JPS6292407A - 抵抗材料 - Google Patents
抵抗材料Info
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- JPS6292407A JPS6292407A JP60232366A JP23236685A JPS6292407A JP S6292407 A JPS6292407 A JP S6292407A JP 60232366 A JP60232366 A JP 60232366A JP 23236685 A JP23236685 A JP 23236685A JP S6292407 A JPS6292407 A JP S6292407A
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- Japan
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- resistor
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- resistance
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、非酸化雰囲気中での焼成によって厚膜抵抗体
又はこれに類似の抵抗体を形成することができ、且つ耐
湿性の高い抵抗体音提供することができるペースト状抵
抗材料に関する。
又はこれに類似の抵抗体を形成することができ、且つ耐
湿性の高い抵抗体音提供することができるペースト状抵
抗材料に関する。
未焼成セラミックシート即ちグ17−ンシートにニッケ
ル等の卑金属の導体ペース)k塗布し、且つ硼化モリブ
デンと弗化物とガラスとを含有する抵抗体ペースト′に
塗布したもの全非酸化雰囲気中で焼成し、厚膜導体と厚
膜抵抗体との両方含有する多層セラミック回路基叛奮作
成する方法は1本件出願人に係わる特願昭59−197
655号明細畳に開示されている。この方法においては
、厚膜導体及び厚膜抵抗の形成に貴金属が使用されない
ので、多層セラミック回路基数のコストの低#ができる
。
ル等の卑金属の導体ペース)k塗布し、且つ硼化モリブ
デンと弗化物とガラスとを含有する抵抗体ペースト′に
塗布したもの全非酸化雰囲気中で焼成し、厚膜導体と厚
膜抵抗体との両方含有する多層セラミック回路基叛奮作
成する方法は1本件出願人に係わる特願昭59−197
655号明細畳に開示されている。この方法においては
、厚膜導体及び厚膜抵抗の形成に貴金属が使用されない
ので、多層セラミック回路基数のコストの低#ができる
。
〔発明が鮮決しようとするrI!U題点〕しかし、上記
出願に係わる抵抗材料で形成された厚膜抵抗は十分な耐
湿特性を有さない。例えば。
出願に係わる抵抗材料で形成された厚膜抵抗は十分な耐
湿特性を有さない。例えば。
温度60℃、相対湿度95%の環境下に1000時間放
激し定型合の抵抗変化率は+5%〜+10%程度になる
。
激し定型合の抵抗変化率は+5%〜+10%程度になる
。
そこで1本発明の目的は、非酸化雰囲気中での焼成で抵
抗体r形成することができ、且つ耐湿試験における抵抗
変化率が二2%以内の抵抗体會得ることができる抵抗材
料を提供することにある。
抗体r形成することができ、且つ耐湿試験における抵抗
変化率が二2%以内の抵抗体會得ることができる抵抗材
料を提供することにある。
上記目的全達成するための本発明に係わる抵抗材料は、
炭化タンクズテン25〜85重量%と。
炭化タンクズテン25〜85重量%と。
ガラス10〜70″it%と、炭酸カルシウム(CaC
O* )、炭酸ストロンチウム(SrCO,)、炭酸バ
奮Iウム(BaC0,)の内の少なくとも1種の炭酸塩
5〜65重t%とから成る混@物の粉末と、有機結合剤
と、溶剤とから成る。
O* )、炭酸ストロンチウム(SrCO,)、炭酸バ
奮Iウム(BaC0,)の内の少なくとも1種の炭酸塩
5〜65重t%とから成る混@物の粉末と、有機結合剤
と、溶剤とから成る。
上記組成のペースト状抵抗材′P+rグリーンシート上
に囲網し、非酸化雰囲気で焼成すれば、耐湿試験におけ
る抵抗変化率が二2%以内の厚膜抵抗体が得られる。従
って、ニッケル等の卑金属の導体ペーストによる厚膜導
体の形成と同時に卑金属厚膜抵抗を形成することができ
る。
に囲網し、非酸化雰囲気で焼成すれば、耐湿試験におけ
る抵抗変化率が二2%以内の厚膜抵抗体が得られる。従
って、ニッケル等の卑金属の導体ペーストによる厚膜導
体の形成と同時に卑金属厚膜抵抗を形成することができ
る。
次に1本発明の実施例に係わる抵抗材料及びこれを使用
した多層セラミック回路基板の形成方法について述べる
。
した多層セラミック回路基板の形成方法について述べる
。
まず、二酸化珪素(5ift) 78.0重量部、酸化
亜鉛(ZnO)5.5重量部、WR化ジルコニウA (
Zr0t)12.0″Xt部、炭酸カルシウム(Ca
Co1) 3−0重量部、及び酸化アルミニウム(AI
tos) 1−5重量部全混合し、アルミナルツボ中、
1400℃で30分間溶融し、この溶融液上水中に投入
し、急冷させた。この急冷物會取シ出してアルミナ乳鉢
に入れ。
亜鉛(ZnO)5.5重量部、WR化ジルコニウA (
Zr0t)12.0″Xt部、炭酸カルシウム(Ca
Co1) 3−0重量部、及び酸化アルミニウム(AI
tos) 1−5重量部全混合し、アルミナルツボ中、
1400℃で30分間溶融し、この溶融液上水中に投入
し、急冷させた。この急冷物會取シ出してアルミナ乳鉢
に入れ。
約50IIm程度になるまで粉砕し、更にこれをエタノ
ールと共にポリエチレン裂ボットミルの中に入れ、アル
もナボールで150時間粉砕し1粒径が10μm以下の
粉末状のガラスを得た。
ールと共にポリエチレン裂ボットミルの中に入れ、アル
もナボールで150時間粉砕し1粒径が10μm以下の
粉末状のガラスを得た。
次に、上記ガラスと、炭化タングステン(WC。
RC、RC* 、WsCtの1種以上)とを表に示す割
合に秤量し、ボールミルに入れて攪拌した。次いで。
合に秤量し、ボールミルに入れて攪拌した。次いで。
これ?アルゴンガス雰囲気中1200℃で1時間熱処理
し、しかる後、エタノールと共にポリエチレン輿のボッ
トミル中に入れ、アルミナボールで24時間粉砕し、1
0μm以下の炭化タングステンとガラスとの混合物の粉
本を得た。即ち1表の試料A1〜40に示されている種
々の割合のガラスと炭化タングステンの混合粉末を得た
。
し、しかる後、エタノールと共にポリエチレン輿のボッ
トミル中に入れ、アルミナボールで24時間粉砕し、1
0μm以下の炭化タングステンとガラスとの混合物の粉
本を得た。即ち1表の試料A1〜40に示されている種
々の割合のガラスと炭化タングステンの混合粉末を得た
。
次に、ガラスと炭化タングステンと炭酸塩(CaCO,
、5rco、 、 Baeolの1種以上)との割合が
表の試料A1〜40の組成の欄に示すようになるように
、上述のガラスと炭化タングステンの混合粉末に対して
炭酸塩を添加し、混合することによって本発明に係わる
抵抗材料の混合物の粉末を得た。
、5rco、 、 Baeolの1種以上)との割合が
表の試料A1〜40の組成の欄に示すようになるように
、上述のガラスと炭化タングステンの混合粉末に対して
炭酸塩を添加し、混合することによって本発明に係わる
抵抗材料の混合物の粉末を得た。
即ち、試料A1においては、抵抗材料の混合物のffi
成に#9ス1ONfij%、WC85重量%、 CaC
0g5!i%とし、残りの試料A2〜40においても組
成の欄に示す重量割合の組成とした。
成に#9ス1ONfij%、WC85重量%、 CaC
0g5!i%とし、残りの試料A2〜40においても組
成の欄に示す重量割合の組成とした。
次に、各試料の抵抗材料の混合物の粉床100重量部に
、有機結合剤としてのエチルセルロース10重量sを溶
剤としてのブチルカルピトール90重量部に溶かしたも
のから成る有機バインダ溶液即ちビヒクル25重量部を
加えて3本ロールミルで混線して約800ボイズの抵抗
体ペースト七得た。
、有機結合剤としてのエチルセルロース10重量sを溶
剤としてのブチルカルピトール90重量部に溶かしたも
のから成る有機バインダ溶液即ちビヒクル25重量部を
加えて3本ロールミルで混線して約800ボイズの抵抗
体ペースト七得た。
一万、上記抵抗体ペースト奮印刷するためのグリーンシ
ートを次の方法で作製した。 All0I粉末50重量
部、 sio、粉末20重量部、SrO粉禾25重量部
、 I、i、0粉床1重量部、及びMgO粉末4重量部
からなるセラミック原料粉末と、アクリル酸エステルポ
リマーの水溶液からなるバインダーと、グリセリンと、
カルボン酸塩及び水と、をそれぞれボールミルに入れて
混合して、スリップを作製し、脱泡処理した後にドクタ
ーブレード法によシ淳さ200μmの長尺のグリ−ンシ
ート全作製した。そして、このグリーンシートから、9
mmX9mmと(5mmX9mmの2種類のグリーンシ
ート片を切シ抜いた。
ートを次の方法で作製した。 All0I粉末50重量
部、 sio、粉末20重量部、SrO粉禾25重量部
、 I、i、0粉床1重量部、及びMgO粉末4重量部
からなるセラミック原料粉末と、アクリル酸エステルポ
リマーの水溶液からなるバインダーと、グリセリンと、
カルボン酸塩及び水と、をそれぞれボールミルに入れて
混合して、スリップを作製し、脱泡処理した後にドクタ
ーブレード法によシ淳さ200μmの長尺のグリ−ンシ
ート全作製した。そして、このグリーンシートから、9
mmX9mmと(5mmX9mmの2種類のグリーンシ
ート片を切シ抜いた。
次に、第1図に示す如く、前者のグリーンシー) 片1
11上に、ニッケル(Ni)粉末と有機バインタ溶液(
エチルセルロース10重量部葡テレピン油90重量部に
溶かしたもの)と葡3:1の比で混練した導体ペースト
に200メツシユのスクリーン葡用いて囲網し、125
℃、10分間乾燥することによって第1図に示す如<N
i導体膜(2)音形成した。
11上に、ニッケル(Ni)粉末と有機バインタ溶液(
エチルセルロース10重量部葡テレピン油90重量部に
溶かしたもの)と葡3:1の比で混練した導体ペースト
に200メツシユのスクリーン葡用いて囲網し、125
℃、10分間乾燥することによって第1図に示す如<N
i導体膜(2)音形成した。
次に1本発明に係わる抵抗体ペーストに導体ペーストと
同様にスフ1フーン団刷し、乾燥することによって、第
1図に示す如く抵抗体膜(31%r形成した。
同様にスフ1フーン団刷し、乾燥することによって、第
1図に示す如く抵抗体膜(31%r形成した。
次に、クリーンシート片山の上に鎖線で示す大きさのも
う一方のグリーンシート片(4)會積層し。
う一方のグリーンシート片(4)會積層し。
ioo℃、 150 kg/cmで熱圧着し、これを
酸化雰囲気中500℃で熱処理して有機結合剤及び溶剤
(有機ビヒクル)′t−飛散及び分解し、N、(98,
5容積%) 十Hz (1−5容81%)の還元雰囲気
中で1100℃、2時間焼成し、第2図に示す如く、磁
器# (la)(4a)の中に、厚膜導体(2a)と厚
膜抵抗体(3a)と2有する混成集積回路用の多層セラ
ミック回路基板r完成させた。なお、抵抗体(3a)の
導体(2a)にかからない部分の大きさは、3mm X
3 mmであり、膜厚は18μmである。また、抵抗
体(3a〕の組成は、焼成前の抵抗材料の無機質の組成
にほぼ一致している。
酸化雰囲気中500℃で熱処理して有機結合剤及び溶剤
(有機ビヒクル)′t−飛散及び分解し、N、(98,
5容積%) 十Hz (1−5容81%)の還元雰囲気
中で1100℃、2時間焼成し、第2図に示す如く、磁
器# (la)(4a)の中に、厚膜導体(2a)と厚
膜抵抗体(3a)と2有する混成集積回路用の多層セラ
ミック回路基板r完成させた。なお、抵抗体(3a)の
導体(2a)にかからない部分の大きさは、3mm X
3 mmであり、膜厚は18μmである。また、抵抗
体(3a〕の組成は、焼成前の抵抗材料の無機質の組成
にほぼ一致している。
次に、この抵抗体(3a)の25℃におけるシート抵抗
−(Ω/口)會ディジタルマルチメータで測定した。久
いで、各試料(多層セラミック回路基板〕を温度60℃
、相対湿度95%の環境下に1000時間放置し、その
後、ディジタルマルチメータで再びシート抵抗R1(Ω
/口〕を測定し、この耐湿試験による厚膜導体(2a)
の抵抗変化率ΔRk(RニーR,/FL、)x100%
で求ぬた。表の特性の欄には上記のもとΔRとが示され
ている。なお。
−(Ω/口)會ディジタルマルチメータで測定した。久
いで、各試料(多層セラミック回路基板〕を温度60℃
、相対湿度95%の環境下に1000時間放置し、その
後、ディジタルマルチメータで再びシート抵抗R1(Ω
/口〕を測定し、この耐湿試験による厚膜導体(2a)
の抵抗変化率ΔRk(RニーR,/FL、)x100%
で求ぬた。表の特性の欄には上記のもとΔRとが示され
ている。なお。
R,の値の橢のkは×10を意味する・表の試料A1〜
40から明らかな如く、抵抗材料の混合物の組成k。
40から明らかな如く、抵抗材料の混合物の組成k。
ガラス 10〜70]i量%。
炭化タングステン 15〜85重量%。
炭酸塩 5〜65重量%
クズることによシ、還元雰囲気中の焼成であるにも拘ら
ず、シート抵抗R0が12.32Ω/口〜523.6
kΩ/口、耐湿試験による抵抗変化率ΔRが−2,0%
〜+2.0%の範囲内の厚膜抵抗体上提供することがで
きる。
ず、シート抵抗R0が12.32Ω/口〜523.6
kΩ/口、耐湿試験による抵抗変化率ΔRが−2,0%
〜+2.0%の範囲内の厚膜抵抗体上提供することがで
きる。
なお1表に示されていない本発明の範囲外の試料によシ
次のことが確認されている。
次のことが確認されている。
山 炭化タングステンの量′に25重量%よシも少なく
すると、抵抗値が高くなシ過ぎる。
すると、抵抗値が高くなシ過ぎる。
(21戻化タングステンの31785重量%よシも多く
すると、焼結が困難になる。
すると、焼結が困難になる。
+31 ガラスの量klO重量%よシも少なくすると
、焼結が困難になる。
、焼結が困難になる。
(4) ガラスのJi!:に70重量%よシも多くす
ると、抵抗値が高くなシ過ぎる。
ると、抵抗値が高くなシ過ぎる。
(5) 炭酸塩の量を5重量%よりも少なくすると。
抵抗変化率ΔRを:!:2%の範囲に収めることが困難
になる。
になる。
(6)炭酸塩の量を65重量%よりも多くすると。
抵抗変化率ΔRを二2%の範囲に収ぬることが困難にな
る。
る。
〔実施例2〕
ガラスの組成が変化しても、5!施例1と同様な作用効
果が得られることを確かぬるたぬに、次の如くガラス粉
末を作製した。二酸化珪素(Sin、)75.0重量部
、三酸化ニホウ素(B*Oa) 13−0重量部、炭酸
カルシウム(CaC0,) 10.0重量部、及び酸化
アルミニウム(Altol ) 2.0重量部を混合し
。
果が得られることを確かぬるたぬに、次の如くガラス粉
末を作製した。二酸化珪素(Sin、)75.0重量部
、三酸化ニホウ素(B*Oa) 13−0重量部、炭酸
カルシウム(CaC0,) 10.0重量部、及び酸化
アルミニウム(Altol ) 2.0重量部を混合し
。
実施例1と同様の手法にて粉末状のガラスを得た。
次に、このガラスを使用し、ガラス30重量%。
Wo 10重量%、W、CIO10重量W、C,10重
量%、 wact 10重量%、CaC0,10重量%
、 8rCQ。
量%、 wact 10重量%、CaC0,10重量%
、 8rCQ。
10重量%、Bacos 10重量%の組成の抵抗材料
の混合物を含むペーストを実施例1と同一の方法で得、
これを使用して実施例1と同一の方法で同−構造の多層
セラミック回路基板を形成し、実施例1と同様に電気的
特性を測定したところ、シート抵抗値R1は6.825
Ω/口、抵抗変化率ΔRは十0.8%であった。
の混合物を含むペーストを実施例1と同一の方法で得、
これを使用して実施例1と同一の方法で同−構造の多層
セラミック回路基板を形成し、実施例1と同様に電気的
特性を測定したところ、シート抵抗値R1は6.825
Ω/口、抵抗変化率ΔRは十0.8%であった。
この実施例2から明らかなように、ガラスの組成を変え
ても抵抗特性に大きな相違は見られない。
ても抵抗特性に大きな相違は見られない。
つまり1本発明において使用されるガラスは必ずしも特
定された1つの組成に限られるものではない。なお、実
施例1におけるS iO,−ZnO−ZrO,−CaO
−AI、Os系ガラス、実施例2のS iO,−B、0
.−cao AlvOa ff−ガラスはいずれも作
業J(IXIO’ホイズとなる温度)が900 N12
00℃のガラスである。本発明に係わるガラスは、実施
例1及び2の組成のか2スに限ることなく、900〜1
200℃の作業点を有し、且つ還元雰囲気で焼成する際
に金属化されやすい金桐酸化物(PbO,SnO,、B
輸0、等)を含才ないものであれば、どのようなもので
もよい。
定された1つの組成に限られるものではない。なお、実
施例1におけるS iO,−ZnO−ZrO,−CaO
−AI、Os系ガラス、実施例2のS iO,−B、0
.−cao AlvOa ff−ガラスはいずれも作
業J(IXIO’ホイズとなる温度)が900 N12
00℃のガラスである。本発明に係わるガラスは、実施
例1及び2の組成のか2スに限ることなく、900〜1
200℃の作業点を有し、且つ還元雰囲気で焼成する際
に金属化されやすい金桐酸化物(PbO,SnO,、B
輸0、等)を含才ないものであれば、どのようなもので
もよい。
本発明は上述の実施例に限定されるものでなく。
例えば次の変形例が可能なものである。
ral p化タングステンとガラスと炭酸塩とを含む
抵抗体ペーストを塗布したグリーンシートの焼成温度を
1000℃〜1200℃の範囲で変化させても、抵抗値
R6及び抵抗変化率ΔRが殆んど変化しないことが確認
されている。例えば、実施例1の試料A32と同一組成
で焼成温度のλを1000”C,1050℃、1150
℃、1200’CK変化gせた時の抵抗値R0は2.1
93 kΩ/口、2.254にΩ/0.2.105にΩ
/口、2.182にΩ/口であ)、筐た抵抗変化率ΔR
は、−〇、5%、−0.6%、−0,8%、−0,6%
であった。他の組成においてもほぼ同様な結果が得られ
た。
抵抗体ペーストを塗布したグリーンシートの焼成温度を
1000℃〜1200℃の範囲で変化させても、抵抗値
R6及び抵抗変化率ΔRが殆んど変化しないことが確認
されている。例えば、実施例1の試料A32と同一組成
で焼成温度のλを1000”C,1050℃、1150
℃、1200’CK変化gせた時の抵抗値R0は2.1
93 kΩ/口、2.254にΩ/0.2.105にΩ
/口、2.182にΩ/口であ)、筐た抵抗変化率ΔR
は、−〇、5%、−0.6%、−0,8%、−0,6%
であった。他の組成においてもほぼ同様な結果が得られ
た。
rbl グリーンシートを焼成する時の雰囲気を中性
雰囲気(不活性雰囲気)としてもよい。また。
雰囲気(不活性雰囲気)としてもよい。また。
クリーンシートを焼成する前の有機物を分解及び飛散さ
ぜるたぬの酸化性雰囲気の熱処卯温度を例えば400℃
〜600℃で変化させ工もよい。
ぜるたぬの酸化性雰囲気の熱処卯温度を例えば400℃
〜600℃で変化させ工もよい。
(cl ガラスと膨化タングステンとの混合物のアル
ゴン雰囲気中での焼成温度を1例えば900〜1200
℃の範囲で変化させてもよい。また仁の焼成をアルゴン
ガス以外の不活性雰囲気、又は臭突中、又は中性雰囲気
、又は還元性雰囲気で行ってもよい。
ゴン雰囲気中での焼成温度を1例えば900〜1200
℃の範囲で変化させてもよい。また仁の焼成をアルゴン
ガス以外の不活性雰囲気、又は臭突中、又は中性雰囲気
、又は還元性雰囲気で行ってもよい。
(dl 抵抗体ペーストを作るたぬの有機バインダ溶
液(ビヒクル〕は、ニトロセルロース等の樹脂ヲ、テレ
ピン油、ブチルカルピトールアセテート等の高沸点溶剤
に溶かしたものでもよい。筐た。
液(ビヒクル〕は、ニトロセルロース等の樹脂ヲ、テレ
ピン油、ブチルカルピトールアセテート等の高沸点溶剤
に溶かしたものでもよい。筐た。
この有機バインダ溶液の量は15〜35重量部稈クズ望
ましい。
ましい。
上述から明らかな如く1本発明のペースト状抵抗材料と
ニッケル等の卑金輌の導体ペーストとを非酸化雰囲気で
同時焼成することができ、且つ本発明の抵抗材料には貴
金属が金談れていない。従って、多層セラミック回路基
板、又はこれに類但の電気回路部品の小型化及び低コス
ト化に寄与することができる。また1本発明の抵抗材料
は前述の特許出願の抵抗材料に比較し、耐湿性の良い抵
抗体を提供することができる。
ニッケル等の卑金輌の導体ペーストとを非酸化雰囲気で
同時焼成することができ、且つ本発明の抵抗材料には貴
金属が金談れていない。従って、多層セラミック回路基
板、又はこれに類但の電気回路部品の小型化及び低コス
ト化に寄与することができる。また1本発明の抵抗材料
は前述の特許出願の抵抗材料に比較し、耐湿性の良い抵
抗体を提供することができる。
第1図は本発明の実施例に係わる多層セラミック回路基
鈑を作製する際のグリーンシートと導体膜及び抵抗体膜
のパターン上*す平面図、第2図は第1図の■−〇線に
相極する部分の焼成後の多層セラミック回路基板を示す
断面図である。 (11・・・グリーンシート片、(2)・・・導体膜、
+31 ・・・抵抗体膜、(4)・・・グリーンシート
片。
鈑を作製する際のグリーンシートと導体膜及び抵抗体膜
のパターン上*す平面図、第2図は第1図の■−〇線に
相極する部分の焼成後の多層セラミック回路基板を示す
断面図である。 (11・・・グリーンシート片、(2)・・・導体膜、
+31 ・・・抵抗体膜、(4)・・・グリーンシート
片。
Claims (3)
- (1)炭化タングステン 15〜85重量%、ガラス
10〜70重量%、 炭酸カルシウム、炭酸ストロンチウム、及び炭酸バリウ
ムの内の少なくとも1種の炭酸塩 5〜65重量%、 から成る混合物の粉末と、 有機結合剤と、 溶剤と から成るペースト状抵抗材料。 - (2)前記炭化タングステンは、1炭化1タングステン
(WC)、1炭化2タングステン(W_2C)、2炭化
3タングステン(W_3C_2)、及び2炭化5タング
ステン(W_5C_2)の内の少なくとも1種である特
許請求の範囲第1項記載の抵抗材料。 - (3)前記ガラスは、作業点が900〜1200℃の範
囲のものである特許請求の範囲第1項又は第2項記載の
抵抗材料。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60232366A JPS6292407A (ja) | 1985-10-18 | 1985-10-18 | 抵抗材料 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60232366A JPS6292407A (ja) | 1985-10-18 | 1985-10-18 | 抵抗材料 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6292407A true JPS6292407A (ja) | 1987-04-27 |
JPH051962B2 JPH051962B2 (ja) | 1993-01-11 |
Family
ID=16938088
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60232366A Granted JPS6292407A (ja) | 1985-10-18 | 1985-10-18 | 抵抗材料 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6292407A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63272005A (ja) * | 1987-04-30 | 1988-11-09 | Taiyo Yuden Co Ltd | 電気抵抗体及びその製造方法 |
-
1985
- 1985-10-18 JP JP60232366A patent/JPS6292407A/ja active Granted
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63272005A (ja) * | 1987-04-30 | 1988-11-09 | Taiyo Yuden Co Ltd | 電気抵抗体及びその製造方法 |
JPH0553282B2 (ja) * | 1987-04-30 | 1993-08-09 | Taiyo Yuden Kk |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH051962B2 (ja) | 1993-01-11 |
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