JPS63213302A - 電気抵抗体及びその製造方法 - Google Patents
電気抵抗体及びその製造方法Info
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- JPS63213302A JPS63213302A JP62045601A JP4560187A JPS63213302A JP S63213302 A JPS63213302 A JP S63213302A JP 62045601 A JP62045601 A JP 62045601A JP 4560187 A JP4560187 A JP 4560187A JP S63213302 A JPS63213302 A JP S63213302A
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Landscapes
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、固定チップ抵抗器あるいは回路配線基板等に
設けられる厚膜タイプの電気抵抗体、特に非酸化性雰囲
気中で焼成して得られることが可能な電気抵抗体及びそ
の製造方法に関する。
設けられる厚膜タイプの電気抵抗体、特に非酸化性雰囲
気中で焼成して得られることが可能な電気抵抗体及びそ
の製造方法に関する。
従来の技術
電子機器の電気回路は、抵抗、コンデンサ、ダイオード
、トランジスタ等の各種電気素子が回路基板に実装され
て構成されることが良く行われているが、電子機器の小
型化に伴ってこれらの電気素子の実装密度をさらに高め
ることができる回路基板が多く用いられるようになって
きた。
、トランジスタ等の各種電気素子が回路基板に実装され
て構成されることが良く行われているが、電子機器の小
型化に伴ってこれらの電気素子の実装密度をさらに高め
ることができる回路基板が多く用いられるようになって
きた。
これらの回路基板に設けられる抵抗体には、抵抗体材料
ペーストを回路上に直接印刷して焼付けることにより形
成した厚膜抵抗体、あるいは角板状セラミックチップの
両端に一対の電極を形成し、双方の電極に跨がるように
前記厚膜抵抗体を形成した固定チップ抵抗器等がある。
ペーストを回路上に直接印刷して焼付けることにより形
成した厚膜抵抗体、あるいは角板状セラミックチップの
両端に一対の電極を形成し、双方の電極に跨がるように
前記厚膜抵抗体を形成した固定チップ抵抗器等がある。
このような厚膜抵抗体を回路基板に設けるには、従来、
例えば1500℃前後で焼成して得られたアルミナ基板
の表面にAgあるいはAg−Pd等の導体材料ペースト
を塗布し、焼付けした後、例えばRungを抵抗体材料
として含有するペーストをスクリーン印刷等により塗布
し、ついで750〜850℃で焼付け、さらに必要に応
じてトリミング等により抵抗値の調整を行なうやり方が
一般的である。
例えば1500℃前後で焼成して得られたアルミナ基板
の表面にAgあるいはAg−Pd等の導体材料ペースト
を塗布し、焼付けした後、例えばRungを抵抗体材料
として含有するペーストをスクリーン印刷等により塗布
し、ついで750〜850℃で焼付け、さらに必要に応
じてトリミング等により抵抗値の調整を行なうやり方が
一般的である。
しかしながら近年、電子機器等に対する軽薄・短小化、
低コスト化の要求がさらに強まってきており、回路基板
に対しても一層の小型化、低コスト化の検討が行われる
ようになってきた。
低コスト化の要求がさらに強まってきており、回路基板
に対しても一層の小型化、低コスト化の検討が行われる
ようになってきた。
前者の小型化のための具体的な対応としては、第1に回
路基板の多層化、第2に抵抗体の内装化が行なわれてい
る。回路基板を多層化した例としては、AgあるいはA
g−Pd系等の導体材料ペーストを印刷したセラミック
グリーンシート(生シート)を積層、圧着した後、大気
中8oo〜1100℃で同時焼成して得られる多層配線
基板が挙げられ、また、抵抗体を内装化した例としては
、前記導体材料ペーストを印刷したセラミックグリーン
シート上にさらにRub、系抵抗体材料ペーストを印刷
し、前記と同様に積層、圧着した後、同時焼成して得ら
れる抵抗体内装多層配線基板等が知られている。
路基板の多層化、第2に抵抗体の内装化が行なわれてい
る。回路基板を多層化した例としては、AgあるいはA
g−Pd系等の導体材料ペーストを印刷したセラミック
グリーンシート(生シート)を積層、圧着した後、大気
中8oo〜1100℃で同時焼成して得られる多層配線
基板が挙げられ、また、抵抗体を内装化した例としては
、前記導体材料ペーストを印刷したセラミックグリーン
シート上にさらにRub、系抵抗体材料ペーストを印刷
し、前記と同様に積層、圧着した後、同時焼成して得ら
れる抵抗体内装多層配線基板等が知られている。
また、後者の低コスト化のための具体的な対応としては
、AgあるいはAg−Pd系材料のような高価な貴金属
系の導体材料に代わって、安価なNiあるいはCu等の
卑金属系の導体材料を用い、これらを窒素ガスあるいは
水素を含む窒素ガス中等、その酸化による高抵抗化を避
けることができるような中性あるいは還元性の非酸化性
雰囲気中、800〜1100℃でグリーンセラミックと
同時焼成して得られる多層配線基板が実用化されている
。また、特開昭56−153702号公報に記載されて
いるように、Mo5iz−TaSiz及びガラスからな
る抵抗体材料を、銅(Cu) 導体を有するアルミナ基
板上に塗布し、熱処理して得らねる厚膜抵抗体等も知ら
れている。
、AgあるいはAg−Pd系材料のような高価な貴金属
系の導体材料に代わって、安価なNiあるいはCu等の
卑金属系の導体材料を用い、これらを窒素ガスあるいは
水素を含む窒素ガス中等、その酸化による高抵抗化を避
けることができるような中性あるいは還元性の非酸化性
雰囲気中、800〜1100℃でグリーンセラミックと
同時焼成して得られる多層配線基板が実用化されている
。また、特開昭56−153702号公報に記載されて
いるように、Mo5iz−TaSiz及びガラスからな
る抵抗体材料を、銅(Cu) 導体を有するアルミナ基
板上に塗布し、熱処理して得らねる厚膜抵抗体等も知ら
れている。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、回路基板の小型化と低コスト化を同時に
行なうようにすると、RuO2系抵抗体材料は窒素ガス
あるいは水素を含む窒素ガス雰囲気中でグリーンセラミ
ックと同時焼成したときに還元反応が起こり、抵抗値が
低くなって抵抗体としその特性を示さなくなる。
行なうようにすると、RuO2系抵抗体材料は窒素ガス
あるいは水素を含む窒素ガス雰囲気中でグリーンセラミ
ックと同時焼成したときに還元反応が起こり、抵抗値が
低くなって抵抗体としその特性を示さなくなる。
また、Mo5iz−TaSiz及びガラスからなる抵抗
体材料を非酸化性雰囲気中でグリーンセラミックシート
と同時焼成すると、両者の膨張率、収縮率の相違による
ずれにより焼成体に反りが生じたり、Mo5iz−Ta
Sizの分解反応によりガスが発生して焼成体にふくれ
が生じ易いと云う問題点がある。これを改善するために
、特開昭60−198703号公報に記載されているよ
うに、MoS i 2−弗化金属塩(例えば弗化カルシ
ウム)及びガラスよりなる抵抗体材料を用いる例が知ら
れており、これについては上記のような焼成時の反りや
ふくれは見られない。
体材料を非酸化性雰囲気中でグリーンセラミックシート
と同時焼成すると、両者の膨張率、収縮率の相違による
ずれにより焼成体に反りが生じたり、Mo5iz−Ta
Sizの分解反応によりガスが発生して焼成体にふくれ
が生じ易いと云う問題点がある。これを改善するために
、特開昭60−198703号公報に記載されているよ
うに、MoS i 2−弗化金属塩(例えば弗化カルシ
ウム)及びガラスよりなる抵抗体材料を用いる例が知ら
れており、これについては上記のような焼成時の反りや
ふくれは見られない。
しかしながら、このMo5iz−弗化金属及びガラスよ
りなる抵抗体材料をグリーンセラミックシートに塗布し
、同時焼成して得られた厚膜抵抗体は、95%相対湿度
中に1000時間放置すると、5〜10%の抵抗値の増
加が見られ、抵抗体としての所定の機能を果たすことが
できない。
りなる抵抗体材料をグリーンセラミックシートに塗布し
、同時焼成して得られた厚膜抵抗体は、95%相対湿度
中に1000時間放置すると、5〜10%の抵抗値の増
加が見られ、抵抗体としての所定の機能を果たすことが
できない。
本発明の目的は、固定チップ抵抗器あるいは一般の回路
基板等に使用できるのみならず、卑金属導体材料ととも
に積層して多層基板に内装化することのできる電気抵抗
体であって、抵抗値の安定な電気抵抗体を提供すること
にある。
基板等に使用できるのみならず、卑金属導体材料ととも
に積層して多層基板に内装化することのできる電気抵抗
体であって、抵抗値の安定な電気抵抗体を提供すること
にある。
また、本発明の他の目的は、前記電気抵抗体の特性をよ
り一層向上させることのできる製造法を提供することに
ある。
り一層向上させることのできる製造法を提供することに
ある。
問題点を解決するための手段
本発明は、上記問題点を解決するために、アルカリ土類
金属のモリブデン酸塩を含有する焼成体を有することを
特徴とする電気抵抗体を提供するものである。
金属のモリブデン酸塩を含有する焼成体を有することを
特徴とする電気抵抗体を提供するものである。
また、本発明は、主成分にアルカリ土類金属のモリブデ
ン酸塩及びその前駆体の内の少なくとも一種を含有する
抵抗体材料を熱処理し、この熱処理して得られた抵抗体
材料を用いて焼成し、アルカリ土類金属のモリブデン酸
塩を含有する焼成体からなる電気抵抗体を得ることを特
徴とする電気抵抗体の製造方法を提供するものである。
ン酸塩及びその前駆体の内の少なくとも一種を含有する
抵抗体材料を熱処理し、この熱処理して得られた抵抗体
材料を用いて焼成し、アルカリ土類金属のモリブデン酸
塩を含有する焼成体からなる電気抵抗体を得ることを特
徴とする電気抵抗体の製造方法を提供するものである。
次に本発明の詳細な説明する。
本発明におけるアルカリ土類金属のモリブデン酸塩には
、Meをアルカリ土類金属とすると、一般式MeMoO
a、MeMoOイMeJo05 、MeJOiO++等
で表されるものが好ましく、これらは単独のみならず、
複数混合しても使用できる。具体的には、例えばMgM
o0.、CaMo0t、SrMo0+、Bacon、、
BaMozO,、。
、Meをアルカリ土類金属とすると、一般式MeMoO
a、MeMoOイMeJo05 、MeJOiO++等
で表されるものが好ましく、これらは単独のみならず、
複数混合しても使用できる。具体的には、例えばMgM
o0.、CaMo0t、SrMo0+、Bacon、、
BaMozO,、。
lllVO40+s、BaMoyOza、BaMo5O
+a、Ca、MoO,、SrMo0+ 、BalMo0
6 s BaJoOi 、HgzPIox03r等の単
独物質あるいはこれらの混合物が例示される。
+a、Ca、MoO,、SrMo0+ 、BalMo0
6 s BaJoOi 、HgzPIox03r等の単
独物質あるいはこれらの混合物が例示される。
2種以上のアルカリ土類金属からなる塩としては、(M
gX Ca、 )Mo04、但し、x +y ”1、(
Ca、 Sr、 )MOO4、但し、x +y =1
、(Mgx Ba、 )Mo04. 、但し、x +y
=1、(Mg、 Ca、 13a、 )Mo04 、
但し、x +y +z =1 、(Caw Sr、 B
ag )Mode 、但し、x +y +2−1、(M
gx Ca、 Sr、 Baw)MOO4、但し、X
+y +z +w =1、(CaxSr、 )MoOi
、但し、x +y−1、(Sr、 Ba、 )MOO
& 、但し、x +y −1等が例示され、これらは単
数又は複数、さらには上記の各金属の塩と混合して用い
られる。
gX Ca、 )Mo04、但し、x +y ”1、(
Ca、 Sr、 )MOO4、但し、x +y =1
、(Mgx Ba、 )Mo04. 、但し、x +y
=1、(Mg、 Ca、 13a、 )Mo04 、
但し、x +y +z =1 、(Caw Sr、 B
ag )Mode 、但し、x +y +2−1、(M
gx Ca、 Sr、 Baw)MOO4、但し、X
+y +z +w =1、(CaxSr、 )MoOi
、但し、x +y−1、(Sr、 Ba、 )MOO
& 、但し、x +y −1等が例示され、これらは単
数又は複数、さらには上記の各金属の塩と混合して用い
られる。
このようなアルカリ土類金属のモリブデン酸塩は、アル
カリ土類金属の各々の金属酸化物の前駆体となる物質と
酸化モリブデン(MoOz)又はその前駆体とを所定の
モル比で混合し、熱処理することにより合成することが
できる0例えばCaOの前駆体となる、例えば炭酸カル
シウム(CaC05)又は水酸化カルシウム(Ca (
OR) z)と酸化モリブデン(MoOi)又はその前
駆体となる、例えばモリブデン酸(H!MoO#)とを
CaMoO4の場合には等モル比、Ca2Mo0゜の場
合には3:1のモル比で混合し、熱処理する。
カリ土類金属の各々の金属酸化物の前駆体となる物質と
酸化モリブデン(MoOz)又はその前駆体とを所定の
モル比で混合し、熱処理することにより合成することが
できる0例えばCaOの前駆体となる、例えば炭酸カル
シウム(CaC05)又は水酸化カルシウム(Ca (
OR) z)と酸化モリブデン(MoOi)又はその前
駆体となる、例えばモリブデン酸(H!MoO#)とを
CaMoO4の場合には等モル比、Ca2Mo0゜の場
合には3:1のモル比で混合し、熱処理する。
このときの熱処理条件としては、600〜1000℃、
1〜3時間が挙げられる。他のアルカリ土類金属につい
ても同様である。
1〜3時間が挙げられる。他のアルカリ土類金属につい
ても同様である。
また、前記アルカリ土類金属のモリブデン酸塩は、アル
カリ土類金属酸化物と酸化モリブデン(MoOi)の熱
処理によっても合成することができる。
カリ土類金属酸化物と酸化モリブデン(MoOi)の熱
処理によっても合成することができる。
例えばCaOとMob、を熱処理することによってカル
シウムのモリブデン酸塩が合成されるが、この場合Mo
O3が昇華し易いため、加圧しながら熱処理することが
好ましい。他のアルカリ土類金属についても同様である
。
シウムのモリブデン酸塩が合成されるが、この場合Mo
O3が昇華し易いため、加圧しながら熱処理することが
好ましい。他のアルカリ土類金属についても同様である
。
本発明においてはバインダーを用いることが好ましく、
これにはガラスが挙げられが、このガラスとしては一般
に知られているガラスが用いられ、特定の組成のガラス
に限定されるものではないが、Pb5(14、B1x0
2 、Snow、CdOのような酸化物は、これらを含
む抵抗体材料を非酸化性雰囲気中で焼成するときに還元
されて金属化することがあり、この金属は抵抗値を変化
させるので、このようなことが起こることが好ましくな
い場合にはこれらの酸化物を含有しないことが好ましい
。
これにはガラスが挙げられが、このガラスとしては一般
に知られているガラスが用いられ、特定の組成のガラス
に限定されるものではないが、Pb5(14、B1x0
2 、Snow、CdOのような酸化物は、これらを含
む抵抗体材料を非酸化性雰囲気中で焼成するときに還元
されて金属化することがあり、この金属は抵抗値を変化
させるので、このようなことが起こることが好ましくな
い場合にはこれらの酸化物を含有しないことが好ましい
。
ガラス成分としては、Sing、B2O3、ZnO、C
aO1SrOs ZrO□などが好ましく、これらの酸
化物の組成比は、 Sing 12〜33 重量% hOz 20〜35 重量% ZnO又は5r013〜33 重量%CaO10〜2
5 重量% ZrO□15〜45 重量% が好ましい。
aO1SrOs ZrO□などが好ましく、これらの酸
化物の組成比は、 Sing 12〜33 重量% hOz 20〜35 重量% ZnO又は5r013〜33 重量%CaO10〜2
5 重量% ZrO□15〜45 重量% が好ましい。
これら酸化物の組成物からガラスを製造するには、前記
組成比になるようにそれぞれの酸化物を秤量し、混合す
る。この混合物を坩堝に入れ、1200〜1500℃の
温度にて溶融した後、溶融液を例えば水中に投入し、急
冷させ、ガラス粗粉を得る。
組成比になるようにそれぞれの酸化物を秤量し、混合す
る。この混合物を坩堝に入れ、1200〜1500℃の
温度にて溶融した後、溶融液を例えば水中に投入し、急
冷させ、ガラス粗粉を得る。
この粗粉を例えばボールミル、振動ミルなどの粉砕手段
を用いて所望の粒度(例えば10μm以下)になるまで
粉砕すると、ガラス粉末が得られる。
を用いて所望の粒度(例えば10μm以下)になるまで
粉砕すると、ガラス粉末が得られる。
前記は純粋の酸化物を混合して用いたが、これに限らず
結果的に各酸化物の混合物からなるガラスになれば良く
、各酸化物の前駆体をその一部又は全部に用い、これを
溶融してガラスにしても良い。例えばCaO(酸化カル
シウム)はCaC0ユ(炭酸カルシウム) 、82oz
(酸化硼素)はホウ酸(HJ(h)の熱処理により得ら
れるので、CaO% BzOzの一部又はその全部の代
わりにそれぞれCaC0= 、H,BO。
結果的に各酸化物の混合物からなるガラスになれば良く
、各酸化物の前駆体をその一部又は全部に用い、これを
溶融してガラスにしても良い。例えばCaO(酸化カル
シウム)はCaC0ユ(炭酸カルシウム) 、82oz
(酸化硼素)はホウ酸(HJ(h)の熱処理により得ら
れるので、CaO% BzOzの一部又はその全部の代
わりにそれぞれCaC0= 、H,BO。
を用いることができる。その他の成分の酸化物について
も同様である。
も同様である。
前記のようにして得られるアルカリ土類金属のモリブデ
ン酸塩、ガラス粉末は混合され、そのまま抵抗体材料と
して用いても良いが、これを熱処理して粉砕したものを
抵抗体材料とすることがこれを焼成して得た抵抗体の抵
抗温度特性の上で好ましい。この熱処理温度としては、
800℃〜1200℃が好ましく、これより外れると抵
抗体材料を電気抵抗体に加工する各工程の作業条件等に
よる組成比の微妙な変動に対し、出来上がった抵抗体の
抵抗値が影響を受は易く、所望の抵抗値を安定して得る
ことが難しい。この熱処理は非酸化性雰囲気が望ましく
、窒素ガスその他事活性ガス、あるいはこれらに水素ガ
スを含有させた混合ガスを用いることが好ましい。
ン酸塩、ガラス粉末は混合され、そのまま抵抗体材料と
して用いても良いが、これを熱処理して粉砕したものを
抵抗体材料とすることがこれを焼成して得た抵抗体の抵
抗温度特性の上で好ましい。この熱処理温度としては、
800℃〜1200℃が好ましく、これより外れると抵
抗体材料を電気抵抗体に加工する各工程の作業条件等に
よる組成比の微妙な変動に対し、出来上がった抵抗体の
抵抗値が影響を受は易く、所望の抵抗値を安定して得る
ことが難しい。この熱処理は非酸化性雰囲気が望ましく
、窒素ガスその他事活性ガス、あるいはこれらに水素ガ
スを含有させた混合ガスを用いることが好ましい。
抵抗体材料の各成分の組成比は、アルカリ土類金属のモ
リブデン酸塩30〜96重量%、ガラス粉末4〜70重
量%が好ましい。この範囲よりアルカリ土類金属のモリ
ブデン酸塩が少な過ぎ、ガラスが多過ぎると、焼成して
出来上がった電気抵抗体の抵抗値が高くなり過ぎ好まし
くない場合があり、また、逆にアルカリ土類金属のモリ
ブデン酸塩が多過ぎ、ガラスが少な過ぎると焼成時の焼
結性が悪くなり回路基板に安定に保持できないことがあ
る。しかし、抵抗体を回路基板を積層して埋め込むよう
な場合にはアルカリ土類金属のモリブデン酸塩が上記範
囲より多い場合のみならず、100%でも良い。
リブデン酸塩30〜96重量%、ガラス粉末4〜70重
量%が好ましい。この範囲よりアルカリ土類金属のモリ
ブデン酸塩が少な過ぎ、ガラスが多過ぎると、焼成して
出来上がった電気抵抗体の抵抗値が高くなり過ぎ好まし
くない場合があり、また、逆にアルカリ土類金属のモリ
ブデン酸塩が多過ぎ、ガラスが少な過ぎると焼成時の焼
結性が悪くなり回路基板に安定に保持できないことがあ
る。しかし、抵抗体を回路基板を積層して埋め込むよう
な場合にはアルカリ土類金属のモリブデン酸塩が上記範
囲より多い場合のみならず、100%でも良い。
このようにして得られた抵抗体材料粉末から固定チップ
抵抗器あるいは厚膜抵抗体のための抵抗体を作成するに
は、例えばセラミックグリーンシートにこれらの抵抗体
材料粉末を塗布し、焼成するが、この塗布を行うために
は例えばシルクスクリーン印刷ができるようにこれら抵
抗体材料粉末にビヒクルが混合され塗液が調整される。
抵抗器あるいは厚膜抵抗体のための抵抗体を作成するに
は、例えばセラミックグリーンシートにこれらの抵抗体
材料粉末を塗布し、焼成するが、この塗布を行うために
は例えばシルクスクリーン印刷ができるようにこれら抵
抗体材料粉末にビヒクルが混合され塗液が調整される。
このビヒクルは、焼成の前段階で焼失できるようなもの
が好ましく、このためには有機物ビヒクル、すなわちを
機溶剤に樹脂を溶解又は分散させ、必要に応じて可塑剤
、分散剤その他の各種添加剤を加えたものが好ましい。
が好ましく、このためには有機物ビヒクル、すなわちを
機溶剤に樹脂を溶解又は分散させ、必要に応じて可塑剤
、分散剤その他の各種添加剤を加えたものが好ましい。
この有機溶剤にはプチルカービトールアセテート、プチ
ルカービトール、テレピン油などが挙げられ、樹脂とし
てはエチルセルローズ、ニトロセルローズ等のセルロー
ズ誘導体、その他の樹脂が挙げられる。 ゛ この有機物ビヒクルと抵抗体材料粉末との使用割合は使
用するを機溶剤、樹脂等により変わるが、存機溶剤と樹
脂との使用割合は前者が20〜50重量%、後者が80
〜50重量%が適当である。これらの成分は例えば三本
ロールミル、らいかい器などの混合手段を用いてペース
ト状にされる。
ルカービトール、テレピン油などが挙げられ、樹脂とし
てはエチルセルローズ、ニトロセルローズ等のセルロー
ズ誘導体、その他の樹脂が挙げられる。 ゛ この有機物ビヒクルと抵抗体材料粉末との使用割合は使
用するを機溶剤、樹脂等により変わるが、存機溶剤と樹
脂との使用割合は前者が20〜50重量%、後者が80
〜50重量%が適当である。これらの成分は例えば三本
ロールミル、らいかい器などの混合手段を用いてペース
ト状にされる。
このようにして得られた抵抗体材料ペーストが基板に塗
布され、これがさらに後述の処理を施されて抵抗体が作
成されるが、この基板にはセラミックグリーンシートを
導体材料や抵抗体材料とともに焼成して作成するものの
みならず、予めセラミックグリーンシートを焼成し、こ
れにさらに抵抗体材料、導体材料を塗布した後焼成する
方法でも良い。これらは積層体を形成する場合にも適用
できる。
布され、これがさらに後述の処理を施されて抵抗体が作
成されるが、この基板にはセラミックグリーンシートを
導体材料や抵抗体材料とともに焼成して作成するものの
みならず、予めセラミックグリーンシートを焼成し、こ
れにさらに抵抗体材料、導体材料を塗布した後焼成する
方法でも良い。これらは積層体を形成する場合にも適用
できる。
前記セラミックグリーンシートとしては、例えば酸化ア
ルミニウム(A N z(h)35〜45重量%、酸化
珪素(SiO□)25〜35重量%、酸化硼素(”20
3) 10〜15重世%、酸化カルシウム(Cab)
7〜13重量%、酸化マグネシウム(MgO)7〜lO
重景%等のセラミック構成成分の酸化物混合物を有機物
ビヒクルとボールミル等で混合したスラリーをドクター
ブレード等によりシiト化したものが挙げられる。この
際、アルカリ土類金属のモリブデン酸塩にガラスを併用
しないときは、前記セラミックグリーンシートにガラス
分を多(含ませガラスを併用したと同様の効果を出すよ
うにしても良い。前記有機物ビヒクルには、アクリル酸
エステル等のアクリル樹脂、ポリビニルブチラール等の
樹脂、グリセリン、)タル酸ジエチル等の可塑剤、カル
ボン酸塩等の分散剤、水、有機溶剤等の溶剤から構成さ
れる。
ルミニウム(A N z(h)35〜45重量%、酸化
珪素(SiO□)25〜35重量%、酸化硼素(”20
3) 10〜15重世%、酸化カルシウム(Cab)
7〜13重量%、酸化マグネシウム(MgO)7〜lO
重景%等のセラミック構成成分の酸化物混合物を有機物
ビヒクルとボールミル等で混合したスラリーをドクター
ブレード等によりシiト化したものが挙げられる。この
際、アルカリ土類金属のモリブデン酸塩にガラスを併用
しないときは、前記セラミックグリーンシートにガラス
分を多(含ませガラスを併用したと同様の効果を出すよ
うにしても良い。前記有機物ビヒクルには、アクリル酸
エステル等のアクリル樹脂、ポリビニルブチラール等の
樹脂、グリセリン、)タル酸ジエチル等の可塑剤、カル
ボン酸塩等の分散剤、水、有機溶剤等の溶剤から構成さ
れる。
上記抵抗体材料ペーストはセラミックグリーンシートに
例えばシルクスクリーン印刷等の手段により塗布され、
乾燥後、400〜500℃で熱処理されて樹脂成分が分
解・燃焼されるのが好ましい。
例えばシルクスクリーン印刷等の手段により塗布され、
乾燥後、400〜500℃で熱処理されて樹脂成分が分
解・燃焼されるのが好ましい。
この際、同時にNiあるいはCu等の卑金属導体材料あ
るいはAg又はAg−Pdの貴金属導体材料のペースト
も抵抗体材料ペースト塗膜と同様にセラミックグリーン
シートに塗布され、抵抗体材料ペーストの塗布物と同様
に処理される。
るいはAg又はAg−Pdの貴金属導体材料のペースト
も抵抗体材料ペースト塗膜と同様にセラミックグリーン
シートに塗布され、抵抗体材料ペーストの塗布物と同様
に処理される。
このNiあるいノよCu等の卑金属導体材料あるいはA
g又はAg−Pdの貴金属導体材料のペースト組成物と
しては、各々の金属粉末98〜85重量%にガラスフリ
フトを2〜15重量%添加したものが例示される。
g又はAg−Pdの貴金属導体材料のペースト組成物と
しては、各々の金属粉末98〜85重量%にガラスフリ
フトを2〜15重量%添加したものが例示される。
このようにしてセラミックグリーンシートに抵抗体材料
及び/又は導体材料が組み込まれるが、固定チップ抵抗
器の場合にはこの未焼成基板の表面のみ、多層基板の厚
膜抵抗体の場合には前記抵抗体材料、導体材料を未焼成
状態で組み込んだものをさらに積層して所定の回路を構
成するようにしてから焼成する。この焼成により導体材
料及び/又は厚膜抵抗体材料を基板と同時に焼成体にす
ることができる。
及び/又は導体材料が組み込まれるが、固定チップ抵抗
器の場合にはこの未焼成基板の表面のみ、多層基板の厚
膜抵抗体の場合には前記抵抗体材料、導体材料を未焼成
状態で組み込んだものをさらに積層して所定の回路を構
成するようにしてから焼成する。この焼成により導体材
料及び/又は厚膜抵抗体材料を基板と同時に焼成体にす
ることができる。
この場合、NiあるいはCu等の卑金属導体材料が導体
材料に用いられるときは、その酸化による高抵抗値化を
防止するために、非酸化性雰囲気中で焼成することが好
ましく、その焼成温度は、例えば800℃〜1100℃
、0.5時間〜2時間が例示される。非酸化性雰囲気と
しては、窒素ガスその他事活性ガス、これらに水素ガス
を含有させた混合ガスも用いられる。また、Ag又はA
g−Pdの貴金属導体材料を用いるときは空気等の酸化
性雰囲気中で焼成することもできる。
材料に用いられるときは、その酸化による高抵抗値化を
防止するために、非酸化性雰囲気中で焼成することが好
ましく、その焼成温度は、例えば800℃〜1100℃
、0.5時間〜2時間が例示される。非酸化性雰囲気と
しては、窒素ガスその他事活性ガス、これらに水素ガス
を含有させた混合ガスも用いられる。また、Ag又はA
g−Pdの貴金属導体材料を用いるときは空気等の酸化
性雰囲気中で焼成することもできる。
前記のようにして導体及び/又は抵抗体を組み込んだ回
路配線基板が出来上がるが、焼成基板と導体の間は勿論
のこと、焼成基板と抵抗体との間にも焼成に伴ってクラ
ンク、歪み、ふくれ等を生じることがないとともに、抵
抗体は高温高湿度雰囲気中に1000時間以上放置され
てもその抵抗値が±2%以内の変化に抑制され、その高
い信幀性を確保することができる。これは抵抗体が導体
及び焼成基板と良くマツチングするためと、アルカリ土
類金属のモリブデン酸塩とガラスの焼成体からなる抵抗
体の独特の耐湿性に基づくものと考えられるが詳細は明
らかでない、なお、X線回折分析により前記抵抗体中に
アルカリ土類金属のモリブデン酸塩を認めることができ
る。
路配線基板が出来上がるが、焼成基板と導体の間は勿論
のこと、焼成基板と抵抗体との間にも焼成に伴ってクラ
ンク、歪み、ふくれ等を生じることがないとともに、抵
抗体は高温高湿度雰囲気中に1000時間以上放置され
てもその抵抗値が±2%以内の変化に抑制され、その高
い信幀性を確保することができる。これは抵抗体が導体
及び焼成基板と良くマツチングするためと、アルカリ土
類金属のモリブデン酸塩とガラスの焼成体からなる抵抗
体の独特の耐湿性に基づくものと考えられるが詳細は明
らかでない、なお、X線回折分析により前記抵抗体中に
アルカリ土類金属のモリブデン酸塩を認めることができ
る。
本発明においてほこ上記の如くアルカリ土類金属のモリ
ブデン酸塩を用いても良いが、このアルカリ土類金属の
モリブデン酸塩の代わりに熱処理によりアルカリ土類金
属のモリブデン酸塩となる前駆体を一部又は全部用いる
こともできる。これらのいずれの場合もガラスと混合し
て熱処理したものを粉砕し、抵抗体材料とすることが好
ましいが、この熱処理を行わず上述の有機物ビヒクル等
と混合して作成したペーストを例えばグリーンセラミッ
クシートに塗布してから、有機物除去の加熱処理を経て
焼成し、直接抵抗体を作成することもできる。
ブデン酸塩を用いても良いが、このアルカリ土類金属の
モリブデン酸塩の代わりに熱処理によりアルカリ土類金
属のモリブデン酸塩となる前駆体を一部又は全部用いる
こともできる。これらのいずれの場合もガラスと混合し
て熱処理したものを粉砕し、抵抗体材料とすることが好
ましいが、この熱処理を行わず上述の有機物ビヒクル等
と混合して作成したペーストを例えばグリーンセラミッ
クシートに塗布してから、有機物除去の加熱処理を経て
焼成し、直接抵抗体を作成することもできる。
また、ガラスはこれを構成する酸化物の混合材料がアル
カリ土類金属のモリブデン酸塩とともに ′結
果的に焼成される状態におかれれば良く、これらの酸化
物の前駆体をアルカリ土類金属のモリブデン酸塩及び/
又はその前駆体とともにこの酸化物の一部又は全部を上
述したようにペースト状態にし、これを基板に塗布して
有機物の燃焼、その後の焼成のいずれの過程で上記のガ
ラス成分からなるガラスになり、これとアルカリ土類金
属のモリブデン酸塩及び/又はその前駆体と焼成されこ
とにより抵抗体を作製できるものであれば良い。
カリ土類金属のモリブデン酸塩とともに ′結
果的に焼成される状態におかれれば良く、これらの酸化
物の前駆体をアルカリ土類金属のモリブデン酸塩及び/
又はその前駆体とともにこの酸化物の一部又は全部を上
述したようにペースト状態にし、これを基板に塗布して
有機物の燃焼、その後の焼成のいずれの過程で上記のガ
ラス成分からなるガラスになり、これとアルカリ土類金
属のモリブデン酸塩及び/又はその前駆体と焼成されこ
とにより抵抗体を作製できるものであれば良い。
例えば、ガラスの材料の成分であるCaO(酸化カルシ
ウム)はCaC0z(炭酸カルシウム)の加熱、BzO
s(酸化硼素)はホウ酸(112803)の加熱から得
られるので、CaO、BzOzの一部又は全部の代わり
にそれぞれCaCO5、HJO3を用いることができる
。
ウム)はCaC0z(炭酸カルシウム)の加熱、BzO
s(酸化硼素)はホウ酸(112803)の加熱から得
られるので、CaO、BzOzの一部又は全部の代わり
にそれぞれCaCO5、HJO3を用いることができる
。
本発明における抵抗体材料とはその処理の過程で結果的
にアルカリ土類金属のモリブデン酸塩とガラスとを主成
分にするものであれば良い。
にアルカリ土類金属のモリブデン酸塩とガラスとを主成
分にするものであれば良い。
実施例
次に本発明の詳細な説明する。
実施例1
酸化物に換算して表1に示される組成になるように各成
分を秤量し、混合した。
分を秤量し、混合した。
表1
表中、単位は重量%。
ガラスA1ガラスBのそれぞれの混合物を各別にアルミ
ナ坩堝中で1400℃で溶融し、その溶融液を水中に投
入し、急冷させた。この急冷物を取り出してエタノール
とともにポンドミルの中に入れ、アルミナボールで24
時間粉砕し、粒径10μm以下のガラス粉末を得た。
ナ坩堝中で1400℃で溶融し、その溶融液を水中に投
入し、急冷させた。この急冷物を取り出してエタノール
とともにポンドミルの中に入れ、アルミナボールで24
時間粉砕し、粒径10μm以下のガラス粉末を得た。
また、酸化モリブデンと炭酸マグネシウムをモル比が1
になるように混合し、700℃で1時間熱処理してマグ
ネシウムのモリブデン酸塩を得た。
になるように混合し、700℃で1時間熱処理してマグ
ネシウムのモリブデン酸塩を得た。
次に、前記で得たガラスA1ガラスBのそれぞれのガラ
ス粉末と前記で得たマグネシウムのモリブデン酸塩を表
2に示す割合になるように秤量し、混合した。
ス粉末と前記で得たマグネシウムのモリブデン酸塩を表
2に示す割合になるように秤量し、混合した。
(この頁以下余白)
表2(実施例1)
上記各試料を窒素(NZ) 98.5 vo1%、水素
(H2)1.5 vo1%のガス雰囲気中、1000℃
、1時間熱処理し、しかる後にエタノールとともにポッ
トミルにて粉砕し、乾燥して10μm以下のガラスとマ
グネシウムのモリブデン酸塩の熱処理粉末の抵抗体材料
粉末を得た。
(H2)1.5 vo1%のガス雰囲気中、1000℃
、1時間熱処理し、しかる後にエタノールとともにポッ
トミルにて粉砕し、乾燥して10μm以下のガラスとマ
グネシウムのモリブデン酸塩の熱処理粉末の抵抗体材料
粉末を得た。
次に各試料の抵抗体材料粉末100重量部に有機物ビヒ
クル(プチルカービトール90重量部、エチルセルロー
ズ10重量部)25重量部を加え、ロールミルで混合し
、抵抗体材料ペーストを得た。
クル(プチルカービトール90重量部、エチルセルロー
ズ10重量部)25重量部を加え、ロールミルで混合し
、抵抗体材料ペーストを得た。
一方、A l zos 40.0重量%、5iOz35
.0重量%、BzOd3.0重量%、CaO7,0重量
%、Mg05.0重量%からなるセラミック原料粉末1
00重量部にポリビニ゛ルブチラール8重量部、フタル
酸ジエチル8重量部、オレイン酸0.5重量部、アセト
ン10重量部、イソプルピルアルコール20重量部及び
メチルエチルケトン20重量部を加えてボールミルによ
り混合してスラリーを作製し、脱泡処理した後にドクタ
ーブレード法により厚さ200μmの長尺のセラミック
グリーンシートを作製した。このセラミツクグリーンシ
ートから縦9鶴横91のグリーンシート片と、縦6顛横
9INのグリーンシート片とを切り抜いた。
.0重量%、BzOd3.0重量%、CaO7,0重量
%、Mg05.0重量%からなるセラミック原料粉末1
00重量部にポリビニ゛ルブチラール8重量部、フタル
酸ジエチル8重量部、オレイン酸0.5重量部、アセト
ン10重量部、イソプルピルアルコール20重量部及び
メチルエチルケトン20重量部を加えてボールミルによ
り混合してスラリーを作製し、脱泡処理した後にドクタ
ーブレード法により厚さ200μmの長尺のセラミック
グリーンシートを作製した。このセラミツクグリーンシ
ートから縦9鶴横91のグリーンシート片と、縦6顛横
9INのグリーンシート片とを切り抜いた。
次社第1図に示す如く、上記の縦9 mm横9鰭のグリ
ーンシート片1上に、銅粉末95重量部、ガラスフリフ
ト5重量部に有機物ビヒクルとしてブチルカルピトール
20重量部、エチルセルロース5重量部を加え、これら
を三本ロールミルにより混合した導体材料ペーストをシ
ルクスクリーン印刷し、125℃、10分間乾燥させて
導体材料塗膜2を形成した。次いで、上記で得た抵抗体
材料ペーストを上記グリーンシート片1に上記と同様に
シルクスクリーン印刷し、125℃、10分間乾燥させ
て厚膜抵抗体用塗膜3を形成した。
ーンシート片1上に、銅粉末95重量部、ガラスフリフ
ト5重量部に有機物ビヒクルとしてブチルカルピトール
20重量部、エチルセルロース5重量部を加え、これら
を三本ロールミルにより混合した導体材料ペーストをシ
ルクスクリーン印刷し、125℃、10分間乾燥させて
導体材料塗膜2を形成した。次いで、上記で得た抵抗体
材料ペーストを上記グリーンシート片1に上記と同様に
シルクスクリーン印刷し、125℃、10分間乾燥させ
て厚膜抵抗体用塗膜3を形成した。
次にグリーンシート片1上に前記で得た縦6mm横9I
1mのグリーンシート片4を図示鎖線で示すように重ね
、ioo℃、150Kg/cJで熱圧着する0次いで、
これを大気等の酸化性雰囲気中、400〜500℃で加
熱してグリーンシート片1.4、導体材料塗膜2、抵抗
体材料塗膜3のそれぞれの残留有機物を分解・燃焼させ
る。
1mのグリーンシート片4を図示鎖線で示すように重ね
、ioo℃、150Kg/cJで熱圧着する0次いで、
これを大気等の酸化性雰囲気中、400〜500℃で加
熱してグリーンシート片1.4、導体材料塗膜2、抵抗
体材料塗膜3のそれぞれの残留有機物を分解・燃焼させ
る。
このようにして有機物を除去した後、N298.5vo
1%、H2L、5 vo1%の混合ガス中で、950℃
、1時間焼成し、第2図に示すようにグリーンシート片
1の焼成体の磁器層1a、グリーンシート片4の焼成体
の磁器層4aの間に導体材料塗膜2の焼成体の厚膜導体
2a、抵抗体材料塗膜3の焼成体の厚膜抵抗体3aを有
する多層セラミック基板を完成させた。この多層セラミ
ック基板には、後述する第3図、第4図に示されるよう
な反り、ふくれは見られなかった。
1%、H2L、5 vo1%の混合ガス中で、950℃
、1時間焼成し、第2図に示すようにグリーンシート片
1の焼成体の磁器層1a、グリーンシート片4の焼成体
の磁器層4aの間に導体材料塗膜2の焼成体の厚膜導体
2a、抵抗体材料塗膜3の焼成体の厚膜抵抗体3aを有
する多層セラミック基板を完成させた。この多層セラミ
ック基板には、後述する第3図、第4図に示されるよう
な反り、ふくれは見られなかった。
このようにして得られた焼成体の多層セラミック基板を
層方向に研磨して抵抗体層を露出させ、この露出した抵
抗体層をX線回折(Cu K rX線)により分析し、
得られた結果を第5図に示す。これによりマグネシウム
のモリブデン酸塩を確認することができた。
層方向に研磨して抵抗体層を露出させ、この露出した抵
抗体層をX線回折(Cu K rX線)により分析し、
得られた結果を第5図に示す。これによりマグネシウム
のモリブデン酸塩を確認することができた。
次にこの多層セラミック基板3aの25℃における抵抗
値(Rzs)と、125℃に加熱したときの抵抗値(R
ags)をデジタルマルチメータで測定し、抵抗の温度
係数(TCR)を次式により求めた。
値(Rzs)と、125℃に加熱したときの抵抗値(R
ags)をデジタルマルチメータで測定し、抵抗の温度
係数(TCR)を次式により求めた。
2に示した。
また、上記で得られた多層セラミック基板を60℃、9
5%相対湿度のもとc、=iooo時間放置した後の2
5℃の抵抗値を測定し、その変化率を求めた結果を表2
に示す。
5%相対湿度のもとc、=iooo時間放置した後の2
5℃の抵抗値を測定し、その変化率を求めた結果を表2
に示す。
実施例2〜4
実施例1において、マグネシウムのモリブデン酸塩の代
わりにそれぞれカルシウムのモリブデン酸塩、ストロン
チウムのモリブデン酸塩、バリウムのモリブデン酸塩を
用いた以外は同様にしてそれぞれ表3.4.5に示す抵
抗体材料から多層セラミック基板を作製し、実施例1と
同様にRzs、TCR、抵抗値変化率を求めこれらをそ
れぞれ表3.4.5に示す。
わりにそれぞれカルシウムのモリブデン酸塩、ストロン
チウムのモリブデン酸塩、バリウムのモリブデン酸塩を
用いた以外は同様にしてそれぞれ表3.4.5に示す抵
抗体材料から多層セラミック基板を作製し、実施例1と
同様にRzs、TCR、抵抗値変化率を求めこれらをそ
れぞれ表3.4.5に示す。
実施例5
実施例1において、マグネシウムのモリブデン酸塩のマ
グネシウムをアルカリ土類金属の2種以上と置換した表
6に示すモリブデン酸塩を使用した以外は同様にして表
6に示す抵抗体材料から多層セラミック基板を作製し、
実施例1と同様にRzs、TCR、抵抗値変化率を求め
これらを表6に示す。
グネシウムをアルカリ土類金属の2種以上と置換した表
6に示すモリブデン酸塩を使用した以外は同様にして表
6に示す抵抗体材料から多層セラミック基板を作製し、
実施例1と同様にRzs、TCR、抵抗値変化率を求め
これらを表6に示す。
実施例6
実施例1において、マグネシウムのモリブデン酸塩の代
わりにアルカリ土類金属のモリブデン酸塩の2種以上の
混合物を用いた以外は同様にして表7に示す抵抗体材料
から多層セラミック基板を作製し、実施例1と同様にI
hs 、 TCP 、抵抗値変化率を求めこれらを表7
に示す。
わりにアルカリ土類金属のモリブデン酸塩の2種以上の
混合物を用いた以外は同様にして表7に示す抵抗体材料
から多層セラミック基板を作製し、実施例1と同様にI
hs 、 TCP 、抵抗値変化率を求めこれらを表7
に示す。
実施例7
実施例1〜6において、アルカリ土類金属のモリブデン
酸塩及びガラス粉末の混合物について窒素(Nz) 9
8.5vo1%、水素(Hz ) 1.5vo1%のガ
ス雰囲気中、1000℃、1時間の熱処理を行わなかっ
た以外は同様にして表8に示す抵抗体材料から多層セラ
ミック基板を作成し、実施例1と同様にR□、TCR1
抵抗変化率を求め、これらをそれぞれ表8に示す。
酸塩及びガラス粉末の混合物について窒素(Nz) 9
8.5vo1%、水素(Hz ) 1.5vo1%のガ
ス雰囲気中、1000℃、1時間の熱処理を行わなかっ
た以外は同様にして表8に示す抵抗体材料から多層セラ
ミック基板を作成し、実施例1と同様にR□、TCR1
抵抗変化率を求め、これらをそれぞれ表8に示す。
なお、図示省略したが、それぞれの実施例の焼成体の抵
抗体についてその該当するアルカリ土類金属のモリブデ
ン酸塩を上記と同様にしてX線回折による分析により認
めることができる。
抗体についてその該当するアルカリ土類金属のモリブデ
ン酸塩を上記と同様にしてX線回折による分析により認
めることができる。
(この頁以下余白)
表3(実施例2)
表4(実施例3)
夷5【官施拝111)
表7(実施例6)
表8(実施例7)
(この頁以下余白)
比較例1 (MoSiz−TaSizガラス系抵抗体系
材抗体材料ix 16重量部、Ta5iz 9重量部の
混合物を真空中1400℃で加熱し、その生成物をエタ
ノールとともにボットミル中アルミナボールで24時間
粉砕し、乾燥させて10μm以下の微粉末を得た。この
ようにして得た微粉末25重量部に対し、BaO1B2
03、MgO、、CaO−、Sin、からなるガラスフ
リフト75重量部と、有機物ビヒクル(ブチルカルピト
ール20重量部、エチルセルロース5重量部)25重量
部とを加え、ロールミルで混合して抵抗体材料ペースト
を得た。
材抗体材料ix 16重量部、Ta5iz 9重量部の
混合物を真空中1400℃で加熱し、その生成物をエタ
ノールとともにボットミル中アルミナボールで24時間
粉砕し、乾燥させて10μm以下の微粉末を得た。この
ようにして得た微粉末25重量部に対し、BaO1B2
03、MgO、、CaO−、Sin、からなるガラスフ
リフト75重量部と、有機物ビヒクル(ブチルカルピト
ール20重量部、エチルセルロース5重量部)25重量
部とを加え、ロールミルで混合して抵抗体材料ペースト
を得た。
この抵抗体材料ペーストを用いた以外は実施例1と同様
にして多層セラミック基板を得た。
にして多層セラミック基板を得た。
その結果、セラミックグリーンシートに抵抗体材料塗膜
を形成し、これを加熱処理して有機物を除去した後に同
時焼成して得たものは、両者の焼成体に膨張率、収縮率
が異なることにより第3図に示すように反りが見られ、
また、Mo5iz 、Ta5izの分解反応でSiO□
気体が発生することにより第4図に示すようにふくれが
生じ、実用に供することができなかった。なお、lla
は上記磁器層1a、14aは上記磁器層4a、13aは
上記厚膜抵抗体3aにそれぞれ対応する磁器層、厚膜抵
抗体である。
を形成し、これを加熱処理して有機物を除去した後に同
時焼成して得たものは、両者の焼成体に膨張率、収縮率
が異なることにより第3図に示すように反りが見られ、
また、Mo5iz 、Ta5izの分解反応でSiO□
気体が発生することにより第4図に示すようにふくれが
生じ、実用に供することができなかった。なお、lla
は上記磁器層1a、14aは上記磁器層4a、13aは
上記厚膜抵抗体3aにそれぞれ対応する磁器層、厚膜抵
抗体である。
比較例2(MoSi2−BaFzガラス系抵抗系材抗体
材料Siz 70重量部、BaFz 20重量部と、S
in□、ZnO、Zr0z、CaO、Aj!20.から
なるガラスフリフト10重量部とをボールミルで混合し
、得られた粉末をアルゴン(Ar)ガス雰囲気中120
0℃で熱処理した後、これをエタノールとともにポット
ミル中アルミナボールで24時間粉砕し、乾燥させて1
0μm以下の微粉末を得た。
材料Siz 70重量部、BaFz 20重量部と、S
in□、ZnO、Zr0z、CaO、Aj!20.から
なるガラスフリフト10重量部とをボールミルで混合し
、得られた粉末をアルゴン(Ar)ガス雰囲気中120
0℃で熱処理した後、これをエタノールとともにポット
ミル中アルミナボールで24時間粉砕し、乾燥させて1
0μm以下の微粉末を得た。
この抵抗体材料ペーストを用いた以外は実施例工と同様
にして多層セラミック基板を得た。この多層セラミック
基板の厚膜抵抗体についても実施例1と同様にして求め
たRts 、 TCP及び抵抗値の変化率を表9に示す
。
にして多層セラミック基板を得た。この多層セラミック
基板の厚膜抵抗体についても実施例1と同様にして求め
たRts 、 TCP及び抵抗値の変化率を表9に示す
。
表9
上記結果より、実施例の多層セラミック基板はいずれも
反り、ふくれがなく、抵抗値の変化率も±2%以内であ
るのに対し、比較例1の多層セラミック基板は反りが見
られ、比較例2の多層セラミンク基板は抵抗値の変化率
が4倍も大きいことがわかる。
反り、ふくれがなく、抵抗値の変化率も±2%以内であ
るのに対し、比較例1の多層セラミック基板は反りが見
られ、比較例2の多層セラミンク基板は抵抗値の変化率
が4倍も大きいことがわかる。
発明の効果
本発明によれば、アルカリ土類金属のモリブデン酸塩を
含有する電気抵抗体を提供できるので、例えばアルカリ
土類金属のモリブデン酸塩及びガラスを主成分とする組
成の抵抗体材料を用いて、例えば卑金属導体材料ととも
に非酸化性雰囲気中でセラミックグリ−シートとともに
焼成することにより抵抗体を形成するようにすると、焼
成することにより焼成体に反りやふくれが生じるような
ことはなく、また、抵抗体の特に高湿度下の経時変化を
小さくできる。
含有する電気抵抗体を提供できるので、例えばアルカリ
土類金属のモリブデン酸塩及びガラスを主成分とする組
成の抵抗体材料を用いて、例えば卑金属導体材料ととも
に非酸化性雰囲気中でセラミックグリ−シートとともに
焼成することにより抵抗体を形成するようにすると、焼
成することにより焼成体に反りやふくれが生じるような
ことはなく、また、抵抗体の特に高湿度下の経時変化を
小さくできる。
これにより、抵抗体を組み込んだ回路基板の小型化、コ
ストの低減の両方の要求を満たし、回路基板の一層の性
能の向上に寄与できる。
ストの低減の両方の要求を満たし、回路基板の一層の性
能の向上に寄与できる。
また、アルカリ土類金属のモリブデン酸塩を例えばガラ
スと熱処理し、この熱処理した抵抗体材料を焼成して抵
抗体にすると、抵抗の温度変化係数の絶対値を小さくす
ることができ、回路の性能をさらに向上することができ
る。
スと熱処理し、この熱処理した抵抗体材料を焼成して抵
抗体にすると、抵抗の温度変化係数の絶対値を小さくす
ることができ、回路の性能をさらに向上することができ
る。
第1図は本発明の電気抵抗体を製造するときの焼成前の
抵抗体材料塗膜と導体材料塗膜を基板に形成し、多層構
造にしようとする状態の一例を示す図、第2図はその焼
成体の断面図、第3図は従来の抵抗体材料を使用して多
層構造にしたときの焼成体の断面図、第4図はさらにそ
の焼成体にガスが発生した状態を示す説明図、第5図は
本発明の一実施例の電気抵抗体からマグネシウムのモリ
ブデン酸塩を検出したときのX線回折図である。 図中、1.4はグリーンシート片、2は導体材料塗膜、
3は抵抗体材料塗膜、1a、4aは磁器層、2aは厚膜
導体、3aは厚膜抵抗体である。 第1図 第3図 第4図 第5図 X線回折図 2O−)
抵抗体材料塗膜と導体材料塗膜を基板に形成し、多層構
造にしようとする状態の一例を示す図、第2図はその焼
成体の断面図、第3図は従来の抵抗体材料を使用して多
層構造にしたときの焼成体の断面図、第4図はさらにそ
の焼成体にガスが発生した状態を示す説明図、第5図は
本発明の一実施例の電気抵抗体からマグネシウムのモリ
ブデン酸塩を検出したときのX線回折図である。 図中、1.4はグリーンシート片、2は導体材料塗膜、
3は抵抗体材料塗膜、1a、4aは磁器層、2aは厚膜
導体、3aは厚膜抵抗体である。 第1図 第3図 第4図 第5図 X線回折図 2O−)
Claims (5)
- (1)アルカリ土類金属のモリブデン酸塩を含有する焼
成体を有することを特徴とする電気抵抗体。 - (2)焼成体はアルカリ土類金属のモリブデン酸塩及び
その前駆体の内の少なくとも一種を主成分に含有する抵
抗体材料から焼成されることを特徴とする特許請求の範
囲第1項記載の電気抵抗体。 - (3)抵抗体材料の主成分はアルカリ土類金属のモリブ
デン酸塩及びその前駆体の内の少なくとも一種を当該ア
ルカリ土類金属のモリブデン酸塩に換算して30〜96
重量%と、ガラス4〜70重量%とからなることを特徴
とする特許請求の範囲第2項記載の電気抵抗体。 - (4)主成分にアルカリ土類金属のモリブデン酸塩及び
その前駆体の内の少なくとも一種を含有する抵抗体材料
を熱処理し、この熱処理して得られた抵抗体材料を用い
て焼成し、アルカリ土類金属のモリブデン酸塩を含有す
る焼成体からなる電気抵抗体を得ることを特徴とする電
気抵抗体の製造方法。 - (5)熱処理前の抵抗体材料の主成分はアルカリ土類金
属のモリブデン酸塩及びその前駆体の内の少なくとも一
種を当該アルカリ土類金属のモリブデン酸塩に換算して
30〜96重量%と、ガラス4〜70重量%とからなる
ことを特徴とする特許請求の範囲第4項記載の電気抵抗
体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62045601A JPS63213302A (ja) | 1987-02-28 | 1987-02-28 | 電気抵抗体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62045601A JPS63213302A (ja) | 1987-02-28 | 1987-02-28 | 電気抵抗体及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63213302A true JPS63213302A (ja) | 1988-09-06 |
JPH0428121B2 JPH0428121B2 (ja) | 1992-05-13 |
Family
ID=12723872
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62045601A Granted JPS63213302A (ja) | 1987-02-28 | 1987-02-28 | 電気抵抗体及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63213302A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011000506A (ja) * | 2009-06-16 | 2011-01-06 | Univ Of Electro-Communications | 光触媒材料およびその製造方法 |
-
1987
- 1987-02-28 JP JP62045601A patent/JPS63213302A/ja active Granted
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011000506A (ja) * | 2009-06-16 | 2011-01-06 | Univ Of Electro-Communications | 光触媒材料およびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0428121B2 (ja) | 1992-05-13 |
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