JPH0798679B2 - 低温焼結磁器組成物 - Google Patents
低温焼結磁器組成物Info
- Publication number
- JPH0798679B2 JPH0798679B2 JP2118001A JP11800190A JPH0798679B2 JP H0798679 B2 JPH0798679 B2 JP H0798679B2 JP 2118001 A JP2118001 A JP 2118001A JP 11800190 A JP11800190 A JP 11800190A JP H0798679 B2 JPH0798679 B2 JP H0798679B2
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- Japan
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- porcelain composition
- low temperature
- temperature
- low
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は、低温焼結磁器組成物に関し、特に、電気回
路基板、たとえば、複数のシート状磁器を積層し、磁器
間に回路を形成してなる多層電気回路基板に適した低温
焼結磁器組成物に関する。
路基板、たとえば、複数のシート状磁器を積層し、磁器
間に回路を形成してなる多層電気回路基板に適した低温
焼結磁器組成物に関する。
（従来技術） 従来、この発明の発明者らは、低温で焼成でき、しかも
絶縁抵抗が高く誘電率が低い磁器を得ることができる、
数種の磁器組成物を提案した。これらの磁器組成物は、
たとえば特開昭62−128964号公報および特開昭62−2268
55号公報に開示されている。なお、特開昭62−128964号
公報には、SiO225〜80重量％、BaO,SrOのうち１種また
は２種が15〜70重量％およびB2O31.5〜５重量％さらに
必要に応じてAl2O330重量％以下からなる主成分に、Cr2
O3,CuO,NiO,Co2O3およびFe2O3のいずれか１種が添加含
有された磁器組成物であって、添加物がCr2O3またはCuO
の場合には0.2〜10重量％の範囲で添加され、添加物がN
iO,Co2O3およびFe2O3の場合には１〜10重量％の範囲で
添加される、磁器組成物が開示されている。
絶縁抵抗が高く誘電率が低い磁器を得ることができる、
数種の磁器組成物を提案した。これらの磁器組成物は、
たとえば特開昭62−128964号公報および特開昭62−2268
55号公報に開示されている。なお、特開昭62−128964号
公報には、SiO225〜80重量％、BaO,SrOのうち１種また
は２種が15〜70重量％およびB2O31.5〜５重量％さらに
必要に応じてAl2O330重量％以下からなる主成分に、Cr2
O3,CuO,NiO,Co2O3およびFe2O3のいずれか１種が添加含
有された磁器組成物であって、添加物がCr2O3またはCuO
の場合には0.2〜10重量％の範囲で添加され、添加物がN
iO,Co2O3およびFe2O3の場合には１〜10重量％の範囲で
添加される、磁器組成物が開示されている。
これらの従来の磁器組成物では、非酸化性雰囲気で1000
℃以下の低温で焼結することが可能であり、たとえば内
部電極などの導体材料として銅を用いることができる。
℃以下の低温で焼結することが可能であり、たとえば内
部電極などの導体材料として銅を用いることができる。
（発明が解決しようとする課題） しかしながら、これらの従来の磁器組成物では、その最
適焼成温度範囲が15℃以下と狭く、それから得られる磁
器の歩留りが低いという欠点があった。
適焼成温度範囲が15℃以下と狭く、それから得られる磁
器の歩留りが低いという欠点があった。
それゆえに、この発明の主たる目的は、低温で焼成で
き、最適焼成温度範囲が広く、しかも絶縁抵抗が高く誘
電率が低い磁器を得ることができる、低温焼結磁器組成
物を提供することである。
き、最適焼成温度範囲が広く、しかも絶縁抵抗が高く誘
電率が低い磁器を得ることができる、低温焼結磁器組成
物を提供することである。
（課題を解決するための手段） この発明は、Si成分をSiO2に換算して40.0〜70.0重量
％、Ba成分をBaCO3に換算して20.0〜50.0重量％、Al成
分をAl2O3に換算して2.0〜10.0重量％、Ｂ成分をB2O3に
換算して1.0〜3.0重量％、Cr成分をCr2O3に換算して0.3
〜3.0重量％、およびCa成分をCaCO3に換算して0.3〜3.0
重量％含む、低温焼結磁器組成物である。
％、Ba成分をBaCO3に換算して20.0〜50.0重量％、Al成
分をAl2O3に換算して2.0〜10.0重量％、Ｂ成分をB2O3に
換算して1.0〜3.0重量％、Cr成分をCr2O3に換算して0.3
〜3.0重量％、およびCa成分をCaCO3に換算して0.3〜3.0
重量％含む、低温焼結磁器組成物である。
（発明の効果） この発明によれば、低温で焼成でき、最適焼成温度範囲
が広く、しかも絶縁抵抗が高く誘電率が低い磁器を得る
ことができる、低温焼結磁器組成物が得られる。そのた
め、この発明にかかる低温焼結磁器組成物は、それをた
とえばバッチ炉や連続焼成炉にフルチャージで焼成する
ことができる。したがって、この発明にかかる低温焼結
磁器組成物は、それから得られる磁器の歩留りが高くな
り、たとえば多層電気回路基板などの電気回路基板の量
産実用化に大きく寄与することができる。
が広く、しかも絶縁抵抗が高く誘電率が低い磁器を得る
ことができる、低温焼結磁器組成物が得られる。そのた
め、この発明にかかる低温焼結磁器組成物は、それをた
とえばバッチ炉や連続焼成炉にフルチャージで焼成する
ことができる。したがって、この発明にかかる低温焼結
磁器組成物は、それから得られる磁器の歩留りが高くな
り、たとえば多層電気回路基板などの電気回路基板の量
産実用化に大きく寄与することができる。
この発明の上述の目的，その他の目的，特徴および利点
は、以下の実施例の詳細な説明から一層明らかとなろ
う。
は、以下の実施例の詳細な説明から一層明らかとなろ
う。
（実施例） SiO2,BaCO3,Al2O3,B2O3,Cr2O3およびCaCO3を別表に示す
組成比率の磁器が得られるように秤量し混合した。この
原料混合物を850〜950℃で仮焼し、粉砕した後、有機バ
インダーを加えて混練し、ドクターブレード法によって
厚さ1mmのシート状に成形し、グリーンシートとした。
組成比率の磁器が得られるように秤量し混合した。この
原料混合物を850〜950℃で仮焼し、粉砕した後、有機バ
インダーを加えて混練し、ドクターブレード法によって
厚さ1mmのシート状に成形し、グリーンシートとした。
このグリーンシートを縦30mm,横10mmの角板状にカット
し、その表面上に銅電極となるべき銅粉末と有機質ビヒ
クルとを重量比80:20の割合で混合した銅ペーストを印
刷した。そして、これを窒素−水蒸気の還元性もしくは
非酸化性雰囲気の中で、900〜1040℃で１時間焼成して
試験試料とした。
し、その表面上に銅電極となるべき銅粉末と有機質ビヒ
クルとを重量比80:20の割合で混合した銅ペーストを印
刷した。そして、これを窒素−水蒸気の還元性もしくは
非酸化性雰囲気の中で、900〜1040℃で１時間焼成して
試験試料とした。
焼成する温度の上昇にともなってある温度までは試料の
収縮率が大きくなっていくが、その収縮率が最大となっ
た場合の温度を試料の最適な焼成温度として第１表に示
した。
収縮率が大きくなっていくが、その収縮率が最大となっ
た場合の温度を試料の最適な焼成温度として第１表に示
した。
さらに、第１表には、試料の最適焼成温度範囲を示し
た。この最適焼成温度範囲は、表中の焼成温度を中心と
してその下限を試料が0.5％大きくなる温度とし、その
上限をはんだ付け性が不良となる温度として、それらの
差から求めた。なお、試料のはんだ付け性を調べるため
には、試料について、予め150℃で20秒予熱し、銅電極
の表面に塩素系のフラックスを付けた後、230±10℃の
鉛−錫はんだ槽５秒間浸漬し、はんだ付けを行った。そ
して、目視で銅電極の表面を見たとき、銅電極の表面90
％以上がはんだで覆わているものをはんだ付け性がよい
ものとし、90％未満しか覆われれていないものをはんだ
付け性が不良であるとものとした。
た。この最適焼成温度範囲は、表中の焼成温度を中心と
してその下限を試料が0.5％大きくなる温度とし、その
上限をはんだ付け性が不良となる温度として、それらの
差から求めた。なお、試料のはんだ付け性を調べるため
には、試料について、予め150℃で20秒予熱し、銅電極
の表面に塩素系のフラックスを付けた後、230±10℃の
鉛−錫はんだ槽５秒間浸漬し、はんだ付けを行った。そ
して、目視で銅電極の表面を見たとき、銅電極の表面90
％以上がはんだで覆わているものをはんだ付け性がよい
ものとし、90％未満しか覆われれていないものをはんだ
付け性が不良であるとものとした。
さらに、これらの試料について、絶縁抵抗および誘電率
を測定した。それらの特性はすべて良好なものであった
が、特に、誘電率について第１表に示した。
を測定した。それらの特性はすべて良好なものであった
が、特に、誘電率について第１表に示した。
なお、表で番号に＊を付した試料は、その発明の範囲外
のものであり、それ以外はこの発明の範囲内のものであ
る。
のものであり、それ以外はこの発明の範囲内のものであ
る。
この発明の低温焼結磁器組成物における組成範囲を限定
した理由はつぎの通りである。
した理由はつぎの通りである。
（１）SiO2が40重量％未満では、誘電率が9.0より高く
なり使用周波数が高い場合に電子回路の特性が低下す
る。SiO2が70重量％を超えると、焼成温度が1000℃以上
となり、たとえば内部電極などの導体材料として銅を使
用できなくなり好ましくない。
なり使用周波数が高い場合に電子回路の特性が低下す
る。SiO2が70重量％を超えると、焼成温度が1000℃以上
となり、たとえば内部電極などの導体材料として銅を使
用できなくなり好ましくない。
（２）BaCO3が20重量％未満では、抗折強度が1500kg/cm
2とやや低く焼成温度も高くなりがちで好まいくない。B
aCO3が50重量％を超えると、誘電率９より大きくなり好
ましくない。
2とやや低く焼成温度も高くなりがちで好まいくない。B
aCO3が50重量％を超えると、誘電率９より大きくなり好
ましくない。
（３）Al2O3が２重量％未満あるいは10重量％を超える
場合には、焼成温度が上昇する傾向にあり好ましくな
い。
場合には、焼成温度が上昇する傾向にあり好ましくな
い。
（４）B2O3が１重量％未満では焼成温度が1000℃以上に
なり、３重量％を超えると最適焼成温度範囲が15℃以下
となって、それぞれ好ましくない。
なり、３重量％を超えると最適焼成温度範囲が15℃以下
となって、それぞれ好ましくない。
（５）Cr2O3が0.3重量％未満でははんだ付け性が悪くな
り、３重量％を超えると絶縁抵抗が下がる場合があっ
て、それぞれ好ましくない。
り、３重量％を超えると絶縁抵抗が下がる場合があっ
て、それぞれ好ましくない。
（６）CaCO3が0.3重量％未満では最適焼成温度範囲が15
℃以下と狭く、また、３重量％を超えると焼成温度が10
00℃を超えて、それぞれ好ましくない。
℃以下と狭く、また、３重量％を超えると焼成温度が10
00℃を超えて、それぞれ好ましくない。
それに対して、この発明の範囲内の低温焼結磁器組成物
では、低温で焼成でき、絶縁抵抗が高く誘電率が低い磁
器を得ることができるとともに、最適焼成温度範囲が20
℃前後となり、バッチ炉あるいは連続焼成炉ともフルチ
ャージで焼成することができる。そのため、この発明に
かかる低温焼結磁器組成物は、それから得られる磁器の
歩留りが高くなり、たとえば多層電気回路基板などの電
気回路基板の量産実用化に大きく寄与することができ
る。
では、低温で焼成でき、絶縁抵抗が高く誘電率が低い磁
器を得ることができるとともに、最適焼成温度範囲が20
℃前後となり、バッチ炉あるいは連続焼成炉ともフルチ
ャージで焼成することができる。そのため、この発明に
かかる低温焼結磁器組成物は、それから得られる磁器の
歩留りが高くなり、たとえば多層電気回路基板などの電
気回路基板の量産実用化に大きく寄与することができ
る。
Claims (1)
- 【請求項１】Si成分をSiO2に換算して40.0〜70.0重量
％、 Ba成分をBaCO3に換算して20.0〜50.0重量％、 Al成分をAl2O3に換算して2.0〜10.0重量％、 Ｂ成分をB2O3に換算して1.0〜3.0重量％、 Cr成分をCr2O3に換算して0.3〜3.0重量％、および Ca成分をCaCO3に換算して0.3〜3.0重量％含む、低温焼
結磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2118001A JPH0798679B2 (ja) | 1990-05-07 | 1990-05-07 | 低温焼結磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2118001A JPH0798679B2 (ja) | 1990-05-07 | 1990-05-07 | 低温焼結磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0416551A JPH0416551A (ja) | 1992-01-21 |
| JPH0798679B2 true JPH0798679B2 (ja) | 1995-10-25 |
Family
ID=14725596
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2118001A Expired - Lifetime JPH0798679B2 (ja) | 1990-05-07 | 1990-05-07 | 低温焼結磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0798679B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3161355B2 (ja) * | 1997-02-28 | 2001-04-25 | 株式会社村田製作所 | 絶縁セラミック組成物およびそれを用いたセラミックインダクタ |
| US6379805B1 (en) | 1999-01-22 | 2002-04-30 | Ngk Insulators, Ltd. | Low temperature-fired porcelain articles and electronic parts including such porcelain articles |
| JP4714986B2 (ja) * | 2000-12-06 | 2011-07-06 | 株式会社村田製作所 | 誘電体磁器組成物及びそれを用いた多層基板 |
| KR100621195B1 (ko) * | 2004-02-06 | 2006-09-13 | 주식회사 아이엠텍 | 엘티씨씨용 세라믹 분말 조성물 및 그 제조방법 |
| US7211533B2 (en) | 2005-04-28 | 2007-05-01 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Oxide porcelain composition, ceramic multilayer substrate, and ceramic electronic component |
| JP5382144B2 (ja) * | 2010-02-01 | 2014-01-08 | 株式会社村田製作所 | 電子部品の製造方法 |
-
1990
- 1990-05-07 JP JP2118001A patent/JPH0798679B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0416551A (ja) | 1992-01-21 |
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Legal Events
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