JPS6288301A - 抵抗材料 - Google Patents
抵抗材料Info
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- JPS6288301A JPS6288301A JP60229172A JP22917285A JPS6288301A JP S6288301 A JPS6288301 A JP S6288301A JP 60229172 A JP60229172 A JP 60229172A JP 22917285 A JP22917285 A JP 22917285A JP S6288301 A JPS6288301 A JP S6288301A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、非酸化雰囲気中での焼成によって厚膜抵抗体
又はこれに類φの抵抗体を形成することができ、月つ耐
湿性の高い抵抗体を提供することができるペースト状抵
抗材料に関する。
又はこれに類φの抵抗体を形成することができ、月つ耐
湿性の高い抵抗体を提供することができるペースト状抵
抗材料に関する。
未焼成セラミックシート即ちグＩＪ−ンシ一トにニッケ
ル等の卑金属の導体ペーストを塗布し、且つ硼化モリブ
デンと弗化金属とガラスとを含准する抵抗体ペーストを
塗布したものを非酸化雰囲気中で焼成し、厚膜導体と厚
膜抵抗体との両方を有する多層セラミック回路基板を作
成する方法は、本件出願人に係わる特願昭５９−１９７
６５５号明ａ％、に開示されている。この方法において
は、厚膜導体及び厚膜抵抗の形成に貴金属が使用されな
いので、多層セラミック回路基数のコストの低減ができ
る。
ル等の卑金属の導体ペーストを塗布し、且つ硼化モリブ
デンと弗化金属とガラスとを含准する抵抗体ペーストを
塗布したものを非酸化雰囲気中で焼成し、厚膜導体と厚
膜抵抗体との両方を有する多層セラミック回路基板を作
成する方法は、本件出願人に係わる特願昭５９−１９７
６５５号明ａ％、に開示されている。この方法において
は、厚膜導体及び厚膜抵抗の形成に貴金属が使用されな
いので、多層セラミック回路基数のコストの低減ができ
る。
しかし、上記出願に係わる抵抗材料で形成された厚膜抵
抗は十分な耐湿特性を有さない。例えば、温度６０℃、
相対湿度９５％の環境下Ｋ １０００時間放置した場合
の抵抗変化率は＋５％〜＋１０％程度になる。
抗は十分な耐湿特性を有さない。例えば、温度６０℃、
相対湿度９５％の環境下Ｋ １０００時間放置した場合
の抵抗変化率は＋５％〜＋１０％程度になる。
そこで、本発明の目的は、非酸化雰囲気中での焼成で抵
抗体を形成することができ、且つ耐湿試験ＶＣおげろ抵
抗変化率が二２％以内の抵抗体を得ることができる抵抗
材料を提供することにある。
抗体を形成することができ、且つ耐湿試験ＶＣおげろ抵
抗変化率が二２％以内の抵抗体を得ることができる抵抗
材料を提供することにある。
上記目的を達成するための本発明に係わる抵抗材料は、
硼化モリブデン２０″−８０ｇ３７４部と、ガラス１０
〜７０重ｉ１と、炭酸カルシウム（ＣａＣＯ。
硼化モリブデン２０″−８０ｇ３７４部と、ガラス１０
〜７０重ｉ１と、炭酸カルシウム（ＣａＣＯ。
ン、炭酸ストロンチウム（Ｓｒ ＣＯ＋ ） 、炭酸バ
リウム（ＢａＣＯ，）の内の少なくとも１種の炭酸塩１
０〜７０重１部と、適当量の有機結合剤及び溶剤（ビヒ
クルノとから成る。
リウム（ＢａＣＯ，）の内の少なくとも１種の炭酸塩１
０〜７０重１部と、適当量の有機結合剤及び溶剤（ビヒ
クルノとから成る。
〔作 用〕
上記組成のペースト状抵抗材相なグリーンシート上に印
刷し、非酸化雰囲気で焼成すれば、耐湿試験における抵
抗変化率が＋２％以内の厚膜抵抗体が得られる。従って
、ニッケル等の卑金属の導体ペーストによる厚膜導体の
形成と同時に卑金属厚膜抵抗を形成することが出来る。
刷し、非酸化雰囲気で焼成すれば、耐湿試験における抵
抗変化率が＋２％以内の厚膜抵抗体が得られる。従って
、ニッケル等の卑金属の導体ペーストによる厚膜導体の
形成と同時に卑金属厚膜抵抗を形成することが出来る。
〔実施例１〕
次に、本発明の実施例に係わる抵抗材料及びこれを使用
した多層セラミック回路基板の形成方法について述べる
。
した多層セラミック回路基板の形成方法について述べる
。
まず、二酸化珪素（Ｓｉｎ、） ７８．０１Ｊｉ匍部、
酸化亜鉛（ＺｎＯ） ５．５ Ｍ ｆｔｌ Ｈ（ｌ 、
酸化ジルコニウム（ＺｒＯｔ）１２、Ｏ８８部、炭酸力
、／Ｉ／シウム（Ｃａ（”０１） ３．Ｏｆｆ！！部、
及び酸化アルミニウム（八１ｙｅｓ） １．５７１”
（３部を混合し、アルミナルツボ中、１４００℃テ３０
分子ｌＪ＋溶融し、この溶融液を水中に投入し、急冷さ
せた。
酸化亜鉛（ＺｎＯ） ５．５ Ｍ ｆｔｌ Ｈ（ｌ 、
酸化ジルコニウム（ＺｒＯｔ）１２、Ｏ８８部、炭酸力
、／Ｉ／シウム（Ｃａ（”０１） ３．Ｏｆｆ！！部、
及び酸化アルミニウム（八１ｙｅｓ） １．５７１”
（３部を混合し、アルミナルツボ中、１４００℃テ３０
分子ｌＪ＋溶融し、この溶融液を水中に投入し、急冷さ
せた。
この急冷物を取り出してアルミナ乳鉢に入れ、約５０μ
ｍ程度になるまで粉砕し、更にこれをエタノールと共に
ポリエチレン製ボットミルの中に入ｊＬ、アルミナボー
ルで１５０時間粉砕し、粒径が１０μｍ以下の粉末状の
ガラスを得た。
ｍ程度になるまで粉砕し、更にこれをエタノールと共に
ポリエチレン製ボットミルの中に入ｊＬ、アルミナボー
ルで１５０時間粉砕し、粒径が１０μｍ以下の粉末状の
ガラスを得た。
次に、上記ガラスと、研１化モリブデン（ＲＪｏｔＢ。
Ｍｏ２Ｂ、 、 ＭｏＢ 、 ＮｏＢ、の］種Ｊ−Ｊ
、、Ｌ−、）とを表に示す割合に秤匍し、ボールミルに
入れて攪拌し５た。次いで、これをアルゴンガス雰囲気
中１２００℃で１時間熱処理し、しかる後、エタノール
と共にポリエチレン製のボットミル中に入ｔ１アルミナ
ボールで２４時ｍＪ粉砕し、１０μｍＪ−１下の硼化モ
ｌｊブデンとガラスとの混合物の粉末を得た。即ち、表
の試料＆１〜４０に示されている種々の割合のガラスと
硼化モリブデンの混合粉末を得た。
、、Ｌ−、）とを表に示す割合に秤匍し、ボールミルに
入れて攪拌し５た。次いで、これをアルゴンガス雰囲気
中１２００℃で１時間熱処理し、しかる後、エタノール
と共にポリエチレン製のボットミル中に入ｔ１アルミナ
ボールで２４時ｍＪ粉砕し、１０μｍＪ−１下の硼化モ
ｌｊブデンとガラスとの混合物の粉末を得た。即ち、表
の試料＆１〜４０に示されている種々の割合のガラスと
硼化モリブデンの混合粉末を得た。
次に、ガラスと硼化モリブデンと炭酸塩（ＣａＣｏｊ％
Ｓｒ ＣＯ，２Ｂａ ＣＯ，の１種以上）との割合が表
の試料Ａｌ〜４０の組成の欄に示すようになるように、
上述のガラスと硼化モリブデンの混合粉末に対して炭酸
塩を添加し、混合することによって本発明に係わる抵抗
材料の粉末を得た。即ち、試料ＡＬＬおいては、抵抗材
料の組成をガラス１０ｈｉｔ部、Ｍｏ、８８０ 重量部
、ＣａＣＯ５１０ｉｔ部とし、残りの試料Ａ２〜４０に
おいても組成の欄に示す重量割合のＭ欣とした。
Ｓｒ ＣＯ，２Ｂａ ＣＯ，の１種以上）との割合が表
の試料Ａｌ〜４０の組成の欄に示すようになるように、
上述のガラスと硼化モリブデンの混合粉末に対して炭酸
塩を添加し、混合することによって本発明に係わる抵抗
材料の粉末を得た。即ち、試料ＡＬＬおいては、抵抗材
料の組成をガラス１０ｈｉｔ部、Ｍｏ、８８０ 重量部
、ＣａＣＯ５１０ｉｔ部とし、残りの試料Ａ２〜４０に
おいても組成の欄に示す重量割合のＭ欣とした。
次に、各試料の抵抗材料の粉末１００重量部に、有機結
合剤としてのエチルセルロースエ・０重量部を溶剤とし
てのブチルカルピトール９０重量部に溶かしたものから
成る有機バインダ溶液ｆｆ１ｌちビヒクル２５重量部を
加えて３本ロールミルで混練して約８００ボイズの抵抗
体ペーストを得た。
合剤としてのエチルセルロースエ・０重量部を溶剤とし
てのブチルカルピトール９０重量部に溶かしたものから
成る有機バインダ溶液ｆｆ１ｌちビヒクル２５重量部を
加えて３本ロールミルで混練して約８００ボイズの抵抗
体ペーストを得た。
一方、上記抵抗体ペーストを印刷するだめのグリーンシ
ート上次の方法で炸裂した。ＡＩ、０．粉末５０ ］ｆ
ｆ１ｓ、 Ｓｉｎ、粉末２０ｉ［部、ＳｒＯ粉末２５重
量部、Ｉｊ、０粉床１１豫部、及びＭｇＯ粉末４重量部
からなるセラミック罪科粉末と、アクリル酸エステルポ
リマーの水溶液からなるバインダーと、グリセリンと、
カルボン酸塩及び水と、をそれぞれボールミルに入れて
混合して、スリップを作製し、脱泡処理した後にドクタ
ーブレード法にヨク厚ざ２００μｍの長尺のグリーンシ
ートを作與した。そして、このグリーンシートＺ＋＞う
、９ｍｍＸ９ ｍｍと６ ｍｍ Ｘ ９ ｍｍの２種類
のグリーンシート片ケ切り抜いた。
ート上次の方法で炸裂した。ＡＩ、０．粉末５０ ］ｆ
ｆ１ｓ、 Ｓｉｎ、粉末２０ｉ［部、ＳｒＯ粉末２５重
量部、Ｉｊ、０粉床１１豫部、及びＭｇＯ粉末４重量部
からなるセラミック罪科粉末と、アクリル酸エステルポ
リマーの水溶液からなるバインダーと、グリセリンと、
カルボン酸塩及び水と、をそれぞれボールミルに入れて
混合して、スリップを作製し、脱泡処理した後にドクタ
ーブレード法にヨク厚ざ２００μｍの長尺のグリーンシ
ートを作與した。そして、このグリーンシートＺ＋＞う
、９ｍｍＸ９ ｍｍと６ ｍｍ Ｘ ９ ｍｍの２種類
のグリーンシート片ケ切り抜いた。
次に、第１図に示す如く、前者のグリーンシート片（１
）上に、ニッケル（Ｎｉ ）粉末と有機バインダ溶液（
エチルセルロース１０ Ｗ 柘ｆｆｂ ｋテレピン油９
０１ｉ翔部に浴かしたもの）とＹ３：１の比で混練した
導体ペーストを２００メツシユのスクリーンを用いて印
刷し、１２５℃、１０分間乾燥することによって第１図
に示す如＜Ｎｊ堺体膜（２）馨形成した。
）上に、ニッケル（Ｎｉ ）粉末と有機バインダ溶液（
エチルセルロース１０ Ｗ 柘ｆｆｂ ｋテレピン油９
０１ｉ翔部に浴かしたもの）とＹ３：１の比で混練した
導体ペーストを２００メツシユのスクリーンを用いて印
刷し、１２５℃、１０分間乾燥することによって第１図
に示す如＜Ｎｊ堺体膜（２）馨形成した。
次に、本発明に係わる抵抗体ペーストラ導体ペーストと
同様にスクリーン印刷し、乾燥することによって、第１
図に示す如く抵抗体膜（３）を形成した。
同様にスクリーン印刷し、乾燥することによって、第１
図に示す如く抵抗体膜（３）を形成した。
次に、グリーンシート片（１）の上に鎖線で示す大きざ
のもう一方のグリーンシー）片（４１’＆積層し、１０
０℃、１５０ ｋｇ／ｃｍ’で熱圧着し、こｎ’ｒ酸化
雰囲気中５００℃で熱処理して？Ｊ機機台合剤び溶剤（
有機ビヒクル）を飛散及び分解し、Ｎ、 （９８，５容
積％） 十Ｈｅ （１，５容積％）の還元雰囲気中で１
１００℃、２時間焼成し、第２図に示す如く、磁器層（
ｌａ）（４ａ）の中に、厚膜導体（２ａ）と厚膜抵抗体
（３ａ）とを有する混成集積回路用の多層セラミック回
路基板を完成させた。なお、抵抗体（３ｍ）の導体（２
ａ）にかからない部分の大きさは、３ｍｍ Ｘ ３ ｍ
ｍであり、膜厚は１８μｍである。また、抵抗体（３ａ
）の組成は、焼成前の抵抗材料の無機質のＭ４成にほぼ
一致している。
のもう一方のグリーンシー）片（４１’＆積層し、１０
０℃、１５０ ｋｇ／ｃｍ’で熱圧着し、こｎ’ｒ酸化
雰囲気中５００℃で熱処理して？Ｊ機機台合剤び溶剤（
有機ビヒクル）を飛散及び分解し、Ｎ、 （９８，５容
積％） 十Ｈｅ （１，５容積％）の還元雰囲気中で１
１００℃、２時間焼成し、第２図に示す如く、磁器層（
ｌａ）（４ａ）の中に、厚膜導体（２ａ）と厚膜抵抗体
（３ａ）とを有する混成集積回路用の多層セラミック回
路基板を完成させた。なお、抵抗体（３ｍ）の導体（２
ａ）にかからない部分の大きさは、３ｍｍ Ｘ ３ ｍ
ｍであり、膜厚は１８μｍである。また、抵抗体（３ａ
）の組成は、焼成前の抵抗材料の無機質のＭ４成にほぼ
一致している。
次に、この抵抗体（３ａ）の２５℃におけるシート抵抗
Ｒ８（Ω／口）ンデイジタルマルチメータで測定した。
Ｒ８（Ω／口）ンデイジタルマルチメータで測定した。
次いで、各試料（多層セラミック回路基板）を温度６０
℃、相対湿度９５％の環境下に１０００時ｍ」放置し、
その後、ディジタルマルチメータで再びシート抵抗Ｒ＋
（Ω／口）を測定し、この耐湿試験による厚膜導体（
２ａ）の抵抗変化率△Ｒを（Ｒｚ Ｒｏ／ Ｒｏ）
Ｘ １００％で求めた。表の特性の欄には上記のＲ６と
△Ｒとが示されている。なお、ゐの値の欄のｋは×１０
を意１１１１ｉ１：ｊる。
℃、相対湿度９５％の環境下に１０００時ｍ」放置し、
その後、ディジタルマルチメータで再びシート抵抗Ｒ＋
（Ω／口）を測定し、この耐湿試験による厚膜導体（
２ａ）の抵抗変化率△Ｒを（Ｒｚ Ｒｏ／ Ｒｏ）
Ｘ １００％で求めた。表の特性の欄には上記のＲ６と
△Ｒとが示されている。なお、ゐの値の欄のｋは×１０
を意１１１１ｉ１：ｊる。
表の試料Ａ１〜４０から明らかな如く、抵抗材料の組成
を、 ガラス １０〜７Ｏｉｌｒｔ部、 硼化モリブデン（Ｍｏ２Ｂ％ＭｏりＢｉ、ＭｏＢ、 Ｍ
ｏＢ。
を、 ガラス １０〜７Ｏｉｌｒｔ部、 硼化モリブデン（Ｍｏ２Ｂ％ＭｏりＢｉ、ＭｏＢ、 Ｍ
ｏＢ。
の１種以上〕 ２０〜８０重量部、
炭酸塩（ＣａＣ０ａ、Ｓｒ ＣＯ，，８ａ ＣＯｓの１
種以上）１０〜７０重量部、 適当量の有機結合剤及び溶剤、 とすることにより、環元雰囲気中の焼成であるにも拘ら
ず、シート抵抗が１０．１７Ω／ロ〜４２８．７×１０
Ω／口、耐湿試験による抵抗変化率△Ｒが−２，０％〜
＋２．０％の範四内の厚膜抵抗体を提供することができ
る。
種以上）１０〜７０重量部、 適当量の有機結合剤及び溶剤、 とすることにより、環元雰囲気中の焼成であるにも拘ら
ず、シート抵抗が１０．１７Ω／ロ〜４２８．７×１０
Ω／口、耐湿試験による抵抗変化率△Ｒが−２，０％〜
＋２．０％の範四内の厚膜抵抗体を提供することができ
る。
なお、表に示されていない本発明の範囲外の試料により
次のことが確認されている。
次のことが確認されている。
＋１１ 硼化モリブデンの量を２０重量部よりも少な
くすると、抵抗値が高くなり過ぎる。
くすると、抵抗値が高くなり過ぎる。
（２） 硼化モリブデンの量を８０重量部よりも多く
すると、焼結が困難になる。
すると、焼結が困難になる。
（３１ガラスの量を１ＯＮ量部よりも少なくすると、焼
結が困難になる。
結が困難になる。
（４） ガラスの量を７０重量部よりも多くすると、
抵抗値が高くなり過ぎる。
抵抗値が高くなり過ぎる。
（５） 炭酸塩の景ン１０重量部よりも少なくすると
、抵抗変化率△Ｒケニ２％の範囲に収ぬることが困難に
なる。
、抵抗変化率△Ｒケニ２％の範囲に収ぬることが困難に
なる。
（６） 炭酸塩の借を７０１童部よりも多くてると、
抵抗変化率△Ｒを２２％の範囲に収めることが困難にな
る。
抵抗変化率△Ｒを２２％の範囲に収めることが困難にな
る。
ガラスの組成が変化しても、実施例１と同様な作用効果
が得られることン確かめるたぬに、次の如くガラス粉末
を作製した。二酸化珪素ｌｉｄ、）７５．０ ｌ−置部
、三酸化ニホウ素（Ｅｘｔ’ｓ） １３−０重量部、炭
酸カルシウム（ＣａＣＯ，） １０．０重量部、及び酸
化アルミニウム（Ａｌ＊０□） ２．０ 重量ｓｗ混合
し、実施例１と同様の手法にて粉末状のガラスを得た。
が得られることン確かめるたぬに、次の如くガラス粉末
を作製した。二酸化珪素ｌｉｄ、）７５．０ ｌ−置部
、三酸化ニホウ素（Ｅｘｔ’ｓ） １３−０重量部、炭
酸カルシウム（ＣａＣＯ，） １０．０重量部、及び酸
化アルミニウム（Ａｌ＊０□） ２．０ 重量ｓｗ混合
し、実施例１と同様の手法にて粉末状のガラスを得た。
次に、このガラスケ使用して実施例１の試料Ａ３６と同
−組成の抵抗材料を実施例１と同一の方法で得、これを
使用して実施例１と同一の方法で同−ａ造の多層セラミ
ック回路基板を形成し、実施例１と同様に電気的特性を
測定したところ、シート抵抗値は７．２４ Ｘ １０’
Ω／口、抵抗変化率ΔＲは＋０．９％であった。
−組成の抵抗材料を実施例１と同一の方法で得、これを
使用して実施例１と同一の方法で同−ａ造の多層セラミ
ック回路基板を形成し、実施例１と同様に電気的特性を
測定したところ、シート抵抗値は７．２４ Ｘ １０’
Ω／口、抵抗変化率ΔＲは＋０．９％であった。
この実施例２から明らかなように、ガラスの組成ヲ変え
ても抵抗特性に大きな相違は見られない。
ても抵抗特性に大きな相違は見られない。
つまり、本発明において使用されるガラスは必ずしも％
定された１つの組成に限られるものではない。なお、実
施例１におけるＳ ｉＯ，−ＺｎＯ−ＺｒＯ，−ＣａＯ
−ＡＩ、Ｏｊ系ガラス、実施例２の８４０．−８，０．
−ＣａＯ−ＡＩ、０１系ガラスはいずｒ（も作業、５（
ｉｘｉｏ’ホイズとなる８度）が９００〜１２００℃の
ガラスである。本発明に係わるガラスは、実施例１及び
２の組成のガラスに限ることなく、９００〜１２００℃
の作業点を有し、且つ還元雰囲気で焼成する際処金縞化
されや丁い金属酸化物（ＰｂＯ，５ｎＣ１ｔ、ＢｉｔＯ
ａ ４！ ） ’ｌ含まないものであれば、とのよ５な
ものでもよい。
定された１つの組成に限られるものではない。なお、実
施例１におけるＳ ｉＯ，−ＺｎＯ−ＺｒＯ，−ＣａＯ
−ＡＩ、Ｏｊ系ガラス、実施例２の８４０．−８，０．
−ＣａＯ−ＡＩ、０１系ガラスはいずｒ（も作業、５（
ｉｘｉｏ’ホイズとなる８度）が９００〜１２００℃の
ガラスである。本発明に係わるガラスは、実施例１及び
２の組成のガラスに限ることなく、９００〜１２００℃
の作業点を有し、且つ還元雰囲気で焼成する際処金縞化
されや丁い金属酸化物（ＰｂＯ，５ｎＣ１ｔ、ＢｉｔＯ
ａ ４！ ） ’ｌ含まないものであれば、とのよ５な
ものでもよい。
本発明は上述の実施例に限定されるものでなく、例えば
次の変形例が可能なものである。
次の変形例が可能なものである。
（ａｔ Ｂｌ化モリブデンとガラスと炭酸塩とン含む
抵抗体ペーストン塗布したグリーンシートの焼成温度ｙ
ｚ１０００℃〜１２００℃の範囲で変化させても、抵抗
値Ｒ６及び抵抗変化率ΔＲが殆んど変化しないことが確
認されている。例えば、実施例１の試料Ａ ３６と同一
組成で焼成流度のみＹ １０００℃、１０５０℃、１１
５０℃、１２００℃に変化させた時の抵抗値ゐは７．２
３９Ｘ１０Ω／口、７．２４３×１０ｊΩ／口、 ７．
２０８ Ｘ １０ Ω／口、７．２２７ Ｘ１０Ω／
口であり、また抵抗変化率△Ｒは＋０．８％、＋１．１
％、＋１．２％、＋０．９％であった。他の組成におい
てもほぼ同様な結果が得られた。。
抵抗体ペーストン塗布したグリーンシートの焼成温度ｙ
ｚ１０００℃〜１２００℃の範囲で変化させても、抵抗
値Ｒ６及び抵抗変化率ΔＲが殆んど変化しないことが確
認されている。例えば、実施例１の試料Ａ ３６と同一
組成で焼成流度のみＹ １０００℃、１０５０℃、１１
５０℃、１２００℃に変化させた時の抵抗値ゐは７．２
３９Ｘ１０Ω／口、７．２４３×１０ｊΩ／口、 ７．
２０８ Ｘ １０ Ω／口、７．２２７ Ｘ１０Ω／
口であり、また抵抗変化率△Ｒは＋０．８％、＋１．１
％、＋１．２％、＋０．９％であった。他の組成におい
てもほぼ同様な結果が得られた。。
ｆｂｌ グリーンジ−トン焼成する時の雰囲気を中性
雰囲気（不活性雰囲気〕としてもよい。また、グリーン
シートな焼成する前の有機物ケ分解及び飛散させるだめ
の酸化性雰囲気の熱処理湛Ｉ＃を例え１ｌ−１’４００
℃〜６００℃で変化させてもよい。
雰囲気（不活性雰囲気〕としてもよい。また、グリーン
シートな焼成する前の有機物ケ分解及び飛散させるだめ
の酸化性雰囲気の熱処理湛Ｉ＃を例え１ｌ−１’４００
℃〜６００℃で変化させてもよい。
（ｃｌ ガラスと硼化モリブデンとの混合物のアルゴ
ン雰囲気中での焼成温度を、例えは９００〜１２００℃
の範囲で変化させてもよい。またこの焼成をアルゴンガ
ス以外の不活性雰囲気、又は真空中、又は中性雰囲気、
又は還元性雰囲気で行ってもよい。
ン雰囲気中での焼成温度を、例えは９００〜１２００℃
の範囲で変化させてもよい。またこの焼成をアルゴンガ
ス以外の不活性雰囲気、又は真空中、又は中性雰囲気、
又は還元性雰囲気で行ってもよい。
（ｄｌ 抵抗体ペーストを作るための有機バインダ溶
液（ビヒクル）は、ニトロセルロース等の樹脂を、テレ
ピン油、ブチルカルピトールアセテート等の高沸点溶剤
に溶かしたものでもよい。また、この有機バインダ溶液
の量は１５〜３５重量部程度置部ましい。
液（ビヒクル）は、ニトロセルロース等の樹脂を、テレ
ピン油、ブチルカルピトールアセテート等の高沸点溶剤
に溶かしたものでもよい。また、この有機バインダ溶液
の量は１５〜３５重量部程度置部ましい。
上述から明らかな如く、本発明のペースト状抵抗材料と
ニッケル等の卑金属の導体ペーストとを非酸化雰囲気で
同時焼成することができ、且つ本発明の抵抗材料には貴
金楕が含まれていない。従って、多層セラミック回路基
板、又はこれ九類似の電気回路部品の小型化及び低コス
ト化に寄与することができる。また、本発明の抵抗材料
は前述の特許出願の抵抗材料に比較し、ｉｔ湿性の良い
抵抗体を提供することができる。
ニッケル等の卑金属の導体ペーストとを非酸化雰囲気で
同時焼成することができ、且つ本発明の抵抗材料には貴
金楕が含まれていない。従って、多層セラミック回路基
板、又はこれ九類似の電気回路部品の小型化及び低コス
ト化に寄与することができる。また、本発明の抵抗材料
は前述の特許出願の抵抗材料に比較し、ｉｔ湿性の良い
抵抗体を提供することができる。
第１図は本発明の実施例に係わる多層セラミック回路基
板を作製する際のグリーンシートと導体膜及び抵抗体膜
のパターンを示す平面図、第２図は第１図のｎ−Ｕ線に
相些する部分の焼成後の多層セラミック回路基８２ン示
す断面図である。 （１）・・・グリーンシート片、（２）・・・導体膜、
（３）・・・抵抗体１ｉ１１４１・・・グリーンシート
片。
板を作製する際のグリーンシートと導体膜及び抵抗体膜
のパターンを示す平面図、第２図は第１図のｎ−Ｕ線に
相些する部分の焼成後の多層セラミック回路基８２ン示
す断面図である。 （１）・・・グリーンシート片、（２）・・・導体膜、
（３）・・・抵抗体１ｉ１１４１・・・グリーンシート
片。
Claims (3)
- （１）硼化モリブデン２０〜８０重量部、 ガラス１０〜７０重量部、 炭酸カルシウム、炭酸ストロンチウム、及び炭酸バリウ
ムの内の少なくとも１種の炭酸塩１０〜７０重量部、 適当量の有機結合剤及び溶剤 から成るペースト状抵抗材料。 - （２）前記硼化モリブデンは、１硼化２モリブデン（Ｍ
ｏ＿２Ｂ）、５硼化２モリブデン（Ｍｏ＿２Ｂ＿５）、
１硼化１モリブデン（ＭｏＢ）、及び２硼化１モリブデ
ン（ＭｏＢ＿２）の内の少なくとも１種である特許請求
の範囲第１項記載の抵抗材料。 - （３）前記ガラスは、作業点が９００〜１２００℃の範
囲のものである特許請求の範囲第１項又は第２項記載の
抵抗材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60229172A JPS6288301A (ja) | 1985-10-15 | 1985-10-15 | 抵抗材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60229172A JPS6288301A (ja) | 1985-10-15 | 1985-10-15 | 抵抗材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6288301A true JPS6288301A (ja) | 1987-04-22 |
| JPH0362281B2 JPH0362281B2 (ja) | 1991-09-25 |
Family
ID=16887914
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60229172A Granted JPS6288301A (ja) | 1985-10-15 | 1985-10-15 | 抵抗材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6288301A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01181401A (ja) * | 1988-01-11 | 1989-07-19 | Hitachi Ltd | ハイブリットｉｃ用基板とそれを用いたハイブリットｉｃ及びその装置 |
-
1985
- 1985-10-15 JP JP60229172A patent/JPS6288301A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01181401A (ja) * | 1988-01-11 | 1989-07-19 | Hitachi Ltd | ハイブリットｉｃ用基板とそれを用いたハイブリットｉｃ及びその装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0362281B2 (ja) | 1991-09-25 |
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