JP2600778B2 - 多層基板用低温焼結磁器組成物 - Google Patents
多層基板用低温焼結磁器組成物Info
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- JP2600778B2 JP2600778B2 JP63075691A JP7569188A JP2600778B2 JP 2600778 B2 JP2600778 B2 JP 2600778B2 JP 63075691 A JP63075691 A JP 63075691A JP 7569188 A JP7569188 A JP 7569188A JP 2600778 B2 JP2600778 B2 JP 2600778B2
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は、多層基板用低温焼結磁器組成物に関し、
特に、複数の磁器層が積層され、磁器間に回路が形成さ
れてなる多層磁器基板に適した、多層基板用低温焼結磁
器組成物に関するものである。
特に、複数の磁器層が積層され、磁器間に回路が形成さ
れてなる多層磁器基板に適した、多層基板用低温焼結磁
器組成物に関するものである。
（従来の技術） 一般に、電子機器の小型化に伴い、電子回路を構成す
る各種電子部品を実装するのに磁器基板が汎用され、最
近では、実装密度をさらに高めるため、表面に導電材料
のペーストで回路パターンを形成した未焼成の磁器シー
トを複数枚積層し、これを焼成して一体化した多層磁器
基板が開発されている。従来このような多層磁器基板の
材料としてはアルミナが用いられていた。
る各種電子部品を実装するのに磁器基板が汎用され、最
近では、実装密度をさらに高めるため、表面に導電材料
のペーストで回路パターンを形成した未焼成の磁器シー
トを複数枚積層し、これを焼成して一体化した多層磁器
基板が開発されている。従来このような多層磁器基板の
材料としてはアルミナが用いられていた。
（従来技術の問題点） しかしながら、アルミナはその焼結温度が1500〜1600
℃と高温であるため、まず焼結に要する多量のエネルギ
ーが必要となり、コスト高になる。また、基板内部に形
成される内部回路の導電材料としては、高温の焼成温度
に耐え得るＷやMoなどの高融点金属に限定されるため、
回路パターンそのものの抵抗値が高くなるというデメリ
ツトがある。また、アルミナの熱膨張係数がアルミナ基
板の上に搭載される半導体を構成するシリコンチップよ
りも大きいため、シリコンチップにサーマルストレスが
加わり、シリコンチップにクラツクを発生させる原因と
なる。さらには、アルミナそのものの誘電率が高いた
め、回路の内部を伝播する信号の遅延時間が大きくなる
などの問題があった。
℃と高温であるため、まず焼結に要する多量のエネルギ
ーが必要となり、コスト高になる。また、基板内部に形
成される内部回路の導電材料としては、高温の焼成温度
に耐え得るＷやMoなどの高融点金属に限定されるため、
回路パターンそのものの抵抗値が高くなるというデメリ
ツトがある。また、アルミナの熱膨張係数がアルミナ基
板の上に搭載される半導体を構成するシリコンチップよ
りも大きいため、シリコンチップにサーマルストレスが
加わり、シリコンチップにクラツクを発生させる原因と
なる。さらには、アルミナそのものの誘電率が高いた
め、回路の内部を伝播する信号の遅延時間が大きくなる
などの問題があった。
（発明の目的） この発明は、低温で焼結可能な多層基板用低温焼結磁
器組成物を提供することを目的とする。
器組成物を提供することを目的とする。
また、この発明は、熱膨張係数が小さく、かつ誘電率
が小さく、さらには比抵抗の高い多層基板用低温焼結磁
器組成物を提供することを目的とする。
が小さく、さらには比抵抗の高い多層基板用低温焼結磁
器組成物を提供することを目的とする。
さらに、この発明は、非酸化性雰囲気で焼結可能な多
量基板用低温磁器組成物を提供することを目的とする。
量基板用低温磁器組成物を提供することを目的とする。
（発明の構成） この発明にかかる多層基板用低温焼結磁器組成物は、
次のような材料よりなる。
次のような材料よりなる。
すなわち、コージェライトが60〜90重量％、B2O3が５
〜20重量％、CaO、SrOおよびBaOの１種以上が１〜25重
量％、SiO2、MgO、Al2O3のうち少なくとも１種以上が30
重量％以下からなるものである。
〜20重量％、CaO、SrOおよびBaOの１種以上が１〜25重
量％、SiO2、MgO、Al2O3のうち少なくとも１種以上が30
重量％以下からなるものである。
また、前記主成分に対して、添加物としてクロム、
鉄、コバルト、ニッケルおよび銅の酸化物の１種以上を
それぞれCr2O3、Fe2O3、Co2O3、NiOおよびCuOに換算し
て10重量％以下添加含有されたものからなる。
鉄、コバルト、ニッケルおよび銅の酸化物の１種以上を
それぞれCr2O3、Fe2O3、Co2O3、NiOおよびCuOに換算し
て10重量％以下添加含有されたものからなる。
なお、ここでコージェライトとは、2MgO・2Al2O3・5S
iO2のほか、E.N.Levin et al.による“Phase Diagrams
for Ceramists",The American Ceramic Society,Columb
us,1964,P.246（Fig.712）に開示されている組成範囲か
ら構成されるものである。第１図にコージェライトの組
成領域を示しておく。第１図において、領域Ａがコージ
ェライトの組成範囲である。
iO2のほか、E.N.Levin et al.による“Phase Diagrams
for Ceramists",The American Ceramic Society,Columb
us,1964,P.246（Fig.712）に開示されている組成範囲か
ら構成されるものである。第１図にコージェライトの組
成領域を示しておく。第１図において、領域Ａがコージ
ェライトの組成範囲である。
また、この発明は上記した主成分として、SiO2、Mg
O、Al2O3を含有させる。この含有量としてはその特性を
損なわない範囲として30重量％までの範囲が有効であ
る。また、これらの成分を３種とも添加させる場合、そ
の結晶構造をこの３成分系内のコージェライト以外のも
のとしてもよい。
O、Al2O3を含有させる。この含有量としてはその特性を
損なわない範囲として30重量％までの範囲が有効であ
る。また、これらの成分を３種とも添加させる場合、そ
の結晶構造をこの３成分系内のコージェライト以外のも
のとしてもよい。
さらに、この発明にかかる多層基板用低温焼結磁器組
成物を得るに当たっては、通常の窯業技術が適用され
る。すなわち、コージェライト、Ca、Sr、Baの酸化物ま
たは化合物、およびSiO2、MgO、Al2O3、さらにはクロ
ム、鉄、コバルト、ニッケル、銅の酸化物または化合物
の各粉末を所定の割合で秤量、調合し、その原料混合物
を仮焼したのち粉砕し、この粉末にバインダを加えてス
ラリーを作成し、さらにドクターブレード法などのシー
ト成形法によりセラミツクグリーシートを作成し、この
セラミツクグリーンシートの積層体を焼結することによ
り、多層磁器基板が得られる。したがって、上記した工
程によれば、ガラス化の工程がないため、焼成時の脱バ
インダが容易であり、消費エネルギーも少なくてよいこ
とになる。
成物を得るに当たっては、通常の窯業技術が適用され
る。すなわち、コージェライト、Ca、Sr、Baの酸化物ま
たは化合物、およびSiO2、MgO、Al2O3、さらにはクロ
ム、鉄、コバルト、ニッケル、銅の酸化物または化合物
の各粉末を所定の割合で秤量、調合し、その原料混合物
を仮焼したのち粉砕し、この粉末にバインダを加えてス
ラリーを作成し、さらにドクターブレード法などのシー
ト成形法によりセラミツクグリーシートを作成し、この
セラミツクグリーンシートの積層体を焼結することによ
り、多層磁器基板が得られる。したがって、上記した工
程によれば、ガラス化の工程がないため、焼成時の脱バ
インダが容易であり、消費エネルギーも少なくてよいこ
とになる。
さらには、上記した工程により作成されたセラミツク
グリーンシートの上には、導電パターンを形成するため
の導電材料を含むペーストパターンが印刷、塗布などの
方法により形成されるが、セラミツクグリーンシートの
焼成に当たっては、これらの導電材料の種類に応じて焼
成雰囲気を設定すればよい。導電材料としては、たとえ
ば、CuAg、Ag−Pd、Niなどがあるが、Ag、Ag−Pdについ
ては酸化性雰囲気、Cu、Niについては窒素などの非酸化
性雰囲気で焼成すればよい。
グリーンシートの上には、導電パターンを形成するため
の導電材料を含むペーストパターンが印刷、塗布などの
方法により形成されるが、セラミツクグリーンシートの
焼成に当たっては、これらの導電材料の種類に応じて焼
成雰囲気を設定すればよい。導電材料としては、たとえ
ば、CuAg、Ag−Pd、Niなどがあるが、Ag、Ag−Pdについ
ては酸化性雰囲気、Cu、Niについては窒素などの非酸化
性雰囲気で焼成すればよい。
この発明の多層基板用低温焼結磁器組成物を用いて、
基板そのものを製造する場合、原料を秤量、混合し、こ
の原料混合物を800〜900℃で仮焼した後、粉砕し、その
粉末をバインダと混練してからシート状に成形し、次い
で、得られたセラミツクグリーンシートを酸化性雰囲気
あるいは非酸化性雰囲気で焼成すればよい。また、多層
回路基板を製造する場合、セラミツクグリーンシートの
上にAg、Ag−Pd、Cu、Niなどの導電材料からなる導電性
ペーストで回路パターンを印刷し、それらを複数枚積層
してから、導電性ペーストに応じた雰囲気で焼成すれば
よい。導電材料としてCuやNiなどの卑金属を使用する場
合、それらの酸化を防止するため、非酸化性雰囲気で焼
成することが好ましい。たとえば、窒素をキャリアガス
として水蒸気中を通過させ、酸素および水素を微量含有
させた窒素−水蒸気雰囲気（通常、N299.7〜99.8％）
中、950〜1020℃で焼成することが好ましい。なお、酸
素を微量含有させるのは、セラミックグリーンシートの
形成に使用するバインダを仮焼段階で、炭素として残存
させないために、完全に燃焼させて除去するためであ
る。
基板そのものを製造する場合、原料を秤量、混合し、こ
の原料混合物を800〜900℃で仮焼した後、粉砕し、その
粉末をバインダと混練してからシート状に成形し、次い
で、得られたセラミツクグリーンシートを酸化性雰囲気
あるいは非酸化性雰囲気で焼成すればよい。また、多層
回路基板を製造する場合、セラミツクグリーンシートの
上にAg、Ag−Pd、Cu、Niなどの導電材料からなる導電性
ペーストで回路パターンを印刷し、それらを複数枚積層
してから、導電性ペーストに応じた雰囲気で焼成すれば
よい。導電材料としてCuやNiなどの卑金属を使用する場
合、それらの酸化を防止するため、非酸化性雰囲気で焼
成することが好ましい。たとえば、窒素をキャリアガス
として水蒸気中を通過させ、酸素および水素を微量含有
させた窒素−水蒸気雰囲気（通常、N299.7〜99.8％）
中、950〜1020℃で焼成することが好ましい。なお、酸
素を微量含有させるのは、セラミックグリーンシートの
形成に使用するバインダを仮焼段階で、炭素として残存
させないために、完全に燃焼させて除去するためであ
る。
（効果） この発明にかかる多層基板用低温焼結磁器組成物によ
れば、次のような効果を有している。
れば、次のような効果を有している。
（１）1020℃以下の温度で焼結可能であり、回路パター
ンを形成するための導電材料としてAg、Ag−Pdなどの比
較的安価な貴金属が使用できる。また、非酸化性の雰囲
気で焼成できるため、回路パターンの導電材料として安
価なCu、Niなどの卑金属が使用できる。さらには、内部
に抵抗パターンを形成するに当たっても、サーメット材
料が使用できる。
ンを形成するための導電材料としてAg、Ag−Pdなどの比
較的安価な貴金属が使用できる。また、非酸化性の雰囲
気で焼成できるため、回路パターンの導電材料として安
価なCu、Niなどの卑金属が使用できる。さらには、内部
に抵抗パターンを形成するに当たっても、サーメット材
料が使用できる。
（２）熱膨張係数が３〜５×10-6/℃と小さく、この基
板の上にシリコンを搭載しても、サーマルストレスによ
ってシリコンにクラックが発生する恐れがない。
板の上にシリコンを搭載しても、サーマルストレスによ
ってシリコンにクラックが発生する恐れがない。
（３）誘電率が６以下と、アルミナの値よりも小さいた
め、信号の遅延時間の短縮が図れる。
め、信号の遅延時間の短縮が図れる。
（実施例） 以下、この発明を実施例に従って詳細に説明する。
まず、コージェライトの原料を準備した。原料とし
て、SiO2、MgOまたはMgCO3あるいはTalc（3MgO・4SiO2
・H2O）、Al2O3を秤量し、混合した。この混合物を1350
〜1400℃で仮焼した。このようにしてすでに第１図で示
しているコージェライト組成物を得た。このコージェラ
イト仮焼物を粉砕して新にコージェライト原料として準
備した。
て、SiO2、MgOまたはMgCO3あるいはTalc（3MgO・4SiO2
・H2O）、Al2O3を秤量し、混合した。この混合物を1350
〜1400℃で仮焼した。このようにしてすでに第１図で示
しているコージェライト組成物を得た。このコージェラ
イト仮焼物を粉砕して新にコージェライト原料として準
備した。
次に、このコージェライト原料と、その他の構成材
料、すなわちB2O3またはBNあるいはB4C、CaOまたはCaCO
3、SrOまたはSrCO3、BaOまたはBaCO3、SiO2、MgOまたは
MgCO3あるいはTalc、Al2O3、CuO、NiO、Fe2O3、Cr2O3、
Co2O3を準備し、別表−１に示す組成の磁器が得られる
ように、秤量、混合した。この混合物を800〜900℃の温
度で仮焼し、粉砕した。この粉砕した粉末に有機バイン
ダを加えて混練し、得られたスラリをドクターブレード
法にて厚さ1mmのシート状に成形した。このセラミック
グリーンシートを縦30mm、横10mmの大きさにカットし、
水蒸気中に通過させた窒素をキャリアガスとする窒素−
水蒸気の非酸化性雰囲気中900℃の温度でバインダー成
分を燃焼させ、これを表−１に示す各温度で１時間焼成
して磁器を得た。
料、すなわちB2O3またはBNあるいはB4C、CaOまたはCaCO
3、SrOまたはSrCO3、BaOまたはBaCO3、SiO2、MgOまたは
MgCO3あるいはTalc、Al2O3、CuO、NiO、Fe2O3、Cr2O3、
Co2O3を準備し、別表−１に示す組成の磁器が得られる
ように、秤量、混合した。この混合物を800〜900℃の温
度で仮焼し、粉砕した。この粉砕した粉末に有機バイン
ダを加えて混練し、得られたスラリをドクターブレード
法にて厚さ1mmのシート状に成形した。このセラミック
グリーンシートを縦30mm、横10mmの大きさにカットし、
水蒸気中に通過させた窒素をキャリアガスとする窒素−
水蒸気の非酸化性雰囲気中900℃の温度でバインダー成
分を燃焼させ、これを表−１に示す各温度で１時間焼成
して磁器を得た。
また、このセラミックグリーンシートを縦3mm、横20m
mの角板状にカツトし、これを３枚積層して2000Kg/cm2
で加圧し角柱状にした。そして、これを上記の方法で焼
成し、熱膨張測定用の試料とした。
mの角板状にカツトし、これを３枚積層して2000Kg/cm2
で加圧し角柱状にした。そして、これを上記の方法で焼
成し、熱膨張測定用の試料とした。
これらの試料について、次のとおり各特性をそれぞれ
の条件や測定方法で測定し、表−１に示す結果を得た。
の条件や測定方法で測定し、表−１に示す結果を得た。
誘電率：周波数1MHzで測定した値。
誘電体損失：周波数1MHzで測定した値。
比抵抗：試料に直流100Vを印加したときの値。
熱膨張係数：次の式より算出した。
α＝ΔL/L（T2−T1）＋αSiO2 式中、α：熱膨張係数 ΔL:加熱による試料の見掛けの伸び（mm） L:室温での試料の長さ（mm） T1:室温 T2:500℃ αSiO2:石英ガラスの熱膨張係数 たま、これとは別に、同じ方法で厚さ0.3〜0.4mmのセ
ラミックグリーンシートを作成する一方、粒径５μｍ以
下の銅粉末と有機質ビヒクルとを重量比80:20の割合で
混合した銅ペーストを印刷し、これを３枚積層して熱圧
着し、窒素−水蒸気の非酸化性雰囲気中で表−１に示す
各温度で１時間焼成した。こうして得られた多層磁器基
板のCu導体は酸化されておらず、良好な導電性を示し、
その面積抵抗は2mΩ／□であった。なお、有機質ビヒク
ルはエチルセルロースをα−テレピネオールで10倍に希
釈したものを使用した。
ラミックグリーンシートを作成する一方、粒径５μｍ以
下の銅粉末と有機質ビヒクルとを重量比80:20の割合で
混合した銅ペーストを印刷し、これを３枚積層して熱圧
着し、窒素−水蒸気の非酸化性雰囲気中で表−１に示す
各温度で１時間焼成した。こうして得られた多層磁器基
板のCu導体は酸化されておらず、良好な導電性を示し、
その面積抵抗は2mΩ／□であった。なお、有機質ビヒク
ルはエチルセルロースをα−テレピネオールで10倍に希
釈したものを使用した。
表−１の結果は次の基準に従って判定した。
焼結温度:1020℃以下（Cu導体およびAg−Pd導体の使用
可能な温度、ただし、Ag−Pd導体はAg:Pd＝80:20のも
の） 誘電率（ε）:1MHzの条件下で６以下 誘電体損失（tanδ）:1MHzの条件下で0.2％以下 比抵抗：直流電圧100Vの条件下で1011Ω・cm以上 熱膨張係数:5.0×10-6/℃以下 非酸化性雰囲気で使用出来るサーメット抵抗を表面に
形成した場合、この発明にかかる多層磁器基板上のサー
メット抵抗はアルミナ基板と同等の特性を示した。
可能な温度、ただし、Ag−Pd導体はAg:Pd＝80:20のも
の） 誘電率（ε）:1MHzの条件下で６以下 誘電体損失（tanδ）:1MHzの条件下で0.2％以下 比抵抗：直流電圧100Vの条件下で1011Ω・cm以上 熱膨張係数:5.0×10-6/℃以下 非酸化性雰囲気で使用出来るサーメット抵抗を表面に
形成した場合、この発明にかかる多層磁器基板上のサー
メット抵抗はアルミナ基板と同等の特性を示した。
また、上記した実施例では、焼成雰囲気を窒素からな
る非酸化性雰囲気に設定したが、このほか、自然雰囲気
中で焼成しても表−１に示した程度の特性が得られるこ
とが確認できた。
る非酸化性雰囲気に設定したが、このほか、自然雰囲気
中で焼成しても表−１に示した程度の特性が得られるこ
とが確認できた。
なお、表−１において、＊印を付したものはこの発明
範囲外のものであり、それ以外はすべてこの発明範囲内
のものである。
範囲外のものであり、それ以外はすべてこの発明範囲内
のものである。
表−１から明らかなように、この発明の多層基板用低
温焼結磁器組成物おける組成範囲を限定した理由は次の
通りである。
温焼結磁器組成物おける組成範囲を限定した理由は次の
通りである。
コージェライトが60重量％未満では、熱膨張係数が大
きくなり、一方90重量％を越えると焼結温度が高くな
る。
きくなり、一方90重量％を越えると焼結温度が高くな
る。
B2O3が５重量％未満では、焼結温度が高くなり、一方
20重量％を越えると発泡し、焼結温度範囲が狭くなる。
20重量％を越えると発泡し、焼結温度範囲が狭くなる。
CaO、SrOおよびBaOの１種以上が１重量％未満では焼
結温度が高くなり、一方25重量％を越えると誘電率が大
きくなる。
結温度が高くなり、一方25重量％を越えると誘電率が大
きくなる。
また、SiO2、MgO、Al2O3のうち少なくとも１種以上を
30重量％以下添加含有させるのは、SiO2が30重量％を越
えると、基板としての実用強度が得られなくなり、MgO
またはAl2O3が30重量％を越えると、焼結温度が高くな
り、熱膨脹係数が大きくなるからである。なお、試料番
号16のものはSiO2が28重量％でその曲げ強度は2000Kgf/
cm2であったが、SiO2が30重量％を越える試料番号23の
ものの曲げ強度は1700Kgf/cm2であった。
30重量％以下添加含有させるのは、SiO2が30重量％を越
えると、基板としての実用強度が得られなくなり、MgO
またはAl2O3が30重量％を越えると、焼結温度が高くな
り、熱膨脹係数が大きくなるからである。なお、試料番
号16のものはSiO2が28重量％でその曲げ強度は2000Kgf/
cm2であったが、SiO2が30重量％を越える試料番号23の
ものの曲げ強度は1700Kgf/cm2であった。
さらに、上記した構成材料よりなる主成分に対して、
添加物としてCr2O3、FeO、Co2O3、NiOおよびCuOの１種
以上が10重量％を越えると、比抵抗が小さくなる。
添加物としてCr2O3、FeO、Co2O3、NiOおよびCuOの１種
以上が10重量％を越えると、比抵抗が小さくなる。
【図面の簡単な説明】 第１図はコージエライトの組成範囲を示す図である。
Claims (2)
- 【請求項１】コージェライトが60〜90重量％、B2O3が５
〜20重量％、CaO、SrOおよびBaOの１種以上が１〜25重
量％が、SiO2、MgO、Al2O3のうち少なくとも１種以上が
30重量％以下からなる多層基板用低温焼結磁器組成物。 - 【請求項２】前記主成分に対して、添加物としてクロ
ム、鉄、コバルト、ニッケルおよび銅の酸化物の１種以
上をそれぞれCr2O3、Fe2O3、Co2O3、NiOおよびCuOに換
算して10重量％以下添加含有されている特許請求の範囲
第（１）項記載の多層基板用低温焼結磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63075691A JP2600778B2 (ja) | 1988-03-29 | 1988-03-29 | 多層基板用低温焼結磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63075691A JP2600778B2 (ja) | 1988-03-29 | 1988-03-29 | 多層基板用低温焼結磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01246176A JPH01246176A (ja) | 1989-10-02 |
| JP2600778B2 true JP2600778B2 (ja) | 1997-04-16 |
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ID=13583479
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63075691A Expired - Fee Related JP2600778B2 (ja) | 1988-03-29 | 1988-03-29 | 多層基板用低温焼結磁器組成物 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2600778B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5482903A (en) * | 1993-12-22 | 1996-01-09 | International Business Machines Corporation | Aluminum nitride body utilizing a vitreous sintering additive |
-
1988
- 1988-03-29 JP JP63075691A patent/JP2600778B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
| JPH01246176A (ja) | 1989-10-02 |
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