JP3161355B2 - 絶縁セラミック組成物およびそれを用いたセラミックインダクタ - Google Patents
絶縁セラミック組成物およびそれを用いたセラミックインダクタInfo
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-
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、絶縁セラミック
組成物およびそれを用いたセラミックインダクタに関す
る。
組成物およびそれを用いたセラミックインダクタに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】一般に、電子機器の小型化に伴い、電気
回路を構成する各種電子部品を実装するのにセラミック
基板が汎用されている。最近では、実装密度をさらに高
めるため、内部に内部導体を形成し、内部回路や、コン
デンサ、インダクタなどの電子回路部品を内蔵した多層
セラミック基板が開発されている。この種の多層セラミ
ック基板の材料として、アルミナが採用されているが、
焼結温度が１５００〜１６００℃と高温であるため、焼
成のために多くのエネルギーを必要とする。また、アル
ミナと同時に焼成する内部導体材料もタングステンやモ
リブデン等の高融点材料を用いなければならないため、
内部回路等の抵抗が大きくなり、電流容量等が制限され
るという問題があった。
回路を構成する各種電子部品を実装するのにセラミック
基板が汎用されている。最近では、実装密度をさらに高
めるため、内部に内部導体を形成し、内部回路や、コン
デンサ、インダクタなどの電子回路部品を内蔵した多層
セラミック基板が開発されている。この種の多層セラミ
ック基板の材料として、アルミナが採用されているが、
焼結温度が１５００〜１６００℃と高温であるため、焼
成のために多くのエネルギーを必要とする。また、アル
ミナと同時に焼成する内部導体材料もタングステンやモ
リブデン等の高融点材料を用いなければならないため、
内部回路等の抵抗が大きくなり、電流容量等が制限され
るという問題があった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】そこで、低温で焼結す
る基板用材料として、特開平４−１６５５１号公報に記
載のＳｉＯ2を主成分とする低温焼結セラミック組成物
が提案されている。このセラミック組成物は焼成温度が
９４０〜１０００℃の間と比較的低温焼成で得られる
が、内部導体として銅を用いているため、焼成雰囲気を
還元性もしくは非酸化性雰囲気にしなければならないと
いう問題があった。そこで高温大気中でも酸化されにく
い銀を内部導体として用いればよいが、銀と同時焼成す
るには、セラミック組成物の焼成温度を９００℃以下に
しなければならないという問題があった。
る基板用材料として、特開平４−１６５５１号公報に記
載のＳｉＯ2を主成分とする低温焼結セラミック組成物
が提案されている。このセラミック組成物は焼成温度が
９４０〜１０００℃の間と比較的低温焼成で得られる
が、内部導体として銅を用いているため、焼成雰囲気を
還元性もしくは非酸化性雰囲気にしなければならないと
いう問題があった。そこで高温大気中でも酸化されにく
い銀を内部導体として用いればよいが、銀と同時焼成す
るには、セラミック組成物の焼成温度を９００℃以下に
しなければならないという問題があった。
【０００４】この発明の目的は、９００℃以下の低温で
焼成でき、最適焼成温度範囲が広く、絶縁抵抗が高く、
誘電率が低いセラミックを得ることができる、絶縁セラ
ミック組成物を提供するとともに、それを用いたセラミ
ックインダクタを提供することである。
焼成でき、最適焼成温度範囲が広く、絶縁抵抗が高く、
誘電率が低いセラミックを得ることができる、絶縁セラ
ミック組成物を提供するとともに、それを用いたセラミ
ックインダクタを提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】すなわち、第１の発明
は、酸化ケイ素をＳｉＯ2に換算して６２〜７５重量
％、酸化バリウムをＢａＣＯ3に換算して４〜２２重量
％、酸化アルミニウムをＡｌ2Ｏ3に換算して０．５〜
２．５重量％、酸化クロムをＣｒ2Ｏ3に換算して０〜
０．８重量％、酸化カルシウムをＣａＣＯ3に換算して
０．２〜０．８重量％、酸化ホウ素をＢ2Ｏ3に換算して
８〜１８重量％、および酸化カリウムをＫ2Ｏに換算し
て０〜２．５重量％含む絶縁セラミック組成物である。
は、酸化ケイ素をＳｉＯ2に換算して６２〜７５重量
％、酸化バリウムをＢａＣＯ3に換算して４〜２２重量
％、酸化アルミニウムをＡｌ2Ｏ3に換算して０．５〜
２．５重量％、酸化クロムをＣｒ2Ｏ3に換算して０〜
０．８重量％、酸化カルシウムをＣａＣＯ3に換算して
０．２〜０．８重量％、酸化ホウ素をＢ2Ｏ3に換算して
８〜１８重量％、および酸化カリウムをＫ2Ｏに換算し
て０〜２．５重量％含む絶縁セラミック組成物である。
【０００６】また、第２の発明は、セラミック焼結体
と、前記セラミック焼結体の内部に形成されたインダク
タ用の内部導体と、前記セラミック焼結体の外表面に形
成され前記内部導体と電気的に接続される外部電極とか
らなり、前記セラミック焼結体が、酸化ケイ素をＳｉＯ
2に換算して６２〜７５重量％、酸化バリウムをＢａＣ
Ｏ3に換算して４〜２２重量％、酸化アルミニウムをＡ
ｌ2Ｏ3に換算して０．５〜２．５重量％、酸化クロムを
Ｃｒ2Ｏ3に換算して０〜０．８重量％、酸化カルシウム
をＣａＣＯ3に換算して０．２〜０．８重量％、酸化ホ
ウ素をＢ2Ｏ3に換算して８〜１８重量％、および酸化カ
リウムをＫ2Ｏに換算して０〜２．５重量％含むセラミ
ックインダクタである。
と、前記セラミック焼結体の内部に形成されたインダク
タ用の内部導体と、前記セラミック焼結体の外表面に形
成され前記内部導体と電気的に接続される外部電極とか
らなり、前記セラミック焼結体が、酸化ケイ素をＳｉＯ
2に換算して６２〜７５重量％、酸化バリウムをＢａＣ
Ｏ3に換算して４〜２２重量％、酸化アルミニウムをＡ
ｌ2Ｏ3に換算して０．５〜２．５重量％、酸化クロムを
Ｃｒ2Ｏ3に換算して０〜０．８重量％、酸化カルシウム
をＣａＣＯ3に換算して０．２〜０．８重量％、酸化ホ
ウ素をＢ2Ｏ3に換算して８〜１８重量％、および酸化カ
リウムをＫ2Ｏに換算して０〜２．５重量％含むセラミ
ックインダクタである。
【０００７】
（実施例１）以下、この発明を実施例により説明する。
原料として、酸化ケイ素、炭酸バリウム、酸化アルミニ
ウム、酸化クロム、酸化カルシウム、酸化ホウ素、およ
び酸化カリウムを準備し、これを表１に示す組成比率で
調合し、この調合原料をボールミルを用いて湿式混合し
た後、脱水、乾燥し、８００〜９００℃で仮焼し、この
仮焼粉をボールミルを用いて再度湿式混合することによ
り調整粉末を得た。
原料として、酸化ケイ素、炭酸バリウム、酸化アルミニ
ウム、酸化クロム、酸化カルシウム、酸化ホウ素、およ
び酸化カリウムを準備し、これを表１に示す組成比率で
調合し、この調合原料をボールミルを用いて湿式混合し
た後、脱水、乾燥し、８００〜９００℃で仮焼し、この
仮焼粉をボールミルを用いて再度湿式混合することによ
り調整粉末を得た。
【０００８】
【表１】
【０００９】そして、この調整粉末に水または有機溶剤
などのバインダーを添加し、混練してスラリーとし、こ
のスラリーをドクターブレード法により厚さ１ｍｍのシ
ート状に成形し、グリーンシートとした。このグリーン
シートを縦１０ｍｍ、横１０ｍｍの板状に切断し、その
両主面に銀粉末と有機質ビヒクルとを重量比８０：２０
の割合で混合した銀ペーストを印刷した。そしてこれを
大気中８５０〜９５０℃で９０分焼成し、測定試料とし
た。
などのバインダーを添加し、混練してスラリーとし、こ
のスラリーをドクターブレード法により厚さ１ｍｍのシ
ート状に成形し、グリーンシートとした。このグリーン
シートを縦１０ｍｍ、横１０ｍｍの板状に切断し、その
両主面に銀粉末と有機質ビヒクルとを重量比８０：２０
の割合で混合した銀ペーストを印刷した。そしてこれを
大気中８５０〜９５０℃で９０分焼成し、測定試料とし
た。
【００１０】そして、これらについて諸特性を測定し
た。誘電率および絶縁抵抗はインピーダンスアナライザ
ー、ＩＲ計を用いて測定した。抗折強度については、強
度計で測定した。静電容量（Ｃ）は、自動ブリッジ式測
定器を用いて周波数１ｋＨｚ、１Ｖｒｍｓ、温度２５℃
にて測定し、静電容量から誘電率（ε）を算出した。次
に、絶縁抵抗（Ｒ）を測定するために、絶縁抵抗計を用
い、１６Ｖの直流電圧を２分間印加して、２５℃での絶
縁抵抗（Ｒ）を測定した。抗折強度は、強度計にて３点
曲げ試験で測定し、算出方法はＪＩＳ規格を用いた。こ
れらの結果を表１に示した。また、最適焼成温度、最適
焼成温度範囲も示した。
た。誘電率および絶縁抵抗はインピーダンスアナライザ
ー、ＩＲ計を用いて測定した。抗折強度については、強
度計で測定した。静電容量（Ｃ）は、自動ブリッジ式測
定器を用いて周波数１ｋＨｚ、１Ｖｒｍｓ、温度２５℃
にて測定し、静電容量から誘電率（ε）を算出した。次
に、絶縁抵抗（Ｒ）を測定するために、絶縁抵抗計を用
い、１６Ｖの直流電圧を２分間印加して、２５℃での絶
縁抵抗（Ｒ）を測定した。抗折強度は、強度計にて３点
曲げ試験で測定し、算出方法はＪＩＳ規格を用いた。こ
れらの結果を表１に示した。また、最適焼成温度、最適
焼成温度範囲も示した。
【００１１】なお、最適焼成温度とは、焼成前の試料は
温度の上昇にともない、バインダー等の蒸発や焼結にと
もない収縮するが、収縮率が最大となる温度を示す。ま
た、最適焼成温度範囲とは、前記最適焼成温度を中心と
し、最適焼成温度の試料の収縮率よりも収縮率が０．５
％大きくなる温度を下限とし、はんだ付け性が不良とな
る温度を上限として、上限温度と下限温度との差を求め
たものである。
温度の上昇にともない、バインダー等の蒸発や焼結にと
もない収縮するが、収縮率が最大となる温度を示す。ま
た、最適焼成温度範囲とは、前記最適焼成温度を中心と
し、最適焼成温度の試料の収縮率よりも収縮率が０．５
％大きくなる温度を下限とし、はんだ付け性が不良とな
る温度を上限として、上限温度と下限温度との差を求め
たものである。
【００１２】なお、はんだ付け性とは、測定試料を１５
０℃で２０秒間予熱し、銀電極の表面に塩素系のフラッ
クスを付けた後、２３０±１０℃の鉛−スズはんだ槽に
２秒間浸漬した。それを目視で銀電極の表面の９０％以
上がはんだで覆われているものを良とし、９０％未満を
不良とした。なお、表中の＊印はこの発明の請求範囲外
であり、それ以外は発明の範囲内である。
０℃で２０秒間予熱し、銀電極の表面に塩素系のフラッ
クスを付けた後、２３０±１０℃の鉛−スズはんだ槽に
２秒間浸漬した。それを目視で銀電極の表面の９０％以
上がはんだで覆われているものを良とし、９０％未満を
不良とした。なお、表中の＊印はこの発明の請求範囲外
であり、それ以外は発明の範囲内である。
【００１３】ここで、この発明の絶縁セラミック組成物
の組成限定理由について説明する。試料番号１のよう
に、ＳｉＯ2が６２重量％未満の場合には、誘電率が６
より大きくなり、使用周波数が高い場合に電子回路の特
性が低下するからである。試料番号２２のように、Ｓｉ
Ｏ2が７５重量％を越える場合には、焼成温度が９００
℃を越えるからである。試料番号２０のように、ＢａＣ
Ｏ3が４重量％未満の場合には、抗折強度が８２０ｋｇ
／ｃｍ2と低く、焼成温度も９００℃を越えるからであ
る。試料番号２のように、ＢａＣＯ3が２２重量％を越
える場合には、誘電率が６より大きくなるからである。
試料番号７のように、Ａｌ2Ｏ3が０．５重量％未満ある
いは試料番号１５のように、Ａｌ2Ｏ3が２．５重量％を
越える場合には、焼成温度が９００℃を越えるからであ
る。
の組成限定理由について説明する。試料番号１のよう
に、ＳｉＯ2が６２重量％未満の場合には、誘電率が６
より大きくなり、使用周波数が高い場合に電子回路の特
性が低下するからである。試料番号２２のように、Ｓｉ
Ｏ2が７５重量％を越える場合には、焼成温度が９００
℃を越えるからである。試料番号２０のように、ＢａＣ
Ｏ3が４重量％未満の場合には、抗折強度が８２０ｋｇ
／ｃｍ2と低く、焼成温度も９００℃を越えるからであ
る。試料番号２のように、ＢａＣＯ3が２２重量％を越
える場合には、誘電率が６より大きくなるからである。
試料番号７のように、Ａｌ2Ｏ3が０．５重量％未満ある
いは試料番号１５のように、Ａｌ2Ｏ3が２．５重量％を
越える場合には、焼成温度が９００℃を越えるからであ
る。
【００１４】試料番号６のように、Ｃｒ2Ｏ3が０．８重
量％を越える場合には、絶縁抵抗が下がるからである。
試料番号１２のように、ＣａＣＯ3が０．２重量％未満
の場合には、最適焼成温度範囲が１５℃以下と狭くなる
からである。試料番号７のように、ＣａＣＯ3が０．８
重量％を越える場合には、焼成温度が９００℃を超える
からである。試料番号２２のように、Ｂ2Ｏ3が８重量％
未満の場合には、焼成温度が９００℃を越えるからであ
る。試料番号２０のように、Ｂ2Ｏ3が１８重量％を越え
る場合には、絶縁抵抗が低下するからである。試料番号
８のように、Ｋ2Ｏが２．５重量％を越える場合には、
絶縁抵抗が低下するからである。
量％を越える場合には、絶縁抵抗が下がるからである。
試料番号１２のように、ＣａＣＯ3が０．２重量％未満
の場合には、最適焼成温度範囲が１５℃以下と狭くなる
からである。試料番号７のように、ＣａＣＯ3が０．８
重量％を越える場合には、焼成温度が９００℃を超える
からである。試料番号２２のように、Ｂ2Ｏ3が８重量％
未満の場合には、焼成温度が９００℃を越えるからであ
る。試料番号２０のように、Ｂ2Ｏ3が１８重量％を越え
る場合には、絶縁抵抗が低下するからである。試料番号
８のように、Ｋ2Ｏが２．５重量％を越える場合には、
絶縁抵抗が低下するからである。
【００１５】なお、上記実施例では、電極に銀を用いた
が、銀合金や銀パラジウム合金などを用いてもよい。
が、銀合金や銀パラジウム合金などを用いてもよい。
【００１６】（実施例２）実施例１のセラミック組成物
を用いてセラミックインダクタを構成する例を説明す
る。実施例１で作成したスラリーをドクターブレード法
によりシート状に形成し、、このセラミックグリーンシ
ートの片主面に導体パターンを形成するための導電性ペ
ーストを印刷した。導電性ペーストは、例えば銀−パラ
ジウム合金を用い、導体パターンは、導電性ペーストを
印刷したセラミックグリーンシートを積層し、積層状態
で積層体の内部でコイル状導体パターンを形成できるよ
うにしている。より具体的には、セラミックグリーンシ
ートにビアホールを設け、このビアホールを介して、上
下の導体パターンをコイル状に構成している。次いで、
この積層体を、空気中８６０℃で１時間焼成し、セラミ
ック素体を作製した。
を用いてセラミックインダクタを構成する例を説明す
る。実施例１で作成したスラリーをドクターブレード法
によりシート状に形成し、、このセラミックグリーンシ
ートの片主面に導体パターンを形成するための導電性ペ
ーストを印刷した。導電性ペーストは、例えば銀−パラ
ジウム合金を用い、導体パターンは、導電性ペーストを
印刷したセラミックグリーンシートを積層し、積層状態
で積層体の内部でコイル状導体パターンを形成できるよ
うにしている。より具体的には、セラミックグリーンシ
ートにビアホールを設け、このビアホールを介して、上
下の導体パターンをコイル状に構成している。次いで、
この積層体を、空気中８６０℃で１時間焼成し、セラミ
ック素体を作製した。
【００１７】このセラミック素体の外表面に第１層が銀
焼き付け電極、第２層がニッケル電解メッキ膜、第３層
がスズメッキ膜からなる外部電極を形成し、コイル状内
部導体と電気的に接続するようにした。
焼き付け電極、第２層がニッケル電解メッキ膜、第３層
がスズメッキ膜からなる外部電極を形成し、コイル状内
部導体と電気的に接続するようにした。
【００１８】図１は、このようにして得られたセラミッ
クインダクタの一実施例の斜視図である。１はセラミッ
クインダクタ、２は絶縁セラミック、３はコイル状内部
導体、４は外部電極である。セラミック素体はこの発明
の絶縁セラミック組成物のＳｉＯ2−ＢａＯ−Ｂ2Ｏ3系
の材料で構成されている。
クインダクタの一実施例の斜視図である。１はセラミッ
クインダクタ、２は絶縁セラミック、３はコイル状内部
導体、４は外部電極である。セラミック素体はこの発明
の絶縁セラミック組成物のＳｉＯ2−ＢａＯ−Ｂ2Ｏ3系
の材料で構成されている。
【００１９】このセラミックインダクタは、低温焼結可
能なセラミックで構成されているため、内部導体に銀比
率の多い電気伝導の高いもので形成でき、高周波領域で
利用できるチップインダクタである。
能なセラミックで構成されているため、内部導体に銀比
率の多い電気伝導の高いもので形成でき、高周波領域で
利用できるチップインダクタである。
【００２０】このセラミックシート表面に形成する内部
導体パターンの材料としては、ＡｇまたはＡｇ−Ｐｄ等
の銀合金でもよい。また、形成方法は印刷、塗布、蒸
着、スパッタリング等により形成しても良い。外部電極
材料としては、上記のＡｇの他、Ａｇ−Ｐｄ，Ｎｉ，Ｃ
ｕ等の金属、あるいはそれらの合金等であっても良く、
また印刷、蒸着、スパッタリング等で形成しても良い。
また、焼成前の積層体の端面に外部電極を形成し、同時
焼成してもかまわない。
導体パターンの材料としては、ＡｇまたはＡｇ−Ｐｄ等
の銀合金でもよい。また、形成方法は印刷、塗布、蒸
着、スパッタリング等により形成しても良い。外部電極
材料としては、上記のＡｇの他、Ａｇ−Ｐｄ，Ｎｉ，Ｃ
ｕ等の金属、あるいはそれらの合金等であっても良く、
また印刷、蒸着、スパッタリング等で形成しても良い。
また、焼成前の積層体の端面に外部電極を形成し、同時
焼成してもかまわない。
【００２１】セラミックインダクタ１の形状は特に指定
はない。また、コイルのターン数についても指定はな
く、絶縁セラミック層２の間の内部導体パターンの数に
より任意に選ぶことができる。上記した実施例２では、
１個のインダクタを有するセラミックインダクタについ
て説明したが、この他にトランス、ＬＣフィルタ等のセ
ラミックインダクタ複合部品にも適用することができ
る。
はない。また、コイルのターン数についても指定はな
く、絶縁セラミック層２の間の内部導体パターンの数に
より任意に選ぶことができる。上記した実施例２では、
１個のインダクタを有するセラミックインダクタについ
て説明したが、この他にトランス、ＬＣフィルタ等のセ
ラミックインダクタ複合部品にも適用することができ
る。
【００２２】
【発明の効果】この発明の絶縁セラミック組成物は、９
００℃以下の温度で大気中で焼成できる。また、この発
明の絶縁セラミック組成物は、最適焼成温度範囲が広
く、バッチ炉や連続焼成炉内の温度がばらついても、良
品率が高く、量産実用化に適している。さらに、この発
明の絶縁セラミック組成物から得られるセラミックは、
絶縁抵抗が高く、誘電率が低く、抗折強度も大きい特性
を有している。
００℃以下の温度で大気中で焼成できる。また、この発
明の絶縁セラミック組成物は、最適焼成温度範囲が広
く、バッチ炉や連続焼成炉内の温度がばらついても、良
品率が高く、量産実用化に適している。さらに、この発
明の絶縁セラミック組成物から得られるセラミックは、
絶縁抵抗が高く、誘電率が低く、抗折強度も大きい特性
を有している。
【００２３】また、この発明のセラミックインダクタ
は、この発明の絶縁セラミック組成物を用いることによ
り、内部電極に銀あるいは銀合金を用いることができ
る。さらに、この発明のセラミックインダクタは、高自
己共振周波数かつ高Ｑの特性を有している。
は、この発明の絶縁セラミック組成物を用いることによ
り、内部電極に銀あるいは銀合金を用いることができ
る。さらに、この発明のセラミックインダクタは、高自
己共振周波数かつ高Ｑの特性を有している。
【図１】この発明のセラミックインダクタの一実施例を
示す斜視図である。
示す斜視図である。
１ セラミックインダクタ ２ 絶縁セラミック ３ コイル状内部導体 ４ 外部電極
フロントページの続き (72)発明者 小林 隆 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株 式会社村田製作所内 審査官 米田 健志 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C04B 35/00 - 35/22
Claims (2)
- 【請求項１】 酸化ケイ素をＳｉＯ2に換算して６２〜
７５重量％、酸化バリウムをＢａＣＯ3に換算して４〜
２２重量％、酸化アルミニウムをＡｌ2Ｏ3に換算して
０．５〜２．５重量％、酸化クロムをＣｒ2Ｏ3に換算し
て０〜０．８重量％、酸化カルシウムをＣａＣＯ3に換
算して０．２〜０．８重量％、酸化ホウ素をＢ2Ｏ3に換
算して８〜１８重量％、および酸化カリウムをＫ2Ｏに
換算して０〜２．５重量％含むことを特徴とする絶縁セ
ラミック組成物。 - 【請求項２】 セラミック焼結体と、前記セラミック焼
結体の内部に形成されたインダクタ用の内部導体と、前
記セラミック焼結体の外表面に形成され前記内部導体と
電気的に接続される外部電極とからなり、前記セラミッ
ク焼結体が、酸化ケイ素をＳｉＯ2に換算して６２〜７
５重量％、酸化バリウムをＢａＣＯ3に換算して４〜２
２重量％、酸化アルミニウムをＡｌ2Ｏ3に換算して０．
５〜２．５重量％、酸化クロムをＣｒ2Ｏ3に換算して０
〜０．８重量％、酸化カルシウムをＣａＣＯ3に換算し
て０．２〜０．８重量％、酸化ホウ素をＢ2Ｏ3に換算し
て８〜１８重量％、および酸化カリウムをＫ2Ｏに換算
して０〜２．５重量％含むことを特徴とするセラミック
インダクタ。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04588597A JP3161355B2 (ja) | 1997-02-28 | 1997-02-28 | 絶縁セラミック組成物およびそれを用いたセラミックインダクタ |
| TW087102515A TW466220B (en) | 1997-02-28 | 1998-02-23 | Insulating ceramic composition and ceramic inductor using the same |
| US09/030,050 US6080693A (en) | 1997-02-28 | 1998-02-24 | Insulating ceramic composition and ceramic inductor using the same |
| CN98105375A CN1084716C (zh) | 1997-02-28 | 1998-02-26 | 绝缘陶瓷组合物及其用途 |
| DE69800309T DE69800309T2 (de) | 1997-02-28 | 1998-02-27 | Elektrisch isolierende keramische Zusammensetzung und daraus hergestellte keramische Induktivität |
| NO19980854A NO317328B1 (no) | 1997-02-28 | 1998-02-27 | Keramisk isolasjonsmateriale og induktor med dette materiale som isolasjon |
| EP98103500A EP0861816B1 (en) | 1997-02-28 | 1998-02-27 | Insulating ceramic composition and ceramic inductor using the same |
| KR1019980006594A KR100280337B1 (ko) | 1997-02-28 | 1998-02-28 | 절연 세라믹 조성물 및 이를 이용한 세라믹 인덕터 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04588597A JP3161355B2 (ja) | 1997-02-28 | 1997-02-28 | 絶縁セラミック組成物およびそれを用いたセラミックインダクタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10236868A JPH10236868A (ja) | 1998-09-08 |
| JP3161355B2 true JP3161355B2 (ja) | 2001-04-25 |
Family
ID=12731703
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04588597A Expired - Lifetime JP3161355B2 (ja) | 1997-02-28 | 1997-02-28 | 絶縁セラミック組成物およびそれを用いたセラミックインダクタ |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6080693A (ja) |
| EP (1) | EP0861816B1 (ja) |
| JP (1) | JP3161355B2 (ja) |
| KR (1) | KR100280337B1 (ja) |
| CN (1) | CN1084716C (ja) |
| DE (1) | DE69800309T2 (ja) |
| NO (1) | NO317328B1 (ja) |
| TW (1) | TW466220B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003282332A (ja) * | 2002-03-25 | 2003-10-03 | Murata Mfg Co Ltd | セラミック電子部品、及びセラミック電子部品の製造方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3452028B2 (ja) * | 2000-05-09 | 2003-09-29 | 株式会社村田製作所 | チップインダクタ及びその製造方法 |
| US6844278B2 (en) * | 2001-09-18 | 2005-01-18 | Aem, Inc. | Dense lead-free glass ceramic for electronic devices |
| KR100621195B1 (ko) * | 2004-02-06 | 2006-09-13 | 주식회사 아이엠텍 | 엘티씨씨용 세라믹 분말 조성물 및 그 제조방법 |
| JP4853048B2 (ja) * | 2006-03-02 | 2012-01-11 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサの製造方法 |
| JP5559590B2 (ja) | 2009-11-18 | 2014-07-23 | 日本碍子株式会社 | セラミックス焼結体、その製造方法及びセラミックス構造体 |
| CN102898027B (zh) * | 2012-10-17 | 2015-01-07 | 电子科技大学 | 电子元器件封装材料用陶瓷粉及其生产方法 |
| KR101548808B1 (ko) * | 2013-10-24 | 2015-08-31 | 삼성전기주식회사 | 복합 전자부품 및 그 실장 기판 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4927222B1 (ja) * | 1966-04-13 | 1974-07-16 | ||
| NL7406083A (nl) * | 1974-05-07 | 1975-11-11 | Philips Nv | Werkwijze voor het samenstellen van een gemeng voor loodglas. |
| US3957499A (en) * | 1974-11-11 | 1976-05-18 | Corning Glass Works | Fast-fading index-corrected photochromic glass compositions |
| SU574776A1 (ru) * | 1976-06-10 | 1977-09-30 | Предприятие П/Я Х-5476 | Диэлектрический состав дл межслойной изол ции |
| GB2115403B (en) * | 1982-02-20 | 1985-11-27 | Zeiss Stiftung | Optical and opthalmic glass |
| JPS643046A (en) * | 1987-04-15 | 1989-01-06 | Tam Ceramics Inc | Dielectric ceramic composition having high dielectric constant |
| US5077240A (en) * | 1990-01-11 | 1991-12-31 | Schott Glass Technologies, Inc. | Strengthenable, high neodymium-containing glasses |
| JPH0798679B2 (ja) * | 1990-05-07 | 1995-10-25 | 株式会社村田製作所 | 低温焼結磁器組成物 |
| CN2082011U (zh) * | 1990-11-29 | 1991-07-31 | 陈树田 | 陶瓷绝缘子无电源电容分压式传感器 |
| US5622903A (en) * | 1995-05-04 | 1997-04-22 | Owens-Corning Fiberglas Technology, Inc. | Irregularly shaped glass fibers and insulation therefrom |
-
1997
- 1997-02-28 JP JP04588597A patent/JP3161355B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-02-23 TW TW087102515A patent/TW466220B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-02-24 US US09/030,050 patent/US6080693A/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-02-26 CN CN98105375A patent/CN1084716C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1998-02-27 EP EP98103500A patent/EP0861816B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-02-27 NO NO19980854A patent/NO317328B1/no not_active IP Right Cessation
- 1998-02-27 DE DE69800309T patent/DE69800309T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-02-28 KR KR1019980006594A patent/KR100280337B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003282332A (ja) * | 2002-03-25 | 2003-10-03 | Murata Mfg Co Ltd | セラミック電子部品、及びセラミック電子部品の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0861816A3 (en) | 1998-11-11 |
| DE69800309T2 (de) | 2001-03-15 |
| US6080693A (en) | 2000-06-27 |
| EP0861816B1 (en) | 2000-09-20 |
| DE69800309D1 (de) | 2000-10-26 |
| KR19980071853A (ko) | 1998-10-26 |
| KR100280337B1 (ko) | 2001-03-02 |
| EP0861816A2 (en) | 1998-09-02 |
| CN1194253A (zh) | 1998-09-30 |
| CN1084716C (zh) | 2002-05-15 |
| TW466220B (en) | 2001-12-01 |
| NO980854L (no) | 1998-08-31 |
| NO980854D0 (no) | 1998-02-27 |
| NO317328B1 (no) | 2004-10-11 |
| JPH10236868A (ja) | 1998-09-08 |
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