JPH01181401A - ハイブリットｉｃ用基板とそれを用いたハイブリットｉｃ及びその装置 - Google Patents
ハイブリットｉｃ用基板とそれを用いたハイブリットｉｃ及びその装置Info
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- JPH01181401A JPH01181401A JP63002591A JP259188A JPH01181401A JP H01181401 A JPH01181401 A JP H01181401A JP 63002591 A JP63002591 A JP 63002591A JP 259188 A JP259188 A JP 259188A JP H01181401 A JPH01181401 A JP H01181401A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 48
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 104
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 85
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 27
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 27
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 15
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims abstract description 7
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 71
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 64
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 63
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 26
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 25
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 15
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 6
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 claims description 5
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 claims description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 claims description 5
- -1 silicon oxide-boron oxide-aluminum oxide-lead oxide Chemical compound 0.000 claims description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000003981 vehicle Substances 0.000 claims 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 112
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 26
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 10
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 10
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 8
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 8
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 7
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 7
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 7
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 3
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 3
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 3
- HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N lead oxide Chemical compound [O-2].[Pb+2] HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000005355 lead glass Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 2
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 2
- 239000010665 pine oil Substances 0.000 description 2
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 2
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QYEXBYZXHDUPRC-UHFFFAOYSA-N B#[Ti]#B Chemical compound B#[Ti]#B QYEXBYZXHDUPRC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M Propionate Chemical compound CCC([O-])=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000002595 Solanum tuberosum Nutrition 0.000 description 1
- 244000061456 Solanum tuberosum Species 0.000 description 1
- 229910033181 TiB2 Inorganic materials 0.000 description 1
- YPVJEWISIRWXQK-UHFFFAOYSA-N [O-2].[Al+3].[Si+2]=O.[B+]=O.[O-2].[O-2] Chemical compound [O-2].[Al+3].[Si+2]=O.[B+]=O.[O-2].[O-2] YPVJEWISIRWXQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000306 component Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000004453 electron probe microanalysis Methods 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 150000003505 terpenes Chemical class 0.000 description 1
- 235000007586 terpenes Nutrition 0.000 description 1
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
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- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、微小厚膜抵抗体を搭載した超小型厚膜ハイブ
リットＩＣ用基板とその製造法、それを用いたハイブリ
ットＩＣ１これを用いた自動車無線用電源モジュール及
びこれを用いたセルラー無線機に関する。
リットＩＣ用基板とその製造法、それを用いたハイブリ
ットＩＣ１これを用いた自動車無線用電源モジュール及
びこれを用いたセルラー無線機に関する。
従来からハイブリットＩＣを製造する技術には、薄膜法
と厚膜法とがある。薄膜法はスパッタ法等で成膜し、ホ
トリソグづフイ技術を適用して解像度２０μｍまで高精
細化が可能である。しかし、配線導体を上記の用に高精
細化しても、供に用いる抵抗体が微小化できない。なぜ
ならば、薄膜法で通常使用される抵抗体材料の抵抗率が
極めて小さいからである。
と厚膜法とがある。薄膜法はスパッタ法等で成膜し、ホ
トリソグづフイ技術を適用して解像度２０μｍまで高精
細化が可能である。しかし、配線導体を上記の用に高精
細化しても、供に用いる抵抗体が微小化できない。なぜ
ならば、薄膜法で通常使用される抵抗体材料の抵抗率が
極めて小さいからである。
ハイブリッドＩＣには１通常１０Ω／口〜ＩＭΩ／口の
面積抵抗値が必要とされる。しかし。
面積抵抗値が必要とされる。しかし。
代表的な薄膜抵抗体材料（例えばＴａＮ等）でＬｏｏｋ
Ω／口、ＬＭΩ／口程度の高い面積抵抗値の抵抗体を形
成するためには広い面積が必要になる。例えば、Ｔ ａ
Ｎ抵抗体材料の抵抗率は２５０μΩ−釧、抵抗体の膜
厚１μｍ、抵抗体の線幅２０μｍとして計算すると、１
００にΩ／口で抵抗体長さ８０ａｎ、１Ｍ０７口で抵抗
体長さ８００口が必要になる。抵抗体の線間隔２０μｍ
で抵抗体の設計をする゛と、１００にΩ／口で５ ｍｕ
Ｘ ５ ｍｍ 。
Ω／口、ＬＭΩ／口程度の高い面積抵抗値の抵抗体を形
成するためには広い面積が必要になる。例えば、Ｔ ａ
Ｎ抵抗体材料の抵抗率は２５０μΩ−釧、抵抗体の膜
厚１μｍ、抵抗体の線幅２０μｍとして計算すると、１
００にΩ／口で抵抗体長さ８０ａｎ、１Ｍ０７口で抵抗
体長さ８００口が必要になる。抵抗体の線間隔２０μｍ
で抵抗体の設計をする゛と、１００にΩ／口で５ ｍｕ
Ｘ ５ ｍｍ 。
１Ｍ０７口では１６圃Ｘ１６１１ＩＩ＋の抵抗体寸法に
なる。従って薄膜法では配線導体を高精細化しても。
なる。従って薄膜法では配線導体を高精細化しても。
抵抗体を微小化できず、超小型のハイブリッドＩＣを実
現するのは困難である。
現するのは困難である。
厚膜法では電子技術、 Ｖｏ Ｑ 、 ２５ 、Ｎｕ
１４ （１９８３）。
１４ （１９８３）。
ｐｌｏ〜１１． ｐ４２〜４３． ｐ１８〜７９．特開
昭５３−１３３５０１号公報、特開昭５８−１０８７９
２号公報。
昭５３−１３３５０１号公報、特開昭５８−１０８７９
２号公報。
特開昭５２−１３７６６６号公報、特開昭５２−１３７
６６７号公報、特開昭５３−６５９７０号公報、特開昭
５９−２０１４８２号公報等通常印刷法等で成膜される
。しかし、印刷法で成膜される関係から配線導体及び抵
抗体の高精細化に限界がある。現状で印刷法での高精細
化゛限界は約３００μｍである。しかし、厚膜抵抗体材
料の信頼性は非常に高く、また現状での使用実績もある
。さらに、厚膜抵抗体材料の抵抗率は非常に大きく、抵
抗率で１５００Ω−１（厚膜１５μｍで１Ｍ０７口の面
積抵抗値）も可能である。
６６７号公報、特開昭５３−６５９７０号公報、特開昭
５９−２０１４８２号公報等通常印刷法等で成膜される
。しかし、印刷法で成膜される関係から配線導体及び抵
抗体の高精細化に限界がある。現状で印刷法での高精細
化゛限界は約３００μｍである。しかし、厚膜抵抗体材
料の信頼性は非常に高く、また現状での使用実績もある
。さらに、厚膜抵抗体材料の抵抗率は非常に大きく、抵
抗率で１５００Ω−１（厚膜１５μｍで１Ｍ０７口の面
積抵抗値）も可能である。
抵抗体の微小化のためには厚膜法は特に好適であると考
えられる。しかし、銅導体配線と微小厚膜抵抗体を組み
合わせる種々の実験を行った結果、単純に銅導体配線と
微小厚膜抵抗体を組み合わせただけでは抵抗値制御が困
難であることがわかった。
えられる。しかし、銅導体配線と微小厚膜抵抗体を組み
合わせる種々の実験を行った結果、単純に銅導体配線と
微小厚膜抵抗体を組み合わせただけでは抵抗値制御が困
難であることがわかった。
従来の厚膜法によって銅導体配線と厚膜抵抗体とを形成
すると厚膜抵抗体の長さが大きいときは安定した抵抗値
を有する抵抗体が得られるが、その長さをどんどん小さ
くすると抵抗値が極端にバラツキ、安定した抵抗値が得
られないということが判明した。
すると厚膜抵抗体の長さが大きいときは安定した抵抗値
を有する抵抗体が得られるが、その長さをどんどん小さ
くすると抵抗値が極端にバラツキ、安定した抵抗値が得
られないということが判明した。
先ず、高精細銅導体配線と組み合わせる微小厚膜抵抗体
の幅を３００μｍと一定にして、長さを１００ μｍ
＋ ２００ ｕ ｍ ＋ ３００３μｍ ｅ 、４００
ｐ ｍ ＋５００μｍ、７００μｍ、１０００μｍと
変えて、抵抗値を測定した。その結果を第１図に示す。
の幅を３００μｍと一定にして、長さを１００ μｍ
＋ ２００ ｕ ｍ ＋ ３００３μｍ ｅ 、４００
ｐ ｍ ＋５００μｍ、７００μｍ、１０００μｍと
変えて、抵抗値を測定した。その結果を第１図に示す。
結果は４ ｍｍ Ｘ ４ ｍの大きさの抵抗体の面積抵
抗値（Ｒ４，０）で、各長さの抵抗体の面積抵抗値（Ｒ
ｘ）を除した値（ＲＸ／Ｒ４，０）で表した。その結果
、厚膜抵抗体ペーストの呼称する面積抵抗値にほぼ等し
い抵抗値が得られたのは抵抗体長さの長い５００μｍ以
上の抵抗体であり、それより抵抗体長さの短い抵抗体で
は、極めて小さい面積抵抗値しか得られない。これは、
抵抗体の抵抗値を設計する上で極めて大きな障害である
。
抗値（Ｒ４，０）で、各長さの抵抗体の面積抵抗値（Ｒ
ｘ）を除した値（ＲＸ／Ｒ４，０）で表した。その結果
、厚膜抵抗体ペーストの呼称する面積抵抗値にほぼ等し
い抵抗値が得られたのは抵抗体長さの長い５００μｍ以
上の抵抗体であり、それより抵抗体長さの短い抵抗体で
は、極めて小さい面積抵抗値しか得られない。これは、
抵抗体の抵抗値を設計する上で極めて大きな障害である
。
この原因を調べるため、高精細銅導体配線と微小厚膜抵
抗体の界面をＥＰＭＡによるライン分析を行った。その
結果、高精細銅導体配線側の微小厚膜抵抗体中のガラス
が高精細銅導体配線に移動し、抵抗体の抵抗率を極めて
小さくすることが明らかになった。これは、高精細銅導
体配線及び微小厚膜抵抗体が、供に導電粉とガラスの系
より構成される材料であるからである。
抗体の界面をＥＰＭＡによるライン分析を行った。その
結果、高精細銅導体配線側の微小厚膜抵抗体中のガラス
が高精細銅導体配線に移動し、抵抗体の抵抗率を極めて
小さくすることが明らかになった。これは、高精細銅導
体配線及び微小厚膜抵抗体が、供に導電粉とガラスの系
より構成される材料であるからである。
以上の結果から、微小厚膜抵抗体中から高精細銅導体配
線へのガラスの移動を抑制しなければ高精細銅導体配線
と微小厚膜抵抗体の組合せからなる超小型のハイブリッ
ドＩＣを実現するのは困難であることがわかった。
線へのガラスの移動を抑制しなければ高精細銅導体配線
と微小厚膜抵抗体の組合せからなる超小型のハイブリッ
ドＩＣを実現するのは困難であることがわかった。
本発明の目的は、微小厚膜抵抗体として安定した抵抗値
が得られるハイブリットＩＣ用基板とその製造法、それ
を用いたハイブリットＩＣ及びそれを用いたセルラー無
線機等の各種用途を提供するにある。
が得られるハイブリットＩＣ用基板とその製造法、それ
を用いたハイブリットＩＣ及びそれを用いたセルラー無
線機等の各種用途を提供するにある。
本発明は、基板上に形成されたガラスを有する厚膜抵抗
体と、該厚膜抵抗体の端部に形成された厚膜導体、特に
銅導体とを有するハイブリットＩＣ用基板において、前
記厚膜抵抗体中のガラスが厚膜導体中に拡散するのを防
止する手段を設けたことを特徴とするハイブリットＩＣ
用基板にある。
体と、該厚膜抵抗体の端部に形成された厚膜導体、特に
銅導体とを有するハイブリットＩＣ用基板において、前
記厚膜抵抗体中のガラスが厚膜導体中に拡散するのを防
止する手段を設けたことを特徴とするハイブリットＩＣ
用基板にある。
膜間の元素の拡散を防止する手段として、厚膜抵抗体の
焼成温度より高い融点を有する金属層を設けること。
焼成温度より高い融点を有する金属層を設けること。
前記厚膜導体及び厚膜抵抗体は各々結晶質ガラス又は非
晶質ガラスを含み、各々の厚膜は互いに結晶質ガラスと
非晶質ガラスとの組合せにすることによって安定の高い
厚膜抵抗体を得ることができる。
晶質ガラスを含み、各々の厚膜は互いに結晶質ガラスと
非晶質ガラスとの組合せにすることによって安定の高い
厚膜抵抗体を得ることができる。
本発明は、基板上に導体ペースト特に銅導体ペーストを
塗布焼成後所定の配線パターンを有する厚膜導体を形成
する工程、該厚膜銅導体の少なくとも端子部に前記厚膜
導体に接続して形成されるガラスを有する厚膜抵抗体中
のガラスが厚膜銅導体中に拡散するのを防止する拡散防
止手段を設ける工程及び厚膜抵抗体ペーストを塗布焼成
機所望のパターンを有する前記厚膜抵抗体を前記厚膜導
体端子部に形成する工程を有することを特徴とするハイ
ブリットＩＣ用基板の製造法にある。
塗布焼成後所定の配線パターンを有する厚膜導体を形成
する工程、該厚膜銅導体の少なくとも端子部に前記厚膜
導体に接続して形成されるガラスを有する厚膜抵抗体中
のガラスが厚膜銅導体中に拡散するのを防止する拡散防
止手段を設ける工程及び厚膜抵抗体ペーストを塗布焼成
機所望のパターンを有する前記厚膜抵抗体を前記厚膜導
体端子部に形成する工程を有することを特徴とするハイ
ブリットＩＣ用基板の製造法にある。
本発明における拡散防止手段は一例として厚膜抵抗体の
焼成工程の際に界面で焼成温度より融点の高い金属に解
離する化合物を厚膜抵抗体中に含有することによって形
成すること、又は厚膜導体を形成後、厚膜導体の少なく
とも端子部に厚膜抵抗体の焼成温度より高い融点の金属
層を金属粉末ペーストの焼成によって形成することがで
きる。
焼成工程の際に界面で焼成温度より融点の高い金属に解
離する化合物を厚膜抵抗体中に含有することによって形
成すること、又は厚膜導体を形成後、厚膜導体の少なく
とも端子部に厚膜抵抗体の焼成温度より高い融点の金属
層を金属粉末ペーストの焼成によって形成することがで
きる。
本発明は、半導体素子を搭載した基板上に、ガラスを有
する厚膜抵抗体と厚膜抵抗体の端部に形成された厚膜導
体、特に銅導体とを有するハイブリットＩＣにおいて、
厚膜抵抗体中のガラスが厚膜導体中へ拡散するのを防止
する手段を設けたことを特徴とするハイブリットＩＣに
ある。
する厚膜抵抗体と厚膜抵抗体の端部に形成された厚膜導
体、特に銅導体とを有するハイブリットＩＣにおいて、
厚膜抵抗体中のガラスが厚膜導体中へ拡散するのを防止
する手段を設けたことを特徴とするハイブリットＩＣに
ある。
半導体素子、厚膜抵抗体及び厚膜導体の全面が樹脂又は
ガラスで被われていることが好ましく、基板はセラミッ
ク焼結体からなり、該基板を金属基板に載置接合したも
のとされることが好ましい。
ガラスで被われていることが好ましく、基板はセラミッ
ク焼結体からなり、該基板を金属基板に載置接合したも
のとされることが好ましい。
金属基板は銅、アルミニウム、ファー二合金等が好まし
く、金属基板が他の部材に機械的に接合できるように端
部に貫通孔又はへこみ部を設けることが好ましい。
く、金属基板が他の部材に機械的に接合できるように端
部に貫通孔又はへこみ部を設けることが好ましい。
本発明は、銅粉末、鉛−アルミニウム−ホウケイ酸系ガ
ラス、特に酸化ケイ素−酸化ホウ素−酸化アルミニウム
−酸化鉛系ガラス粉末、ビヒクル及び有機溶剤を含む銅
導体ペーストと、金属間化合物粉末、前述のガラスと同
じ組成の酸化ケイ素−酸化ホウ素−酸化アルミニウム−
酸化鉛系ガラス粉末、ビヒクル及び有機溶剤を含む抵抗
体ペーストとの組合せからなるハイブリットＩＣ回路形
成用組成物にある。
ラス、特に酸化ケイ素−酸化ホウ素−酸化アルミニウム
−酸化鉛系ガラス粉末、ビヒクル及び有機溶剤を含む銅
導体ペーストと、金属間化合物粉末、前述のガラスと同
じ組成の酸化ケイ素−酸化ホウ素−酸化アルミニウム−
酸化鉛系ガラス粉末、ビヒクル及び有機溶剤を含む抵抗
体ペーストとの組合せからなるハイブリットＩＣ回路形
成用組成物にある。
更に、本発明は、金属間化合物粉末、前述のガラスとし
て特に酸化ケイ素−酸化ホウ素−酸化アルミニウム−酸
化鉛系ガラス粉末、非酸化性雰囲気中での焼成によって
金属に解離する化合物粉末。
て特に酸化ケイ素−酸化ホウ素−酸化アルミニウム−酸
化鉛系ガラス粉末、非酸化性雰囲気中での焼成によって
金属に解離する化合物粉末。
ビヒクル及び有機溶剤を含むことを特徴とする厚膜抵抗
体ペーストにある。この金属の解離が焼成の際に界面で
起り、界面に金属層が形成される。
体ペーストにある。この金属の解離が焼成の際に界面で
起り、界面に金属層が形成される。
厚膜銅導体ペーストと厚膜抵抗体ペーストとは互いに結
晶質ガラス粉末と非晶質ガラス粉末との異なった組合せ
のガラス粉末を用いることによって安定した抵抗値を得
ることができる。
晶質ガラス粉末と非晶質ガラス粉末との異なった組合せ
のガラス粉末を用いることによって安定した抵抗値を得
ることができる。
本発明は、基板上に形成されたガラスを有する厚膜抵抗
体と、厚膜抵抗体の端部に形成された厚膜導体、特に銅
導体とを有するハイブリットＩＣ用基板において、厚膜
導体は厚膜抵抗体との接続部分でその平面形状が厚膜抵
抗体の幅より広い構造を有することを特徴とするハイブ
リットＩＣ用基板にあり、又は、厚膜導体の平面形状を
細長にし、該導体の長辺部分に平面形状で直角に前記厚
膜抵抗体を形成したことを特徴とするハイブリットＩＣ
用基板にある。
体と、厚膜抵抗体の端部に形成された厚膜導体、特に銅
導体とを有するハイブリットＩＣ用基板において、厚膜
導体は厚膜抵抗体との接続部分でその平面形状が厚膜抵
抗体の幅より広い構造を有することを特徴とするハイブ
リットＩＣ用基板にあり、又は、厚膜導体の平面形状を
細長にし、該導体の長辺部分に平面形状で直角に前記厚
膜抵抗体を形成したことを特徴とするハイブリットＩＣ
用基板にある。
このように、厚膜導体の平面構造を厚膜抵抗体の幅より
大きくすることにより安定した抵抗値が得られる。
大きくすることにより安定した抵抗値が得られる。
前述の本発明のハイブリットＩＣ用基板は自動車無線用
電源モジュール、ビデオカメラ輝度信号回路用モジュー
ルとそれを用いたカメラの他情報処理装置、コンピュー
タ、磁気装置、磁気ディスク装置、パソコン、ワープロ
、表示装置、金融端末、プリンタ等のモジュールに用い
ることができる。
電源モジュール、ビデオカメラ輝度信号回路用モジュー
ルとそれを用いたカメラの他情報処理装置、コンピュー
タ、磁気装置、磁気ディスク装置、パソコン、ワープロ
、表示装置、金融端末、プリンタ等のモジュールに用い
ることができる。
１）配線導体と厚膜抵抗体間にガラスを含まない純金１
１ｔ層の反応防止膜を介在させた場合には。
１ｔ層の反応防止膜を介在させた場合には。
配線導体と厚膜抵抗体のガラスが直接接触しないため相
互反応がなく、ガラスの移動を防止できる。
互反応がなく、ガラスの移動を防止できる。
２）配線導体に含有されるバインダガラスを結晶質ガラ
スとし、抵抗体に含有されるバインダガラスを非晶質ガ
ラスとした場合には、後工程で再焼成される配線導体に
含有されるバインダガラスが結晶質ガラスになっている
ため抵抗体中のガラスとの反応を抑制することができ、
ガラスの移動を防止できる。
スとし、抵抗体に含有されるバインダガラスを非晶質ガ
ラスとした場合には、後工程で再焼成される配線導体に
含有されるバインダガラスが結晶質ガラスになっている
ため抵抗体中のガラスとの反応を抑制することができ、
ガラスの移動を防止できる。
３）抵抗体に含有されるバインダガラスを結晶質ガラス
とし、配線導体に含有されるバインダガラスを非晶質ガ
ラスとした場合には、後工程で再焼成される抵抗体に含
有されるバインダガラスが結晶質ガラスになっているた
め配線導体中のガラスとの反応を抑制することができ、
ガラスの移動を防止できる。
とし、配線導体に含有されるバインダガラスを非晶質ガ
ラスとした場合には、後工程で再焼成される抵抗体に含
有されるバインダガラスが結晶質ガラスになっているた
め配線導体中のガラスとの反応を抑制することができ、
ガラスの移動を防止できる。
４）抵抗体中に含有されるバインダガラスに酸化銅を１
重量％から２０重量％添加したガラスを用いると、抵抗
体焼成時に銅導体層を核生成源として優先的に銅導体層
側に金属鋼を析出する。
重量％から２０重量％添加したガラスを用いると、抵抗
体焼成時に銅導体層を核生成源として優先的に銅導体層
側に金属鋼を析出する。
この金属鋼層が拡散防止層となり、ガラスの移動を防止
することができる。この場合、ガラス中の酸化銅添加量
１重量％以下では充分な金属銅層ができず、反応防止効
果が少なく、逆に酸化銅添加量２０重量％以上では抵抗
体中にも多量の金属銅が析出するため、抵抗値が低下す
る、抵抗温度係数が高くなる、信頼性試験での抵抗値変
化が大きいなどの問題があるため酸化銅の添加量は１重
量％から２０重量％の範囲が望ましい。
することができる。この場合、ガラス中の酸化銅添加量
１重量％以下では充分な金属銅層ができず、反応防止効
果が少なく、逆に酸化銅添加量２０重量％以上では抵抗
体中にも多量の金属銅が析出するため、抵抗値が低下す
る、抵抗温度係数が高くなる、信頼性試験での抵抗値変
化が大きいなどの問題があるため酸化銅の添加量は１重
量％から２０重量％の範囲が望ましい。
本発明の厚膜導体は金属成分８０重量％以上と無機バイ
ンダー２０重量％以下が好ましい。更に、ガラスからな
る無機バインダーとして１〜２０重景％、残部金属成分
からなる厚膜導体が好ましく、特に鉛−アルミニウム−
ホウケイ酸系ガラスとして２〜５重量％と金属成分とか
らなり、金属成分として金、銀、銅が用いられるが、安
価で強度の高い銅が好ましい。厚膜導体は粉末ペースト
の塗布焼成によって形成され、厚さは５０〜４００μｍ
が好ましい。無機バインダーとして銅導体では、酸化ビ
スマス及び酸化銅を含むものを用いることができる。銅
導体ペーストの組成物は前述の通りであるが、重量で、
銅粉末７０％以上、無機結合剤５〜１５％、ビヒクル５
〜２０％、有機溶剤０．３〜２％が好ましく、銅粉末は
１０μｍ以下の粒径で、同様の粒径の無機結合剤、特に
ガラス粉末を用いるのが好ましい。
ンダー２０重量％以下が好ましい。更に、ガラスからな
る無機バインダーとして１〜２０重景％、残部金属成分
からなる厚膜導体が好ましく、特に鉛−アルミニウム−
ホウケイ酸系ガラスとして２〜５重量％と金属成分とか
らなり、金属成分として金、銀、銅が用いられるが、安
価で強度の高い銅が好ましい。厚膜導体は粉末ペースト
の塗布焼成によって形成され、厚さは５０〜４００μｍ
が好ましい。無機バインダーとして銅導体では、酸化ビ
スマス及び酸化銅を含むものを用いることができる。銅
導体ペーストの組成物は前述の通りであるが、重量で、
銅粉末７０％以上、無機結合剤５〜１５％、ビヒクル５
〜２０％、有機溶剤０．３〜２％が好ましく、銅粉末は
１０μｍ以下の粒径で、同様の粒径の無機結合剤、特に
ガラス粉末を用いるのが好ましい。
本発明の厚膜抵抗体は導電性金属間化合物成分１５〜５
０重量％と残部無機結合剤とからなるものが好ましい。
０重量％と残部無機結合剤とからなるものが好ましい。
更に、無機結合剤はガラスが好ましく、２０〜４０％が
好ましい。無機結合剤は鉛−アルミニウム−ホウケイ酸
系ガラスが好ましく、特に導体とは同成分のガラスが好
ましい。厚さは５〜１００μｍで１幅は１００〜ｌ、Ｏ
Ｏ０７ｚｍが好ましい。厚膜抵抗体は粉末ペーストの塗
布焼成によって形成される。全居間化合物としてポライ
ドが用いられ、 Ｔ ｉ Ｂ２． Ｚ ｒ Ｂ２． Ｈ
ＢＢ２等が用いられ、粒径１０μｍ以下が好ましい。他
に前述の厚膜導体と同様にビヒクル及び有機溶剤が含有
される。
好ましい。無機結合剤は鉛−アルミニウム−ホウケイ酸
系ガラスが好ましく、特に導体とは同成分のガラスが好
ましい。厚さは５〜１００μｍで１幅は１００〜ｌ、Ｏ
Ｏ０７ｚｍが好ましい。厚膜抵抗体は粉末ペーストの塗
布焼成によって形成される。全居間化合物としてポライ
ドが用いられ、 Ｔ ｉ Ｂ２． Ｚ ｒ Ｂ２． Ｈ
ＢＢ２等が用いられ、粒径１０μｍ以下が好ましい。他
に前述の厚膜導体と同様にビヒクル及び有機溶剤が含有
される。
ビヒクルの例は脂肪族アルコール、そのようなアルコー
ルのエステル例えばアセテートおよびプロピオネート、
テルペン例えば松根油、テルピネオールその他、樹脂例
えば低級アルコールのポリメタクリレートの溶液および
溶媒例えば松根油中のエチルセルロースの溶液およびエ
チレングリコールモノアセテートのモノブチルエーテル
である。
ルのエステル例えばアセテートおよびプロピオネート、
テルペン例えば松根油、テルピネオールその他、樹脂例
えば低級アルコールのポリメタクリレートの溶液および
溶媒例えば松根油中のエチルセルロースの溶液およびエ
チレングリコールモノアセテートのモノブチルエーテル
である。
好ましいベヒクルはエチルセルロースおよび２゜２．４
−トリメチルペンタンジオ−ルー１．３−モノイソブチ
レートに基づくものである。ベヒクルには基材への適用
後の迅速な乾燥を促進させる。
−トリメチルペンタンジオ−ルー１．３−モノイソブチ
レートに基づくものである。ベヒクルには基材への適用
後の迅速な乾燥を促進させる。
ための揮発性液体を含有させてもよい。
有機媒体中には広範囲な種々の不活性液体を使用しうる
。特に、非アクリル重合体例えばエチルセルロースが好
ましい。
。特に、非アクリル重合体例えばエチルセルロースが好
ましい。
□ 基板には、セラミックス焼結体が用いられ、−般
にアルミナが用いられる。他ＳｉＣ，ＡＱＮ。
にアルミナが用いられる。他ＳｉＣ，ＡＱＮ。
５ｉ３Ｎａ、ムライト焼結体が可能である。更に、これ
らの非酸化物系の混合した焼結体が使用可能である。こ
の裁板にグレーズ層を設けることができる。
らの非酸化物系の混合した焼結体が使用可能である。こ
の裁板にグレーズ層を設けることができる。
〔実施例１〕
本発明を実施例により具体的に説明する。なお。
以下の実施例において配合量等は重量を基準とする。ま
た基板は、厚さ０．８ 田のアルミナ基板上に、５ｉＯ
ｚ−ＢｚＯａ７ＡＱｚＯａ−ＢａＯ系グレーズ層を施し
、表面研磨して最大粗さ１μｍ以下に仕上げたものを用
いた。第２図はアルミナ基板上１に厚膜銅導体２及び厚
膜抵抗体３を形成した平面図（ａ）とそのＡ−Ａ断面図
（ｂ）を各々示したものである。厚膜銅導体２は厚膜抵
抗体３の幅より大きくするとともにその端部が厚膜抵抗
体３より外に出るように形成した。
た基板は、厚さ０．８ 田のアルミナ基板上に、５ｉＯ
ｚ−ＢｚＯａ７ＡＱｚＯａ−ＢａＯ系グレーズ層を施し
、表面研磨して最大粗さ１μｍ以下に仕上げたものを用
いた。第２図はアルミナ基板上１に厚膜銅導体２及び厚
膜抵抗体３を形成した平面図（ａ）とそのＡ−Ａ断面図
（ｂ）を各々示したものである。厚膜銅導体２は厚膜抵
抗体３の幅より大きくするとともにその端部が厚膜抵抗
体３より外に出るように形成した。
平均粒径０．７ μｍの球状銅粉末１００部に対し、５
ｉｆｔ−ＢｚＯａ−ＡＱｚＯａ−ＰｂＯ系のバインダガ
ラス５部、ビヒクルとしてアクリル系樹脂８部に対し有
機溶剤ブチルカルピトールアセテート２４部を加え、混
練して銅ペーストを作製した。
ｉｆｔ−ＢｚＯａ−ＡＱｚＯａ−ＰｂＯ系のバインダガ
ラス５部、ビヒクルとしてアクリル系樹脂８部に対し有
機溶剤ブチルカルピトールアセテート２４部を加え、混
練して銅ペーストを作製した。
これを前記アルミナ基板上にスクリーン印刷法により塗
布し、１２０℃、１０分乾燥した。焼成には、連続ベル
ト式トンネル炉を用い、９００”Ｃ。
布し、１２０℃、１０分乾燥した。焼成には、連続ベル
ト式トンネル炉を用い、９００”Ｃ。
１０分焼成した。
この後、ホトリソグラフィ技術により、配線幅４０μｍ
、所定の長さの銅導体電極を２本手行に種々の間隔に形
成した。次に平均粒径０．７ μｍの球状銅粉末１０
０部に対し、ビヒクルとしてアクリル系樹脂７部に対し
有機溶剤ブチカルピトールアセテート２２部を加え混練
して銅ペーストを作製した。これを前記の銅導体を印刷
した基板上にスクリーン印刷法により塗布し、１２０℃
。
、所定の長さの銅導体電極を２本手行に種々の間隔に形
成した。次に平均粒径０．７ μｍの球状銅粉末１０
０部に対し、ビヒクルとしてアクリル系樹脂７部に対し
有機溶剤ブチカルピトールアセテート２２部を加え混練
して銅ペーストを作製した。これを前記の銅導体を印刷
した基板上にスクリーン印刷法により塗布し、１２０℃
。
１０分乾燥した。焼成には、連続ベルト式トンネル炉を
用い、９００℃、１０分焼成した。このようにしてバイ
ンダーガラスを含む厚膜銅導体の上に、バインダーガラ
スを含まない銅導体を形成した。さらにホトリソグラフ
ィ技術により、配線幅４５μｍ、厚さ５〜１００μｍの
銅導体電極を形成した。ここで抵抗体寸法は、幅を３０
０μｍと一定にして、長さを１００μｍ、２００μｍ。
用い、９００℃、１０分焼成した。このようにしてバイ
ンダーガラスを含む厚膜銅導体の上に、バインダーガラ
スを含まない銅導体を形成した。さらにホトリソグラフ
ィ技術により、配線幅４５μｍ、厚さ５〜１００μｍの
銅導体電極を形成した。ここで抵抗体寸法は、幅を３０
０μｍと一定にして、長さを１００μｍ、２００μｍ。
３００部ｍ、４００部ｍ、５００μｍ、７００μｍ。
１０００μｍとした。
尚、厚膜銅導体の焼成温度は７５０〜９００℃が好まし
い。
い。
次に、平均粒径０．８ μｍのＴｉＢｚ粉末１００部に
対し、Ｓ ｉ ０２− ＢｚＯａ−Ａ ＱｘＯｓ −Ｐ
ｂ Ｏ系のバインダガラス２００部、ビヒクルとして
アクリル系樹脂１８部に対し有機溶剤ブチルカルピトー
ルアセテート５５部を加え、混練して面積抵抗５０にΩ
／口の抵抗体ペーストを作製した。これを前記の銅導体
を印刷した基板上にスクリーン印刷法により塗布し、１
２０’Ｃ，１０分乾燥した。
対し、Ｓ ｉ ０２− ＢｚＯａ−Ａ ＱｘＯｓ −Ｐ
ｂ Ｏ系のバインダガラス２００部、ビヒクルとして
アクリル系樹脂１８部に対し有機溶剤ブチルカルピトー
ルアセテート５５部を加え、混練して面積抵抗５０にΩ
／口の抵抗体ペーストを作製した。これを前記の銅導体
を印刷した基板上にスクリーン印刷法により塗布し、１
２０’Ｃ，１０分乾燥した。
さらにホトリソグラフィ技術により、微小厚膜抵抗体を
厚膜銅導体間に厚さ５〜１００μｍのものを形成した。
厚膜銅導体間に厚さ５〜１００μｍのものを形成した。
焼成には、連続ベルト式トンネル炉を用い、９００℃、
１０分焼成した。この様にして作製した微小厚膜抵抗体
の抵抗値と抵抗体の長さとの関係を第３図に示す。長さ
５００μｍ以下の抵抗体でも、ガラスの移動がないため
再現性良く安定した抵抗値が得られた。
１０分焼成した。この様にして作製した微小厚膜抵抗体
の抵抗値と抵抗体の長さとの関係を第３図に示す。長さ
５００μｍ以下の抵抗体でも、ガラスの移動がないため
再現性良く安定した抵抗値が得られた。
本実施例によれば、銅皮膜は厚膜銅導体２と厚膜抵抗体
３とのガラスの拡散が抑制されたものと考えられる。
３とのガラスの拡散が抑制されたものと考えられる。
〔実施例２〕
第２図の平面構造及び断面構造と同様のものを実施例１
と同様に製造゛した。
と同様に製造゛した。
平均粒径０．７ μｍの球状銅粉末１００部に対し、５
ｉＯｚ−ＢｚＯａ−ＡＤ２０ｓ−ＰｂＯ−ＣａＯ系の結
晶質バインダガラス５部、ビヒクルとしてアクリル系樹
脂７部に対し有機溶剤ブチルカルピトールアセテート２
２部を加え、混練して銅ペーストを作製した。
ｉＯｚ−ＢｚＯａ−ＡＤ２０ｓ−ＰｂＯ−ＣａＯ系の結
晶質バインダガラス５部、ビヒクルとしてアクリル系樹
脂７部に対し有機溶剤ブチルカルピトールアセテート２
２部を加え、混練して銅ペーストを作製した。
これを前記アルミナ基板上にスクリーン印刷法により塗
布し、１２０℃、１０分乾燥した。焼成には、連続ベル
ト式トンネル炉を用い、９００℃。
布し、１２０℃、１０分乾燥した。焼成には、連続ベル
ト式トンネル炉を用い、９００℃。
１０分焼成した。
さらにホトリソグラフィ技術により、配線幅４０μｍの
銅導体電極を形成した。ここで抵抗体寸法は、幅を３０
０μｍと一定にして、長さを１００μｍ、２００μｍｔ
３００部ｍ、４００μｍ。
銅導体電極を形成した。ここで抵抗体寸法は、幅を３０
０μｍと一定にして、長さを１００μｍ、２００μｍｔ
３００部ｍ、４００μｍ。
５００部ｍ、７００．ｕｍ、１０００μｍとした。
次に、平均粒径０．８７ｚｍのＴｉＢｚ粉末１００部に
対し／、 Ｓ ｉ Ｏｚ−ＢｚＯａ−Ａ Ｑ ２０３−
Ｐ ｂ Ｏ系の非晶質バインダガラス２００部、ビヒ
クルとしてアクリル系樹脂１８部に対し有機溶剤ブチル
カルピトールアセテート５５部を加え、混練して面積抵
抗５０にΩ／口の抵抗体ペースト番作製した。これを前
記の銅導体を印刷した基板上にスクリーン印刷法により
塗布し、１２０℃、１０分乾燥した。さらにホトリソグ
ラフィ技術により、微小抵抗体を形成した。焼成には、
連続ベルト式トンネル炉を用い、９００”Ｃ，１０分焼
成した。この様にして作製した微小厚膜抵抗体の抵抗値
と抵抗体の長さとの関係を第５図に示す。長さ５００μ
ｍ以下の抵抗体でも、結晶質ガラスと非晶質ガラスがほ
とんど反応しないためガラスの移動が生じないものと考
えられ、再現性良く安定した抵抗値が得られた。
対し／、 Ｓ ｉ Ｏｚ−ＢｚＯａ−Ａ Ｑ ２０３−
Ｐ ｂ Ｏ系の非晶質バインダガラス２００部、ビヒ
クルとしてアクリル系樹脂１８部に対し有機溶剤ブチル
カルピトールアセテート５５部を加え、混練して面積抵
抗５０にΩ／口の抵抗体ペースト番作製した。これを前
記の銅導体を印刷した基板上にスクリーン印刷法により
塗布し、１２０℃、１０分乾燥した。さらにホトリソグ
ラフィ技術により、微小抵抗体を形成した。焼成には、
連続ベルト式トンネル炉を用い、９００”Ｃ，１０分焼
成した。この様にして作製した微小厚膜抵抗体の抵抗値
と抵抗体の長さとの関係を第５図に示す。長さ５００μ
ｍ以下の抵抗体でも、結晶質ガラスと非晶質ガラスがほ
とんど反応しないためガラスの移動が生じないものと考
えられ、再現性良く安定した抵抗値が得られた。
〔実施例３〕
第５図の平面構造（ａ）及び断面構造（ｂ）のものを実
施例１と同様に製造した。厚膜銅導体２の端子部の幅を
厚膜抵抗体３の幅より大きくし、厚膜銅導体２を厚膜抵
抗体３の長さ方向に設けたものである。
施例１と同様に製造した。厚膜銅導体２の端子部の幅を
厚膜抵抗体３の幅より大きくし、厚膜銅導体２を厚膜抵
抗体３の長さ方向に設けたものである。
平均粒径０．７ μｍの球状銅粉末１００部に対し、
Ｓ １ｏｚ−Ｂ２０３−ＡＱ２０１１−ＰｂＯ系のバイ
ンダガラス５部、ビヒクルとしてアクリル系樹脂７部に
対し有機溶剤ブチルカルピトールアセテート２２部を加
え、混練して銅ペーストを作製した。
Ｓ １ｏｚ−Ｂ２０３−ＡＱ２０１１−ＰｂＯ系のバイ
ンダガラス５部、ビヒクルとしてアクリル系樹脂７部に
対し有機溶剤ブチルカルピトールアセテート２２部を加
え、混練して銅ペーストを作製した。
これを前記アルミナ基板上にスクリーン印刷法により塗
布し、１２０℃、１０分乾燥した。焼成には、連続ベル
ト式トンネル炉を用い、９００℃、１０分焼成した。
布し、１２０℃、１０分乾燥した。焼成には、連続ベル
ト式トンネル炉を用い、９００℃、１０分焼成した。
さらにホトリソグラフィ技術により、配線幅４０μｍの
銅導体電極を形成した。ここで抵抗体寸法は、幅を３０
０μｍと一定にして、長さを１００μｍ、２００μｍ、
３００μｍ、４００μｍ。
銅導体電極を形成した。ここで抵抗体寸法は、幅を３０
０μｍと一定にして、長さを１００μｍ、２００μｍ、
３００μｍ、４００μｍ。
５００ ｐ ｍ 、 ７００ μｍ 、 １０００ ｔ
ｔ ｒｎとした。
ｔ ｒｎとした。
次に、平均粒径０．８ μｍのＴｉＢｚ粉末１００部に
対し、ＣｕＯを０．１，１０，２０．３０％含有したＳ
ｉ０２− Ｂ ２０３− Ａ Ｑ ２０ａ−ＰｂＯ系
のバインダガラス２００部、ビヒクルとしてアクリル系
樹脂１８部に対し有機溶剤ブチルカルピトールアセテー
ト５５部を加え、混練して面積抵抗５０にΩ／口の抵抗
体ペーストを作製した。これを前記の銅導体を印刷した
基板上にスクリーン印刷法により塗布し、１２０℃、１
０分乾燥した。
対し、ＣｕＯを０．１，１０，２０．３０％含有したＳ
ｉ０２− Ｂ ２０３− Ａ Ｑ ２０ａ−ＰｂＯ系
のバインダガラス２００部、ビヒクルとしてアクリル系
樹脂１８部に対し有機溶剤ブチルカルピトールアセテー
ト５５部を加え、混練して面積抵抗５０にΩ／口の抵抗
体ペーストを作製した。これを前記の銅導体を印刷した
基板上にスクリーン印刷法により塗布し、１２０℃、１
０分乾燥した。
さらにホトリソグラフィ技術により、微小抵抗体を形成
した。焼成には、連続ベルト式トンネル炉を用い、９０
０ ’Ｃ１１０分焼成した。この様にして作製した微小
厚膜抵抗体の抵抗値と抵抗体の長さとの関係を第６図に
示す。酸化銅を１重量％から２０重景％を含むバインダ
ーガラスでは、長さ５００μｍ以下の抵抗体でも、抵抗
体焼成時に銅導体層を核生成源として優先的に銅導体層
側に金属銅を析出するため、この金属銅層が拡散防止層
となり、ガラスの移動が防止されたものと考えられ、再
現性良く安定した抵抗値が得られた。
した。焼成には、連続ベルト式トンネル炉を用い、９０
０ ’Ｃ１１０分焼成した。この様にして作製した微小
厚膜抵抗体の抵抗値と抵抗体の長さとの関係を第６図に
示す。酸化銅を１重量％から２０重景％を含むバインダ
ーガラスでは、長さ５００μｍ以下の抵抗体でも、抵抗
体焼成時に銅導体層を核生成源として優先的に銅導体層
側に金属銅を析出するため、この金属銅層が拡散防止層
となり、ガラスの移動が防止されたものと考えられ、再
現性良く安定した抵抗値が得られた。
〔実施例４〕
実施例１．実施例２及び実施例３の方法で配線電極の幅
４０μｍ、抵抗体の幅３００μｍ、抵抗体の長さ３００
μｍの抵抗体を作製し、抵抗値及び抵抗温度係数を測定
した。また、−５５℃（２５分）→２５℃（５分）→１
５０℃（２５分）の熱サイクル試験を行った。その結果
を第１表に示す。
４０μｍ、抵抗体の幅３００μｍ、抵抗体の長さ３００
μｍの抵抗体を作製し、抵抗値及び抵抗温度係数を測定
した。また、−５５℃（２５分）→２５℃（５分）→１
５０℃（２５分）の熱サイクル試験を行った。その結果
を第１表に示す。
表に示すように本発明によって作製した抵抗体では抵抗
体の初期特性、信頼性共に優れた特性を示すことを確認
した。
体の初期特性、信頼性共に優れた特性を示すことを確認
した。
〔実施例５〕
第７図は本発明の厚膜銅導体２及び厚膜抵抗体３を有す
るハイブリットＩＣの断面構成図である。
るハイブリットＩＣの断面構成図である。
厚膜銅導体は実施例１の銅粉１００ｆ（置部、５ｉＯｚ
−Ｂ２０ａ−ＡＱ２０３−ＰｂＯ系ガラス５重量部から
なるペーストを焼成し、第３図の平面構造のものを製造
した。更に、厚膜抵抗体３はＴｉＢ２粉１００重量部、
Ｓ ｉ Ｏ２−Ｂ ２０ ａ −Ａ Ｑ ２０５−Ｐｂ
Ｏ２００重量部からなるペーストを焼成し、両者の界面
にＣｕめつき介在させたものである。半導体素子４はＭ
ｏスペーサ５を介してアルミナ基ｌ１ｉ１に接合され、
外部リードとなる厚膜銅導体２上に細線９にてワイヤボ
ンドにて電気的に接続される。
−Ｂ２０ａ−ＡＱ２０３−ＰｂＯ系ガラス５重量部から
なるペーストを焼成し、第３図の平面構造のものを製造
した。更に、厚膜抵抗体３はＴｉＢ２粉１００重量部、
Ｓ ｉ Ｏ２−Ｂ ２０ ａ −Ａ Ｑ ２０５−Ｐｂ
Ｏ２００重量部からなるペーストを焼成し、両者の界面
にＣｕめつき介在させたものである。半導体素子４はＭ
ｏスペーサ５を介してアルミナ基ｌ１ｉ１に接合され、
外部リードとなる厚膜銅導体２上に細線９にてワイヤボ
ンドにて電気的に接続される。
この厚膜銅導体２にはコンデンサ６がはんだ７によって
接合され、これらの素子が金属基板８に接合されている
０以上の本発明の厚膜回路を形成することにより抵抗体
を５０μｍの長さとすることのできる極めて超小型のモ
ジュールを得ることができる。尚、図示していないが、
これらの回路素子全体がシリコンゴムでコートされる。
接合され、これらの素子が金属基板８に接合されている
０以上の本発明の厚膜回路を形成することにより抵抗体
を５０μｍの長さとすることのできる極めて超小型のモ
ジュールを得ることができる。尚、図示していないが、
これらの回路素子全体がシリコンゴムでコートされる。
〔実施例６〕
第８図は実施例５のモジュールとして第９図の平面図に
示す自動車無線用電源モジュールに使用したセルラー無
線機の構成ブロック図である。このモジュールにはアル
ミナ基板１の上に厚膜銅導体２及び抵抗体３の他、半導
体素子、水晶発振器。
示す自動車無線用電源モジュールに使用したセルラー無
線機の構成ブロック図である。このモジュールにはアル
ミナ基板１の上に厚膜銅導体２及び抵抗体３の他、半導
体素子、水晶発振器。
チップコンデンサ６、トロイダルコイル等の部品を有し
、これが金属支持板８に載置され、他の部材にボルト固
定するように凹部が設けられているものである。図中、
破線内は高周波領域を示し、特にこのものへの厚膜銅導
体の適用は効果的である。この電源モジュールはシリコ
ンゴムで各素子が全面コートされている。
、これが金属支持板８に載置され、他の部材にボルト固
定するように凹部が設けられているものである。図中、
破線内は高周波領域を示し、特にこのものへの厚膜銅導
体の適用は効果的である。この電源モジュールはシリコ
ンゴムで各素子が全面コートされている。
無線機にはアンテナ１０．スピーカ１１．ダイヤル１２
．受信器１３が設けられている。以上の電源モジュール
を小型化され、コンパクトにすることができた。
．受信器１３が設けられている。以上の電源モジュール
を小型化され、コンパクトにすることができた。
本発明によれば、ＬｏｏｋΩ／口、ＬＭΩ／口程度の高
い面積抵抗値の厚膜抵抗体が微小化でき、しかも抵抗値
の制御がしやすく、信頼性の高い厚膜抵抗体が得られる
。この結果従来のハイブリットＩＣ製造技術では成しえ
なかった超高密度ハイブリットＩＣを実現でき、各種装
置の小型化が可能に°なる。
い面積抵抗値の厚膜抵抗体が微小化でき、しかも抵抗値
の制御がしやすく、信頼性の高い厚膜抵抗体が得られる
。この結果従来のハイブリットＩＣ製造技術では成しえ
なかった超高密度ハイブリットＩＣを実現でき、各種装
置の小型化が可能に°なる。
第１図は従来法によって形成した微小厚膜抵抗体の面積
抵抗値と４ ｍｍ Ｘ ４−の大きさの抵抗体の面積抵
抗値との比（ＲＸ／Ｒ４，Ｏ）と抵抗体長さの関係を示
す図、第２図は実施例１における厚膜回路の平面図（ａ
）とその断面図（ｂ）、第３図は本発明（実施例１）に
よる抵抗体のＲｘ／Ｒ４，（１と抵抗体長さの関係を示
す図、第４図は本発明（実施例２）による抵抗体のＲｘ
／Ｒ４，６と抵抗体長さの関係を示す図、第５図は実施
例３における膜厚回路の平面図（ａ）とその断面図（ｂ
）、第６図は本発明（実施例３）による抵抗体のＲｘ／
Ｒ４，Ｏと抵抗体長さ゛め−係を示す図、第７図は実施
例５のハイブリットＩＣの断面図、第８図は実施例６の
セルラー無線機のブロック構成図と送受信器の斜視図及
び第９図は第８図に使用した一例を示す電源モジュール
の断面図である。 １・・・基板、２・・・厚膜銅導体、３・・・厚膜抵抗
体、４・・・半導体素子、５・・・スペーサ、６・・・
コンデンサ、７・・・はんだ、８・・・金属支持体、９
・・・細線、１０・・・アンテナ、１１・・・スピーカ
、１２・・・ダイヤル、芋 １０ ｆ色 抗４ト っ長ゴ◇に筑ノ 第２ 口 惚ａ俸−Ｌｘ＜Ｆ九フ 茅今国 ｏ ｚｏｏ ＃）ｏ ６ｏｏ ｚｏ
ｏ ｉｏｏ。 粍抗＃＃ｌ長ｙ Ｃｒｍ−） 第５図 ｊ６１九 ネトら−に２（／−力１．ン第７０ △〃
抵抗値と４ ｍｍ Ｘ ４−の大きさの抵抗体の面積抵
抗値との比（ＲＸ／Ｒ４，Ｏ）と抵抗体長さの関係を示
す図、第２図は実施例１における厚膜回路の平面図（ａ
）とその断面図（ｂ）、第３図は本発明（実施例１）に
よる抵抗体のＲｘ／Ｒ４，（１と抵抗体長さの関係を示
す図、第４図は本発明（実施例２）による抵抗体のＲｘ
／Ｒ４，６と抵抗体長さの関係を示す図、第５図は実施
例３における膜厚回路の平面図（ａ）とその断面図（ｂ
）、第６図は本発明（実施例３）による抵抗体のＲｘ／
Ｒ４，Ｏと抵抗体長さ゛め−係を示す図、第７図は実施
例５のハイブリットＩＣの断面図、第８図は実施例６の
セルラー無線機のブロック構成図と送受信器の斜視図及
び第９図は第８図に使用した一例を示す電源モジュール
の断面図である。 １・・・基板、２・・・厚膜銅導体、３・・・厚膜抵抗
体、４・・・半導体素子、５・・・スペーサ、６・・・
コンデンサ、７・・・はんだ、８・・・金属支持体、９
・・・細線、１０・・・アンテナ、１１・・・スピーカ
、１２・・・ダイヤル、芋 １０ ｆ色 抗４ト っ長ゴ◇に筑ノ 第２ 口 惚ａ俸−Ｌｘ＜Ｆ九フ 茅今国 ｏ ｚｏｏ ＃）ｏ ６ｏｏ ｚｏ
ｏ ｉｏｏ。 粍抗＃＃ｌ長ｙ Ｃｒｍ−） 第５図 ｊ６１九 ネトら−に２（／−力１．ン第７０ △〃
Claims (16)
- １．基板上に形成されたガラスを含む厚膜抵抗体と、該
厚膜抵抗体の端部に形成された厚膜導体とを有するハイ
ブリットＩＣ用基板において、前記厚膜抵抗体中のガラ
スが前記厚膜導体中に拡散するのを防止する手段を設け
たことを特徴とするハイブリットＩＣ用基板。 - ２．前記厚膜抵抗体と原膜導体との界面に前記厚膜抵抗
体の焼成温度より高い融点を有する純金属層が設けられ
た請求項１のハイブリットＩＣ用基板。 - ３．前記厚膜導体及び原膜抵抗体は各々結晶質ガラス又
は非晶質ガラスを含み、各々の原膜は互いに結晶質ガラ
スと非晶質ガラスとの組合せからなる請求項１のハイブ
リットＩＣ基板。 - ４．基板上に導体ペーストを塗布焼成後所定の配線パタ
ーンを有する厚膜導体を形成する工程、該厚膜導体の少
なくとも端子部に摩記厚膜導体に接続して形成されるガ
ラスを有する厚膜抵抗体中のガラスが前記厚膜導体中に
拡散するのを防止する拡散防止手段を設ける工程及び厚
膜抵抗体ペーストを塗布焼成後所望のパターンを有する
前記厚膜抵抗体を前記厚膜導体端子部に形成する工程を
有することを特徴とするハイブリットＩＣ用基板の製造
法。 - ５．前記拡散防止手段は前記厚膜抵抗体の焼成工程の際
に前記界面で該焼成温度より融点の高い金属に解離する
化合物を前記厚膜抵抗体中に含有することによつて形成
する請求項４のハイブリットＩＣ用基板の製造法。 - ６．前記拡散防止手段は前記厚膜導体を形成後、該厚膜
導体の少なくとも端子部に前記厚膜抵抗体の焼成温度よ
り高い融点の金属層を金属粉末ペーストの焼成によつて
形成する請求項４のハイブリットＩＣ用基板の製造法。 - ７．半導体素子を搭載した基板上に、ガラスを有する厚
膜抵抗体と該厚膜抵抗体の端部に形成された厚膜導体と
を有するハイブリットＩＣにおいて、前記厚膜抵抗体中
のガラスが前記厚膜導体中に拡散するのを防止する手段
を設けたことを特徴とするハイブリットＩＣ。 - ８．前記半導体素子，厚膜抵抗体及び厚膜導体の全面が
樹脂又はガラスで被われている請求項７のハイブリット
ＩＣ。 - ９．前記基板はセラミック焼結体からなり、該基板を金
属基板に載置接合した請求項７又は８記載のハイブリッ
トＩＣ。 - １０．請求項７，８又は９記載のハイブリットＩＣを備
えた自動車無線用電源モジュール。 - １１．請求項１０記載の自動車無線用電源モジュールを
備えたセルラー無線機。 - １２．銅粉末，鉛−アルミニウム−ホウケイ酸系ガラス
粉末，ビヒクル及び有機溶剤を含む銅導体ペーストと、
金属間化合物粉末，鉛−アルミニウム−ホウケイ酸系ガ
ラス粉末，ビヒクル及び有機溶剤を含む抵抗体ペースト
との組合せからなるハイブリットＩＣ回路形成用組成物
。 - １３．金属間化合物粉末，酸化ケイ素−酸化ホウ素−酸
化アルミニウム−酸化鉛系ガラス粉末，非酸化性雰囲気
中での焼成によつて金属に解離する化合物粉末，ビヒク
ル及び有機溶剤を含むことを特徴とする厚膜抵抗体ペー
スト。 - １４．前記厚膜銅導体ペーストと厚膜抵抗体ペーストと
は互いに結晶質ガラスと非晶質ガラスとの異なつた組合
せのガラスを有する請求項１３記載のハイブリットＩＣ
回路形成用組成物。 - １５．基板上に形成された厚膜抵抗体と、該厚膜抵抗体
の端部に形成された厚膜導体とを有するハイブリットＩ
Ｃ用基板において、前記厚膜導体は前記原膜抵抗体との
接続部分でその平面形状が該厚膜抵抗体の幅より広い構
造を有することを特徴とするハイブリットＩＣ用基板。 - １６．基板上に形成された厚膜抵抗体と、該厚膜抵抗体
の端部に形成された厚膜導体とを有するハイブリットＩ
Ｃ用基板において、前記厚膜導体の平面形状を細長にし
、該導体の長辺部分に平面形状で直角に前記厚膜抵抗体
を形成したことを特徴とするハイブリットＩＣ用基板。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63002591A JPH0812801B2 (ja) | 1988-01-11 | 1988-01-11 | ハイブリットｉｃ用基板とそれを用いたハイブリットｉｃ及びその装置 |
| US07/293,443 US5016089A (en) | 1988-01-11 | 1989-01-04 | Substrate for hybrid IC, hybrid IC using the substrate and its applications |
| EP19890300127 EP0324555A3 (en) | 1988-01-11 | 1989-01-06 | Substrate for hybrid ic, hybrid ic using the substrate and its application |
| KR1019890000190A KR890012371A (ko) | 1988-01-11 | 1989-01-10 | 하이브리드 ic용 기판과 그것을 사용한 하이브리드 ic 및 그 용도 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63002591A JPH0812801B2 (ja) | 1988-01-11 | 1988-01-11 | ハイブリットｉｃ用基板とそれを用いたハイブリットｉｃ及びその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01181401A true JPH01181401A (ja) | 1989-07-19 |
| JPH0812801B2 JPH0812801B2 (ja) | 1996-02-07 |
Family
ID=11533623
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63002591A Expired - Lifetime JPH0812801B2 (ja) | 1988-01-11 | 1988-01-11 | ハイブリットｉｃ用基板とそれを用いたハイブリットｉｃ及びその装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5016089A (ja) |
| EP (1) | EP0324555A3 (ja) |
| JP (1) | JPH0812801B2 (ja) |
| KR (1) | KR890012371A (ja) |
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| JP2674523B2 (ja) * | 1993-12-16 | 1997-11-12 | 日本電気株式会社 | セラミック配線基板とその製造方法 |
| US5637261A (en) * | 1994-11-07 | 1997-06-10 | The Curators Of The University Of Missouri | Aluminum nitride-compatible thick-film binder glass and thick-film paste composition |
| JP3559090B2 (ja) * | 1995-03-31 | 2004-08-25 | 株式会社デンソー | 厚膜回路基板 |
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| DE10230712B4 (de) * | 2002-07-08 | 2006-03-23 | Siemens Ag | Elektronikeinheit mit einem niedrigschmelzenden metallischen Träger |
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| US4685203A (en) * | 1983-09-13 | 1987-08-11 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Hybrid integrated circuit substrate and method of manufacturing the same |
| JPS60137847A (ja) * | 1983-12-23 | 1985-07-22 | Hitachi Ltd | 厚膜形成用組成物 |
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| US4687597A (en) * | 1986-01-29 | 1987-08-18 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Copper conductor compositions |
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-
1988
- 1988-01-11 JP JP63002591A patent/JPH0812801B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-01-04 US US07/293,443 patent/US5016089A/en not_active Expired - Fee Related
- 1989-01-06 EP EP19890300127 patent/EP0324555A3/en not_active Withdrawn
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Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0324555A2 (en) | 1989-07-19 |
| KR890012371A (ko) | 1989-08-26 |
| JPH0812801B2 (ja) | 1996-02-07 |
| EP0324555A3 (en) | 1991-05-02 |
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