TW466220B - Insulating ceramic composition and ceramic inductor using the same - Google Patents
Insulating ceramic composition and ceramic inductor using the same Download PDFInfo
- Publication number
- TW466220B TW466220B TW087102515A TW87102515A TW466220B TW 466220 B TW466220 B TW 466220B TW 087102515 A TW087102515 A TW 087102515A TW 87102515 A TW87102515 A TW 87102515A TW 466220 B TW466220 B TW 466220B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- weight
- oxide
- converted
- conversion
- ceramic
- Prior art date
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 56
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 24
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 25
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L barium carbonate Chemical compound [Ba+2].[O-]C([O-])=O AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims abstract description 11
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- CHWRSCGUEQEHOH-UHFFFAOYSA-N potassium oxide Chemical compound [O-2].[K+].[K+] CHWRSCGUEQEHOH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 229910052810 boron oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N dichromium trioxide Chemical compound O=[Cr]O[Cr]=O QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 229910001950 potassium oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 claims abstract description 7
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 16
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 14
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 claims 2
- 230000002079 cooperative effect Effects 0.000 claims 2
- 238000012856 packing Methods 0.000 claims 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 2
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 claims 1
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 abstract description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 3
- 235000010216 calcium carbonate Nutrition 0.000 abstract 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 12
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 11
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N palladium silver Chemical compound [Pd].[Ag] SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 2
- 210000001161 mammalian embryo Anatomy 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229910000497 Amalgam Inorganic materials 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- AYJRCSIUFZENHW-DEQYMQKBSA-L barium(2+);oxomethanediolate Chemical compound [Ba+2].[O-][14C]([O-])=O AYJRCSIUFZENHW-DEQYMQKBSA-L 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 210000002257 embryonic structure Anatomy 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000013001 point bending Methods 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F17/00—Fixed inductances of the signal type
- H01F17/0006—Printed inductances
- H01F17/0013—Printed inductances with stacked layers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/16—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on silicates other than clay
- C04B35/18—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on silicates other than clay rich in aluminium oxide
- C04B35/195—Alkaline earth aluminosilicates, e.g. cordierite or anorthite
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
系I告:本‘丨!66220 1_;_ 說明丨) 發明背景 -------------—— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1.發明範疇 本發明係關於一種陶瓷組成物,特別是絕緣陶瓷組成 物,以及使用該組成物之陶瓷電感器。 _2.先前技藝敍流 --線,· 一般要實現電子機器和裝備的迷你化,乃使用陶瓷基 板,其上裝設有電子部件以組成電路。致力於進一步增加 裝設密度,現正導向於發展多層陶瓷基板,其包含了內部 電路與電子電路元件,像是電容器和電感器。多層陶瓷基 板通常由鋁的氧化物(氧化鋁)所做成。由於燒結溫度高達 1500〜1600°C,氧化鋁需要大量能源來燒成。而且氧化鋁需 要其內部的導體由高熔點材料做成,例如鎢和鉬,才能承 受氧化鋁的燒成。結果是內部電路有高電阻,限制了電流 負荷量。 在日本專利申請案JP-A-4-16551中,提出一種於低溫 燒結的基板用材料。其陶瓷組成物主要由Si〇2所構成。該 陶瓷組成物可於比較低的94〇°C到1000°c溫度範圍下'燒成 ’此則允許內部的導體由銅做成。很不幸的》銅需要—還 原性或非氧化性的燒結氣氛。此一缺點可用銀取代銅而消 除,因銀於局溫空氣中抗氧化。然而銀就需要於低於9〇〇 °c的溫度下來燒成該陶瓷組成物。 、 3 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 x 297公釐) A7 B7 4 6 6 22 0 五、發明說明(V ) 發明目的與槪沭 本發明的一個目的是要提供一種絕緣陶瓷組成物,其 允許以一寬裕範圍的最佳燒成溫度,在低於900°C的溫度 下燒成’而產出一種具有高絕緣電阻與低介電常數的陶瓷 產品。本發明的另一個目的是要提供一種由該陶瓷組成物 做的陶瓷電感器。 本發明的第一部分著重在一種絕緣陶瓷組成物,其包 括62~75%重量百分比的矽的氧化物(以Si02換算)、4〜22°/。 重量百分比的鋇的氧化物(以BaC03換算)、0.5〜2.5%重量 百分比的鋁的氧化物(以A1203換算)、0到0.8%重量百分 比的鉻的氧化物(以〇203換算)、0.2〜0.8%重量百分比的鈣 的氧化物(以CaC03換算)、8〜18%重量百分比的硼的氧化 物(以B2〇3換算)、和〇到2.5%重量百分比的鉀的氧化物( 以κ2ο換算)。 本發明的第二部分著重在一種陶瓷電感器,其具有陶 瓷燒結體、於該陶瓷燒結體內彤成爲電感器的內部導體、 以及於該陶瓷燒結體末端表面上形成並電連接到該內部導 體的外部電極,其中該陶瓷燒結體包括62〜75°/。重量百分 比的矽的氧化物(以Si02換算)、4~22%重量百分比的鋇的 氧化物(以BaC03換算)、0.5〜2.5%重量百分比的鋁的氧化 物(以A1203換算)、0到0.8%重量百分比的鉻的氧化物(以 Cr203換算)、0·2〜0.8%重量百分比的鈣的氧化物(以CaC03 換算)、8〜18%重量百分比的硼的氧化物(以B2〇3換算)、和 0到2.5%重量百分比的鉀的氧化物(以換算)。 4 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(2W X 297公釐) -------------:_ 裝— {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -3 · 線一 466220 A7 B7 五、發明說明(> ) 圖式簡述 圖1爲一透視圖,顯示屬於本發明之陶瓷電感器的一 個實施例。 範例1 氧化矽、碳酸鋇、氧化鋁、氧化鉻、碳酸鈣、氧化硼 、和氧化鉀(當作啓始材料)依表1所示的比例混合在一起 。所得之混合物以使用球磨的溼式程序加以壓碎,接著再 脫水、乾燥,並於800〜90CTC煆燒。煆燒過的粉末再次以 使用球磨的溼式程序加以壓碎,得出製備好的粉末。 -------------:·.裝—— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂· 線. 5 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210^ 297公釐) 466220 A7B7 五、發明說明(4)
- m 摆§ ffi "5l) φρ ^ % o (N ψ^* l—1 S o o ΰ〇 «—· S 〇 1/1 Ο <Ν Ον ο CO F-* Ο 00 Ο Ο »—· ο 00 ι—< Ο ο Ο 00 »-Η Ο (Ν s fN o WO CO H o <N oo 〇 00 Ox W u M · en fS 0Q 〇j 00 oi 00 〇i cn σί — νη αί ΓΛ Ο 0Q Ό 〇J ΟΟ 0Q CS ΓΛ ΓΠ Ό (Ν 00 irv rn 〇0 ri ,丨— 00 σ> Γ- <N (N ! < 鐘 驶s i? m CN in f> Vi 寸 Ό »n 〇〇 ιη Ό 寸 ΟΟ VI CO Ό ι〇 寸 tn V% \〇 ΓΊ V» CN i—l o o VI 09 寸 - Vs! SIP 链+1 Si _麗 〇 CN <N CS 00 寸 〇〇 卜 «Μ Οί (Ν CN CN «0 Μ ο «Ν ο <Ν \〇 ο (Ν 寸 fS CN (N O n kTi ,— o (N 1 链G M o ir> 90 s «0 〇 ΙΛ oe 〇 νϋ 00 o iTi 00 o oo Ο S; ο •ο οο Ο ΙΛ 00 Ο ΙΛ 00 Ο m CO Ο 00 Ο 00 S οο ο CS ΟΝ % ¢0 Ο Ό οο 〇 £ o s o CN ON o o o 〇 m On Hn ¢1¾ o农 CN CS CM cs (N o ο 04 CN ο CS <Ν Ο m Γ»4 CA «ο ο CN (Ν <N 〇 »/» o CN (aaM CM CS T—· _方 s£ VO o 1··^ 寸 T-M Ό Ό 'Ο Ό Ό *—1 'sO ψ^* 00 CO 卜 o 〇 CN VO VO *1 *s οφ ^ im u 寸 o o 寸 o 寸 ο 〇 (N 〇 ΓΟ 呀 ο Γ' ο ν〇 ο c^ ο Ο ο 00 ο •ο ο ο d CN 〇 1〇 o o o o dW ^ itnrit β>. PJ Jj 〇 Φ ci o o Ο o 〇 对· ο Ά ο νο ο rr ο 卜 ο Ό Ο ο ¢0 Ο CS ο ο d o iTk d o o sD o _l cr VJUjSl e'' PJ ^ 穿HD 00 CO eo eo eo eo Γ〇 ο ΙΛ Ο 卜 ο βο ο CN Ο οϊ fN (Ν rf oi 卜 CN ¢0 00 o <n o 00 »—H 00 00 mH .1 Λ 〇朱 ^ m CO o ri oo 00 寸 l-M 寸 ^r 寸 寸 Ι-Μ 'ζΓ — 寸 寸 寸 Ο CN OQ o Ό fn •o CN Ηπ ¢1 ^ ί/5 s <N Ό (N vo 寸 Ό Ό νύ Ό ο Ό Ό Ό Ό 'Ο Ό Ο Ό Ό Ό Ό Ό ν〇 Ό Ό 00 VO o CN CN oc m ag m # 赘 CN in * ο * οο Os ο ww_· 1—( —Η * CS m 寸 * Ό Ό 卜 00 〇 〇 <N •M CN CS <N 本紙張尺度適用中國國家標竿(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ------------ 裝--------訂---------#v(請先閱11背面之注意事項再填寫本頁) 4 6 6 22 ^ A7 ^_ '__B7_ 五、發明說明(< ) 製備好的粉末混以水或是有機溶劑(當作黏結劑),以 得到發料,接著再以刮刀方式形成生胚片(1 mm厚)。生胚 片切成方形小片XIOmm)。每片的兩面都以印刷方式 塗覆銀膏,該銀膏由銀粉和有機媒液以80 : 20的重量比例 所組成。塗覆片於850〜950°C空氣中燒90分鐘。 以上述方式所得之樣品測試它們的代表性質。以阻抗 分析器和IR儀量測介電常數和絕緣電阻,而以強度測試器 測量彎曲強度。 介電常數(ε )是從靜電容(C)來計算,該靜電容是以自 動電橋測試器於1 kHz、1 Vrms、25°C下測得。絕緣電阻(R) 是以絕緣電阻測試器於25°C下施加16V直流電2分鐘所測 得。彎曲強度是以三點彎曲方法量測,並根據日本工業標 準(JIS)來計算。各結果顯示於表1。 表1中所示之最佳燒成溫度,乃達到最大收縮時的燒 成溫度。(收縮乃由於燒結,以及隨著溫度增加所發生的黏 結劑蒸發。)表1中所示之最佳燒成溫度範圍,係高於和 低於上述最佳燒成溫度的兩極限間之差距,其下限定爲當 收縮比在最佳燒成溫度的收縮大〇.5%時的溫度,而上限定 爲當樣品的可焊性開始變差時的溫度。 爲了測試可焊性,把樣品以氯化物爲基質的熔接劑覆 上銀電極,於150°C下預熱20秒後,浸於230±10°C的鉛 焊料浴液中2秒。以目視觀察,如果超過90%的銀電極表 面被焊料所覆蓋,可焊性便評定爲佳;否則,可焊性便評 定爲差。順便一提的,不符合本發明的樣品在表1中以一 7 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210x297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · I --- 訂---------_ A7 466220 _ B7_______ 五、發明說明(b ) 星號註記》 根據本發明,絕緣陶瓷組成物基於以下理由,乃限制 在其成份的比例當中。 當Si02少於62%重量百分比,樣品的介電常數大於6 ,此不利地影響電子電路在高頻的特性,就如同樣品編號 1 ° 當Si02超過75%重量百分比,樣品需要在高於900°C 的溫度燒成,就如同樣品編號22。 當BaC03少於4%重量百分比,樣品的彎曲強度低到 820 kg/cm2,而需要在高於900°C的溫度燒成,就如同樣品 編號20。 當CaC03超過22%重量百分比,樣品的介電常數大於 6,就如同樣品編號2。 當Al2〇3少於0.5%重量百分比,如樣品編號7,或是 當Al2〇3超過2.5%重量百分比,如樣品編號15,樣品則需 要在高於900°C的溫度燒成。 當Cr203超過0.8%重量百分比,樣品的絕緣電阻變低 ,就如同樣品編號6。 當CaC03少於2%重量百分比,樣品的最佳燒成溫度 範圍變窄(小於15°C)。 當CaC03超過0.8%重量百分比,樣品需要在高於900 °C的溫度燒成,就如同樣品編號7。 當B2〇3少於8%重量百分比,樣品需要在高於900°C 的溫度燒成,就如同樣品編號22。 8 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 袭 ----訂---------接- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱) 4 6 6 22 0 A7 _____B7_____ 五、發明說明(〇 ) 當B203超過18%重量百分比,樣品的絕緣電阻變低, 就如同樣品編號.20。 當Κ20超過2.5%重量百分比,樣品的絕緣電阻變低, 就如问樣品編號8。 本範例中用於電極的銀可以用銀合金取代,例如銀一 祀合金。 範例2 本範例示範一種由範例1的陶瓷組成物做成之陶瓷電 感器。 範例1中製備的漿料,樣品編號10,以刮刀方式做成 生胚片。於生胚片的一表面上,以印上銀一鈀合金的導電 膏方式形成導體佈局圖案,如此則當印好的生胚片一個疊 一個,導體佈局圖案透過層狀物中的空孔而於層狀物裡組 成一線圈狀導體。生胚片的層狀物於860°c的空氣中燒1 小時,以得出素燒胚。 於素燒胚的端表面上形成外部電極,該外部電極第一 層由汞齊法鍍銀所組成,第二層由電鍍鎳所組成,第三層 由鍍錫所組成。外部電極電連接到內部線圈狀導體。 圖1爲上述所得之陶瓷電感器的一個實施例的透視圖 。圖1中顯示的有陶瓷電感器1、絕緣陶瓷2、內部線圏狀 導體3、以及外部電極4。絕緣陶瓷(素燒胚)是由本發明之 Si02—Ba0—B2〇3絕緣陶瓷組成物所做成的。 由於陶瓷組成物能夠在低溫下燒成,所以內部導體可 9 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ,裝 訂--------*#ί A7 466220 ~ 11—--~------ 五、發明說明(/ ) 由具有高導電性的富含銀之合金來做成。因此所得之晶片 型陶瓷電感器適用於高頻範圍。 用於陶瓷片表面形成內部導體佈局圖案的材料,可以 是銀或銀合金,例如銀一鈀合金。佈局圖案形成的方法可 以是印刷'塗覆、氣相沉積、以及濺鍍當中任一者。 用於形成外部電極的材料,不僅可以是銀(前面有述) ’也可以是銀一鈀合金或這類金屬(或這類合金),像是鎳 和銅。可以用印刷、氣相沉積、或濺鍍來形成外部電極。 形成於層狀物之端表面的外部電極可以和層狀物同時燒成 〇 陶瓷電感器1形狀上並沒有特定的限制。而且線圏也 沒有限定在任何特殊的圏數。藉由適當選擇帶有內部導體 佈局圖案的絕緣陶瓷層2之數目,可以建立任何所要的圈 數。雖然本範例示範一種具有一個電感器的陶瓷電感器, 但相同的想法可以應用於陶瓷電感器的複合元件,例如變 壓器和LC濾波器。 本發明的絕緣陶瓷組成物能夠在溫度低於900°C的空 氣中燒成。它的最佳燒成溫度範圍如此寬,以致即使當分 批爐或連續燒成爐中有溫度的擾動,它仍生出好的產品。 因此它適合商業的大量製造。本發明的絕緣陶瓷組成物也 生出具有高絕緣電阻、低介電常數、以及高彎曲強度的陶 瓷產品。 本發明的陶瓷電感器可具有銀或銀合金做的內部導體 ,因爲它是由本發明的絕緣陶瓷組成物所做成的。本發明 10 ------------- ^—— {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂.- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱) 4 66 22 0 A7 _B7__ 五、發明說明() 的陶瓷電感器具備高的自我共振頻率,以及高的Q値(品質 子因 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 ----訂---------4^v 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)
Claims (1)
- 466220 1. 一種未燒結的絕緣陶瓷組成物,其包括: 62〜75%重量百分比的矽的氧化物,是以Si02換算槪id二3 4-22%重量百分比的鋇的氧化物,是以BaC03換算, 0.5〜2.5%重量百分比的鋁的氧化物,是以A1203換算, 〇到〇·8%重量百分比的鉻的氧化物,是以Cr2〇3換算, 0.2〜0.8%重量百分比的鈣的氧化物,是以CaC03換算, 8〜18%重量百分比的硼的氧化物,是以B203換算,和 0到2.5%重量百分比的鉀的氧化物,是以K20換算。 2. 根據申請專利範圍第1項之未燒結的絕緣陶瓷組成物, 其包括: 64〜70%重量百分比的矽的氧化物,是以Si02換算, 12〜20%重量百分比的鋇的氧化物,是以BaC03換算, 0.4〜2.4%重量百分比的鋁的氧化物,是以Al2〇3換算, 0到0.7%重量百分比的鉻的氧化物,是以〇203換算, 0.4〜0.7%重量百分比的鈣的氧化物,是以CaC03換算, 10〜16%重量百分比的硼的氧化物,是以B203換算,和 0.2-2%重量百分比的鉀的氧化物,是以K20換算。 3. —種已燒結的絕緣陶瓷組成物,其包括: 62〜75%重量百分比的矽的氧化物,是以Si02換算, 4〜22%重量百分比的鋇的氧化物,是以BaC03換算, 0.5〜2.5%重量百分比的鋁的氧化物,是以Al2〇3換算, 0到0.8%重量百~分比的鉻的氧化物,是以Cr203換算, 0.2〜0.8%重量百分比的鈣的氧化物,是以CaC03換算, 8〜18%重量百分比的硼的氧化物,是以B2〇3換算,和 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝—------訂---------線.. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 466220 AS B8 C8 DS 六、申請專利範圍 0到2.5%重量百分比的鉀的氧化物,是以K20換算。 4_根據申請專利範圍第3項之已燒結的絕緣陶瓷組成物, 其包括: 64〜70%重量百分比的矽的氧化物,是以Si02換算, 1>2〇%重量百分比的鋇的氧化物,是以BaC03換算, 0.4〜2.4%重量百分比的鋁的氧化物,是以A1203換算, 0到0.7%重量百分比的鉻的氧化物,是以Cr203換算, 0.4〜0.7%重量百分比的鈣的氧化物,是以CaC03換算, 10〜16%重量百分比的硼的氧化物,是以B203換算,和 0.2〜2%重量百分比的鉀的氧化物,是以K20換算。 5. —種電感器,其包括已燒結陶瓷體、該陶瓷燒結體內的 內部導體、以及位於該陶瓷燒結體末端表面上並電連接到 該內部導體的外部電極,其中該陶瓷燒結體包括: 62〜75%重量百分比的矽的氧化物,是以Si02換算, 4〜22%重量百分比的鋇的氧化物,是以BaC03換算, 0.5〜2·5%重量百分比的鋁的氧化物,是以A1203換算, 0到0.8%重量百分比的鉻的氧化物,是以Cr203換算, 0.2〜0.8%重量百分比的鈣的氧化物,是以CaC03換算, 8〜18%重量百分比的硼的氧化物,是以B2〇3換算,和 〇到2.5%重量百分比的鉀的氧化物,是以K20換算。 6. 根據申請專利範圍第5項之電感器,其中該已燒結陶瓷 體包括: 64〜70%重量百分比的矽的氧化物,是以Si02換算, 12〜20%重量百分比的鋇的氧化物,是以BaC03換算, 2 本紙張尺度適用t國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 」裝-------訂---------線, 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 466 22 0 L-o 六、申請專利範圍 0.4〜2.4%重量百分比的鋁的氧化物,是以Al2〇3換算, 0到0.7%重量百分比的鉻的氧化物,是以Cr203換算, 0·4〜0.7%重量百分比的鈣的氧化物,是以CaC03換算, 10〜16%重量百分比的硼的氧化物,是以B2〇3換算,和 0·2〜2%重量百分比的鉀的氧化物,是以K20換算。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP04588597A JP3161355B2 (ja) | 1997-02-28 | 1997-02-28 | 絶縁セラミック組成物およびそれを用いたセラミックインダクタ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW466220B true TW466220B (en) | 2001-12-01 |
Family
ID=12731703
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW087102515A TW466220B (en) | 1997-02-28 | 1998-02-23 | Insulating ceramic composition and ceramic inductor using the same |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6080693A (zh) |
EP (1) | EP0861816B1 (zh) |
JP (1) | JP3161355B2 (zh) |
KR (1) | KR100280337B1 (zh) |
CN (1) | CN1084716C (zh) |
DE (1) | DE69800309T2 (zh) |
NO (1) | NO317328B1 (zh) |
TW (1) | TW466220B (zh) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3452028B2 (ja) * | 2000-05-09 | 2003-09-29 | 株式会社村田製作所 | チップインダクタ及びその製造方法 |
US6844278B2 (en) * | 2001-09-18 | 2005-01-18 | Aem, Inc. | Dense lead-free glass ceramic for electronic devices |
JP3888446B2 (ja) * | 2002-03-25 | 2007-03-07 | 株式会社村田製作所 | セラミック電子部品、及びセラミック電子部品の製造方法 |
KR100621195B1 (ko) * | 2004-02-06 | 2006-09-13 | 주식회사 아이엠텍 | 엘티씨씨용 세라믹 분말 조성물 및 그 제조방법 |
JP4853048B2 (ja) * | 2006-03-02 | 2012-01-11 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサの製造方法 |
JP5559590B2 (ja) | 2009-11-18 | 2014-07-23 | 日本碍子株式会社 | セラミックス焼結体、その製造方法及びセラミックス構造体 |
CN102898027B (zh) * | 2012-10-17 | 2015-01-07 | 电子科技大学 | 电子元器件封装材料用陶瓷粉及其生产方法 |
KR101548808B1 (ko) * | 2013-10-24 | 2015-08-31 | 삼성전기주식회사 | 복합 전자부품 및 그 실장 기판 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4927222B1 (zh) * | 1966-04-13 | 1974-07-16 | ||
NL7406083A (nl) * | 1974-05-07 | 1975-11-11 | Philips Nv | Werkwijze voor het samenstellen van een gemeng voor loodglas. |
US3957499A (en) * | 1974-11-11 | 1976-05-18 | Corning Glass Works | Fast-fading index-corrected photochromic glass compositions |
SU574776A1 (ru) * | 1976-06-10 | 1977-09-30 | Предприятие П/Я Х-5476 | Диэлектрический состав дл межслойной изол ции |
GB2115403B (en) * | 1982-02-20 | 1985-11-27 | Zeiss Stiftung | Optical and opthalmic glass |
EP0288212A1 (en) * | 1987-04-15 | 1988-10-26 | Tam Ceramics Inc. | Dielectric ceramic compositions having high dielectric constants |
US5077240A (en) * | 1990-01-11 | 1991-12-31 | Schott Glass Technologies, Inc. | Strengthenable, high neodymium-containing glasses |
JPH0798679B2 (ja) * | 1990-05-07 | 1995-10-25 | 株式会社村田製作所 | 低温焼結磁器組成物 |
CN2082011U (zh) * | 1990-11-29 | 1991-07-31 | 陈树田 | 陶瓷绝缘子无电源电容分压式传感器 |
US5622903A (en) * | 1995-05-04 | 1997-04-22 | Owens-Corning Fiberglas Technology, Inc. | Irregularly shaped glass fibers and insulation therefrom |
-
1997
- 1997-02-28 JP JP04588597A patent/JP3161355B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-02-23 TW TW087102515A patent/TW466220B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-02-24 US US09/030,050 patent/US6080693A/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-02-26 CN CN98105375A patent/CN1084716C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1998-02-27 NO NO19980854A patent/NO317328B1/no not_active IP Right Cessation
- 1998-02-27 DE DE69800309T patent/DE69800309T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-02-27 EP EP98103500A patent/EP0861816B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-02-28 KR KR1019980006594A patent/KR100280337B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6080693A (en) | 2000-06-27 |
DE69800309T2 (de) | 2001-03-15 |
KR19980071853A (ko) | 1998-10-26 |
KR100280337B1 (ko) | 2001-03-02 |
NO980854D0 (no) | 1998-02-27 |
JPH10236868A (ja) | 1998-09-08 |
EP0861816A3 (en) | 1998-11-11 |
DE69800309D1 (de) | 2000-10-26 |
EP0861816A2 (en) | 1998-09-02 |
NO317328B1 (no) | 2004-10-11 |
JP3161355B2 (ja) | 2001-04-25 |
CN1194253A (zh) | 1998-09-30 |
CN1084716C (zh) | 2002-05-15 |
EP0861816B1 (en) | 2000-09-20 |
NO980854L (no) | 1998-08-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3940424B2 (ja) | 誘電体磁器組成物及びその製造方法 | |
US6108192A (en) | Dielectric ceramic composition and ceramic electronic parts using the same | |
JP6293704B2 (ja) | ガラスセラミックス焼結体及び配線基板 | |
KR100417304B1 (ko) | 비환원성 유전체 세라믹 및 그를 이용한 세라믹 전자 부품 | |
JP4311124B2 (ja) | チップ型電子部品 | |
TW466220B (en) | Insulating ceramic composition and ceramic inductor using the same | |
JP4736342B2 (ja) | ガラスセラミック原料組成物、ガラスセラミック焼結体およびガラスセラミック多層基板 | |
JP2010235324A (ja) | フェライト組成物、フェライト焼結体、複合積層型電子部品及びフェライト焼結体の製造方法 | |
JP2006001755A (ja) | 高強度低温焼成セラミック組成物並びにこれを用いた積層電子部品 | |
JP3851295B2 (ja) | 低温焼成誘電体組成物、積層セラミックキャパシター及びセラミック電子部品 | |
JP4239534B2 (ja) | 絶縁性ガラスセラミックおよびこれを用いた積層電子部品 | |
JPWO2005098879A1 (ja) | セラミック電子部品、及びセラミック電子部品の製造方法 | |
JP2007161538A (ja) | 耐還元性誘電体磁器組成物、電子部品および積層セラミックコンデンサ | |
JP4613952B2 (ja) | 誘電体磁器組成物およびそれを用いた高周波デバイス | |
CN1374272A (zh) | 低温烧结瓷器及电子部件 | |
JP4419487B2 (ja) | 酸化物磁器組成物、セラミック多層基板およびセラミック電子部品 | |
JP2005255461A (ja) | 電子部品、誘電体磁器組成物およびその製造方法 | |
JP3373436B2 (ja) | セラミック積層電子部品 | |
JP3481740B2 (ja) | 温度補償用積層セラミックコンデンサ | |
JP4146152B2 (ja) | 誘電体磁器組成物及びセラミック電子部品 | |
JP2010235325A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
JP3000825B2 (ja) | セラミック電子部品 | |
JP2600778B2 (ja) | 多層基板用低温焼結磁器組成物 | |
JP4933674B1 (ja) | 電極用銅ペースト。 | |
JP2006052100A (ja) | Ni−Zn−Cu系フェライト材料及びインダクタ素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GD4A | Issue of patent certificate for granted invention patent | ||
MK4A | Expiration of patent term of an invention patent |