KR100213420B1 - 저항재료와, 이것을 사용한 저항 페이스트 및 저항체 - Google Patents

Abstract

본 발명은 일반식 : La_xSr_1-xCoO₃(x=0.40∼0.60)로 표시되는 조성을 갖는 저항재료 60∼95중량%와 유리프릿 5∼40중량%를 함유하는 고형성분에 유기 담체를 첨가, 반죽하여 이루어지는 저항 페이스트를 도포하고, 소성함으로써 저항체를 형성하는 것이다.

이러한 구성으로 하는 본 발명은, 공기중, 중성 또는 환원성 분위기의 어떠한 분위기에서도 소성을 행할 수 있으며, 넓은 저항값범위에서 임의의 저항값을 갖는 저항체를 확실하게 형성할 수 있는 저항 페이스트, 상기 저항 페이스트를 구성하는 저항재료; 및 본원 발명의 저항 페이스트를 사용하여 형성되는 실현가능한 저항값의 범위가 넓고 저항값의 재현성이 우수한 저항체를 제공하는 것을 목적으로 한다.

Description

저항재료와, 이것을 사용한 저항 페이스트 및 저항체

제1도는 본원 발명의 실시예 및 비교예에 있어서의 합성온도와 비저항의 관계를 나타낸 선도이다.

본원 발명은 저항재료와, 산화성, 중성 혹은 환원성 분위기중에서 소성(燒成)을 행하는 것이 가능한 저항 페이스트, 및 상기 저항 페이스트를 사용하여 형성되는 저항체에 관한 것이다.

일반적으로 알루미늄이나 지르코니아 등과 같은 세라믹기판에는, 각종 전자부품을 탑재할 수 있도록 전극이나 저항체 등의 회로패턴이 형성되어 있다. 그리고 전극(전극패턴)은 통상적으로 은, 은-팔라듐합금 등을 도전성분으로 하는 귀금속전극페이스트를 스크린 인쇄하고, 이 인쇄된 페이스트를 공기중에서 소성함으로써 형성되고 있다. 또한 이와 같이 하여 형성된 전극패턴간을 연결하기 위한 저항체(저항체패턴)은, 역시 귀금속인 루테늄의 산화물계 저항재료를 함유하는 저항페이스트를 소정의 위치에 인쇄하고, 공기중에서 소성하는 방법에 의하여 형성되는 경우가 많아지고 있다.

한편, 상기 귀금속페이스트는 고가일 뿐만 아니라, 내마이그레이션(migration resistance) 등에 문제가 있기 때문에, 귀금속페이스트를 대신하여 동, 니켈, 알루미늄 등의 비금속(卑金屬)을 도전성분으로 하는 비금속페이스트를 기판상에 스크린인쇄하고, 이것을 중성 혹은 환원성 분위기중에서 소성함으로써 값싸고 양호한 전극패턴을 형성하는 방향으로의 이행도 해당 기술분야에서는 수용되고 있다.

이 경우에는, 프린트된 비금속페이스트를 소성한 후에 형성된 복수개의 비금속 전극간을 연결하기 위하여 기판상에 배열되는 저항체(저항패턴)를 형성하기 위한 저항 페이스트도, 중성 혹은 환원성 분위기중에서 소성하는 것이 바람직하다. 따라서 중성 혹은 환원성 분위기중에서 소성하여 저항체(저항패턴)를 형성하는 것이 가능한 각종 저항 페이스트가 제안되기에 이르렀다.

그런데, 종래의 저항 페이스트중 공기분위기중에서 소성가능한 것으로서는, 고가인 귀금속산화물을 사용한 루테늄산화물계나 비스무트와 루테늄의 복합산화물계{파이로크로아이트(pyrochroite)계}가 주로 사용되고 있으며, 드물게는 저저항 영역의 저항체를 형성하는 경우에 은-팔라듐계의 메탈 글레이즈(metal glaze)계 저항 페이스트가 사용되는 경우가 있다.

한편, 중성 혹은 환원성 분위기중에서 소성가능한 재료로서는, LaB₆계나 SnO₂계, 감화물계, SrRuO₃계, Nb_xLa_1-xB_6-4x계 등의 각종 저항 페이스트가 제안되어 실용화되고 있다.

그러나 상술한 종래의 저항 페이스트는 각각 소성분위기가 상이하며, 공기중이나 환원분위기중의 어떤 분위기중일지라도 소성가능한 것은 아주 소수인 것이 실정이다. 또 종래의 후막 저항 페이스트에 있어서는, 귀금속산화물을 사용하고 있기 때문에 고가이다. 또한 종래에는 저항체의 저항값이 조절(변화)을 저항재료와 유리프릿(glass frit)의 혼합비를 변화시킴으로써 행하고 있지만, 저항재료의 종류에 따라서는 혼합비의 변화에 의한 저항값이 변화가 급격하여 소망의 저항값을 얻는 것이 곤란함과 아울러, 재현성이 매우 나쁘다고 하는 문제점이 있다.

본원 발명은 공기, 중성, 환원성의 어떠한 분위기중에 있어서도 소성가능하고, 넓은 저항값 범위에서 임의의 저항값을 갖는 저항체를 확실하게 형성할 수 있는 저항 페이스트; 상기 저항 페이스트를 구성하는 저항재료; 및 본원 발명의 저항 페이스트를 사용하여 형성되며, 실현가능한 저항값의 범위가 넓고 저항값의 재현성이 뛰어난 저항체;를 제공하는 것을 목적으로 한다.

상기한 목적을 달성하기 위하여, 본원 발명의 저항재료는, 일반식;

La_xSr_1-xCoO₃(x=0.40∼0.60)

로 표시되는 조성을 갖는 것을 특징으로 하고 있다.

또 저항재료는 La원료물질, Sr원료물질, 및 Co원료물질을 소정의 비율로 혼합한 혼합원료를 약 800∼1150℃의 온도조건에서 가열함으로써 합성한 재료인 것을 특징으로 하고 있다.

또 본원 발명의 저항 페이스트는, 상기 본원 발명의 저항재료 약 60∼95중량%, 바람직하게는 약65∼90중량%와, 유리프릿 5∼40%중량, 바람직하게는 약 10∼35%를 함유는 고형성분에 유기 담체를 첨가하여 반죽한 것인 것을 특징으로 하고 있다.

또한 상기 저항 페이스트에 있어서의 유리프릿은 (a)B₂O₃약 15∼25몰%, SiO₂약 40∼50몰%, PbO 약 15∼25몰%, ZnO 약 7∼13몰%를 함유하는 붕규산 납아연계 유리프릿, 또는 (b)B₂O₃약 3∼10몰%, SiO₂약 35∼45몰%, CaO 약 25∼35몰%, BaO 약 15∼20몰%를 함유하는 붕규산칼슘바륨계 유리프릿인 것을 특징으로 하고 있다.

또 본원 발명의 저항체는, 기판위에 저항 페이스트를 도포하고, 공기 분위기중 또는 질소 등의 중성 혹은 환원성 분위기중에서 소성함으로써 형성된 것인 것을 특징으로 하고 있다.

또한 본원 발명의 저항재료에 있어서, x의 값을 약 0.04∼0.60의 범위로 한 것은, x의 값이 0.40 미만, 혹은 0.60을 넘은 경우는, 저항재료의 비저항(比抵抗)이 현저하게 증가하여(10^-1Ω·cm 이상) 도전성을 잃기 때문에, 본원 발명이 목적으로 하는 도전재료로서의 이용이 불가능하게 되는 것에 기인한다.

또 본원 발명의 저항 페이스트에 있어서, 고형성분중의 저항재료의 함유량을 약 60∼95중량%의 범위로 하고, 유리프릿의 함유량을 약 5∼40중량%의 범위로 한 것은, 유리프릿의 함유량이 5중량% 미만이 되면 소성된 저항체와 기판과의 밀착성이 저하되어 저항체의 벗겨짐이 발생할 수 있으며, 40중량%를 넘으면 비저항이 급상승하여 바람직하게 되지 않기 때문이다.

또한 본원 발명의 저항 페이스트에 사용된느 저항재료의 입자지름은, 약 0.1∼5㎛의 범위에 있는 것이 바람직하고, 약 0.5∼3㎛의 범위에 있는 것이 보다 바람직하다.

또 본원 발명의 저항 페이스트에 사용되는 유리프릿의 입자지름은, 약 1∼10㎛의 범위에 있는 것이 바람직하고, 약 5㎛ 이하인 것이 보다 바람직하다.

또 본원 발명의 저항 페이스트에 있어서는, 유기 담체를 저항재료와 유리프릿의 혼합물(고형성분)에 첨가하여 반죽함으로써 필요한 인쇄특성이 부여된다. 이러한 유기 담체로서는, 예를 들면 후막재료페이스트에서 사용되고 있는 에틸셀룰로오스계 수지나 아크릴계 수지 등을 α-테르피네오올(terpineol)와 같은 테르펜(terpene)계 용제나, 케로신(kerosene), 부틸칼비톨(butyl carbitol), 칼비톨아세테이트 등의 비점이 높은 용제에 용해시킨 것 등, 여러가지의 것을 사용할 수 있으며, 또 필요하다면 틱소트로픽(thixotropic)성을 부여하기 위한 첨가제를 넣을 수도 있다.

이하 본원 발명의 실시예를 나타내여 그 특징으로 하는 바를 더욱 상세하게 설명하겠지만 이것은 본 발명의 범위를 한정하는 것은 아니다.

[저항재료의 합성]

우선, 저항재료의 원료물질로서, 분말형상의 La₂O, SrCO₃, Co₃O₄를 소정의 비율로 계량하여 혼합한 후 도가니에 넣고, 공기중에서 소정의 온도조건에서 합성 열처리하였다. 또한 이 원료물질은 상기의 물질에 한정되는 것이 아니며, 산화물 대신에 탄산염을 사용하거나, 혹은 탄산염 대신에 다른 산화물을 사용하는 것도 가능하다. 또 경우에 따라서는, 또 다른 물질(화합물)을 사용하는 것도 가능하다.

또한 본 실시에에서는, 본원 발명의 저항재료를 나타낸 일반식 : La_xSr_1-xCoO₃에 있어서의 x의 값이 0.30, 0.40, 0.50, 0.60, 0.70이 되는 비율로 각 원료를 계량하였다.

또 상기 혼합원료의 합성열처리는 공기분위기중에서 650℃, 750℃, 800℃, 850℃, 950℃, 1050℃, 1150℃, 1180℃에서 5시간 유지함으로써 행하였다. 이때의 승온속도는 5℃ / min으로 하였다. 또 비교예중 하나는 미합성된 혼합원료를 준비하였다. 또한 다른 비교예의 합성열처리는 950℃에서 행하였다.

그 후, 얻어진 합성물을 부분안정화 지르코니아 포트에 넣고, 분쇄매체와 함께 순수한 물매체중에서, 진동 분쇄기에 의하여 평균 입자지름이 2㎛ 전후가 될때까지 분쇄한 후, 건조시켜서 실시예 및 비교예의 저항재료로 하였다.

이렇게 하여 얻어진 각 저항재료를 이하의 방법에 의하여 미처리의 압분체 상태로 성형하고, 상대적인 비저항을 측정하였다.

우선, 측정할 각 저항재료를 건조한 후, 약 50mg씩 칭량하여 금형에 투입하고, 하중(50kgf/ ㎠)을 가하여 10초간 방치한 후에 꺼냄으로써, 외부직경 약 0.4cm의 펠릿(pellet)으로 성형하였다. 그 다음, 펠릿의 형상(외부직경 및 높이)을 마이크로미터로 측정한 후, 펠릿 양면에 열경화성의 은전극을 도포, 소성함으로써 펠릿(미처리 압분체)의 저항값과 비저항값을 측정하였다. 또한 비저항 기지 물질인 RuO₂및 CaRuO₃의 미처리 압분체 상태에 있어서의 저항값과 비저항값을 상기와 동일한 상황하에서 측정하였다. 이러한 모니터의 값에 의거하여 각 저항재료(시료)의 미처리 압분체 상태에 있어서의 상대적인 비저항값을 계산에 의하여 추정하였다. 그 결과를 표1에 나타낸다. 또한 표1에 있어서, 시료번호(1)은 합성열처리를 행하지 않은 미합성의 저항재료(시료)를 나타내고 있다.

표1에 있어서, 시료번호에 별표 (*)를 붙인 것은, 본원 발명의 범위외의 비교예이다.

또 표1의 「실측 비저항값」은, 압분체상태에서의 실측 비저항값ρ이며, 이 실측 비저항값 ρ은 다음 식(1)로 부터 구해지는 값이다.

ρ=(A×R)/ L (1)

단, R : 실측 저항값(Ω)

A : 단면적(㎠)

L : 길이(cm)

또 표1의 「환산 비저항값」은, 기준분체(RuO)의 문헌치(3.50×10 Ω·cm)와 실측 비저항값(0.349Ω·cm)의 비율이 각 저항재료에 대해서도 마찬가지로 적용된다고 가정하여 각각의 실측 비저항값으로부터 산출한 값이다.

환산 비저항값의 타당성에 관해서는 CaRuO의 문헌치가 3.7×10 Ω·cm이며, 표1에 기재한 실측 비저항값에서 산출한 값과 충분히 일치하고 있는 점으로 보아, 이 측정방법이 각 저항재료의 비저항을 측정하기에 타당한 방법이라는 것을 알 수 있다.

또한 합성온도와 비저항의 관계를 제1도에 나타낸다. 표1 및 제1도로부터, LaSrCoO계 복합산화물에서는, 합성온도를 800℃∼1150℃의 범위로 변화 시킴으로써 10 Ω·cm레벨(일부는 10 Ω·cm레벨)로 비저항을 제어할 수 있음을 알 수 있다.

또한 표1 및 제1도로부터, 합성온도가 800℃보다 낮은 경우 및 1150℃보다 높은 경우에는, 비저항이 현저하게 증가하여 실용상 부적당하다는 것을 알 수 있다.

또 표1 및 제1도에 나타내지 않았지만, La와 Sr의 몰비 x가 0.40∼0.60의 범위에 있어서는, 상기한 x=0.50의 경우와 마찬가지로 800℃∼1150℃에서 합성열처리를 행함으로써, 양호한 비저항(도전성)을 갖는 저항재료가 얻어지는 것을 확인하고 있다.

또한 La와 Sr의 몰비 x가 0.40∼0.60의 범위를 벗어나면, 예를 들면 몰비 x=0.30{시료번호(10) 혹은 x=0.70(시료번호(11)}에 있어서는 환산 비저항값이 10 Ω·cm레벨로 되는 등, 비저항이 현저하게 증가하여 도전성을 잃게 되어 저항재료로서 사용할 수 없게 되기 때문에 바람직하지 않다.

[유리프릿의 작성]

다음으로 이 저항재료와는 별도로, 이하의 방법에 의하여 붕규산납아연계 유리프릿(이하 「유리프릿 A」라 한다)와, 붕규산칼슘바륨계 유리프릿(이하 「유리프릿 B」라 한다)을 작성하였다.

우선 유리프릿 A의 원료로서, BO, SiO, BaO, CaO를 사용하고, 이들을 21.5 : 46.2 : 21.5 : 11.8의 몰비로 혼합한 후 1200~1350℃에서 용융시킴으로써, 6 : 41.0 : 18.0 : 32.4의 몰비로 혼합한 후, 1200∼1350℃에서 용융시킴으로써, BO-SiO-PbO-ZnO계의 용융유리를 얻었다. 그리고 이 용융유리를 순수한 물 중에 투입하여 급냉시킨 후, 진동 분쇄기를 이용하여 평균입자 지름이 5㎛ 이하가 될 때까지 분쇄하여 유리프릿(유리프릿 A)을 얻었다. 또한 유리프릿 A의 원료로서는 상기한 바와 같은 산화물 이외에 탄산염 등을 사용하는 것도 가능하다. 한편, 유리프릿 B의 원료로서, BO, SiO, BaO, CaO를 사용하고, 이들을 BO-SiO-BaO-CaO계의 용융유리를 얻었다. 그리고 이 용융유리를 순수한 물 중에 투입하여 급냉시킨 후, 진동 분쇄기를 이용하여 평균 입자지름이 5㎛ 이하가 될 때까지 분쇄하여 유리프릿(유리프릿 B)을 얻었다. 유리프릿 B의 원료로서는, 상기한 바와 같은 산화물 이외에도 탄산염 등을 사용하는 것도 가능하다.

[저항 페이스트의 작성]

1050℃에서 합성한 저항재료와 유리프릿 A를 표2에 나타낸 바와 같은 다양한 비율로 혼합함과 아울러, 950℃에서 합성한 저항재료와 유리프릿 B를 표3에 나타낸 바와 같은 다양한 비율로 혼합하였다.

또한 표2 및 표3에 있어서, 시료번호에 별표(*)를 붙인 것은, La와 Sr의 몰비 x가 본원 발명의 범위외이거나 료와 유리프릿의 비율이 본원 발명의 범위외인 것(비교예)이다.

그 다음, 저항재료와 유리프릿의 혼합물(고형성분)에, 아크릴수지를 α-테르피네오올에 용해하여 이루어지는 유기 담체를 첨가하여, 3개롤러 니더 등의 혼합기를 사용하여 반죽함으로써 저항 페이스트를 얻었다.

또한 이 때의 고형성분(저항재료와 유리프릿의 혼합물)과 유기 담체의 배합비율은 중량비로 약 70 : 30으로 하였다.

[저항체의 형성]

우선 알루미나로 이루어지는 절연기판위에 은-팔라듐페이스트, 혹은 동페이스트를 스크린인쇄하고, 공기분위기중 혹은 질소분위기중에서 소성하여 전극을 형성하였다.

이어서, 알루미나기판상에 형성한 전극간에, 상기와 같이 하여 얻은 저항 페이스트를 양단측의 전극의 일부를 포함하여 길이 1.5㎜, 폭 1.5㎜, 건조 막두께 20㎛의 패턴이 형성되도록 스크린인쇄한 후, 레벨링(leveling)을 행하고, 150℃에서 10분간 건조하였다. 그 후, 전극에 은-팔라듐계를 사용한 알루미나기판은, 공기분위기를 갖는 터널 노(tunnel furnace)에 의하여 피크온도 850℃에서 10분간 유지하여 소성을 행함으로써 기판위에 저항체를 형성하였다. 또 전극에 동계를 사용한 알루미나기판은, 질소분위기를 갖는 터널 노에 의하여 피크온도 900℃에서 10분간 유지하여 소성을 행함으로써 기판위에 저항체를 형성하고, 이것을 시료로 하였다.

[특성평가]

상기와 같이 하여 얻어진 각 시료에 관하여, 면적저항값을 측정하였다. 표2에는 유리프릿 A를 사용한 저항 페이스트에 관한 측정결과를 나타내고, 표3에는 유리프릿 B를 사용한 저항 페이스트의 측정결과를 함께 나타낸다. 또한 면적저항값은 25℃의 온도조건에서 디지탈 전압계를 이용하여 측정하였다.

표2 및 표3에 나타낸 바와 같이, 상기의 각 저항재료를 함유하여 이루어진 저항 페이스트를 사용하여 형성한 저항체에 있어서는, 저항 페이스트중에 함유되는 유리프릿의 종류에 따라서 저항값에 어느 정도의 차이는 발생한다. 또한 La와 Sr의 몰비 x에 대하여 살펴보면, 본원 발명의 범위내인 몰비 x=0.40∼0.60의 영역에 있어서는, 공기중(전극의 종류는 은-팔라듐전극), 질소중(전극의 종류는 동전극)의 어떠한 분위기에 있어서도 실용가능한 범위의 면적저항값이 얻어지고 있다. 그러나 한편, La와 Sr의 몰비 x가 0.40미만, 혹은 0.60을 넘는 영역에 있어서는, 저항체의 비저항이 급격히 상승하여 1GΩ 이상이 되기 때문에, 실용상 사용할 수 없게 된다{시료번호 1, 11, 12, 22(이상 표2) 및 시료번호 23, 33, 34, 44(이상 표3)}.

또한 저항재료와 유리프릿의 혼합비에 대하여 살펴보면, 본원 발명의 범위내인 저항재료의 함유량 60∼95중량%(유리프릿의 함유량 5∼40중량%)의 영역에 있어서는, 공기중(전극의 종류는 은-팔라듐전극), 질소중(전극의 종류는 동전극)의 어떠한 분위기에 있어서도 실용가능한 범위의 저항값이 얻어지고 있다. 그러나 한편, 저항재료와 유리프릿의 혼합비가 상기한 본원 발명의 범위를 벗어나면, 저항막에는 벗겨짐이 발생하거나{시료번호 4, 15(이상 표2) 및 시료번호 26, 37(이상 표3)}, 비저항이 급격히 상승하여 1GΩ 이상이 되기 때문에, 실용상 사용할 수 없게 된다{시료번호 8, 19(이상 표2) 및 시료번호 30, 41(이상 표3)}.

또한 상기 실시예에서는, 유리르릿으로서, BO, SiO, PbO, ZnO을 21.5 : 46.2 : 21.5 : 11.8의 몰비로 함유하는 붕규산납아연계 유리프릿, 및 BO, SiO,BaO,CaO를 8.6 : 41.0 : 18.0 : 32.4의 몰비로 함유하는 붕규산칼슘바륨계 유리프릿을 사용한 경우에 관하여 설명하였지만, 유리프릿의 성분이나 조성비는 이것에 한정되지 않으며, 다른 성분으로 이루어지는 유리프릿이나 상기한 것과 조성비가 상이한 유리프릿을 사용하는 것도 가능하다.

또 상기 실시예에서는, 알루미나기판상에 저항체를 형성하는 경우를 예로 들어 설명하였지만, 저항체를 형성하는 대상인 기판은 알루미나기판에 한정되는 것이 아니며, 다른 다양한 재료로 이루어지는 베이스나 각종 다양한 기판위에 저항체를 형성하는 경우에도, 본원 발명을 적용하는 것이 가능하다.

본원 발명은 또 그 외의 점에 있어서도 상기 실시예에 한정되는 것은 아니며, 예를 들면 저항재료와 유리프릿을 배합하여 이루어지는 고형성분에의 유기 담체의 첨가비율, 저항 페이스트를 소성할 때의 온도조건이나 분위기조건 등은, 본원 발명의 요지의 범위내에서 여러가지로 응용, 변형시킬 수 있다.

상술한 바와 같이, 본원 발명의 저항 페이스트는, 일반식 : LaSrCoO(x=0.40∼0.60)으로 표시되는 조성을 갖는 본원 발명의 저항재료 60∼95중량%와 유리프릿 5∼40중량%을 함유하는 고형성분에 유기 담체를 첨가하여 반죽함으로써 형성되어 있으며, 공기, 중성, 환원성의 어떠한 분위기중에 있어서도 소성이 가능함과 아울러, 이 본원 발명의 저항 페이스트를 도포, 소성함으로써, 종래의 저항체에 비하여 저가의 저항체를 형성할 수 있으며, 또한 저항값이 증가경향이 완만하며 저항값의 재현성(reproducibility)이 우수한 저항체를 확실하게 형성할 수 있다.

즉 본 발명은 LaSrCoO(x=0.40∼0.60)중의 x의 값을 적절하게 선택함과 아울러, 합성온도를 800∼1150℃의 범위로 변화시킴으로써, 재료 비저항을 10-4Ω·cm레벨로 변화시키는 것이 가능한 저항재료를 얻는 것이 가능해지며, 또한 저항재료와 유리프릿의 배합비율을 적절하게 선택하여 이루어지는 본원 발명의 저항 페이스트를 사용함으로써, 넓은 저항값범위에서 임의의 저항값을 갖는 저항체를 확실하게 성형할 수 있다.

Claims (11)

1. 일반식 La_xSr_1-xCoO₃(x=0.40∼0.60)로 표시되는 조성을 갖는 것을 특징으로 하는 저항재료.
2. 제1항에 있어서, La, Sr 및 Co원료물질의 혼합원료를 악 800∼1150℃의 온도조건에서 가열함으로써 합성하는 것을 특징으로 하는 저항재료.
3. 제1항에 기재된 저항재료 60∼95중량%와 유리프릿 5∼40중량%를 함유하는 고형성분과 유기 담체를 포함하는 것을 특징으로 하는 저항 페이스트.
4. 제3항에 있어서, 상기 유리프릿이 (a)B₂O₃약 15∼25몰%, SiO₂4 약 0∼50몰%, PbO 약 15∼25몰%, ZnO 약 7∼13몰%를 함유하는 붕규산납아연계 유리프릿, 또는 (b)B₂O₃약 3∼10몰%, SiO₂약 35∼45몰%, CaO 약 25∼35몰%, BaO 약 15∼20몰%를 함유하는 붕규산칼슘바륨계 유리프릿인 것을 특징으로 하는 저항 페이스트.
5. 제2항에 기재된 저항재료 60∼95중량%와 유리프릿 5∼40중량%를 함유하는 고형성분과 유기 담체를 포함하는 것을 특징으로 하는 저항 페이스트.
6. 제5항에 있어서, 상기 유리프릿이 (a)B₂O₃약 15∼25몰%, SiO₂약 0∼50몰%, PbO 약 15∼25몰%, ZnO 약 7∼13몰%를 함유하는 붕규산납아연계 유리프릿, 또는 (b)B₂O₃약 3∼10몰%, SiO₂약 35∼45몰%, CaO 약 25∼35몰%, BaO 약 15∼20몰%를 함유하는 붕규산칼슘바륨계 유리프릿인 것을 특징으로 하는 저항 페이스트.
7. 제3항에 기재된 저항 페이스트가 소성되어 있는 기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 저항체.
8. 제4항에 기재된 저항 페이스트가 소성되어 있는 기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 저항체.
9. 제5항에 기재된 저항 페이스트가 소성되어 있는 기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 저항체.
10. 제6항에 기재된 저항 페이스트가 소성되어 있는 기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 저항체.
11. 제1항에 기재된 La, Sr 및 Co원료물질의 혼합원료를 약 800∼1150℃에서 가열함으로써 추정된 비저항을 갖는 저항재료를 합성하는 방법.