電材料／非還
元性ガラスフリットの配合割合が、７０〜１０重量部／
３０〜９０重量部の範囲にあるように選ばれると、基板
への密着性を優れたものとし、かつ、ガラス成分の流れ
出しのない抵抗ペーストを得ることができるようにな
る。
元性ガラスフリットの配合割合が、７０〜１０重量部／
３０〜９０重量部の範囲にあるように選ばれると、基板
への密着性を優れたものとし、かつ、ガラス成分の流れ
出しのない抵抗ペーストを得ることができるようにな
る。
【図１】この発明の一実施形態によるセラミック多層基
板１を図解的に示す断面図である。
板１を図解的に示す断面図である。
【図２】この発明に係る実施例および比較例の面積抵抗
値とＴＣＲとの関係を示す図である。
値とＴＣＲとの関係を示す図である。
１ セラミック多層基板
１７ 抵抗体
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01C 7/00
C09D 5/24
Claims (7)
- 【請求項１】 導電材料と添加剤とを含有し、前記導電
材料として、一般式：Ｎｂx Ｌａ1-x Ｂ6-4x（ｘ＝０．
１〜０．９）で表される導電材料を含有し、前記添加剤
として、平均粒径が０．５μｍ以下の窒化アルミニウム
（ＡｌＮ）、および平均粒径が０．５μｍ以下の酸化珪
素（ＳｉＯ2 ）を含有することを特徴とする、抵抗材
料。 - 【請求項２】 一般式：Ｎｂx Ｌａ1-x Ｂ6-4x（ｘ＝
０．１〜０．９）で表される導電材料と非還元性ガラス
フリットと添加剤とを含有し、前記添加剤として、前記
導電材料および前記非還元性ガラスフリットの合計量１
００重量部に対して、平均粒径が０．５μｍ以下の窒化
アルミニウム（ＡｌＮ）が５〜１５重量部、および平均
粒径が０．５μｍ以下の酸化珪素（ＳｉＯ2 ）が１〜５
重量部、それぞれ、含有することを特徴とする、抵抗材
料。 - 【請求項３】 前記導電材料／前記非還元性ガラスフリ
ットの配合割合が、７０〜１０重量部／３０〜９０重量
部の範囲にあることを特徴とする、請求項２に記載の抵
抗材料。 - 【請求項４】 請求項２または３に記載の抵抗材料に有
機ビヒクルを添加し、混練して得られたことを特徴とす
る、抵抗ペースト。 - 【請求項５】 ＢａＯが１５〜７５重量％、ＳｉＯ2 が
２５〜８０重量％、Ａｌ2 Ｏ3 が３０重量％以下、Ｂ2
Ｏ3 が１．５〜５重量％、ＣａＯが１．５〜５重量％、
それぞれ、含有する組成を有する低温焼結基板上に抵抗
体を形成するために用いられることを特徴とする、請求
項４に記載の抵抗ペースト。 - 【請求項６】 請求項４または５に記載の抵抗ペースト
を塗布し、焼き付けることによって形成された、抵抗
体。 - 【請求項７】 請求項６に記載の抵抗体を備える、セラ
ミック多層基板。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01815699A JP3538700B2 (ja) | 1998-02-23 | 1999-01-27 | 抵抗材料、これを用いた抵抗ペーストおよび抵抗体、ならびにセラミック多層基板 |
| DE69942865T DE69942865D1 (de) | 1998-02-23 | 1999-02-19 | Widerstandsmaterial, Widerstandspaste und Widerstand aus diesem Material und keramische Mehrschichtstruktur |
| DE69934925T DE69934925T2 (de) | 1998-02-23 | 1999-02-19 | Widerstandsmaterial, Widerstandspaste und Widerstand aus diesem Material und Keramisches Mehrschichtsubstrat |
| EP06001125A EP1655743B1 (en) | 1998-02-23 | 1999-02-19 | Resistor material, resistive paste and resistor using the resistor material, and multi-layered ceramic substrate |
| EP06001124A EP1655742B1 (en) | 1998-02-23 | 1999-02-19 | Resistor material, resistive paste and resistor using the resistor material, and multi-layered ceramic substrate |
| DE69942780T DE69942780D1 (de) | 1998-02-23 | 1999-02-19 | Widerstandsmaterial, Widerstandspaste und Widerstand aus diesem Material und keramische Mehrschichtstruktur |
| EP99103210A EP0938104B1 (en) | 1998-02-23 | 1999-02-19 | Resistor material, resistive paste and resistor using the resistor material, and multi-layered ceramic substrate |
| US09/253,990 US6190790B1 (en) | 1998-02-23 | 1999-02-22 | Resistor material, resistive paste and resistor using the resistor material, and multi-layered ceramic substrate |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10-40212 | 1998-02-23 | ||
| JP4021298 | 1998-02-23 | ||
| JP01815699A JP3538700B2 (ja) | 1998-02-23 | 1999-01-27 | 抵抗材料、これを用いた抵抗ペーストおよび抵抗体、ならびにセラミック多層基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11307307A JPH11307307A (ja) | 1999-11-05 |
| JP3538700B2 true JP3538700B2 (ja) | 2004-06-14 |
Family
ID=26354801
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01815699A Expired - Fee Related JP3538700B2 (ja) | 1998-02-23 | 1999-01-27 | 抵抗材料、これを用いた抵抗ペーストおよび抵抗体、ならびにセラミック多層基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3538700B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE20023051U1 (de) | 1999-12-16 | 2003-01-09 | Epcos Ag | Piezoelektrisches Bauelement |
-
1999
- 1999-01-27 JP JP01815699A patent/JP3538700B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11307307A (ja) | 1999-11-05 |
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