JPH02270313A - 誘電体磁器組成物とそれを用いた積層セラミックコンデンサとその製造方法 - Google Patents
誘電体磁器組成物とそれを用いた積層セラミックコンデンサとその製造方法Info
- Publication number
- JPH02270313A JPH02270313A JP1091302A JP9130289A JPH02270313A JP H02270313 A JPH02270313 A JP H02270313A JP 1091302 A JP1091302 A JP 1091302A JP 9130289 A JP9130289 A JP 9130289A JP H02270313 A JPH02270313 A JP H02270313A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- composition
- dielectric
- ceramic capacitor
- organic binder
- beta
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 38
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 34
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 title claims abstract 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims abstract description 27
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims abstract description 14
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 21
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 11
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 3
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 claims description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 13
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 10
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 9
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 9
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 6
- NLQFUUYNQFMIJW-UHFFFAOYSA-N dysprosium(III) oxide Inorganic materials O=[Dy]O[Dy]=O NLQFUUYNQFMIJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- FIXNOXLJNSSSLJ-UHFFFAOYSA-N ytterbium(III) oxide Inorganic materials O=[Yb]O[Yb]=O FIXNOXLJNSSSLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910004369 ThO2 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- ZCUFMDLYAMJYST-UHFFFAOYSA-N thorium dioxide Chemical compound O=[Th]=O ZCUFMDLYAMJYST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 6
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 5
- IRIAEXORFWYRCZ-UHFFFAOYSA-N Butylbenzyl phthalate Chemical compound CCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC1=CC=CC=C1 IRIAEXORFWYRCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 229910021523 barium zirconate Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010252 TiO3 Inorganic materials 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L barium carbonate Chemical compound [Ba+2].[O-]C([O-])=O AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001293 FEMA 3089 Substances 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052776 Thorium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010344 co-firing Methods 0.000 description 1
- 238000000975 co-precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000002003 electrode paste Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 201000000708 eosinophilic esophagitis Diseases 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 238000011946 reduction process Methods 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000002689 soil Substances 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、電子機器に用いられるセラミックコンデンサ
、特にニッケルからなる内部電極を有する積層セラミッ
クコンデンサの誘電体磁器組成物および、その誘電体磁
器組成物を用いた積層セラミックコンデンサとその製造
方法に関するものである。
、特にニッケルからなる内部電極を有する積層セラミッ
クコンデンサの誘電体磁器組成物および、その誘電体磁
器組成物を用いた積層セラミックコンデンサとその製造
方法に関するものである。
従来の技術
積層セラミックコンデンサは、電極と誘電体磁器組成物
とが層状に構成されているもので、セラミンクス作製技
術によって一体化、固体化されるため、小型、大容量の
ものが得られる。さらに電極が内蔵されるため、磁気誘
導成分が少なく高周波用途にも優れた性能を示す。また
、チップ型は、リード線がないため部品実装の際、直付
けが可能で電子機器の小型軽量化への要求にもマツチし
、今後増々発展が期待されている。
とが層状に構成されているもので、セラミンクス作製技
術によって一体化、固体化されるため、小型、大容量の
ものが得られる。さらに電極が内蔵されるため、磁気誘
導成分が少なく高周波用途にも優れた性能を示す。また
、チップ型は、リード線がないため部品実装の際、直付
けが可能で電子機器の小型軽量化への要求にもマツチし
、今後増々発展が期待されている。
一方、コンデンサの材質における分類から、アルミ電解
、タンタル電解9紙、有機フィルムなどが上げられ、積
層セラミックコンデンサの容量範囲から、それらのすべ
てと競合関係にある。従って、積層セラミンクコンデン
サに対する今後の要求は、大容量化、小型化、低価格化
である。積層セラミックコンデンサの容量は一般的に次
の式で表わせる。
、タンタル電解9紙、有機フィルムなどが上げられ、積
層セラミックコンデンサの容量範囲から、それらのすべ
てと競合関係にある。従って、積層セラミンクコンデン
サに対する今後の要求は、大容量化、小型化、低価格化
である。積層セラミックコンデンサの容量は一般的に次
の式で表わせる。
C=EoEsX −Xn
Eo: 真空の誘電率
Es : 誘電体材料の比誘電率
n : 積層数
S : 電極面積
d : −層当りの誘電体の厚さ
大容量化に向けては、上式よりも明らかな様に、誘電体
材料の高誘電率化、電極面積を大きくするための高積層
化、誘電体層の薄層化に対する取り組みがなされている
。
材料の高誘電率化、電極面積を大きくするための高積層
化、誘電体層の薄層化に対する取り組みがなされている
。
小型化に対しては、チップ形状が、3.2mmX1.6
mmから2.OrImXl、25mmや1.6 mmX
0.8 mmさらには、1.0m5X0.5mmへとい
う取り組みがなされている0次に低コスト化であるが、
これが最も大きな要求である。なぜならば、大容量化、
小型化は、低コスト化と相反する要求ではなく、大容量
化、小型化と同時に取り組むべき課題だからである。
mmから2.OrImXl、25mmや1.6 mmX
0.8 mmさらには、1.0m5X0.5mmへとい
う取り組みがなされている0次に低コスト化であるが、
これが最も大きな要求である。なぜならば、大容量化、
小型化は、低コスト化と相反する要求ではなく、大容量
化、小型化と同時に取り組むべき課題だからである。
従来の積層セラミンクコンデンサは、
BaTiO3を誘電体材料の主成分とし、内部電極に貴
金属のPdを用いている。そのため、生産コストに占め
る内部電橋材料コストの比率が極めて高く、7割以上と
も言われている。特に静電容量の大きなものでは内部電
極数が多くなるため、さらにコスト高となり、積層セラ
ミンクコンデンサは容量効率が高く、その他誘電的特性
に優れかつ高信頼性にもかかわらず価格面がその進展に
大きな障害となっていた。
金属のPdを用いている。そのため、生産コストに占め
る内部電橋材料コストの比率が極めて高く、7割以上と
も言われている。特に静電容量の大きなものでは内部電
極数が多くなるため、さらにコスト高となり、積層セラ
ミンクコンデンサは容量効率が高く、その他誘電的特性
に優れかつ高信頼性にもかかわらず価格面がその進展に
大きな障害となっていた。
そしてこれらのコストダウンを目ざして各方面で種々の
検討がなされている。中でも、貴金属のうちでも比較的
コストの安いAgに着目し、Ag−Pdを内部電極材料
とする方法が検討されている。
検討がなされている。中でも、貴金属のうちでも比較的
コストの安いAgに着目し、Ag−Pdを内部電極材料
とする方法が検討されている。
(例えば特開昭49−19399号公報 K。
S、5ubbrao:Jpbys、(bem。
5olicls、236.65 (1962))一方、
Agでもコストが高いとし、卑金属化を指向する方向も
ある。つまり電極材料にNiを用いるというものである
。N1などの卑金属を内部電極として使用すると、Ba
TiO3を主成分とする誘電体と卑金属内部電極とをニ
ッケルが酸化されない非酸化性雰囲気中で同時焼成しな
ければならない。しかしこの場合、従来のB a T
i O3または、その固溶体からなる誘電体は容易に還
元されてしまい絶縁性を失い、その結集積層セラミック
コンデンサとして実用的な誘電体特性が得られなくなる
という欠点を有していた。そこで、中性または還元性雰
囲気で焼成しても還元されない材料として、非還元性セ
ラミック誘電体材料の開発も行なわれている。
Agでもコストが高いとし、卑金属化を指向する方向も
ある。つまり電極材料にNiを用いるというものである
。N1などの卑金属を内部電極として使用すると、Ba
TiO3を主成分とする誘電体と卑金属内部電極とをニ
ッケルが酸化されない非酸化性雰囲気中で同時焼成しな
ければならない。しかしこの場合、従来のB a T
i O3または、その固溶体からなる誘電体は容易に還
元されてしまい絶縁性を失い、その結集積層セラミック
コンデンサとして実用的な誘電体特性が得られなくなる
という欠点を有していた。そこで、中性または還元性雰
囲気で焼成しても還元されない材料として、非還元性セ
ラミック誘電体材料の開発も行なわれている。
例えば特開昭55−67568号公報、特開昭61−2
56968号公報、特開昭60−109104号公報な
ど。
56968号公報、特開昭60−109104号公報な
ど。
次に、Niを内部電極とする積層セラミックコンデンサ
の製造方法においては、−mに、表面に内部型1m(N
i)が塗布されたBaTiO3を土成分とする誘電体グ
リーンシートを複数枚積層した未焼結積層体を、内部電
極のNiが酸化されないような極めて酸素分圧の低い窒
素雰囲気下で焼結一体化することにより作製している。
の製造方法においては、−mに、表面に内部型1m(N
i)が塗布されたBaTiO3を土成分とする誘電体グ
リーンシートを複数枚積層した未焼結積層体を、内部電
極のNiが酸化されないような極めて酸素分圧の低い窒
素雰囲気下で焼結一体化することにより作製している。
発明が解決しようとする課題
本発明は、内部TI極がNiの積層セラミックコンデン
サ作製にあたり、NiとNiOの平衡酸素分圧以下とい
う極めて低酸素分圧下の焼成においても絶縁抵抗の低下
をまねかない高誘電率の誘電体磁器組成物を提供するも
のである。
サ作製にあたり、NiとNiOの平衡酸素分圧以下とい
う極めて低酸素分圧下の焼成においても絶縁抵抗の低下
をまねかない高誘電率の誘電体磁器組成物を提供するも
のである。
次に、本発明は、従来のNiを内部電極とする積層セラ
ミンクコンデンサの製造方法の問題点を解決する新しい
製造方法を提供するものである。それは、従来の製造方
法においては、内部電極と誘電体材料を同時焼成すると
きに有機バインダの使用に困難を生ずる点にある。つま
り、誘電体グリーンシートに用いられる有機バインダ、
および電極ペーストに含まれる同じく有機バインダが非
酸化性雰囲気下では完全に除去することが困難である。
ミンクコンデンサの製造方法の問題点を解決する新しい
製造方法を提供するものである。それは、従来の製造方
法においては、内部電極と誘電体材料を同時焼成すると
きに有機バインダの使用に困難を生ずる点にある。つま
り、誘電体グリーンシートに用いられる有機バインダ、
および電極ペーストに含まれる同じく有機バインダが非
酸化性雰囲気下では完全に除去することが困難である。
そして、完全に除去できなければ誘電体材料そのものも
多孔質のままで存在するといわれており、焼結が進行し
ないばかりか、分解後のカーボンのために黒ずんだもの
しか得られない、そしてこの問題は、積層セラミックコ
ンデンサの大容量化に伴なう積層数の増加や、低温焼成
化に伴う、誘電体粉の微粉化でシート中の有機成分含有
率が増加した場合、今以上に重要な問題となることが予
想される。
多孔質のままで存在するといわれており、焼結が進行し
ないばかりか、分解後のカーボンのために黒ずんだもの
しか得られない、そしてこの問題は、積層セラミックコ
ンデンサの大容量化に伴なう積層数の増加や、低温焼成
化に伴う、誘電体粉の微粉化でシート中の有機成分含有
率が増加した場合、今以上に重要な問題となることが予
想される。
課題を解決するための手段
本発明の誘電体磁器組成物は
(Bms(T l l−z Z r X) Ox−m
) I−ai −p+ (MnO□)べ +(×)I で表わされ、Xが、Yb、03.I)y2o3゜The
2のうち少なくとも1種以上からなり、m。
) I−ai −p+ (MnO□)べ +(×)I で表わされ、Xが、Yb、03.I)y2o3゜The
2のうち少なくとも1種以上からなり、m。
X、α、βが次の範囲にあることを特徴とするものであ
る。
る。
0.98≦m≦1.02
0≦X≦0.2
0.005≦α≦0.05
0.001≦β≦0.02
また、本発明の積層セラミックコンデンサの製造方法は
、上記の誘電体組成物と少なくとも有機バインダ、溶剤
、可塑剤からなるグリーンシート上に、ニッケルの酸化
物を主成分として少なくとも有機バインダと有機溶剤と
からなるビヒクルとともに混練したペーストを印刷しパ
ターン膜を形成する工程と、該印刷されたグリーンシー
トを所望の枚数だけ加熱加圧することによって積層化す
る工程と、この様に積層された積層体を所望の寸法に切
断する工程と、これを前記誘電体磁器組成物が焼結し始
めない温度の空気中で加熱し、有機バインダを燃焼させ
る工程と、これを還元雰囲気中で熱処理し、ニッケルの
酸化物を金属に還元せしむる工程と、これをニッケルの
融点より低い温度の窒素雰囲気中で焼成し、誘電体磁器
組成物と金属とを緻密化する工程からなることを特徴と
するものである。
、上記の誘電体組成物と少なくとも有機バインダ、溶剤
、可塑剤からなるグリーンシート上に、ニッケルの酸化
物を主成分として少なくとも有機バインダと有機溶剤と
からなるビヒクルとともに混練したペーストを印刷しパ
ターン膜を形成する工程と、該印刷されたグリーンシー
トを所望の枚数だけ加熱加圧することによって積層化す
る工程と、この様に積層された積層体を所望の寸法に切
断する工程と、これを前記誘電体磁器組成物が焼結し始
めない温度の空気中で加熱し、有機バインダを燃焼させ
る工程と、これを還元雰囲気中で熱処理し、ニッケルの
酸化物を金属に還元せしむる工程と、これをニッケルの
融点より低い温度の窒素雰囲気中で焼成し、誘電体磁器
組成物と金属とを緻密化する工程からなることを特徴と
するものである。
作用
本発明の誘電体磁器組成物は、MnO2を含んでいるた
め、チタン酸バリウム(BaTiO,)の低酸素分圧下
での焼成による半導体化を電荷補償により抑制する効果
がある。これによって、低酸素分圧下の焼成においても
良好な絶縁抵抗を示すこととなる。さらに、低酸素分圧
下でも非常に安定なく還元されにくい)Yb20.、D
y20a。
め、チタン酸バリウム(BaTiO,)の低酸素分圧下
での焼成による半導体化を電荷補償により抑制する効果
がある。これによって、低酸素分圧下の焼成においても
良好な絶縁抵抗を示すこととなる。さらに、低酸素分圧
下でも非常に安定なく還元されにくい)Yb20.、D
y20a。
The2等を含むことにより、さらに絶縁特性に対して
効果を示す、またYb20a、Dy2O3゜The2等
は、低酸素分圧下の焼成において、誘電体の粒成長を促
進する働きがあるため、高誘電率化に対しても効果があ
る0以上の点より、本発明の誘電体磁器組成物は、絶縁
特性にすぐれ、かつ高誘電率な、Niを内部電極とする
積層セラミックコンデンサ実現のために極めてを効なも
のである。
効果を示す、またYb20a、Dy2O3゜The2等
は、低酸素分圧下の焼成において、誘電体の粒成長を促
進する働きがあるため、高誘電率化に対しても効果があ
る0以上の点より、本発明の誘電体磁器組成物は、絶縁
特性にすぐれ、かつ高誘電率な、Niを内部電極とする
積層セラミックコンデンサ実現のために極めてを効なも
のである。
次に、本発明の積層セラミックコンデンサの製造方法に
より、最大の課題であった有機バインダの除去を完全に
行なうことが可能となった。さらに、内部電極の出発原
料をニッケルの酸化物にしたため、脱バインダ時には有
機バインダの分解除去のみを、焼結時には、誘電体層と
、Niに還元された電極層の緻密化のみを考慮すればよ
く、従来のように、電極を酸化させずに有機バインダを
除去するというような微妙な雰囲気コントロールをしな
くても信頼性の高い積層セラミックコンデンサの作製が
可能となる。
より、最大の課題であった有機バインダの除去を完全に
行なうことが可能となった。さらに、内部電極の出発原
料をニッケルの酸化物にしたため、脱バインダ時には有
機バインダの分解除去のみを、焼結時には、誘電体層と
、Niに還元された電極層の緻密化のみを考慮すればよ
く、従来のように、電極を酸化させずに有機バインダを
除去するというような微妙な雰囲気コントロールをしな
くても信頼性の高い積層セラミックコンデンサの作製が
可能となる。
実施例
次に本発明を一実施例に基づき説明する。
まず、BaTiO3、Ba1rn、を仮焼法により合成
した。
した。
B a T i 03は、試薬のBaCO3とTiO2
とをボールミル中で湿式混合した後、空気中1200°
Cで2時間仮焼し、その後ボールミル中で湿式粉砕した
ものを乾燥して用いた。又、B a Z r O3は試
薬のBaC0,とZrO2とを用い、BaTi0.1合
成と同様の手順で作製した。
とをボールミル中で湿式混合した後、空気中1200°
Cで2時間仮焼し、その後ボールミル中で湿式粉砕した
ものを乾燥して用いた。又、B a Z r O3は試
薬のBaC0,とZrO2とを用い、BaTi0.1合
成と同様の手順で作製した。
合成したBaTiO3,BaZrO3の各粉体の平均粒
径は約1μmであった6次に、MnO2は、試薬のMn
O2をボールミル中で湿式粉砕し、平均粒径を約1.5
μmにしたものを使用した。この様にして準備したBa
TiO3,BaZr0.。
径は約1μmであった6次に、MnO2は、試薬のMn
O2をボールミル中で湿式粉砕し、平均粒径を約1.5
μmにしたものを使用した。この様にして準備したBa
TiO3,BaZr0.。
MnO2と、Yb2O3,Dy203The2のうち少
なくとも1種以上を第1表に示した割合に秤量したもの
を無機成分とし、さらに、有機バインダとしてポリビニ
ルブチラール樹脂、可塑剤としてBBP (ベンジルブ
チルフタレート)溶剤として、トルエン、エタノールを
加えてボールミルにて混合し、スラリーを調整した。な
お、溶剤としては、トルエン、エタノールを重量比で3
対2に混合したものを用いた。このスラリーを真空脱泡
ののち、ドクターブレード法によりフィルム状に造膜し
グリーンシートを作製した。なお乾燥後のグリーンシー
トの厚みは約40μmとなるようにした。次にこのグリ
ーンシート上に平均粒径1.5μmの酸化ニッケル(N
ip)粉末からなるペーストを用い、所望のパターンに
なるようにスクリーン印刷を行なった。ペースト作製の
ための条件は、溶剤としてのテレピン油に、有機バイン
ダのエチルセルロースを溶かしたものを用い、上記酸化
ニッケル粉末と三段ロールにて混練したものを用いた0
以上のようにして得られた電極パターン形成済グリーン
シートを内部電極パターンが対向するように20枚重ね
合わせ、熱圧着して一体化した。そして、さらに、4m
X3mの寸法に切断して未焼結積層体を準備した。この
未焼結積層体の脱バインダをまず行う、脱バインダ後程
は、700″Cで2時間(昇降温100°C/h)、空
気中で熱処理することによって行なった。この工程は、
グリーンシート内および酸化ニッケルペースト内に含ま
れる有機バインダ成分の除去を目的とする。脱バインダ
後の素体を走査型電子顕微鏡で観察したところ、誘電体
層の焼結の進行は見られなかった。さらに組成分析でも
素体中にカーボンの存在は見られず、有機成分が充分に
除去できたことが確認された0次にこの脱バインダ済の
素体の内部電極を還元する。この工程は、250°Cで
2時間、水素100%の雰囲気で行なった。この工程に
よって誘電体層の成分は還元されず、内部電極の酸化ニ
ッケルだけが金属ニッケルに還元される0次に、還元済
みの素体を焼成する。焼成は1250°Cで2時間(昇
降温200℃/h)行なった。焼成雰囲気は、キャリア
ガスとしてN2ガスを用い、500°C以上の温度領域
で電気炉内の酸素濃度が104at鴎になるようにグリ
ーンガスの流量を制御して調節した0以上の様にして得
られた焼結体の端面に、外部電極として市販の900°
C窒素雰囲気焼成用Cuペーストを塗布し、メツシュ型
の連続ベルト炉によって焼付け、特性測定用試料とした
。
なくとも1種以上を第1表に示した割合に秤量したもの
を無機成分とし、さらに、有機バインダとしてポリビニ
ルブチラール樹脂、可塑剤としてBBP (ベンジルブ
チルフタレート)溶剤として、トルエン、エタノールを
加えてボールミルにて混合し、スラリーを調整した。な
お、溶剤としては、トルエン、エタノールを重量比で3
対2に混合したものを用いた。このスラリーを真空脱泡
ののち、ドクターブレード法によりフィルム状に造膜し
グリーンシートを作製した。なお乾燥後のグリーンシー
トの厚みは約40μmとなるようにした。次にこのグリ
ーンシート上に平均粒径1.5μmの酸化ニッケル(N
ip)粉末からなるペーストを用い、所望のパターンに
なるようにスクリーン印刷を行なった。ペースト作製の
ための条件は、溶剤としてのテレピン油に、有機バイン
ダのエチルセルロースを溶かしたものを用い、上記酸化
ニッケル粉末と三段ロールにて混練したものを用いた0
以上のようにして得られた電極パターン形成済グリーン
シートを内部電極パターンが対向するように20枚重ね
合わせ、熱圧着して一体化した。そして、さらに、4m
X3mの寸法に切断して未焼結積層体を準備した。この
未焼結積層体の脱バインダをまず行う、脱バインダ後程
は、700″Cで2時間(昇降温100°C/h)、空
気中で熱処理することによって行なった。この工程は、
グリーンシート内および酸化ニッケルペースト内に含ま
れる有機バインダ成分の除去を目的とする。脱バインダ
後の素体を走査型電子顕微鏡で観察したところ、誘電体
層の焼結の進行は見られなかった。さらに組成分析でも
素体中にカーボンの存在は見られず、有機成分が充分に
除去できたことが確認された0次にこの脱バインダ済の
素体の内部電極を還元する。この工程は、250°Cで
2時間、水素100%の雰囲気で行なった。この工程に
よって誘電体層の成分は還元されず、内部電極の酸化ニ
ッケルだけが金属ニッケルに還元される0次に、還元済
みの素体を焼成する。焼成は1250°Cで2時間(昇
降温200℃/h)行なった。焼成雰囲気は、キャリア
ガスとしてN2ガスを用い、500°C以上の温度領域
で電気炉内の酸素濃度が104at鴎になるようにグリ
ーンガスの流量を制御して調節した0以上の様にして得
られた焼結体の端面に、外部電極として市販の900°
C窒素雰囲気焼成用Cuペーストを塗布し、メツシュ型
の連続ベルト炉によって焼付け、特性測定用試料とした
。
静電容量および誘電正接は、周波数1.0Kllz、入
力信号レベル1.OVrmsにて測定し、静電容量から
比誘電率を算出した。その後直流50Vを1分間印加し
、その時の絶縁抵抗を測定した。なお、誘電体層の厚み
は約25μm、?il極層の厚みは3〜4μmであった
。
力信号レベル1.OVrmsにて測定し、静電容量から
比誘電率を算出した。その後直流50Vを1分間印加し
、その時の絶縁抵抗を測定した。なお、誘電体層の厚み
は約25μm、?il極層の厚みは3〜4μmであった
。
上記の測定結果を第1表にあわせて示した。なお、測定
は25゛Cの恒温槽中で行った。
は25゛Cの恒温槽中で行った。
(以 下 余 白)
第1表から明らかなように、本発明の誘電体磁器組成物
を用いて作製した積層セラミックコンデンサは、比誘電
率が高く、又、誘電正接、絶縁抵抗も実用上充分な値を
示した。
を用いて作製した積層セラミックコンデンサは、比誘電
率が高く、又、誘電正接、絶縁抵抗も実用上充分な値を
示した。
比誘電率においては、誘電体組成によって少し低いもの
もあるが、誘電体組成の中のZr成分、Mn成分、さら
に、Yb、Dy、Thなどの成分がシフターとして働き
、キュリー点を動かすため、かならずしも最適な位置に
キュリー点が無い事を示している。しかしながら、上記
の成分を本発明の範囲内で最適に調整する事により、2
5°Cでの比誘電率を高くする事が可能である。一方絶
縁抵抗については、誘電体組成によってばらつきがある
ものの、いづれの誘電体組成においても実用上充分な値
を示している。次に、本発明の範囲以外の誘電体磁器組
成物を用いてセラミックコンデンサを作製し同様の実験
を行なった結果について述べる。まず MnO2につい
ては無添加あるいは0.5mo1%よりも少ない場合充
分な絶縁抵抗が得られず、5mo 1%を越える場合も
絶縁抵抗が低下する傾向にあった。また、yb2o3゜
Dy2O3,Th02等の添加物は、無添加の場合、誘
電体粒成長を促進せず、比誘電率を高くする効果がなく
、又本発明の範囲以上に添加した場合は、極度に焼結性
が悪くなるという結果を示した。又、Zr成分について
は、本発明の範囲以上にした場合、キュリー点が低温側
に移動しすぎ、高誘電率の積層セラミックコンデンサが
得られなかった。以上の結果より、本発明の組成範囲に
おいてのみ、高誘電率で絶縁抵抗も充分に高い積層セラ
ミックコンデンサの作製が可能となる。
もあるが、誘電体組成の中のZr成分、Mn成分、さら
に、Yb、Dy、Thなどの成分がシフターとして働き
、キュリー点を動かすため、かならずしも最適な位置に
キュリー点が無い事を示している。しかしながら、上記
の成分を本発明の範囲内で最適に調整する事により、2
5°Cでの比誘電率を高くする事が可能である。一方絶
縁抵抗については、誘電体組成によってばらつきがある
ものの、いづれの誘電体組成においても実用上充分な値
を示している。次に、本発明の範囲以外の誘電体磁器組
成物を用いてセラミックコンデンサを作製し同様の実験
を行なった結果について述べる。まず MnO2につい
ては無添加あるいは0.5mo1%よりも少ない場合充
分な絶縁抵抗が得られず、5mo 1%を越える場合も
絶縁抵抗が低下する傾向にあった。また、yb2o3゜
Dy2O3,Th02等の添加物は、無添加の場合、誘
電体粒成長を促進せず、比誘電率を高くする効果がなく
、又本発明の範囲以上に添加した場合は、極度に焼結性
が悪くなるという結果を示した。又、Zr成分について
は、本発明の範囲以上にした場合、キュリー点が低温側
に移動しすぎ、高誘電率の積層セラミックコンデンサが
得られなかった。以上の結果より、本発明の組成範囲に
おいてのみ、高誘電率で絶縁抵抗も充分に高い積層セラ
ミックコンデンサの作製が可能となる。
次にBaとTi十Zrの比率を変えた実験を行なった。
BaとTi十Zrの比率は、BaTiO3合成時のBa
CO3とTiO2の混合比で変化させた。
CO3とTiO2の混合比で変化させた。
さらに、BaZrO3成分は10mo1%、 M n
02は2mo 1%、Dy2O3は0.5mo1%とし
、同様な手順で積層セラミンクコンデンサを作製し、特
性評価を行なった。その結果を第2表に示した。
02は2mo 1%、Dy2O3は0.5mo1%とし
、同様な手順で積層セラミンクコンデンサを作製し、特
性評価を行なった。その結果を第2表に示した。
第2表
第2表より明らかなように、本発明の範囲の試料につい
ては比誘電率、誘電正接、絶縁抵抗ともに実用上充分な
値を示している。一方、範囲外の試料001については
絶縁抵抗が低く、試料007については、焼結性が悪く
、比誘電率が低かった。第2表に示した結果は、BaZ
rO3,MnO□。
ては比誘電率、誘電正接、絶縁抵抗ともに実用上充分な
値を示している。一方、範囲外の試料001については
絶縁抵抗が低く、試料007については、焼結性が悪く
、比誘電率が低かった。第2表に示した結果は、BaZ
rO3,MnO□。
Dy2O3の添加量を固定して行なったが、他の誘電体
組成においてもBa/Ti+Zr比は同様な影響を示し
た0以上の結果より、B a/T i+Z r比は、本
発明に示すごと<、0.98から1.02の範囲が望ま
しい。
組成においてもBa/Ti+Zr比は同様な影響を示し
た0以上の結果より、B a/T i+Z r比は、本
発明に示すごと<、0.98から1.02の範囲が望ま
しい。
本実施例においては、誘電体磁器組成物中のBaTi0
.’、BaZrO3を仮焼法により作製したが、これに
ついては、共沈法、アルコキシド法、水熱合成法によっ
て準備されたものであっても問題はなく、良好な結果が
得られる。
.’、BaZrO3を仮焼法により作製したが、これに
ついては、共沈法、アルコキシド法、水熱合成法によっ
て準備されたものであっても問題はなく、良好な結果が
得られる。
また、本実施例では、脱バインダ、還元、焼成の各工程
条件を固定して行なったが、脱バインダ工程は、使用す
る有機バインダの種類に応じて最適に選択すればよく、
還元工程においても、誘電体が還元されず電極の酸化ニ
ッケルのみが還元される条件であればよく、雰囲気につ
いても100%のHzM囲気でなくても良い。さらに焼
成工程の雰囲気についても、本実施例に限るものではな
い。
条件を固定して行なったが、脱バインダ工程は、使用す
る有機バインダの種類に応じて最適に選択すればよく、
還元工程においても、誘電体が還元されず電極の酸化ニ
ッケルのみが還元される条件であればよく、雰囲気につ
いても100%のHzM囲気でなくても良い。さらに焼
成工程の雰囲気についても、本実施例に限るものではな
い。
さらに、本実施例においては、積層セラミンクコンデン
サを作製し、誘電体磁器組成物の特性を測定したが、本
発明の誘電体磁器組成物は、単板型のセラミックコンデ
ンサに使用できることはいうまでもない。さらに本発明
の製造方法を用いることにより、積層バリスタ、コンデ
ンサ内蔵の多層配線基板への応用も可能となる。
サを作製し、誘電体磁器組成物の特性を測定したが、本
発明の誘電体磁器組成物は、単板型のセラミックコンデ
ンサに使用できることはいうまでもない。さらに本発明
の製造方法を用いることにより、積層バリスタ、コンデ
ンサ内蔵の多層配線基板への応用も可能となる。
発明の効果
本発明の請求の範囲内の誘電体磁器組成物は、極めて低
い酸素分圧下の焼成においてもすぐれた絶縁抵抗を示し
、かつ室温付近での比誘電率が高いため、Niを内部電
極とする積層セラミックコンデンサ作製にあたって非常
に有効である。又、本発明の積層セラミックコンデンサ
の製造方法は、脱バインダを空気中で行なうため、特別
な有機バインダを必要とせず、完全なバインダ除去が行
なえる。さらに、還元、焼成時の雰囲気コントロールが
容易となるため、積層セラミックコンデンサの内部電極
を卑金属化する上で極めて効果的であり、加えて、積層
セラミックコンデンサ作製において、誘電体層の″ii
i層化、高積層化により大容量化を目指す場合に極めて
優位性のある発明である。
い酸素分圧下の焼成においてもすぐれた絶縁抵抗を示し
、かつ室温付近での比誘電率が高いため、Niを内部電
極とする積層セラミックコンデンサ作製にあたって非常
に有効である。又、本発明の積層セラミックコンデンサ
の製造方法は、脱バインダを空気中で行なうため、特別
な有機バインダを必要とせず、完全なバインダ除去が行
なえる。さらに、還元、焼成時の雰囲気コントロールが
容易となるため、積層セラミックコンデンサの内部電極
を卑金属化する上で極めて効果的であり、加えて、積層
セラミックコンデンサ作製において、誘電体層の″ii
i層化、高積層化により大容量化を目指す場合に極めて
優位性のある発明である。
Claims (4)
- (1)組成式 {B_a_m(Ti_1_−_xZr_x)O_2_+
_m}_1_−_α_−_β+{MnO_2}_α+{
X}_β で表わされ、Xが、Yb_2O_3,Dy_2,O_3
,ThO_2のうち少なくとも1種以上からなり、m,
X,α,βが次の範囲にあることを特徴とする誘電体磁
器組成物。 0.98≦m≦1.02 0≦X≦0.2 0.005≦α≦0.05 0.001≦β≦0.02 - (2)請求項(1)記載の誘電体磁器組成物からなる積
層セラミックコンデンサ。 - (3)請求項(1)記載の誘電体磁器組成物からなる誘
電体層と、Niを主成分とする内部電極層とからなる積
層セラミックコンデンサ。 - (4)請求項(1)記載の誘電体磁器組成物と、少なく
とも有機バインダ、溶剤、可塑剤からなるグリーンシー
ト上に、ニッケルの酸化物を主成分として、少なくとも
有機バインダと有機溶剤とからなるビヒクルとともに混
練したペーストを印刷しパターン膜を形成する工程と、
該印刷されたグリーンシートを所望の枚数だけ加熱加圧
することによって積層化する工程と、この様に積層され
た積層体を所望の寸法に切断する工程とこれを前記誘電
体磁器組成物が焼結し始めない温度の空気中で加熱し、
有機バインダを燃焼させる工程と、これを還元雰囲気中
で熱処理し、ニッケルの酸化物を金属に還元せしむる工
程と、これをニッケルの融点より低い温度の窒素雰囲気
中で焼成し、誘電体磁器組成物と金属とを緻密化する工
程とからなることを特徴とする積層セラミックコンデン
サの製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1091302A JPH0650700B2 (ja) | 1989-04-11 | 1989-04-11 | 誘電体磁器組成物とそれを用いた積層セラミックコンデンサとその製造方法 |
US07/507,568 US5014158A (en) | 1989-04-11 | 1990-04-11 | Laminated ceramic capacitor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1091302A JPH0650700B2 (ja) | 1989-04-11 | 1989-04-11 | 誘電体磁器組成物とそれを用いた積層セラミックコンデンサとその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02270313A true JPH02270313A (ja) | 1990-11-05 |
JPH0650700B2 JPH0650700B2 (ja) | 1994-06-29 |
Family
ID=14022670
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1091302A Expired - Fee Related JPH0650700B2 (ja) | 1989-04-11 | 1989-04-11 | 誘電体磁器組成物とそれを用いた積層セラミックコンデンサとその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0650700B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002226263A (ja) * | 2001-01-30 | 2002-08-14 | Kyocera Corp | 誘電体磁器および積層セラミックコンデンサ |
JP2002274937A (ja) * | 2001-03-21 | 2002-09-25 | Kyocera Corp | 温度特性に優れた誘電体磁器 |
JP2006160532A (ja) * | 2004-12-02 | 2006-06-22 | Samsung Yokohama Research Institute Co Ltd | 誘電体磁器組成物及び磁器コンデンサとそれらの製造方法 |
JP2008201652A (ja) * | 2007-02-22 | 2008-09-04 | Tdk Corp | 誘電体磁器組成物および電子部品 |
JP2008260659A (ja) * | 2007-04-12 | 2008-10-30 | Tdk Corp | 誘電体磁器組成物および電子部品 |
-
1989
- 1989-04-11 JP JP1091302A patent/JPH0650700B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002226263A (ja) * | 2001-01-30 | 2002-08-14 | Kyocera Corp | 誘電体磁器および積層セラミックコンデンサ |
JP2002274937A (ja) * | 2001-03-21 | 2002-09-25 | Kyocera Corp | 温度特性に優れた誘電体磁器 |
JP2006160532A (ja) * | 2004-12-02 | 2006-06-22 | Samsung Yokohama Research Institute Co Ltd | 誘電体磁器組成物及び磁器コンデンサとそれらの製造方法 |
JP2008201652A (ja) * | 2007-02-22 | 2008-09-04 | Tdk Corp | 誘電体磁器組成物および電子部品 |
JP2008260659A (ja) * | 2007-04-12 | 2008-10-30 | Tdk Corp | 誘電体磁器組成物および電子部品 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0650700B2 (ja) | 1994-06-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3746763B2 (ja) | 耐還元性低温焼成誘電体磁器組成物、これを用いた積層セラミックキャパシター及びその製造方法 | |
JPH065460A (ja) | 磁器コンデンサ及びその製造方法 | |
JP2001291632A (ja) | 非還元性誘電体セラミック及びそれを用いた積層セラミックコンデンサ | |
JPH11302072A (ja) | 誘電体セラミック、積層セラミックコンデンサおよび積層セラミックコンデンサの製造方法 | |
JP2004128328A (ja) | 電子部品およびその製造方法 | |
JP2001307940A (ja) | 積層セラミックコンデンサとその製造方法 | |
JP4661203B2 (ja) | セラミック電子部品およびその製造方法 | |
JP2990494B2 (ja) | 積層セラミックキャパシタ | |
JP3323801B2 (ja) | 磁器コンデンサ | |
JP2529410B2 (ja) | 誘電体磁器組成物とそれを用いた積層セラミックコンデンサとその製造方法 | |
JP2001230148A (ja) | 積層セラミックコンデンサとその製造方法 | |
JP2009096671A (ja) | 誘電体セラミックス及び積層セラミックコンデンサ | |
KR100581398B1 (ko) | 유전체 자기조성물, 전자부품 및 이들의 제조방법 | |
JP4729847B2 (ja) | 非還元性誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサ | |
JPH02270313A (ja) | 誘電体磁器組成物とそれを用いた積層セラミックコンデンサとその製造方法 | |
JP2975459B2 (ja) | 積層型セラミックチップコンデンサ | |
JP4111754B2 (ja) | セラミックコンデンサ及びその誘電体組成物並びにその製造方法 | |
JP3791264B2 (ja) | 耐還元性誘電体組成物の製造方法及び積層セラミックコンデンサの製造方法 | |
JP2002134350A (ja) | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 | |
JP2529411B2 (ja) | 誘電体磁器組成物とそれを用いた積層セラミックコンデンサとその製造方法 | |
JP2004075452A (ja) | 誘電体磁器組成物及び磁器コンデンサ | |
JP4463095B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサおよびその製法 | |
JP3316717B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
JPH11219844A (ja) | 誘電体磁器および積層セラミックコンデンサ | |
JP3233020B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |