JPH0676255B2 - 多層基板用低温焼結磁器組成物 - Google Patents
多層基板用低温焼結磁器組成物Info
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- JPH0676255B2 JPH0676255B2 JP61094262A JP9426286A JPH0676255B2 JP H0676255 B2 JPH0676255 B2 JP H0676255B2 JP 61094262 A JP61094262 A JP 61094262A JP 9426286 A JP9426286 A JP 9426286A JP H0676255 B2 JPH0676255 B2 JP H0676255B2
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- JP
- Japan
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- weight
- low temperature
- multilayer substrate
- porcelain
- temperature sintered
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C10/00—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition
- C03C10/0036—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition containing SiO2, Al2O3 and a divalent metal oxide as main constituents
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- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) この発明は、多層基板用低温焼結磁器組成物に関し、特
に、複数の磁器層が積層され、磁器間に回路が形成され
てなる多層磁器基板に適した、多層基板用低温焼結磁器
組成物に関する。
に、複数の磁器層が積層され、磁器間に回路が形成され
てなる多層磁器基板に適した、多層基板用低温焼結磁器
組成物に関する。
(従来技術) 一般に、電子機器の小型化に伴い、電気回路を構成する
各種電子部分を実装するのに磁器基板が汎用され、最近
では、実装密度をさらに高めるため、表面に導電材料で
回路パターンを形成した未焼成の磁器シートを複数枚積
層し、これを焼成して一体化した多層磁器基板が開発さ
れている。この種の多層磁器基板の磁器材料にはアルミ
ナが用いられているが、その焼結温度は1500〜1600℃と
高温であるため、次のような問題があった。まず、焼結
に多量のエネルギを必要とするため製造コストが高くな
る。また、基板内部に形成される内部回路などの導電材
料が、たとえば、高温の焼結温度に耐えられるタングス
テンやモリブデンなどに限定されるため、内部回路など
の抵抗が大きくなる。そして、アルミナの熱膨張係数が
シリコンチップのそれよりも大きいため、シリコンチッ
プにサーマルストレスかかり、クラックの原因になるこ
となどである。そこで、これらの問題を解決するため
に、低温で焼結させることができる基板用磁器組成物と
して、アルミナに多量の結晶化ガラス成分を添加したも
の、あるいは特開昭57−184289号公報に開示されている
組成物のように、BaSnO3にホウ素を多量に添加したもの
が用いられている。また、特開昭60−226454号公報、あ
るいは特開昭60−227311号公報に開示されているよう
に、アルミナ、シリカ、アルカリ土類金属酸化物、ホウ
素、酸化リチウム、酸化亜鉛などの成分からなるものが
用いられている。
各種電子部分を実装するのに磁器基板が汎用され、最近
では、実装密度をさらに高めるため、表面に導電材料で
回路パターンを形成した未焼成の磁器シートを複数枚積
層し、これを焼成して一体化した多層磁器基板が開発さ
れている。この種の多層磁器基板の磁器材料にはアルミ
ナが用いられているが、その焼結温度は1500〜1600℃と
高温であるため、次のような問題があった。まず、焼結
に多量のエネルギを必要とするため製造コストが高くな
る。また、基板内部に形成される内部回路などの導電材
料が、たとえば、高温の焼結温度に耐えられるタングス
テンやモリブデンなどに限定されるため、内部回路など
の抵抗が大きくなる。そして、アルミナの熱膨張係数が
シリコンチップのそれよりも大きいため、シリコンチッ
プにサーマルストレスかかり、クラックの原因になるこ
となどである。そこで、これらの問題を解決するため
に、低温で焼結させることができる基板用磁器組成物と
して、アルミナに多量の結晶化ガラス成分を添加したも
の、あるいは特開昭57−184289号公報に開示されている
組成物のように、BaSnO3にホウ素を多量に添加したもの
が用いられている。また、特開昭60−226454号公報、あ
るいは特開昭60−227311号公報に開示されているよう
に、アルミナ、シリカ、アルカリ土類金属酸化物、ホウ
素、酸化リチウム、酸化亜鉛などの成分からなるものが
用いられている。
(発明が解決しょうとする問題点) しかしながら、アルミナに多量の結晶化ガラス成分を添
加した組成物では、得られた磁器に空孔が多数存在し、
空孔を介して導体路間にマイグレーションが発生すると
いう問題が生じる。また、特開昭57−184289号公報に開
示された組成物では、仮焼物がガラス状となるので、そ
の粉砕が困難となるばかりでなく、焼成の際にホウ素が
激しく蒸発し、導電材料と反応したり、炉の材料に損傷
を与えたりするという問題が生じる。また、特開昭60−
226454号公報、特開昭60−227311号公報に開示された組
成物についても、多量のホウ素を用いるため、同様の問
題を生じる。また、多量のホウ素の存在はサーメツト抵
抗体をその表面に形成した場合に抵抗体を劣化させると
いう問題を生じる。さらに、表面に導体を形成すると、
多量のホウ素の存在で導体の特性を劣化させる。
加した組成物では、得られた磁器に空孔が多数存在し、
空孔を介して導体路間にマイグレーションが発生すると
いう問題が生じる。また、特開昭57−184289号公報に開
示された組成物では、仮焼物がガラス状となるので、そ
の粉砕が困難となるばかりでなく、焼成の際にホウ素が
激しく蒸発し、導電材料と反応したり、炉の材料に損傷
を与えたりするという問題が生じる。また、特開昭60−
226454号公報、特開昭60−227311号公報に開示された組
成物についても、多量のホウ素を用いるため、同様の問
題を生じる。また、多量のホウ素の存在はサーメツト抵
抗体をその表面に形成した場合に抵抗体を劣化させると
いう問題を生じる。さらに、表面に導体を形成すると、
多量のホウ素の存在で導体の特性を劣化させる。
それゆえに、この発明の主たる目的は、低い温度で焼成
でき、特性的には比抵抗が高く、かつ誘電率が低く、さ
らに誘電体損失が小さく、しかも熱膨張係数がアルミナ
以下である多層基板用低温焼結磁器組成物を提供するこ
とである。
でき、特性的には比抵抗が高く、かつ誘電率が低く、さ
らに誘電体損失が小さく、しかも熱膨張係数がアルミナ
以下である多層基板用低温焼結磁器組成物を提供するこ
とである。
また、この発明の目的は、非酸化性雰囲気でしかも1000
℃以下の低温で焼結可能であり、導体として銅(Cu)、
ニッケル(Ni)などの卑金属を用いることができる多層
基板用低温焼結磁器組成物を提供することである。
℃以下の低温で焼結可能であり、導体として銅(Cu)、
ニッケル(Ni)などの卑金属を用いることができる多層
基板用低温焼結磁器組成物を提供することである。
(問題点を解決するための手段) この発明は、Si成分がSiO2に換算して20〜50重量%、Ba
成分がBaOに換算して3〜50重量%、Sr成分がSrOに換算
して3重量%〜45重量%、Zr成分がZrO2に換算して5重
量%〜30重量%、Al成分がAl2O3に換算して1重量%〜2
0重量%、B成分がB2O3に換算して1.5重量%〜5重量
%、含まれる、多層基板用低温焼結磁器組成物である。
成分がBaOに換算して3〜50重量%、Sr成分がSrOに換算
して3重量%〜45重量%、Zr成分がZrO2に換算して5重
量%〜30重量%、Al成分がAl2O3に換算して1重量%〜2
0重量%、B成分がB2O3に換算して1.5重量%〜5重量
%、含まれる、多層基板用低温焼結磁器組成物である。
なお、微量添加物として、Li2O、K2O、Na2Oなどのアル
カリ金属酸化物の少なくとも1種を1.0重量%以下添加
するようにしてもよい。
カリ金属酸化物の少なくとも1種を1.0重量%以下添加
するようにしてもよい。
この発明の多層基板用低温焼結磁器組成物を用いて多層
回路基板を製造する場合、たとえば、Si、Ba、Sr、Zr、
AlおよびBの酸化物もしくは焼成時に分解して酸化物と
なる化合物の粉末を秤量、調合し、その原料混合物を85
0〜950℃で仮焼した後、粉砕し、その粉末をバインダと
混練してからシート状に成形し、次いで、得られたグリ
ーンシートを酸化性雰囲気または非酸化性雰囲気中、85
0〜1000℃で焼成すればよい。また、多層回路基板を製
造する場合、グリーンシート上にAg、Ag-Pd、Cu、Niな
どの導電材料を含有する導電性ペーストで回路パターン
を印刷し、それらを複数枚積層してから、導電性ペース
トを構成する導電材料に応じた雰囲気で焼成すればよ
い。内部導電材料としてCuやNiなどの卑金属を使用する
場合、それらの酸化を防止するため、非酸化性の雰囲気
で焼成するのが好ましい。たとえば、窒素をキャリアガ
スとして水蒸気(70℃)中を通過させ、酸素および水素
の含有量を微量含有させた窒素−水蒸気雰囲気(通常、
N299.7〜99.8%)中、850〜1000℃で焼成するのが好ま
しい。なお、酸素を微量含有させるのは、グリーンシー
トの形成に使用するバインダが仮焼段階で、炭素として
残存させないために、完全に燃焼させて除去するためで
ある。
回路基板を製造する場合、たとえば、Si、Ba、Sr、Zr、
AlおよびBの酸化物もしくは焼成時に分解して酸化物と
なる化合物の粉末を秤量、調合し、その原料混合物を85
0〜950℃で仮焼した後、粉砕し、その粉末をバインダと
混練してからシート状に成形し、次いで、得られたグリ
ーンシートを酸化性雰囲気または非酸化性雰囲気中、85
0〜1000℃で焼成すればよい。また、多層回路基板を製
造する場合、グリーンシート上にAg、Ag-Pd、Cu、Niな
どの導電材料を含有する導電性ペーストで回路パターン
を印刷し、それらを複数枚積層してから、導電性ペース
トを構成する導電材料に応じた雰囲気で焼成すればよ
い。内部導電材料としてCuやNiなどの卑金属を使用する
場合、それらの酸化を防止するため、非酸化性の雰囲気
で焼成するのが好ましい。たとえば、窒素をキャリアガ
スとして水蒸気(70℃)中を通過させ、酸素および水素
の含有量を微量含有させた窒素−水蒸気雰囲気(通常、
N299.7〜99.8%)中、850〜1000℃で焼成するのが好ま
しい。なお、酸素を微量含有させるのは、グリーンシー
トの形成に使用するバインダが仮焼段階で、炭素として
残存させないために、完全に燃焼させて除去するためで
ある。
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点
は、以下の実施例の詳細な説明から一層明らかになろ
う。
は、以下の実施例の詳細な説明から一層明らかになろ
う。
(実施例1) 原料として、SiO2、BaCO3またはBaO、SrOまたはSrCO3、
ZrO2、Al2O3、B2O3もしくはBNまたはB4C3を、別表1の
組成になるように秤量して混合した。この混合物を850
〜950℃で仮焼し、粉砕した後、有機バインダを加えて
混練し、ドクターブレード法によって厚さ1mmのシート
状に成形した。このグリーンシートを縦30mm、横10mmに
カットし、これを空気中、別表1で示した各温度で1時
間焼成して磁器を得た。また、このグリーンシートを縦
3mm、横20mmの角板状にカットして、これを3枚積層
し、2000kg/cm2で加圧し角柱状にした。そして、これを
上述の方法で焼成し、熱膨張測定用の試料とした。
ZrO2、Al2O3、B2O3もしくはBNまたはB4C3を、別表1の
組成になるように秤量して混合した。この混合物を850
〜950℃で仮焼し、粉砕した後、有機バインダを加えて
混練し、ドクターブレード法によって厚さ1mmのシート
状に成形した。このグリーンシートを縦30mm、横10mmに
カットし、これを空気中、別表1で示した各温度で1時
間焼成して磁器を得た。また、このグリーンシートを縦
3mm、横20mmの角板状にカットして、これを3枚積層
し、2000kg/cm2で加圧し角柱状にした。そして、これを
上述の方法で焼成し、熱膨張測定用の試料とした。
これらの試料について、次のとおり各特性をそれぞれの
条件や測定方法で測定し、別表1に示す結果を得た。な
お、比抵抗については、いずれの試料も1×1013Ω・cm
以上の値が得られた。
条件や測定方法で測定し、別表1に示す結果を得た。な
お、比抵抗については、いずれの試料も1×1013Ω・cm
以上の値が得られた。
誘電率:1MHzの条件 誘電体損失:1MHzの条件 比抵抗:直流100Vの条件 抗折強度:次の(1)式より算出 式中、Tr:抗折強度、 P :試料が折断したときの荷重(kg) l :支点間距離(cm) b :試料の幅(cm) d :試料の厚さ(cm) 熱膨張係数:次の(2)式より算出 式中、α :熱膨張係数 ΔL:加熱による試料の見掛けの伸び(mm) L :室温での試料の長さ(mm) T1:室温 T2:500℃ αSiO2:石英ガラスの熱膨張係数 また、これとは別に同じ方法で厚さ0.3〜0.4mmのグリー
ンシートを作成する一方、粒径5μm以下のAgまたはAg
-Pdの導電材料粉末と有機質ビヒクルとを重量比80:20の
割合で混合して導電ペーストを調整して、前述のグリー
ンシートの表面に各導電性ペーストを全面に印刷し、こ
れを3枚積層して熱圧着し、別表1で示した各温度にて
空気中で焼成した。なお、有機質ビヒクルは、エチルセ
ルロースをα−テレピネオールで10倍に希釈したものを
使用した。
ンシートを作成する一方、粒径5μm以下のAgまたはAg
-Pdの導電材料粉末と有機質ビヒクルとを重量比80:20の
割合で混合して導電ペーストを調整して、前述のグリー
ンシートの表面に各導電性ペーストを全面に印刷し、こ
れを3枚積層して熱圧着し、別表1で示した各温度にて
空気中で焼成した。なお、有機質ビヒクルは、エチルセ
ルロースをα−テレピネオールで10倍に希釈したものを
使用した。
こうして得られた多層磁器基板について、磁器とAgまた
はAg-Pdとの反応を分析したところ、両者間での反応は
見られず、AgおよびAg-Pdはいずれも良好な導電性を示
し、Agの面積抵抗は2mΩ/□で、Ag-Pdの面積抵抗は20m
Ω/□であった。
はAg-Pdとの反応を分析したところ、両者間での反応は
見られず、AgおよびAg-Pdはいずれも良好な導電性を示
し、Agの面積抵抗は2mΩ/□で、Ag-Pdの面積抵抗は20m
Ω/□であった。
(実施例2) 実施例1で作成した厚さ1mmのグリーンシートを用い、
縦30mm、横10mmの角板状にカットし、これを水蒸気(70
℃)中に通過させた窒素をキャリアガスとする窒素−水
蒸気の非酸化性雰囲気中900℃の温度で熱処理してグリ
ーンシート中のバインダを完全燃焼させ、次いで、別表
2に示した各温度で1時間焼成して試料とした。また、
実施例1と同様にして、加圧成形した角柱状の試料につ
いても、上述と同じ焼成を行ない、熱膨張係数測定用の
試料とした。そして、これらの試料を用いて、実施例1
と同様の条件で各特性について測定し、別表2の結果を
得た。なお、比抵抗については、いずれの試料も1×10
13Ω・cm以上の値が得られた。
縦30mm、横10mmの角板状にカットし、これを水蒸気(70
℃)中に通過させた窒素をキャリアガスとする窒素−水
蒸気の非酸化性雰囲気中900℃の温度で熱処理してグリ
ーンシート中のバインダを完全燃焼させ、次いで、別表
2に示した各温度で1時間焼成して試料とした。また、
実施例1と同様にして、加圧成形した角柱状の試料につ
いても、上述と同じ焼成を行ない、熱膨張係数測定用の
試料とした。そして、これらの試料を用いて、実施例1
と同様の条件で各特性について測定し、別表2の結果を
得た。なお、比抵抗については、いずれの試料も1×10
13Ω・cm以上の値が得られた。
また、実施例1の後半で述べた厚さ0.3〜0.4mmのグリー
ンシートを用い、その表面上に粒径5μm以下の銅粉末
と有機質ビヒクルとを重量比80:20の割合で混合した銅
ペーストを印刷し、これを3枚積層して熱圧着し、窒素
−水蒸気の非酸化性雰囲気中、別表2に示す各温度で1
時間焼成した。こうして得た多層磁器基板のCu導体は酸
化されておらず、良好な導電性を示し、その面積抵抗は
2mΩ/□であった。
ンシートを用い、その表面上に粒径5μm以下の銅粉末
と有機質ビヒクルとを重量比80:20の割合で混合した銅
ペーストを印刷し、これを3枚積層して熱圧着し、窒素
−水蒸気の非酸化性雰囲気中、別表2に示す各温度で1
時間焼成した。こうして得た多層磁器基板のCu導体は酸
化されておらず、良好な導電性を示し、その面積抵抗は
2mΩ/□であった。
別表1、別表2の結果は次の基準に従って判定された。
焼結温度:1000℃以下(Cu導体およびAg-Pd導体の使用可
能な温度、ただしAg-Pd導体はAg:Pd=80:20のもの) 誘電率(ε):1MHzの条件下で10以下(アルミナの誘電
率の値以下) 誘電体損失(tanδ):1MHzの条件下で0.2%以下 抗折強度:1500kg/cm2以上 熱膨張係数:7.0×10-6/℃以下(アルミナの熱膨張係数
の値以下) 非酸化性雰囲気で使用できるサーメット抵抗を表面に形
成した場合、この発明にかかる多層磁器基板上のサーメ
ット抵抗はアルミナ基板と同等の特性が得られた。また
B2O3量を6重量%にすると半田付け性が悪くなることが
確認された。
能な温度、ただしAg-Pd導体はAg:Pd=80:20のもの) 誘電率(ε):1MHzの条件下で10以下(アルミナの誘電
率の値以下) 誘電体損失(tanδ):1MHzの条件下で0.2%以下 抗折強度:1500kg/cm2以上 熱膨張係数:7.0×10-6/℃以下(アルミナの熱膨張係数
の値以下) 非酸化性雰囲気で使用できるサーメット抵抗を表面に形
成した場合、この発明にかかる多層磁器基板上のサーメ
ット抵抗はアルミナ基板と同等の特性が得られた。また
B2O3量を6重量%にすると半田付け性が悪くなることが
確認された。
なお、別表1および別表2において、*印を付したもの
はこの発明範囲外のものであり、それ以外はこの発明範
囲内のものである。
はこの発明範囲外のものであり、それ以外はこの発明範
囲内のものである。
別表1および別表2から明らかなように、この発明の多
層基板用低温焼結磁器組成物における組成範囲を前記し
た範囲に限定した理由は次の通りである。
層基板用低温焼結磁器組成物における組成範囲を前記し
た範囲に限定した理由は次の通りである。
(1)SiO2が50重量%を超えると、熱膨張係数が7×10
-6/℃を越え(試料番号1参照)。一方、SiO2が20重量
%未満では、焼成温度が1000℃より高くなり好ましくな
い(試料番号4参照)。
-6/℃を越え(試料番号1参照)。一方、SiO2が20重量
%未満では、焼成温度が1000℃より高くなり好ましくな
い(試料番号4参照)。
(2)BaOが50重量%を超えると、誘電率が10より大き
くなるので好ましくない(試料番号5参照)。一方、Ba
Oが3重量%未満では、焼成温度が1000℃より高くなり
好ましくない(試料番号8参照)。
くなるので好ましくない(試料番号5参照)。一方、Ba
Oが3重量%未満では、焼成温度が1000℃より高くなり
好ましくない(試料番号8参照)。
(3)SrOが45重量%を超えると、誘電率が10より大き
くなるので好ましくない(試料番号9参照)。一方、Sr
Oが3重量%未満では、焼成温度が1000℃より高くなり
好ましくない(試料番号12参照)。
くなるので好ましくない(試料番号9参照)。一方、Sr
Oが3重量%未満では、焼成温度が1000℃より高くなり
好ましくない(試料番号12参照)。
(4)ZrO2が30重量%を超え、一方5重量%未満では、
熱膨張係数が7×10-6/℃を越える(試料番号13,16参
照) (5)Al2O3が20重量%を越えると、誘電体損失が0.2%
より大きくなり好ましくない(試料番号17参照)。一
方、Al2O3が1重量%未満では、焼結温度が1000℃より
高くなり好ましくない(試料番号20参照)。
熱膨張係数が7×10-6/℃を越える(試料番号13,16参
照) (5)Al2O3が20重量%を越えると、誘電体損失が0.2%
より大きくなり好ましくない(試料番号17参照)。一
方、Al2O3が1重量%未満では、焼結温度が1000℃より
高くなり好ましくない(試料番号20参照)。
(6)B2O3が5重量%越えると、抗折強度が1500kg/cm2
より小さくなり好ましくない(試料番号21参照)。一
方、B2O3が1.5重量%未満では、焼結温度が1000℃より
高くなるので好ましくない(試料番号24参照)。
より小さくなり好ましくない(試料番号21参照)。一
方、B2O3が1.5重量%未満では、焼結温度が1000℃より
高くなるので好ましくない(試料番号24参照)。
(発明の効果) この発明によれば、高比抵抗かつ低誘電率で誘電体損失
が少なく、しかも熱膨張係数がアルミナよりも小さくな
る。また、製造過程においても仮焼後の粉砕などの処理
がしやすく、しかも、1000℃以下で焼成でき、酸化性雰
囲気中あるいは非酸化性雰囲気中で焼成しても、電気的
特性、物理的特性さらには熱的特性の変化がなく、内部
導体との反応も見られないので、内部導体材料として、
たとえば、Ag、Ag-Pdペースト、CuおよびNiなどの卑金
属を使用することができ、多層基板のコストダウンを図
ることができる。
が少なく、しかも熱膨張係数がアルミナよりも小さくな
る。また、製造過程においても仮焼後の粉砕などの処理
がしやすく、しかも、1000℃以下で焼成でき、酸化性雰
囲気中あるいは非酸化性雰囲気中で焼成しても、電気的
特性、物理的特性さらには熱的特性の変化がなく、内部
導体との反応も見られないので、内部導体材料として、
たとえば、Ag、Ag-Pdペースト、CuおよびNiなどの卑金
属を使用することができ、多層基板のコストダウンを図
ることができる。
また、熱膨張係数がアルミナ以下であるため、サーマル
ストレスによるクラックが生じにくくなる。
ストレスによるクラックが生じにくくなる。
さらに、サーメット抵抗材料などを印刷して、抵抗体も
形成することができる。
形成することができる。
Claims (1)
- 【請求項1】Si成分がSiO2に換算して20〜50重量%、 Ba成分がBaOに換算して3〜50重量%、 Sr成分がSrOに換算して3重量%〜45重量%、 Zr成分がZrO2に換算して5重量%〜30重量%、 Al成分がAl2O3に換算して1重量%〜20重量%、 B成分がB2O3に換算して1.5重量%〜5重量%、 含まれる多層基板用低温焼結磁器基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61094262A JPH0676255B2 (ja) | 1986-04-22 | 1986-04-22 | 多層基板用低温焼結磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61094262A JPH0676255B2 (ja) | 1986-04-22 | 1986-04-22 | 多層基板用低温焼結磁器組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62252365A JPS62252365A (ja) | 1987-11-04 |
JPH0676255B2 true JPH0676255B2 (ja) | 1994-09-28 |
Family
ID=14105367
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61094262A Expired - Lifetime JPH0676255B2 (ja) | 1986-04-22 | 1986-04-22 | 多層基板用低温焼結磁器組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0676255B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2611063B2 (ja) * | 1990-07-24 | 1997-05-21 | ティーディーケイ株式会社 | 高周波回路 |
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1986
- 1986-04-22 JP JP61094262A patent/JPH0676255B2/ja not_active Expired - Lifetime
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JPS62252365A (ja) | 1987-11-04 |
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