JPH1051088A - セラミック配線基板およびその製造方法 - Google Patents
セラミック配線基板およびその製造方法Info
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- JPH1051088A JPH1051088A JP9074550A JP7455097A JPH1051088A JP H1051088 A JPH1051088 A JP H1051088A JP 9074550 A JP9074550 A JP 9074550A JP 7455097 A JP7455097 A JP 7455097A JP H1051088 A JPH1051088 A JP H1051088A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕなどの低融点金属を配線材料
とする低温焼成のセラミック配線基板において、配線材
料とセラミック材料との焼成時の収縮挙動を接近したも
のとし、配線基板の反りや変形を少なくすること。 【解決手段】Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｐｔのうちの少なくと
も１種からなる導電用金属：１００重量部に対し、Ｗお
よびまたはＭｏの化合物を金属換算で３〜５重量部と、
ガラス組成物：１〜１０重量部とを含有するメタライズ
部を有することを特徴とするセラミック配線基板とす
る。Ｗの化合物がＷＯ3およびまたはＷＳｉ2を含有する
ものであること。Ｍｏの化合物がＭｏＳｉ2を含有する
ものであること。
とする低温焼成のセラミック配線基板において、配線材
料とセラミック材料との焼成時の収縮挙動を接近したも
のとし、配線基板の反りや変形を少なくすること。 【解決手段】Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｐｔのうちの少なくと
も１種からなる導電用金属：１００重量部に対し、Ｗお
よびまたはＭｏの化合物を金属換算で３〜５重量部と、
ガラス組成物：１〜１０重量部とを含有するメタライズ
部を有することを特徴とするセラミック配線基板とす
る。Ｗの化合物がＷＯ3およびまたはＷＳｉ2を含有する
ものであること。Ｍｏの化合物がＭｏＳｉ2を含有する
ものであること。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、低温焼成のセラミ
ック配線基板およびその製造方法に関する。特にＡｇ、
Ｐｄ、Ａｕなどの低融点金属や、それら低融点金属とＰ
ｔとの混合物が配線材料としてメタライズされた低温焼
成のガラスセラミック配線基板に関する。
ック配線基板およびその製造方法に関する。特にＡｇ、
Ｐｄ、Ａｕなどの低融点金属や、それら低融点金属とＰ
ｔとの混合物が配線材料としてメタライズされた低温焼
成のガラスセラミック配線基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＬＳＩなどの半導体素子を実装す
る基板として、アルミナ系セラミックを絶縁材料とする
配線基板が使用されてきた。しかし、アルミナ系セラミ
ック材料の焼成温度が高く、同時焼成が可能な配線材料
としては高融点金属であるＷ、Ｍｏ等が使われるため、
導通抵抗が１０〜２０ｍΩ／□（ｍΩ／ｍｍ2）と高く
なる問題を有していた。そこで、Ａｇ、Ａｕなどの低抵
抗な配線材料と、それらと同時焼成可能な低温焼成絶縁
材料としてガラスあるいはガラスセラミックとを用いる
配線基板が使用されるようになってきた。特にガラスセ
ラミック配線基板は、８００〜１１００℃程度の低温で
焼成可能であり、かつセラミックの結晶相を構成成分と
して含有するため、機械的強度にも優れており、最近注
目されている。
る基板として、アルミナ系セラミックを絶縁材料とする
配線基板が使用されてきた。しかし、アルミナ系セラミ
ック材料の焼成温度が高く、同時焼成が可能な配線材料
としては高融点金属であるＷ、Ｍｏ等が使われるため、
導通抵抗が１０〜２０ｍΩ／□（ｍΩ／ｍｍ2）と高く
なる問題を有していた。そこで、Ａｇ、Ａｕなどの低抵
抗な配線材料と、それらと同時焼成可能な低温焼成絶縁
材料としてガラスあるいはガラスセラミックとを用いる
配線基板が使用されるようになってきた。特にガラスセ
ラミック配線基板は、８００〜１１００℃程度の低温で
焼成可能であり、かつセラミックの結晶相を構成成分と
して含有するため、機械的強度にも優れており、最近注
目されている。
【０００３】ところで、このような配線基板に用いられ
るＡｇ、ＡｕあるいはそれらにＰｄ、Ｐｔ等を添加ある
いは混合してなるメタライズ組成物は、焼結開始温度が
６００〜７００℃程度となるものが多い。一方、ガラス
セラミックは軟化点が７００〜９００℃程度である。こ
こで、メタライズの焼結開始温度とガラスセラミックの
焼結開始温度が大きく異なる場合、焼成時にまずメタラ
イズ組成物のみが収縮を開始するため、収縮の開始が高
温で始まるガラスセラミックとの収縮差が生じる。その
結果、配線基板に反りや変形を生じて所望とする寸法、
形状のものが得られないことがある。その対策として、
メタライズ組成物としてガラスセラミックと同程度ある
いはそれ以上の軟化点を有するガラス成分を添加する方
法が考えられるが、メタライズ組成物の焼結開始温度を
大幅に高くするには至らない。その他、焼成時において
配線基板上に平坦な面を有するアルミナ等のセラミック
板を乗せ、強制的に反りを抑える方法があるが、大きな
サイズの配線基板では、均一な収縮が達成できないとい
う問題や、配線基板がセラミック板に付着するという問
題が発生する恐れがある。
るＡｇ、ＡｕあるいはそれらにＰｄ、Ｐｔ等を添加ある
いは混合してなるメタライズ組成物は、焼結開始温度が
６００〜７００℃程度となるものが多い。一方、ガラス
セラミックは軟化点が７００〜９００℃程度である。こ
こで、メタライズの焼結開始温度とガラスセラミックの
焼結開始温度が大きく異なる場合、焼成時にまずメタラ
イズ組成物のみが収縮を開始するため、収縮の開始が高
温で始まるガラスセラミックとの収縮差が生じる。その
結果、配線基板に反りや変形を生じて所望とする寸法、
形状のものが得られないことがある。その対策として、
メタライズ組成物としてガラスセラミックと同程度ある
いはそれ以上の軟化点を有するガラス成分を添加する方
法が考えられるが、メタライズ組成物の焼結開始温度を
大幅に高くするには至らない。その他、焼成時において
配線基板上に平坦な面を有するアルミナ等のセラミック
板を乗せ、強制的に反りを抑える方法があるが、大きな
サイズの配線基板では、均一な収縮が達成できないとい
う問題や、配線基板がセラミック板に付着するという問
題が発生する恐れがある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】すなわち本発明は、Ａ
ｇ、Ｐｄ、Ａｕなどの低融点金属や、それら低融点金属
とＰｔとの混合物が配線材料としてメタライズされた低
温焼成のガラスセラミック配線基板板において、配線材
料とセラミック材料との焼成時の収縮挙動を接近したも
のとし、配線基板の反りや変形を少なくすることを課題
とする。
ｇ、Ｐｄ、Ａｕなどの低融点金属や、それら低融点金属
とＰｔとの混合物が配線材料としてメタライズされた低
温焼成のガラスセラミック配線基板板において、配線材
料とセラミック材料との焼成時の収縮挙動を接近したも
のとし、配線基板の反りや変形を少なくすることを課題
とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の請求項１の発明は、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｐｔのうちの
少なくとも１種からなる導電用金属：１００重量部に対
し、ＷおよびまたはＭｏの化合物を金属Ｗまたは金属Ｍ
ｏに換算して３〜５重量部と、ガラス組成物：１〜１０
重量部とを含有するメタライズ部を有することを特徴と
するセラミック配線基板を要旨とする。
の請求項１の発明は、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｐｔのうちの
少なくとも１種からなる導電用金属：１００重量部に対
し、ＷおよびまたはＭｏの化合物を金属Ｗまたは金属Ｍ
ｏに換算して３〜５重量部と、ガラス組成物：１〜１０
重量部とを含有するメタライズ部を有することを特徴と
するセラミック配線基板を要旨とする。
【０００６】請求項２の発明は、上記ＷおよびまたはＭ
ｏの化合物が、金属Ｗまたは金属Ｍｏに換算して３．２
５〜５重量部であることを特徴とする請求項１に記載の
セラミック配線基板を要旨とする。
ｏの化合物が、金属Ｗまたは金属Ｍｏに換算して３．２
５〜５重量部であることを特徴とする請求項１に記載の
セラミック配線基板を要旨とする。
【０００７】請求項３の発明は、上記Ｗの化合物が、Ｗ
Ｏ3およびまたはＷＳｉ2を含有するものであることを特
徴とする請求項１、２に記載のセラミック配線基板を要
旨とする。
Ｏ3およびまたはＷＳｉ2を含有するものであることを特
徴とする請求項１、２に記載のセラミック配線基板を要
旨とする。
【０００８】請求項４の発明は、上記Ｍｏの化合物がＭ
ｏＳｉ2を含有するものであることを特徴とする請求項
１〜２のいずれか１つに記載のセラミック配線基板を要
旨とする。
ｏＳｉ2を含有するものであることを特徴とする請求項
１〜２のいずれか１つに記載のセラミック配線基板を要
旨とする。
【０００９】請求項５の発明は、絶縁材料がガラスセラ
ミックであることを特徴とする請求項１〜４のいずれか
１つに記載のセラミック配線基板を要旨とする。
ミックであることを特徴とする請求項１〜４のいずれか
１つに記載のセラミック配線基板を要旨とする。
【００１０】請求項６の発明は、上記ガラス組成物がホ
ウケイ酸ガラスまたはアルミノホウケイ酸ガラスである
ことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載の
セラミック配線基板を要旨とする。
ウケイ酸ガラスまたはアルミノホウケイ酸ガラスである
ことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載の
セラミック配線基板を要旨とする。
【００１１】請求項７の発明は、上記ガラス組成物が焼
成によりガラスセラミックとなるものであることを特徴
とする請求項１〜５のいずれか１つに記載のセラミック
配線基板を要旨とする。
成によりガラスセラミックとなるものであることを特徴
とする請求項１〜５のいずれか１つに記載のセラミック
配線基板を要旨とする。
【００１２】請求項８の発明は、少なくともＡｇを含む
導電用金属：１００重量部に対し、ＷおよびまたはＭｏ
の化合物を金属Ｗまたは金属Ｍｏに換算して３〜５重量
部と、ガラス組成物：１〜１０重量部とを含有するメタ
ライズ部を有することを特徴とするセラミック配線基板
を要旨とする。
導電用金属：１００重量部に対し、ＷおよびまたはＭｏ
の化合物を金属Ｗまたは金属Ｍｏに換算して３〜５重量
部と、ガラス組成物：１〜１０重量部とを含有するメタ
ライズ部を有することを特徴とするセラミック配線基板
を要旨とする。
【００１３】請求項９の発明は、上記ＷおよびまたはＭ
ｏの化合物として、Ａｇ2ＷＯ4、Ａｇ2ＭｏＯ4から選ば
れる少なくとも１つの化合物を含有することを特徴とす
る請求項８に記載のセラミック配線基板を要旨とする。
ｏの化合物として、Ａｇ2ＷＯ4、Ａｇ2ＭｏＯ4から選ば
れる少なくとも１つの化合物を含有することを特徴とす
る請求項８に記載のセラミック配線基板を要旨とする。
【００１４】請求項１０の発明は、絶縁材料がガラスセ
ラミックであることを特徴とする請求項８、９のいずれ
か１つに記載のセラミック配線基板を要旨とする。
ラミックであることを特徴とする請求項８、９のいずれ
か１つに記載のセラミック配線基板を要旨とする。
【００１５】請求項１１の発明は、上記ガラス組成物が
ホウケイ酸ガラスまたはアルミノホウケイ酸ガラスであ
ることを特徴とする請求項８〜１０のいずれか１つに記
載のセラミック配線基板を要旨とする。
ホウケイ酸ガラスまたはアルミノホウケイ酸ガラスであ
ることを特徴とする請求項８〜１０のいずれか１つに記
載のセラミック配線基板を要旨とする。
【００１６】請求項１２の発明は、上記ガラス組成物が
焼成によりガラスセラミックとなるものであることを特
徴とする請求項８〜１０のいずれか１つに記載のセラミ
ック配線基板を要旨とする。
焼成によりガラスセラミックとなるものであることを特
徴とする請求項８〜１０のいずれか１つに記載のセラミ
ック配線基板を要旨とする。
【００１７】請求項１３の発明は、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕ、
Ｐｔのうちの少なくとも１種からなる導電用金属粉末：
１００重量部に対し、ＷおよびまたはＭｏの金属粉末も
しくはＷおよびまたはＭｏの化合物粉末から選ばれる少
なくとも１種を金属Ｗまたは金属Ｍｏに換算して３〜５
重量部と、ガラス粉末：１〜１０重量部とを含有するメ
タライズぺ−ストをセラミックグリ−ンシ−トに印刷ま
たは塗布し、焼成することを特徴とするセラミック配線
基板の製造方法を要旨とする。
Ｐｔのうちの少なくとも１種からなる導電用金属粉末：
１００重量部に対し、ＷおよびまたはＭｏの金属粉末も
しくはＷおよびまたはＭｏの化合物粉末から選ばれる少
なくとも１種を金属Ｗまたは金属Ｍｏに換算して３〜５
重量部と、ガラス粉末：１〜１０重量部とを含有するメ
タライズぺ−ストをセラミックグリ−ンシ−トに印刷ま
たは塗布し、焼成することを特徴とするセラミック配線
基板の製造方法を要旨とする。
【００１８】請求項１４の発明は、焼成によりガラスセ
ラミックとなるセラミックグリ−ンシ−トを用いること
を特徴とする請求項１３に記載のセラミック配線基板の
製造方法を要旨とする。
ラミックとなるセラミックグリ−ンシ−トを用いること
を特徴とする請求項１３に記載のセラミック配線基板の
製造方法を要旨とする。
【００１９】請求項１５の発明は、上記ガラス組成物が
ホウケイ酸ガラスまたはアルミノホウケイ酸ガラスであ
ることを特徴とする請求項１３、１４のいずれか１つに
記載のセラミック配線基板の製造方法を要旨とする。
ホウケイ酸ガラスまたはアルミノホウケイ酸ガラスであ
ることを特徴とする請求項１３、１４のいずれか１つに
記載のセラミック配線基板の製造方法を要旨とする。
【００２０】請求項１６の発明は、上記ガラス組成物が
焼成によりガラスセラミックとなるものであることを特
徴とする請求項１３、１４のいずれか１つに記載のセラ
ミック配線基板の製造方法を要旨とする。
焼成によりガラスセラミックとなるものであることを特
徴とする請求項１３、１４のいずれか１つに記載のセラ
ミック配線基板の製造方法を要旨とする。
【００２１】ここで、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｐｔのうちの
少なくとも１種からなる導電用金属とは、Ａｇ、Ｐｄ、
Ａｕ、Ｐｔの単体からなるものの他、それらを２種以上
含むものも含む。例えば、Ａｇ単体ではマイグレ−ショ
ン性が問題となる場合には、ＡｇとＰｄとの合金である
Ａｇ80−Ｐｄ20なる組成であるもの等が使用できる。ま
た配線基板が多層配線を有する場合に、内部の配線を導
電率の高いＡｇ単体からなる、あるいはＰｄ含有量の少
ないＡｇ−Ｐｄ合金を使用し、表層の配線にはマイグレ
−ション防止のためＡｇ80−Ｐｄ20なる合金を使用する
ものの他に、各配線層毎に配線材料が異なる場合にも適
用できる。
少なくとも１種からなる導電用金属とは、Ａｇ、Ｐｄ、
Ａｕ、Ｐｔの単体からなるものの他、それらを２種以上
含むものも含む。例えば、Ａｇ単体ではマイグレ−ショ
ン性が問題となる場合には、ＡｇとＰｄとの合金である
Ａｇ80−Ｐｄ20なる組成であるもの等が使用できる。ま
た配線基板が多層配線を有する場合に、内部の配線を導
電率の高いＡｇ単体からなる、あるいはＰｄ含有量の少
ないＡｇ−Ｐｄ合金を使用し、表層の配線にはマイグレ
−ション防止のためＡｇ80−Ｐｄ20なる合金を使用する
ものの他に、各配線層毎に配線材料が異なる場合にも適
用できる。
【００２２】ＷおよびまたはＭｏの化合物を金属Ｗまた
は金属Ｍｏに換算して３〜５重量部とするのは以下の理
由による。３重量部未満であると化合物を添加する効
果、すなわちメタライズ部の焼結開始温度を高くする効
果が十分に発揮されないためである。一方、５重量部を
越えると、導電率の低いあるいは絶縁性のＷおよびまた
はＭｏの化合物の割合が高くなり、配線の導通抵抗が高
くなるためである。また同時に、表層配線である場合に
は表面に凹凸（ブリスタ−）が形成され好ましくない。
なお好ましくは、配線の導通抵抗が低く、かつ配線基板
の反り、変形が小さくなるため、ＷおよびまたはＭｏの
化合物が金属Ｗまたは金属Ｍｏに換算して３．２５〜５
重量部であるのが好ましい。
は金属Ｍｏに換算して３〜５重量部とするのは以下の理
由による。３重量部未満であると化合物を添加する効
果、すなわちメタライズ部の焼結開始温度を高くする効
果が十分に発揮されないためである。一方、５重量部を
越えると、導電率の低いあるいは絶縁性のＷおよびまた
はＭｏの化合物の割合が高くなり、配線の導通抵抗が高
くなるためである。また同時に、表層配線である場合に
は表面に凹凸（ブリスタ−）が形成され好ましくない。
なお好ましくは、配線の導通抵抗が低く、かつ配線基板
の反り、変形が小さくなるため、ＷおよびまたはＭｏの
化合物が金属Ｗまたは金属Ｍｏに換算して３．２５〜５
重量部であるのが好ましい。
【００２３】製造方法に関しては、Ｗ、Ｍｏの金属粉末
を使用するのが好ましい。これは、Ｗ、Ｍｏの金属粉末
は粒径および形状の均一なものが入手し易く、よって導
電用金属粉末と均一に混合できるためである。その他、
Ｗ、Ｍｏの酸化物、炭化物、窒化物、珪化物、ホウ化物
なども使用できる。
を使用するのが好ましい。これは、Ｗ、Ｍｏの金属粉末
は粒径および形状の均一なものが入手し易く、よって導
電用金属粉末と均一に混合できるためである。その他、
Ｗ、Ｍｏの酸化物、炭化物、窒化物、珪化物、ホウ化物
なども使用できる。
【００２４】ガラス組成物とは、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｐ
ｔからなる導電用金属の焼結を助け、あるいは、焼成温
度を調節するために添加するものである。また、導電用
金属が多孔質状に焼結した場合に、その孔内を埋めメタ
ライズ部の気密性を得る目的も有する。さらに、焼成工
程の冷却過程の際に、メタライズ部の絶縁材料であるセ
ラミック部に対する熱膨張差を緩和し、反り、変形を小
さくする働きも有する。このようなガラス組成物として
は、ホウケイ酸ガラス（Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2系ガラス）、
アルミノホウケイ酸ガラス（Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ
3系ガラス）やガラスセラミックなどが使用できる。ま
た、ガラス組成物として配線基板の絶縁材料と同材料も
使用できる。
ｔからなる導電用金属の焼結を助け、あるいは、焼成温
度を調節するために添加するものである。また、導電用
金属が多孔質状に焼結した場合に、その孔内を埋めメタ
ライズ部の気密性を得る目的も有する。さらに、焼成工
程の冷却過程の際に、メタライズ部の絶縁材料であるセ
ラミック部に対する熱膨張差を緩和し、反り、変形を小
さくする働きも有する。このようなガラス組成物として
は、ホウケイ酸ガラス（Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2系ガラス）、
アルミノホウケイ酸ガラス（Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ
3系ガラス）やガラスセラミックなどが使用できる。ま
た、ガラス組成物として配線基板の絶縁材料と同材料も
使用できる。
【００２５】また、ガラス組成物を１〜１０重量部とす
るのは、１重量部未満であると、前段に記載の目的を達
成できないためである。また１０重量部を越えると、メ
タライズ部の抵抗値が高くなるため好ましくない。さら
に、配線基板の表層に形成されるメタライズにおいて
は、その最表面にガラス成分が析出したり、あるいは最
表面のガラス成分による被覆などが発生することもあり
好ましくない。
るのは、１重量部未満であると、前段に記載の目的を達
成できないためである。また１０重量部を越えると、メ
タライズ部の抵抗値が高くなるため好ましくない。さら
に、配線基板の表層に形成されるメタライズにおいて
は、その最表面にガラス成分が析出したり、あるいは最
表面のガラス成分による被覆などが発生することもあり
好ましくない。
【００２６】本発明のセラミック配線基板の絶縁材料に
好ましく用いられるガラスセラミックとは、ホウケイ酸
ガラス粉末やアルミノホウケイ酸ガラス粉末等のガラス
粉末に、アルミナ、アノ−サイト、コ−ジエライト、シ
リカ等のセラミックフィラ−を混合し焼成したものの
他、焼成時にガラス中より結晶相が形成される部分結晶
化ガラス、あるいは完全結晶化ガラス等を言う。
好ましく用いられるガラスセラミックとは、ホウケイ酸
ガラス粉末やアルミノホウケイ酸ガラス粉末等のガラス
粉末に、アルミナ、アノ−サイト、コ−ジエライト、シ
リカ等のセラミックフィラ−を混合し焼成したものの
他、焼成時にガラス中より結晶相が形成される部分結晶
化ガラス、あるいは完全結晶化ガラス等を言う。
【００２７】
【作用】Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｐｔのうちの少なくとも１
種からなる導電用金属粉末に、難焼結性であるＷおよび
またはＭｏの金属粉末もしくはＷおよびまたはＭｏの化
合物粉末から選ばれる少なくとも１種を添加、分散する
ことにより、導電用金属粉末の焼結を抑制し、焼結開始
温度を高めることができる。よって従来セラミック部よ
り低温で軟化、焼成収縮が進んでいたメタライズ部が、
セラミック部の焼結温度により近い温度域で軟化、焼成
収縮が起こるようになる。従って、本発明のメタライズ
成分とすることにより、配線基板の焼成時の反り、変形
の発生を抑制できるようになる。
種からなる導電用金属粉末に、難焼結性であるＷおよび
またはＭｏの金属粉末もしくはＷおよびまたはＭｏの化
合物粉末から選ばれる少なくとも１種を添加、分散する
ことにより、導電用金属粉末の焼結を抑制し、焼結開始
温度を高めることができる。よって従来セラミック部よ
り低温で軟化、焼成収縮が進んでいたメタライズ部が、
セラミック部の焼結温度により近い温度域で軟化、焼成
収縮が起こるようになる。従って、本発明のメタライズ
成分とすることにより、配線基板の焼成時の反り、変形
の発生を抑制できるようになる。
【００２８】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を、本
発明の範囲内の例を実施例として、また本発明の範囲外
の例を比較例として記載する。
発明の範囲内の例を実施例として、また本発明の範囲外
の例を比較例として記載する。
【００２９】
実施例１〜１６ 導電用金属粉末として、平均粒径３．０μmのＡｇ粉
末、平均粒径３．０μmのＡｇ80Ｐｄ20合金粉末、平均
粒径２．０μmのＡｕ粉末、平均粒径３μmのＰｔ粉末を
用意した。なお実施例１６は、Ａｇ粉末とＰｔ粉末とが
所定の重量割合で混合された混合紛を用いた。Ｗ、Ｍｏ
についてはそれぞれの金属粉末を用意した。その平均粒
径は、Ｗは２．５μm、Ｍｏは２．５μmである。ガラス
組成物としてはアルミノホウケイ酸ガラス（Ｂ2Ｏ3−Ｓ
ｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3系ガラス）なるもので、具体的にはＳ
ｉＯ2：４３％、Ａｌ2Ｏ3：２８％、Ｂ2Ｏ3：８％、Ｍ
ｇＯ：８％、ＣａＯ：１２％、ＺｒＯ2：１％の重量割
合となるガラスを溶融、粉砕し平均粒径１．０μmにし
たものを用意した。これらを導電用金属粉末１００重量
部に対して、それぞれ表１に示す重量割合に秤量し混合
した。さらに、エチルセルロ−スを２０重量％含むＢＣ
Ａ（ブチル・カルビト−ル・アセテ−ト）溶液をビヒク
ルとして、導電用金属粉末１００重量部に対して２０重
量部混合し、メタライズぺ−ストとした。
末、平均粒径３．０μmのＡｇ80Ｐｄ20合金粉末、平均
粒径２．０μmのＡｕ粉末、平均粒径３μmのＰｔ粉末を
用意した。なお実施例１６は、Ａｇ粉末とＰｔ粉末とが
所定の重量割合で混合された混合紛を用いた。Ｗ、Ｍｏ
についてはそれぞれの金属粉末を用意した。その平均粒
径は、Ｗは２．５μm、Ｍｏは２．５μmである。ガラス
組成物としてはアルミノホウケイ酸ガラス（Ｂ2Ｏ3−Ｓ
ｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3系ガラス）なるもので、具体的にはＳ
ｉＯ2：４３％、Ａｌ2Ｏ3：２８％、Ｂ2Ｏ3：８％、Ｍ
ｇＯ：８％、ＣａＯ：１２％、ＺｒＯ2：１％の重量割
合となるガラスを溶融、粉砕し平均粒径１．０μmにし
たものを用意した。これらを導電用金属粉末１００重量
部に対して、それぞれ表１に示す重量割合に秤量し混合
した。さらに、エチルセルロ−スを２０重量％含むＢＣ
Ａ（ブチル・カルビト−ル・アセテ−ト）溶液をビヒク
ルとして、導電用金属粉末１００重量部に対して２０重
量部混合し、メタライズぺ−ストとした。
【００３０】
【表１】
【００３１】次にセラミックグリ−ンシ−トを以下のよ
うに別途用意した。セラミック原料粉末としてアルミノ
ホウケイ酸ガラス粉末とアルミナ粉末とを用意した。ア
ルミノホウケイ酸ガラス粉末は上記ガラス組成物と同じ
組成、すなわちＳｉＯ2：４３％、Ａｌ2Ｏ3：２８％、
Ｂ2Ｏ3：８％、ＭｇＯ：８％、ＣａＯ：１２％、ＺｒＯ
2：１％とし、それらの酸化物粉末をそれぞれ秤量し、
混合し、溶融後、急冷してカレット状とし、さらに粉砕
し、５０％粒子径（Ｄ50）＝５μmとなるようにして作
製した。このガラス組成物の軟化点は８９０℃であっ
た。一方、アルミナ粉末として、市販の低ソ−ダのα−
アルミナ粉でＤ50＝３μmであるものを用意した。
うに別途用意した。セラミック原料粉末としてアルミノ
ホウケイ酸ガラス粉末とアルミナ粉末とを用意した。ア
ルミノホウケイ酸ガラス粉末は上記ガラス組成物と同じ
組成、すなわちＳｉＯ2：４３％、Ａｌ2Ｏ3：２８％、
Ｂ2Ｏ3：８％、ＭｇＯ：８％、ＣａＯ：１２％、ＺｒＯ
2：１％とし、それらの酸化物粉末をそれぞれ秤量し、
混合し、溶融後、急冷してカレット状とし、さらに粉砕
し、５０％粒子径（Ｄ50）＝５μmとなるようにして作
製した。このガラス組成物の軟化点は８９０℃であっ
た。一方、アルミナ粉末として、市販の低ソ−ダのα−
アルミナ粉でＤ50＝３μmであるものを用意した。
【００３２】バインダ−としては、メタクリル酸エチル
系のアクリル樹脂を用意した。次にアルミナ製のポット
に、上記のガラス粉末とアルミナ粉末とを重量比で６：
４、総量で１Ｋｇとなるように秤量して入れた。さらに
溶剤としてＭＥＫ（メチル・エチル・ケトン）を２００
ｇ、前記のアクリル樹脂を１００ｇ、可塑剤としてＤＯ
Ｐ（ジオクチルフタレ−ト）を５０ｇ、分散剤５ｇを上
記ポットへ入れ１０時間混合した。こうしてセラミック
グリ−ンシ−ト成形用のスラリ−を得た。このスラリ−
を用いて、ドクタ−ブレ−ド法でシ−ト厚み０．４ｍｍ
のセラミックグリ−ンシ−トを得た。
系のアクリル樹脂を用意した。次にアルミナ製のポット
に、上記のガラス粉末とアルミナ粉末とを重量比で６：
４、総量で１Ｋｇとなるように秤量して入れた。さらに
溶剤としてＭＥＫ（メチル・エチル・ケトン）を２００
ｇ、前記のアクリル樹脂を１００ｇ、可塑剤としてＤＯ
Ｐ（ジオクチルフタレ−ト）を５０ｇ、分散剤５ｇを上
記ポットへ入れ１０時間混合した。こうしてセラミック
グリ−ンシ−ト成形用のスラリ−を得た。このスラリ−
を用いて、ドクタ−ブレ−ド法でシ−ト厚み０．４ｍｍ
のセラミックグリ−ンシ−トを得た。
【００３３】次に、上記のメタライズぺ−ストと、セラ
ミックグリ−ンシ−トとの焼成収縮挙動の違いによる反
り具合を評価するため、以下のようにテストピ−スを作
製し、評価した。はじめに、セラミックグリ−ンシ−ト
を厚さ１．２ｍｍとなるように３枚積層し、さらに４０
ｍｍ角に切断し積層体とした。次にメタライズぺ−スト
を、積層体の片面の全面に厚さ２０μmとなるようにス
クリ−ン印刷し、７０℃で乾燥した。次に積層体を大気
中２５０℃、１０時間の熱処理で脱バインダ−を行い、
次いで大気中９５０℃、３０分間の熱処理で焼成を行っ
た。
ミックグリ−ンシ−トとの焼成収縮挙動の違いによる反
り具合を評価するため、以下のようにテストピ−スを作
製し、評価した。はじめに、セラミックグリ−ンシ−ト
を厚さ１．２ｍｍとなるように３枚積層し、さらに４０
ｍｍ角に切断し積層体とした。次にメタライズぺ−スト
を、積層体の片面の全面に厚さ２０μmとなるようにス
クリ−ン印刷し、７０℃で乾燥した。次に積層体を大気
中２５０℃、１０時間の熱処理で脱バインダ−を行い、
次いで大気中９５０℃、３０分間の熱処理で焼成を行っ
た。
【００３４】得られた焼結体の反りを、焼結体のメタラ
イズが施されていない面において対角線上で測定した。
測定は表面粗さ計で測定し、対角線をトレ−スした時の
焼結体の反りの最大値で評価し、これを表１に記載し
た。表１では、反りの値が１ｍｍを越え測定不能であっ
たものを、「＞１０００」と表示した。表１のように、
本発明範囲のメタライズ組成である、実施例１〜１６で
は、反りの最大値が９８μm以下であった。特にＷ、Ｍ
ｏの添加量が金属換算で３．２５〜５％である実施例２
〜１６は、反りの最大値が８５μm以下で優れていた。
イズが施されていない面において対角線上で測定した。
測定は表面粗さ計で測定し、対角線をトレ−スした時の
焼結体の反りの最大値で評価し、これを表１に記載し
た。表１では、反りの値が１ｍｍを越え測定不能であっ
たものを、「＞１０００」と表示した。表１のように、
本発明範囲のメタライズ組成である、実施例１〜１６で
は、反りの最大値が９８μm以下であった。特にＷ、Ｍ
ｏの添加量が金属換算で３．２５〜５％である実施例２
〜１６は、反りの最大値が８５μm以下で優れていた。
【００３５】次にメタライズの表面抵抗値を測定するた
め、別途用意した積層体に焼成時の寸法で厚さ１５μ
m、幅１ｍｍ、長さ４０ｍｍの測定用配線を印刷し、焼
成し、測定した。結果を表１に併記した。表から分かる
ように、Ｗ、Ｍｏの添加量、およびガラス組成物の添加
量が多くなるほど表面抵抗値が高くなり不利となること
がわかる。
め、別途用意した積層体に焼成時の寸法で厚さ１５μ
m、幅１ｍｍ、長さ４０ｍｍの測定用配線を印刷し、焼
成し、測定した。結果を表１に併記した。表から分かる
ように、Ｗ、Ｍｏの添加量、およびガラス組成物の添加
量が多くなるほど表面抵抗値が高くなり不利となること
がわかる。
【００３６】実施例８のメタライズ部分をＸ線回折分析
したところ、ＡｇＰｄ合金の回折ピ−クの他、ＷＯ3、
Ａｇ2ＷＯ4、Ａｇ2ＭｏＯ4のピ−クが観測された。なお
Ａｇ2ＷＯ4、Ａｇ2ＭｏＯ4のピ−クはＡｇにＰｄが固溶
しているため、Ｐｄ側にシフトしていた。メタライズぺ
−ストの成分として添加したＷ、Ｍｏは焼成時に酸化し
たものと考えられる。
したところ、ＡｇＰｄ合金の回折ピ−クの他、ＷＯ3、
Ａｇ2ＷＯ4、Ａｇ2ＭｏＯ4のピ−クが観測された。なお
Ａｇ2ＷＯ4、Ａｇ2ＭｏＯ4のピ−クはＡｇにＰｄが固溶
しているため、Ｐｄ側にシフトしていた。メタライズぺ
−ストの成分として添加したＷ、Ｍｏは焼成時に酸化し
たものと考えられる。
【００３７】以上の評価で優れた特性を有する実施例７
のメタライズぺ−ストを用いて外形寸法４０ｍｍ×４０
ｍｍ×１ｍｍで、３層構造の配線基板を作製したとこ
ろ、反りは５８μmと満足できるものであった。
のメタライズぺ−ストを用いて外形寸法４０ｍｍ×４０
ｍｍ×１ｍｍで、３層構造の配線基板を作製したとこ
ろ、反りは５８μmと満足できるものであった。
【００３８】比較例１〜７ 表１のように、本発明の範囲外の重量割合となるＷ、Ｍ
ｏ及びガラス組成物を混合したメタライズぺ−ストを作
製した。これらを実施例と同様な方法で反り、表面抵抗
値を評価した。Ｗ、Ｍｏが金属換算で３重量未満である
比較例１、２、３、７では反りが２５０μmより大きい
ものであった。一方、Ｗ、Ｍｏが金属換算で５重量部を
越える比較例４では、表面抵抗値が５０．４ｍΩ／□
（ｍΩ／ｍｍ2）となった。一方、ガラス組成物の添加
量が少ない比較例４では、メタライズ部とガラスセラミ
ック部との剥離が発生するところがあった。また、ガラ
ス組成物の添加量が多い比較例６では、同じく表面抵抗
値（体積抵抗値）が４０．２ｍΩ／□（ｍΩ／ｍｍ2）
となり、低抵抗が達成できなかった。
ｏ及びガラス組成物を混合したメタライズぺ−ストを作
製した。これらを実施例と同様な方法で反り、表面抵抗
値を評価した。Ｗ、Ｍｏが金属換算で３重量未満である
比較例１、２、３、７では反りが２５０μmより大きい
ものであった。一方、Ｗ、Ｍｏが金属換算で５重量部を
越える比較例４では、表面抵抗値が５０．４ｍΩ／□
（ｍΩ／ｍｍ2）となった。一方、ガラス組成物の添加
量が少ない比較例４では、メタライズ部とガラスセラミ
ック部との剥離が発生するところがあった。また、ガラ
ス組成物の添加量が多い比較例６では、同じく表面抵抗
値（体積抵抗値）が４０．２ｍΩ／□（ｍΩ／ｍｍ2）
となり、低抵抗が達成できなかった。
【００３９】実施例１７〜１９ 実施例１７〜１９は、セラミックグリ−ンシ−トに用い
るアルミノホウケイ酸ガラスを表２に示すものとし、ま
たそれぞれの焼成温度を同じく表２に示す温度に変えた
他は、実施例６と同様に評価したものである。いずれも
焼結体の反りは７０μm以下と優れていた。
るアルミノホウケイ酸ガラスを表２に示すものとし、ま
たそれぞれの焼成温度を同じく表２に示す温度に変えた
他は、実施例６と同様に評価したものである。いずれも
焼結体の反りは７０μm以下と優れていた。
【００４０】
【表２】
【００４１】実施例２０〜２２ 実施例２０〜２２は、セラミックグリ−ンシ−トに用い
るアルミノホウケイ酸ガラスを表２に示すものとし、ま
たそれぞれの焼成温度を同じく表２に示す温度とし、さ
らにメタライズペ−ストのガラス組成物もそれぞれのセ
ラミックグリ−ンシ−トのガラスと同じ組成とした他
は、実施例７と同様に評価したものである。いずれも焼
結体の反りは６０μm以下と優れていた。
るアルミノホウケイ酸ガラスを表２に示すものとし、ま
たそれぞれの焼成温度を同じく表２に示す温度とし、さ
らにメタライズペ−ストのガラス組成物もそれぞれのセ
ラミックグリ−ンシ−トのガラスと同じ組成とした他
は、実施例７と同様に評価したものである。いずれも焼
結体の反りは６０μm以下と優れていた。
【００４２】
【発明の効果】Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｐｔのうちの少なく
とも１種からなる導電用金属粉末：１００重量部に対
し、難焼結性であるＷおよびまたはＭｏの金属粉末ある
いはＷおよびまたはＭｏの化合物粉末から選ばれる少な
くとも１種を金属換算で３〜５重量部と、ガラス粉末：
１〜１０重量部とを添加、混合したメタライズぺ−スト
を使用することにより、導電用金属粉末の焼結開始温度
を高めることができる。よって従来セラミック部より低
温で軟化、焼成収縮が進んでいたメタライズ部が、セラ
ミック部の焼結温度により近い温度域で軟化、焼成収縮
が起こるようになる。従って、セラミック配線基板の焼
成時の反り、変形の発生を抑制できるようになる。
とも１種からなる導電用金属粉末：１００重量部に対
し、難焼結性であるＷおよびまたはＭｏの金属粉末ある
いはＷおよびまたはＭｏの化合物粉末から選ばれる少な
くとも１種を金属換算で３〜５重量部と、ガラス粉末：
１〜１０重量部とを添加、混合したメタライズぺ−スト
を使用することにより、導電用金属粉末の焼結開始温度
を高めることができる。よって従来セラミック部より低
温で軟化、焼成収縮が進んでいたメタライズ部が、セラ
ミック部の焼結温度により近い温度域で軟化、焼成収縮
が起こるようになる。従って、セラミック配線基板の焼
成時の反り、変形の発生を抑制できるようになる。
Claims (16)
- 【請求項１】 Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｐｔのうちの少なく
とも１種からなる導電用金属：１００重量部に対し、Ｗ
およびまたはＭｏの化合物を金属Ｗまたは金属Ｍｏに換
算して３〜５重量部と、ガラス組成物：１〜１０重量部
とを含有するメタライズ部を有することを特徴とするセ
ラミック配線基板。 - 【請求項２】 上記ＷおよびまたはＭｏの化合物が、金
属Ｗまたは金属Ｍｏに換算して３．２５〜５重量部であ
ることを特徴とする請求項１に記載のセラミック配線基
板。 - 【請求項３】 上記Ｗの化合物が、ＷＯ3およびまたは
ＷＳｉ2を含有するものであることを特徴とする請求項
１、２に記載のセラミック配線基板。 - 【請求項４】 上記Ｍｏの化合物がＭｏＳｉ2を含有す
るものであることを特徴とする請求項１〜２のいずれか
１つに記載のセラミック配線基板。 - 【請求項５】 絶縁材料がガラスセラミックであること
を特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載のセラ
ミック配線基板。 - 【請求項６】 上記ガラス組成物がホウケイ酸ガラスま
たはアルミノホウケイ酸ガラスであることを特徴とする
請求項１〜５のいずれか１つに記載のセラミック配線基
板。 - 【請求項７】 上記ガラス組成物が焼成によりガラスセ
ラミックとなるものであることを特徴とする請求項１〜
５のいずれか１つに記載のセラミック配線基板。 - 【請求項８】 少なくともＡｇを含む導電用金属：１０
０重量部に対し、ＷおよびまたはＭｏの化合物を金属Ｗ
または金属Ｍｏに換算して３〜５重量部と、ガラス組成
物：１〜１０重量部とを含有するメタライズ部を有する
ことを特徴とするセラミック配線基板。 - 【請求項９】 上記ＷおよびまたはＭｏの化合物とし
て、Ａｇ2ＷＯ4、Ａｇ2ＭｏＯ4から選ばれる少なくとも
１つの化合物を含有することを特徴とする請求項８に記
載のセラミック配線基板。 - 【請求項１０】 絶縁材料がガラスセラミックであるこ
とを特徴とする請求項８、９のいずれか１つに記載のセ
ラミック配線基板。 - 【請求項１１】 上記ガラス組成物がホウケイ酸ガラス
またはアルミノホウケイ酸ガラスであることを特徴とす
る請求項８〜１０のいずれか１つに記載のセラミック配
線基板。 - 【請求項１２】 上記ガラス組成物が焼成によりガラス
セラミックとなるものであることを特徴とする請求項８
〜１０のいずれか１つに記載のセラミック配線基板。 - 【請求項１３】 Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｐｔのうちの少な
くとも１種からなる導電用金属粉末：１００重量部に対
し、ＷおよびまたはＭｏの金属粉末もしくはＷおよびま
たはＭｏの化合物粉末から選ばれる少なくとも１種を金
属Ｗまたは金属Ｍｏに換算して３〜５重量部と、ガラス
粉末：１〜１０重量部とを含有するメタライズぺ−スト
をセラミックグリ−ンシ−トに印刷または塗布し、焼成
することを特徴とするセラミック配線基板の製造方法。 - 【請求項１４】 焼成によりガラスセラミックとなるセ
ラミックグリ−ンシ−トを用いることを特徴とする請求
項１３に記載のセラミック配線基板の製造方法。 - 【請求項１５】 上記ガラス組成物がホウケイ酸ガラス
またはアルミノホウケイ酸ガラスであることを特徴とす
る請求項１３、１４のいずれか１つに記載のセラミック
配線基板の製造方法。 - 【請求項１６】 上記ガラス組成物が焼成によりガラス
セラミックとなるものであることを特徴とする請求項１
３、１４のいずれか１つに記載のセラミック配線基板の
製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9074550A JPH1051088A (ja) | 1996-05-28 | 1997-03-10 | セラミック配線基板およびその製造方法 |
| US08/850,632 US5932326A (en) | 1996-05-28 | 1997-05-02 | Ceramic wiring boards and method for their manufacture |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8-157709 | 1996-05-28 | ||
| JP15770996 | 1996-05-28 | ||
| JP9074550A JPH1051088A (ja) | 1996-05-28 | 1997-03-10 | セラミック配線基板およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1051088A true JPH1051088A (ja) | 1998-02-20 |
Family
ID=26415710
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9074550A Pending JPH1051088A (ja) | 1996-05-28 | 1997-03-10 | セラミック配線基板およびその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5932326A (ja) |
| JP (1) | JPH1051088A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002043756A (ja) * | 2000-07-31 | 2002-02-08 | Kyocera Corp | 窒化珪素質多層配線基板 |
| EP0997941A3 (en) * | 1998-10-28 | 2003-05-14 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Conductive paste and ceramic printed circuit substrate using the same |
| US6762369B2 (en) | 2001-10-29 | 2004-07-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Multilayer ceramic substrate and method for manufacturing the same |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW507484B (en) * | 2000-03-15 | 2002-10-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method of manufacturing multi-layer ceramic circuit board and conductive paste used for the same |
| US6483690B1 (en) | 2001-06-28 | 2002-11-19 | Lam Research Corporation | Ceramic electrostatic chuck assembly and method of making |
| EP1684559A4 (en) * | 2003-11-14 | 2009-08-19 | Murata Manufacturing Co | Conductive Paste and Multi-Layered Ceramic Substrate |
| ES2390427B1 (es) * | 2011-04-14 | 2013-07-04 | Roca Sanitario, S. A. | Composición de una pasta conductora eléctrica co-sinterizable a altas temperaturas y su integración en materiales cerámicos en base porcelana, gres, gres porcelánico o similares |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4927505A (en) * | 1988-07-05 | 1990-05-22 | Motorola Inc. | Metallization scheme providing adhesion and barrier properties |
-
1997
- 1997-03-10 JP JP9074550A patent/JPH1051088A/ja active Pending
- 1997-05-02 US US08/850,632 patent/US5932326A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0997941A3 (en) * | 1998-10-28 | 2003-05-14 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Conductive paste and ceramic printed circuit substrate using the same |
| JP2002043756A (ja) * | 2000-07-31 | 2002-02-08 | Kyocera Corp | 窒化珪素質多層配線基板 |
| US6762369B2 (en) | 2001-10-29 | 2004-07-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Multilayer ceramic substrate and method for manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5932326A (en) | 1999-08-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040511 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040608 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20041221 |