JPS63213304A

JPS63213304A - 電気抵抗体及びその製造方法

Info

Publication number: JPS63213304A
Application number: JP62045603A
Authority: JP
Inventors: 敏光本多; 山田　忠彦; 鬼形　和治; 正一登坂
Original assignee: Taiyo Yuden Co Ltd
Current assignee: Taiyo Yuden Co Ltd
Priority date: 1987-02-28
Filing date: 1987-02-28
Publication date: 1988-09-06
Also published as: JPH0428123B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】産業上の利用分野零発朔は、固定チップ抵抗器あるいは回路配線基板等に
設けられる厚膜タイプの電気抵抗体、特に非酸化性雰囲
気中で焼成して得られることが可能な電気抵抗体及びそ
の製造方法に関する。

従来の幀術電子機器の電気回路は、抵抗、コンデンサ、ダイオード
、トランジスタ等の各種電気素子が回路基板に実装され
て構成されることが良く行われているが、電子機器の小
型化に伴ってこれらの電気素子の実装密度をさらに高め
ることができる回路基板が多く用いられるようになって
きた。

これらの回路基板に設けられる抵抗体には、抵抗体材料
ペーストを回路上に直接印刷して焼付けることにより形
成した厚膜抵抗体、あるいは角板状゛セラミックチップ
の両端に一対の電極を形成し、双方の電極に跨がるよう
に前記厚膜抵抗体を形成した固定チップ抵抗器等がある
。

このような厚膜抵抗体を回路基板に設けるには、従来、
例えば１５００℃前後で焼成して得られたアルミナ基板
の表面にＡｇあるいはＡｇ−Ｐｄ等の導体材料ペースト
を塗布し、焼付けした後、例えばＲｕ０ｚを抵抗体材料
として含有するペーストをスクリーン印刷等により塗布
し、ついで７５０〜８５０℃で焼付け、さらに必要に応
じてトリミング等により抵抗値の調整を行なうやり方が
一般的である。

しかしながら近年、電子機器等に対する軽薄・短小化、
低コスト化の要求がさらに強まってきており、回路基板
に対しても一層の小型化、低コスト化の検討が行われる
ようになってきた。

前者の小型化のための具体的な対応としては、第１に回
路基板の多層化、第２に抵抗体の内装化が行なわれてい
る。回路基板を多層化した例としては、ＡｇあるいはＡ
ｇ−Ｐｄ系等の導体材料ペーストを印刷したセラミック
グリーンシート（生シート）を積層、圧着した後、大気
中８００〜１１００’Ｃで同時焼成して得られる多層配
線基板が挙げられ、また、抵抗体を内装化した例として
は、前記導体材料ペーストを印刷したセラミックグリー
ンシート上にさらにＲｕＯ□系抵抗系材抗体材料ペース
トし、前記と同様に積層、圧着した後、同時焼成して得
られる抵抗体内装多層配線基板等が知られている。

また、後者の低コスト化のための具体的な対応としては
、ＡｇあるいはＡｇ−Ｐｄ系材料のような高価な貴金属
系の導体材料に代わって、安価なＮｔあるいはＣｕ等の
卑金属系の導体材料を用い、これらを窒素ガスあるいは
水素を含む窒素ガス中等、その酸化による高抵抗化を避
けることができるような中性あるいは還元性の非酸化性
雰囲気中、８００〜１１００℃でグリーンセラミックと
同時焼成して得られる多層配線基板が実用化されている
。また、特開昭５６−１５３７０２号公報に記載されて
いるように、Ｍｏ５ｉｚ−ＴａＳｉ２及びガラスからな
る抵抗体材料を、Ｋｍ　（Ｃｕ）導体を有するアルミナ
基板上に塗布し、熱処理して得られる厚膜抵抗体等も知
られている。

発明が解決しようとする問題点しかしながら、回路基板の小型化と低コスト化を同時に
行なうようにすると、ＲｕＯ□系抵抗系材抗体材料ガス
あるいは水素を含む窒素ガス雰囲気中でグリーンセラミ
ックと同時焼成したときに還元反応が起こり、抵抗値が
低くなって抵抗体としての特性を示さなくなる。

また、Ｍｏ５ｉｚ−ＴａＳｉ２及びガラスからなる抵抗
体材料を非酸化性雰囲気中でグリーンセラミックシート
と同時焼成すると、両者の膨張率、収縮率の相違による
ずれ□により焼成体に反りが生じたり、Ｍｏ５ｉｚ−Ｔ
ａＳｉｔの分解反応によりガスが発生して焼成体にふく
れが生じ易いと云う問題点がある。これを改善するため
に、特開昭６０−１９８７０３号公報に記載されている
ように、ＭｏＳ　ｉ！−弗化金属塩（例えば弗化カルシ
ウム）及びガラスよりなる抵抗体材料を用いる例か知ら
れており、これについては上記のような焼成時の反りや
ふくれは見られない。

しかしながら、このＭｏ５ｉｚ−弗化金属及びガラスよ
りなる抵抗体材料をグリーンセラミックシートに塗布し
、同時焼成して得られた厚膜抵抗体は、９５％相対湿度
中に１０００時間放置すると、５〜１０％の抵抗値の増
加が見られ、抵抗体としての所定の機能を果たすことが
できない。

本発明の目的は、固定チップ抵抗器あるいは一般の回路
基板等に使用できるのみならず、卑金属導体材料ととも
に積層して多層基板に内装化することのできる電気抵抗
体であって、抵抗値の安定な電気抵抗体を提供すること
にある。

また、本発明の他の目的は、前記電気抵抗体の特性をよ
り一層向上させることのできる製造法を提供することに
ある。

問題点を解決するための手段本発明は、上記問題点を解決するために、アルミニウム
のモリブデン酸塩を含有する焼成体を有することを特徴
とする電気抵抗体を提供するものである。

また、本発明は、主成分に主成分にアルミニウムのモリ
ブデン酸塩及びその前駆体の内の少なくとも一種を含有
する抵抗体材料を熱処理し、この熱処理して得られた抵
抗体材料を用いて焼成し、アルミニウムのモリブデン酸
塩を含有する焼成体からなる電気抵抗体を得ることを特
徴とする電気抵抗体の製造方法を提供するものである。

次に本発明の詳細な説明する。

本発明におけるアルミニウムのモリブデン酸塩には、例
えばＡ　Ｉｔ　ｚＭｏ＝０．□等が例示される。

このようなアルミニウムのモリブデン酸塩は、アルミニ
ウムの酸化物と酸化モリブデン（Ｍｏｓｓ）の熱処理に
よって合成することができるが、その前駆体を用いて熱
処理することにより合成することもできる。

本発明においてはバインダーを用いることが好ましく、
これにはガラスが挙げられが、このガラスとしては一般
に知られているガラスが用いられ、特定の組成のガラス
に限定されるものではないが、Ｐｂ５Ｏ４、Ｂｉｔ’ｓ
　、Ｓｎｏｗ、ＣｄＯのような酸化物は、これらを含む
抵抗体材料を非酸化性雰囲気中で焼成するときに還元さ
れて金属化することがあり、この金属は抵抗値を変化さ
せるので、このようなことが起こることが好ましくない
場合にはこれらの酸化物を含有しないことが好ましい。

ガラス成分としては、Ｓｉｎｇ、ＢｚＯｚ、ＺｎＯ、Ｃ
ａＯ５ＳｒＯ％　ＺｒＯ□などが好ましく、これらの酸
化物の組成比は、５ｉＯｚ　１２〜３３　　重量％Ｂ２ｕｓ　２０〜３５　　重量％ＺｎＯ又は５ｒ０１３〜３３　　重量％ＣａＯ１０〜２
５　　重量％ＺｒＯ□１５〜４５　　重量％が好ましい。

これら酸化物の組成物からガラスを製造するには、前記
組成比になるようにそれぞれの酸化物を秤量し、混合す
る。この混合物を坩堝に入れ、１２００〜１５００℃に
温度にて溶融した後、溶融液を例えば水中に投入し、急
冷させ、ガラス粗粉を得る。

この粗粉を例えばボールミル、振動ミルなどの粉砕手段
を用いて所望の粒度（例えば１０μｍ以下）になるまで
粉砕すると、ガラス粉末が得られる。

前記は純粋の酸化物を混合して用いたが、これに限らず
結果的に各酸化物の混合物からなるガラスになれば良く
、各酸化物の前駆体をその一部又は全部に用い、これを
溶融してガラスにしても良い。例えばＣａＯ（酸化カル
シウム）はＣａＣ０：＋（炭酸カルシウム＞　、ＢｚＯ
：＋（酸化硼素）はホウ酸（ＨＪ（ｈ）の熱処理により
得られるので、ＣａＯ、Ｂｉａｓの一部又はその全部の
代わりにそれぞれＣａＣ０＋　、ＨＪ（ｈを用いること
ができる。その他の成分の酸化物についても同様である
。

前記のようにして得られるアルミニウムのモリブデン酸
塩、ガラス粉末は混合され、そのまま抵抗体材料として
用いても良いが、これを熱処理して粉砕したものを抵抗
体材料とすることがこれを焼成して得た抵抗体の抵抗温
度特性の上で好ましい。この熱処理温度としては、８０
０℃〜１２００℃が好ましく、これより外れると抵抗体
材料を電気抵抗体に加工する各工程の作業条件等による
組成比の微妙な変動に対し、出来上がった抵抗体の抵抗
値が影響を受は易く、所望の抵抗値を安定して得ること
が難しい。この熱処理は非酸化性雰囲気が望ましく、窒
素ガスその他年活性ガス、あるいはこれらに水素ガスを
含有させた混合ガスを用いることが好ましい。

抵抗体材料の各成分の組成比は、アルミニウムのモリブ
デン酸塩５０〜９６重量％、ガラス粉末４〜５０重量％
が好ましい。この範囲よりアルミニウムのモリブデン酸
塩が少な過ぎ、ガラスが多過ぎると、焼成して出来上が
った電気抵抗体の抵抗値が高くなり過ぎ好ましくない場
合があり、また、逆にアルミニウムのモリブデン酸塩が
多過ぎ、ガラスが少な過ぎると焼成時の焼結性が悪くな
り回路基板に安定に保持できないことがある。しかし、
抵抗体を回路基板を積層して埋め込むような場合にはア
ルミニウムのモリブデン酸塩が上記範囲より多い場合の
みならず、１００％でも良い。

このようにして得られた抵抗体材料粉末から固定チップ
抵抗器あるいは厚膜抵抗体のための抵抗体を作成するに
は、例えばセラミックグリーンシートにこれらの抵抗体
材料粉末を塗布し、焼成するが、この塗布を行うために
は例えばシルクスクリーン印刷ができるようにこれら抵
抗体材料粉末にビヒクルが混合され塗液が調整される。

このビヒクルは、焼成の前段階で焼失できるようなもの
が好ましく、このためにはを搬物ビヒクル、すなわち有
機溶剤に樹脂を、溶解又は分散させ、必要に応じて可塑
剤、分散剤等の各種添加剤を加えたものが好ましい。こ
の有機溶剤にはプチルカービトールアセテート、プチル
カービトール、テレピン油などが挙げられ、樹脂として
はエチルセルローズ、ニトロセルローズ等のセルローズ
誘導体、その他の樹脂が挙げられる。

この有機物ビヒクルと抵抗体材料粉末との使用割合は使
用する有機溶剤、樹脂等により変わるが、有機溶剤と樹
脂との使用割合は前者が２０〜５０重量％、後者が８０
〜５０重量％が適当である。これらの成分は例えば三本
ロールミル、らいかい器などの混合手段を用いてペース
ト状にされる。

このようにして得られた抵抗体材料ペーストが基板に塗
布され、これがさらに後述の処理を施されて抵抗体が作
成されるが、この基板にはセラミックグリーンシートを
導体材料や抵抗体材料とともに焼成して作成するものの
みならず、予めセラミックグリーンシートを焼成し、こ
れにさらに抵抗体材料、導体材料を塗布した後焼成する
方法でも良い。これらは積層体を形成する場合にも適用
できる。

前記セラミックグリーンシートとしては、例えば酸化ア
ルミニウム（Ａ　ｌ　ｚｏｉ）３５〜４５重量％、酸化
珪素（ＳｉＯ□）２５〜３５重量％、酸化硼素（Ｂ１０
：１）１０〜１５重量％、酸化カルシウム（ＣａＯ）７
〜１３重量％、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）　７〜１０
重量％等のセラミック構成成分の酸化物混合物を有機物
ビヒクルとボールミル等で混合したスラリーをドクター
ブレード等によりシート化したものが挙げられる。この
際、アルミニウムのモリブデン酸塩にガラスを併用しな
いときは、前記セラミックグリーンシートにガラス分を
多く含１せガラスを（Ｎ”ｍしたと同様の効果を出すよ
うにしても良い、前記有機物ビヒクルには、アクリル酸
エステル等のアクリル樹脂、ポリビニルブチラール等の
樹脂、グリセリン、フタル酸ジエチル等の可塑剤、カル
ボン酸塩等の分散剤、水、有機溶剤等の溶剤から構成さ
れる。

前記抵抗体材料ベニストはセラミックグリーンシートに
例えばシルクスクリーン印刷等の手段により塗布され、
乾燥後、４００〜５００℃で熱処理されて樹脂成分が分
解・燃焼されるのが好ましい。

この際、同時にＮｉあるいはＣｕ等の卑金属導体材料あ
るいはＡｇ又はＡｇ−Ｐｄの貴金属導体材料のペースト
も抵抗体材料ペースト塗膜と同様にセラミックグリーン
シートに塗布され、抵抗体材料ペーストの塗布物と同様
に処理される。

このＮｉあるいはＣｕ等の卑金属導体材料あるいはＡｇ
又はＡｇ−Ｐｄの貴金属導体材料のペースト組成物とし
ては、各々の金属粉末９８〜８５重量％にガラスフリフ
トを２〜１５重量％添加したものが例示される。

このようにしてセラミックグリーンシートに抵抗体材料
及び／又は導体材料が組み込まれるが、固定チップ抵抗
器の場合にはこの未焼成基板の表面のみ、多層基板の厚
膜抵抗体の場合には前記抵抗体材料、導体材料を未焼成
状態で組み込んだものをさらに積層して所定の回路を構
成するようにしてから焼成する。この焼成により導体材
料及び／又は厚膜抵抗体材料を基板と同時に焼成体にす
ることができる。

この場合、ＮｉあるいはＣｕ等の卑金属導体材料が導体
材料に用いられるときは、その酸化による高低・抗値化
を防止するために、非酸化性雰囲気中で焼成することが
好ましく、その焼成温度は、例えば８００℃〜１１００
℃、０．５時間〜２時間が例示される。非酸化性雰囲気
としては、窒素ガスその地下活性ガス、これらに水素ガ
スを含有させた混合ガスも用いられる。また、Ａｇ又は
Ａｇ−Ｐｄの貴金属導体材料を用いるときは空気等の酸
化性雰囲気中で焼成することもできる。

前記のようにして導体及び／又は抵抗体を組み込んだ回
路配線基板が出来上がるが、焼成基板と導体の間は勿論
のこと、焼成基板と抵抗体との間にも焼成に伴ってクラ
ンク、歪み、ふくれ等を生じることがないとともに、抵
抗体は高温高湿度雰囲気中に１０００時間以上放置され
てもその抵抗値が±２％以内の変化に抑制され、その高
い信頼性を確保することができる。これは抵抗体が導体
及び焼成基板と良くマツチングするためと、アルミニウ
ムのモリブデン酸塩とガラスの焼成体からなる抵抗体の
独特の耐湿性に基づくものと考えられる。

が詳細は明らかでない。なお、Ｘ線回折分析により前記
抵抗体中にアルミニウムのモリブデン酸塩を認めること
ができる。

本発明においては、上記の如くアルミニウムのモリブデ
ン酸塩を用いても良いが、このアルミニウムのモリブデ
ン酸塩の代わりに熱処理によりアルミニウムのモリブデ
ン酸塩となる前駆体を一部又は全部用いることもできる
。これらのいずれの場合もガラスと混合して熱処理した
ものを粉砕し、抵抗体材料とすることが好ましいが、こ
の熱処理を行わず上述の有機物ビヒクル等と混合して作
成したペーストを例えばグリーンセラミックシートに塗
布してから、有機物除去の加熱処理を経て焼成し、直接
抵抗体を作成することもできる。

また、ガラスはこれを構成する酸化物の混合材料がアル
ミニウムのモリブデン酸塩とともに結果的に焼成される
状態におかれれば良く、これらの酸化物の前駆体をアル
ミニウムのモリブデン酸塩及び／又はその前駆体ととも
にこの酸化物の一部又は全部を上述したようにペースト
状態にし、これを基板に塗布して有機物の燃焼、その後
の焼成のいずれの過程で上記のガラス成分からなるガラ
スになり、これとアルミニウムのモリブデン酸塩及び／
又はその前駆体と焼成されことにより抵抗体を作製でき
るものであれば良い０例えば、ガラスの材料の成分であ
るＣａＯ（酸化カルシウム）はＣａＣ０ｚ（炭酸カルシ
ウム）の加熱、ＢｚＯｓ（酸化硼素）はホウ酸（ＨＪＯ
ｓ）の加熱から得られるので、ＣａＯ１Ｂ、Ｏ，の一部
又は全部の代わりにそれぞれＣａＣ０゜、ＨｔＢＯｚを
用いることができる９本発明における抵抗体材料とはそ
の処理の過程で結果的にアルミニウムのモリブデン酸塩
とガラスとを主成分にするものであれば良い。

実施例次に本発明の詳細な説明する。

実施例１酸化物に換算して表１に示される組成になるように各成
分を秤量し、混合した。

表１表中、単位は重量％。

ガラスＡ１ガラスＢのそれぞれの混合物を各別にアルミ
ナ坩堝中で１４００℃で溶融し、その溶融液を水中に投
入し、急冷させた。この急冷物を取り出してエタノール
とともにポットミルの中に入れ、アルミナボールで２４
時間粉砕し、粒径１０μ閲以下のガラス粉末を得た。

また、酸化モリブデンとアルミニウムの酸化物からアル
ミニウムのモリブデン酸塩を得た。

次に、前記で得たガラスＡ１ガラスＢのそれぞれのガラ
ス粉末と前記で得たアルミニウムのモリブデン酸塩を表
２に示す割合になるように秤量し、混合した。

表２（実施例１）上記各試料を窒素（Ｎｚ）　９８．５　ｖｏ１％、水素
（Ｈｚ）１．５　ｖｏ１％のガス雰囲気中、１０００℃
、１時間熱処理し、しかる後にエタノールとともにボッ
トミルにて粉砕し、乾燥して１０μｍ以下のガラスとア
ルミニウムのモリブデン酸塩の熱処理粉末の抵抗体材料
粉末を得た。

次に各試料の抵抗体材料粉末１００重量部に有機物ビヒ
クル（プチルカービトール９０重量部、エチルセルロー
ズ１０重量部）２５重量部を加え、ロールミルで混合し
、抵抗体材料ペーストを得た。

一方、Ａ２□０３４０．０重量％、ＳｉＯ□３５．０重
量％、ｔｈＯｉ１３．０重量％、ＣａＯ７，０重量％、
ＭｇＯ５，０重量％からなるセラミック原料粉末１００
重量部にポリビニルブチラール８重量部、フタル酸ジエ
チル８重量部、オレイン酸０．５重量部、アセトン１０
重量部、イソプルピルアルコール２０重量部及びメチル
エチルケトン２０重量部を加えてボールミルにより混合
してスラリーを作製し、脱泡処理した後にドクターブレ
ード法により厚さ２００μｍの長尺のセラミックグリー
ンシートを作製した。このセラミックグリーンシートか
ら縦９　ｍｔＲ９ｔｍのグリーンシート片と、縦６鰭横
９■のグリーンシート片とを切り抜いた。

次に第１図に示す如く、上記の縦９ｆｌ横９龍のグリー
ンシーＩ・片１上に、銅粉末９５重量部、ガラスフリッ
ト５重量部に有機物ビヒクルとしてブチルカルピト−ル
２０重量部、エチルセルロース５重量部を加え、これら
を三木ロールミルにより混合した導体材料ペーストをシ
ルクスクリーン印刷し、１２５℃、１０分間乾燥させて
導体材料塗膜２を形成した。次いで、上記で得た抵抗体
材料ペース１を上記グリーンシート片１に上記と同様に
シルクスクリーン印刷し、１２５°Ｃ１１０分間乾燥さ
せて厚膜抵抗体用塗膜３を形成した。

次にグリーンシート片１上に前記で得た縦６冨烏横９ｍ
ｌのグリーンシート片４を図示鎖線で示すように重ね、
１００℃、１５０Ｋｇ／ｃＪで熱圧着する。次いで、こ
れを大気等の酸化性雰囲気中、４００〜５００℃で加熱
してグリーンシート片１．４、導体材料塗膜２、抵抗体
材料塗膜３のそれぞれの残留有機物を分解・燃焼させる
。

このようにして有機物を除去した後、Ｎｚ　９Ｂ、５ｖ
ｏ１％、Ｈｚ　１．５　ｖｏ１％の混合ガス中で、９５
０℃、１時間焼成し、第２図に示すようにグリーンシー
ト片１の焼成体の磁器Ｆｉｌａ、グリーンシート片４の
焼成体の磁器層４ａの間に導体材料塗膜２の焼成体の厚
膜導体２，１、抵抗体材料塗膜３の焼成体の厚膜抵抗体
３ａを有する多層セラミック基板を完成させた。この多
層セラミック基板には、後述する第３図、第４図に示さ
れるような反り、ふくれは見られなかった。

このようにして得られた焼成体の多層セラミック基板を
層方向に研磨して抵抗体層を露出させ、この露出した抵
抗体層をＸ線回折（Ｃｕ　Ｋ　ｃＸ線）により分析し、
得られた結果を第５図に示す。これによりアルミニウム
のモリブデン酸塩を確認することができた。

次にこの多層セラミック基板３ａの２５℃における抵抗
値（Ｒ２Ｓ）と、１２５℃に加熱したときの抵抗値（Ｒ
ａｇｓ）をデジタルマルチメータで測定し、抵抗の温度
係数（ＴＣＰ）を次式により求めた。

上記のＲ２Ｓの測定抵抗値及びＴＣＲの計算値を表２に
示した。

また、上記で得られた多層セラミック基板を６０℃、９
５％相対湿度のもとに１０００時間放置した後の２５゛
Ｃの抵抗値を測定し、その変化率を求めた結果を表２に
示す。

実施例２実施例１において、アルミニウムのモリブデン酸塩及び
ガラス粉末の混合物について窒素（Ｎ２）９８．５ｖｏ
１％、水素（Ｈｚ　）　１．５ｖｏ１％のガス雰囲気中
、１ｏｏｏ℃、１時間の熱処理を行わなかった以外は同
様にして表３に示す抵抗体材料から多層セラミック基板
を作成し、実施例１と同様にＲ２，、ＴＣＰ、抵抗変化
率を求め、これらを表３に示す。

（この頁以下余白）表３（実施例２）比較例１　（ＭｏＳｉｚ−ＴａＳｉｚガラス系抵抗体材
料）ＭｏＳｉｚ　１６重量部、Ｔａ５ｉｚ　９重量部の
混合物を真空中１４００℃で加熱し、その生成物をエタ
ノールとともにポットミル中アルミナポールで２４時間
粉砕し、乾燥させて１０μｍ以下の微粉末を得た。この
ようにして得た微粉末２５重量部に対し、ＢａＯ１８２
（ｈ、ＭｇＯ、ＣａＯ％　５ｉ（ｈからなるガラスフリ
フト７５重量部と、有機物ビヒクル（ブチルカルビ）−
ル２０重量部、エチルセルロース５重量部）２５重量部
とを加え、ロールミルで混合して抵抗体材料ペーストを
得た。

この抵抗体材料ペーストを用いた以外は実施例１と同様
にして多層セラミック基板を得た。

その結果、セラミックグリーンシートに抵抗体材料塗膜
を形成し、これを加熱処理して有機物を除去した後に同
時焼成して得たものは、両者の焼成体に膨張率、収縮率
が異なることにより第３図に示すように反りが見られ、
また、ＭｏＳｉ２、Ｔａ５ｉｚの分解反応でＳｉＯ□気
体が発生することにより第４図に示すようにふ（れが生
じ、実用に供することができなかった。なお、ｌｌａは
上記磁器層１ａ、１４ａは上記磁器Ｆ４ａ、　１３ａは
上記厚膜抵抗体３ａにそれぞれ対応する磁器層、厚膜抵
抗体である。

比較例２（ＭｏＳｉｚ−ＢａＦ、ガラス系抵抗体材料）
ＭｏＳｉｚ　７０重量部、ＢａＦｚ　２０重量部と、Ｓ
ｉｎｇ、ＺｎＯ、ＺｒＯ２、ＣａＯ−、ＡｌｚＣｈから
なるガラスフリソ１−１０重量部とをボールミルで混合
し、得られた粉末をアルゴン（Ａｒ）ガス雰囲気中１２
００℃で熱処理した後、これをエタノールとともにポッ
トミル中アルミナポールで２４時間粉砕し、乾燥させて
１０μｍ以下の微粉末を得た。

この抵抗体材料ペーストを用いた以外は実施例１と同様
にして多層セラミック基板を得た。この多層セラミック
基板の厚膜抵抗体についても実施例１と同様にして求め
たＲｚｓ　、’ＴＣＲ及び抵抗値の変化率を表４に示す
。

上記結果より、実施例の多層セラミック基板はいずれも
反り、ふくれがなく、抵抗値の変化率も±２％以内であ
るのに対し、比較例１の多層セラミック基板は反りが見
られ、比較例２の多層セラミンク基板は抵抗値の変化率
が４倍も大きいことがわかる。

発明の効果本発明によれば、アルミニウムのモリブデン酸塩を含有
する電気抵抗体を提供できるので、例えば゛アルミニウ
ムのモリブデン酸塩、ガラスを主成分とする抵抗体材料
を用いて、例えば卑金属導体材料とともに非酸化性雰囲
気中でセラミックグリ−シートとともに焼成することに
より抵抗体を形成するようにすると、焼成することによ
り焼成体に反りやふくれが生じるようなことはなく、ま
た、抵抗体の特に高湿度下の経時変化を小さくできる。

これにより、抵抗体を組み込んだ回路木板の小型化、コ
ストの低減の両方の要求を満たし、回路基板の一層の性
能の向上に寄与できる。

また、アルミニウムのモリブデン酸塩を例えばガラスと
熱処理し、この熱処理した抵抗体材料を焼成して抵抗体
にすると、抵抗の温度変化係数の絶対値を小さくするこ
とができ、回路の性能をさらに向上することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の電気抵抗体を製造するときの焼成前の
抵抗体材料塗膜と導体材料塗膜を基板に形成し、多層構
造にしようとする状態の一例を示す図、第２図はその焼
成体の断面図、第３図は従来の抵抗体材料を使用して多
層構造にしたときの焼成体の断面図、第４図はさらにそ
の焼成体にガスが発生した状態を示す説明図、第５図は
本発明の一実施例の電気抵抗体からアルミニウムのモリ
ブデン酸塩を検出したときのＸ線回折図である。図中、１．４はグリーンシート片、２は導体材料塗膜、
３は抵抗体材料塗膜、１ａ、４ａは磁器層、２ａは厚膜
導体、３ａは厚膜抵抗体である。昭和６２年０２月２８日第１図第３図第４図第５図Ｘ線回折図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）アルミニウムのモリブデン酸塩を含有する焼成体
を有することを特徴とする電気抵抗体。
（２）焼成体はアルミニウムのモリブデン酸塩及びその
前駆体の内の少なくとも一種を主成分に含有する抵抗体
材料から焼成されることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の電気抵抗体。
（３）抵抗体材料の主成分はアルミニウムのモリブデン
酸塩及びその前駆体の内の少なくとも一種を当該アルミ
ニウムのモリブデン酸塩に換算して５０〜９６重量％と
、ガラス４〜５０重量％とからなることを特徴とする特
許請求の範囲第２項記載の電気抵抗体。
（４）主成分にアルミニウムのモリブデン酸塩及びその
前駆体の内の少なくとも一種を含有する抵抗体材料を熱
処理し、この熱処理して得られた抵抗体材料を用いて焼
成し、アルミニウムのモリブデン酸塩を含有する焼成体
からなる電気抵抗体を得ることを特徴とする電気抵抗体
の製造方法。
（５）熱処理前の抵抗体材料の主成分はアルミニウムの
モリブデン酸塩及びその前駆体の内の少なくとも一種を
当該アルミニウムのモリブデン酸塩に換算して５０〜９
６重量％と、ガラス４〜５０重量％とからなることを特
徴とする特許請求の範囲第４項記載の電気抵抗体の製造
方法。