JPH0428126B2 - - Google Patents
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Description
産業上の利用分野
本発明は、固定チツプ抵抗器あるいは回路配線
基板等に設けられる厚膜タイプの電気抵抗体、特
に非酸化性雰囲気中で焼成して得られることが可
能な電気抵抗体及びその製造方法に関する。 従来の技術 電子機器の電気回路は、抵抗、コンデンサ、ダ
イオード、トランジスタ等の各種電気素子が回路
基板に実装されて構成されることが良く行われて
いるが、電子機器の小型化に伴つてこれらの電気
素子の実装密度をさらに高めることができる回路
基板が多く用いられるようになつてきた。 これらの回路基板に設けられる抵抗体には、抵
抗体材料ペーストを回路上に直接印刷して焼付け
ることにより形成した厚膜抵抗体、あるいは角板
状セラミツクチツプの両端に一対の電極を形成
し、双方の電極に跨がるように前記厚膜抵抗体を
形成した固定チツプ抵抗器等がある。 このような厚膜抵抗体を回路基板に設けるに
は、従来、例えば1500℃前後で焼成して得られた
アルミナ基板の表面にAgあるいはAg−Pd等の導
体材料ペーストを塗布し、焼付けした後、例えば
RuO2を抵抗体材料として含有するペーストをス
クリーン印刷等により塗布し、ついで750〜850℃
で焼付け、さらに必要に応じてトリミング等によ
り抵抗値の調整を行なうやり方が一般的である。 しかしながら近年、電子機器等に対する軽薄・
短小化、低コスト化の要求がさらに強まつてきて
おり、回路基板に対しても一層の小型化、低コス
ト化の検討が行われるようになつてきた。 前者の小型化のための具体的な対応としては、
第1に回路基板に多層化、第2に抵抗体の内装化
が行なわれている。回路基板を多層化した例とし
ては、AgあるいはAg−Pd系等の導体材料ペース
トを印刷したセラミツクグリーンシート(生シー
ト)を積層、圧着した後、大気中800〜1100℃で
同時焼成して得られる多層配線基板が挙げられ、
また、抵抗体を内装化した例としては、前記導体
材料ペーストを印刷したセラミツクグリーンシー
ト上にさらにRuO2系抵抗体材料ペーストを印刷
し、前記と同様に積層、圧着した後、同時焼成し
て得られる抵抗体内装多層配線基板等が知られて
いる。 また、後者の低コスト化のための具体的な対応
としては、AgあるいはAg−Pd系材料のような高
価な貴金属系の導体材料に代わつて、安価なNi
あるいはCu等の卑金属系の導体材料を用い、こ
れらを窒素ガスあるいは水素を含む窒素ガス中
等、その酸化による高抵抗化を避けることができ
るような中性あるいは還元性の非酸化性雰囲気
中、800〜1100℃でグリーンセラミツクと同時焼
成して得られる多層配線基板が実用化されてい
る。また、特開昭56−153702号公報に記載されて
いるように、MoSi2−TaSi2及びガラスからなる
抵抗体材料を、銅(Cu)導体を有するアルミナ
基板上に塗布し、熱処理して得られる厚膜抵抗体
等も知られている。 発明が解決しようとする問題点 しかしながら、回路基板の小型化と低コスト化
を同時に行なうようにすると、RuO2系抵抗体材
料は窒素ガスあるいは水素を含む窒素ガス雰囲気
中でグリーンセラミツクと同時焼成したときに還
元反応が起こり、抵抗値が低くなつて抵抗体とし
ての特性を示さなくなる。 また、MoSi2−TaSi2及びガラスからなる抵抗
体材料を非酸化性雰囲気中でグリーンセラミツク
シートと同時焼成すると、両者の膨張率、収縮率
の相違によるずれにより焼成体に反りが生じた
り、MoSi2−TaSi2の分解反応によりガスが発生
して焼成体にふくれが生じ易いと云う問題点があ
る。これを改善するために、特開昭60−198703号
公報に記載されているように、MoSi2−弗化金属
塩(例えば弗化カルシウム)及びガラスよりなる
抵抗体材料を用いる例か知られており、これにつ
いては上記のような焼成時の反りやふくれは見ら
れない。 しかしながら、このMoSi2−弗化金属及びガラ
スよりなる抵抗体材料をグリーンセラミツクシー
トに塗布し、同時焼成して得られた厚膜抵抗体
は、95%相対湿度中に1000時間放置すると、5〜
10%の抵抗値の増加が見られ、抵抗体としての所
定の機能を果たすことができない。 本発明の目的は、固定チツプ抵抗器あるいは一
般の回路基板等に使用できるのみならず、卑金属
導体材料とともに積層して多層基板に内装化する
ことのできる電気抵抗体であつて、抵抗値の安定
な電気抵抗体を提供することにある。 また、本発明の他の目的は、前記電気抵抗体の
特性をより一層向上させることのできる製造法を
提供することにある。 問題点を解決するための手段 本発明は、上記問題点を解決するために、ニオ
ブ及び/又はタンタルのモリブデン酸塩を含有す
る焼成体を有することを特徴とする電気抵抗体を
提供するものである。 また、本発明は、主成分にニオブ及び/又はタ
ンタルのモリブデン酸塩及びその前駆体の内の少
なくとも一種を含有する抵抗体材料を熱処理し、
この熱処理して得られた抵抗材料を用いて焼成
し、ニオブ及び/又はタンタルのモリブデン酸塩
を含有する焼成体からなる電気抵抗体を得ること
を特徴とする電気抵抗体の製造方法を提供するも
のである。 次に本発明に詳細に説明する。 本発明におけるニオブ及び/又はタンタルのモ
リブデン酸塩には、例えばNb2MO3O14、
Ta2Mo3O14等の単独物質あるいはこれらの混合
物が例示される。また、これらの金属の複数から
なるモリブデン酸塩も使用でき、例えば(Nbx
Tay,Mo3O14但し、x+y=2等が例示され、
これらは単独あるいは複数、さらには上記の各単
独物質、混合物質と混合して用いられる。 このようなニオブ及び/又はタンタルのモリブ
デン酸塩は、それぞれ金属の酸化物と酸化モリブ
デン(MoO3)の熱処理によつて合成することが
できるが、その前駆体を用いて熱処理することに
より合成することもできる。 本発明においてはバインダーを用いることが好
ましく、これにはガラスが挙げられが、このガラ
スとしては一般に知られているガラスが用いら
れ、特定の組成のガラスに限定されるものではな
いが、Pb3O4、Bi2O3、SnO2、CdOのような酸化
物は、これらを含む抵抗体材料を非酸化性雰囲気
中で焼成するときに還元されて金属化することが
あり、この金属は抵抗値を変化させるので、この
ようなことが起こることが好ましくない場合には
これらの酸化物を含有しないことが好ましい。 ガラス成分としては、SiO2、B2O3、ZnO、
CaO、SrO、ZrO2などが好ましく、これらの酸
化物の組成比は、 SiO2 12〜33重量% B2O3 20〜35重量% ZnO又はSrO 13〜33重量% CaO 10〜25重量% ZrO2 15〜45重量% が好ましい。 これら酸化物の組成物からガラスを製造するに
は、前記組成比になるようにそれぞれの酸化物を
秤量し、混合する。この混合物を坩堝に入れ、
1200〜1500℃に温度にて溶融した後、溶融液を例
えば水中に投入し、急冷させ、ガラス粗粉を得
る。この粗粉を例えばボールミル、振動ミルなど
の粉砕手段を用いて所望の粒度(例えば10μm以
下)になるまで粉砕すると、ガラス粉末が得られ
る。 前記は純粋の酸化物を混合して用いたが、これ
に限らず結果的に各酸化物の混合物からなるガラ
スになれば良く、各酸化物の前駆体をその一部又
は全部に用い、これを溶融してガラスにしても良
い。例えばCaO(酸化カルシウム)はCaCO3(炭
酸カルシウム)、B2O3(酸化硼素)はホウ酸
(H3BO3)の熱処理により得られるので、CaO、
B2O3の一部又はその全部の代わりにそれぞれ
CaCO3、H2BO3を用いることができる。その他
の成分の酸化物についても同様である。 前記のようにして得られるニオブ及び/又はタ
ンタルのモリブデン酸塩、ガラス粉末は混合さ
れ、そのまま抵抗体材料として用いても良いが、
これを熱処理して粉砕したものを抵抗体材料とす
ることがこれを焼成して得た抵抗体を抵抗温度特
性の上で好ましい。この熱処理温度としては、
800℃〜1200℃が好ましく、これより外れると抵
抗体材料を電気抵抗体に加工する各工程の作業条
件等による組成比の微妙な変動に対し、出来上が
つた抵抗体の抵抗値が影響を受け易く、所望の抵
抗値を安定して得ることが難しい。この熱処理は
非酸化性雰囲気が望ましく、窒素ガスその他不活
性ガス、あるいはこれらに水素ガスを含有させた
混合ガスを用いることが好ましい。 抵抗体材料の各成分の組成比は、ニオブ及び/
又はタンタルのモリブデン酸塩45〜96重量%、ガ
ラス粉末4〜55重量%が好ましい。この範囲より
ニオブ及び/又はタンタルのモリブデン酸塩が少
な過ぎ、ガラスが多過ぎると、焼成して出来上が
つた電気抵抗体の抵抗値が高くなり過ぎ好ましく
ない場合があり、また、逆にニオブ及び/又はタ
ンタルのモリブデン酸塩が多過ぎ、ガラスが少な
過ぎると焼成時の焼結性が悪くなり回路基板に安
定に保持できないことがある。しかし、抵抗体を
回路基板を積層して埋め込むような場合にはニオ
ブ及び/又はタンタルのモリブデン酸塩が上記範
囲より多い場合のみならず、100%でも良い。 このようにして得られた抵抗体材料粉末から固
定チツプ抵抗器あるいは厚膜抵抗体のための抵抗
体を作成するには、例えばセラミツクグリーンシ
ートにこれらの抵抗体材料粉末を塗布し、焼成す
るが、この塗布を行うためには例えばシルクスク
リーン印刷ができるようにこれら抵抗体材料粉末
にビヒクルが混合され塗液が調整される。このビ
ヒクルは、焼成の前段階で焼失できるようなもの
が好ましく、このためには有機物ビヒクル、すな
わち有機溶剤に樹脂を溶解又は分散させ、必要に
応じて可塑剤、分散剤等の各種添加剤を加えたも
のが好ましい。この有機溶剤にはブチルカービト
ールアセテート、ブチルカービトール、テレピン
油などが挙げられ、樹脂としてはエチルセルロー
ズ、ニトロセルローズ等のセルローズ誘導体、そ
の他の樹脂が挙げられる。 この有機物ビヒクルと抵抗体材料粉末との使用
割合は使用する有機溶剤、樹脂等により変わる
が、有機溶剤と樹脂との使用割合は前者が20〜50
重量%、後者が80〜50重量%が適当である。これ
らの成分は例えば三本ロールミル、らいかい器な
どの混合手段を用いてペースト状にされる。 このようにして得られた抵抗体材料ペーストが
基板に塗布され、これがさらに後述の処理を施さ
れて抵抗体が作成されるが、この基板にはセラミ
ツクグリーンシートを導体材料や抵抗体材料とと
もに焼成して作成するもののみならず、予めセラ
ミツクグリーンシートを焼成し、これにさらに抵
抗体材料、導体材料を塗布した後焼成する方法で
も良い。これらは積層体を形成する場合にも適用
できる。 前記セラミツクグリーンシートとしては、例え
ば酸化アルミニウム(Al2O3)35〜45重量%、酸
化珪素(SiO2)25〜35重量%、酸化硼素(B2O3)
10〜15重量%、酸化カルシウム(CaO)7〜13重
量%、酸化マグネシウム(MgO)7〜10重量%
等のセラミツク構成成分の酸化物混合物を有機物
ビヒクルとボールミル等で混合したスラリーをド
クターブレード等によりシート化したものが挙げ
られる。この際、ニオブ及び/又はタンタルのモ
リブデン酸塩にガラスを併用しないときは、前記
セラミツクグリーンシートにガラス分を多く含ま
せガラスを併用したと同様の効果を出すようにし
ても良い。前記有機物ビヒクルには、アクリル酸
エステル等のアクリル樹脂、ポリビニルブチラー
ル等の樹脂、グリセリン、フタル酸ジエチル等の
可塑剤、カルボン酸塩等の分散剤、水、有機溶剤
等の溶剤から構成される。 前記抵抗体材料ペーストはセラミツクグリーン
シートに例えばシルクスクリーン印刷等の手段に
より塗布され、乾燥後、400〜500℃で熱処理され
て樹脂成分が分解・燃焼されるのが好ましい。こ
の際、同時にNiあるいはCu等の卑金属導体材料
あるいはAg又はAg−Pdの貴金属導体材料のペー
ストも抵抗体材料ペースト塗膜と同様にセラミツ
クグリーンシートに塗布され、抵抗体材料ペース
トの塗布物と同様に処理される。 このNiあるいはCu等の卑金属導体材料あるい
はAg又はAg−Pdの貴金属導体材料のペースト組
成物としては、各々の金属粉末98〜85重量%にガ
ラスフリツトを2〜15重量%添加したものが例示
される。 このようにしてセラミツクグリーンシートに抵
抗体材料及び/又は導体材料が組み込まれるが、
固定チツプ抵抗器の場合にはこの未焼成基板の表
面のみ、多層基板の厚膜抵抗体の場合には前記抵
抗体材料、導体材料を未焼成状態で組み込んだも
のをさらに積層して所定の回路を構成するように
してから焼成する。この焼成により導体材料及
び/又は厚膜抵抗体材料を基板と同時に焼成体に
することができる。 この場合、NiあるいはCu等の卑金属導体材料
が導体材料に用いられるときは、その酸化による
高抵抗値化を防止するために、非酸化性雰囲気中
で焼成することが好ましく、その焼成温度は、例
えば800℃〜1100℃、0.5時間〜2時間が例示され
る。非酸化性雰囲気としては、窒素ガスその他不
活性ガス、これらに水素ガスを含有させた混合ガ
スも用いられる。また、Ag又はAg−Pdの貴金属
導体材料を用いるときは空気等の酸化性雰囲気中
で焼成することもできる。 前記のようにして導体及び/又は抵抗体を組み
込んだ回路配線基板が出来上がるが、焼成基板と
導体の間は勿論のこと、焼成基板と抵抗体との間
にも焼成に伴つてクラツク、歪み、ふくれ等を生
じることがないとともに、抵抗体は高温高湿度雰
囲気中に1000時間以上放置されてもその抵抗値が
±2%以内の変化に抑制され、その高い信頼性を
確保することができる。これは抵抗体が導体及び
焼成基板と良くマツチングするためと、ニオブ及
び/又はタンタルのモリブデン酸塩とガラスの焼
成体からなる抵抗体の独特の耐湿性に基づくもの
と考えられるが詳細は明らかでない。なお、X線
回折分析により前記抵抗体中にニオブ及び/又は
タンタルのモリブテン酸塩を認めることができ
る。 本発明においては、上記の如くニオブ及び/又
はタンタルのモリブデン酸塩を用いても良いが、
このニオブ及び/又はタンタルのモリブデン酸塩
の代わりに熱処理によりニオブ及び/又はタンタ
ルのモリブデン酸塩となる前駆体を一部又は全部
用いることもできる。これらのいずれの場合もガ
ラスと混合して熱処理したものを粉砕し、抵抗体
材料とすることが好ましいが、この熱処理を行わ
ず上述の有機物ビヒクル等と混合して作成したペ
ーストを例えばグリーンセラミツクシートに塗布
してから、有機物除去の加熱処理を経て焼成し、
直接抵抗体を作成することもできる。 また、ガラスはこれを構成する酸化物の混合材
料がニオブ及び/又はタンタルのモリブデン酸塩
とともに結果的に焼成される状態におかれれば良
く、これらの酸化物の前駆体をニオブ及び/又は
タンタルのモリブデン酸塩及び/又はその前駆体
とともにこの酸化物の一部又は全部を上述したよ
うにペースト状態にし、これを基板に塗布して有
機物の燃焼、その後の焼成のいずれの過程で上記
のガラス成分からなるガラスになり、これとニオ
ブ及び/又はタンタルのモリブデン酸塩及び/又
はその前駆体と焼成されことにより抵抗体を作製
できるものであれば良い。例えば、ガラスの材料
の成分であるCaO(酸化カルシウム)はCaCO3
(炭酸カルシウム)の加熱、B2O3(酸化硼素)は
ホウ酸(H2BO3)の加熱から得られるので、
CaO、B2O3の一部又は全部の代わりにそれぞれ
CaCO3、H2BO3を用いることができる。本発明
における抵抗体材料とはその処理の過程で結果的
にニオブ及び/又はタンタルのモリブデン酸塩と
ガラスとを主成分にするものであれば良い。 実施例 次に本発明の実施例を説明する。 実施例 1 酸化物に換算して表1に示される組成になるよ
うに各成分を秤量し、混合した。
基板等に設けられる厚膜タイプの電気抵抗体、特
に非酸化性雰囲気中で焼成して得られることが可
能な電気抵抗体及びその製造方法に関する。 従来の技術 電子機器の電気回路は、抵抗、コンデンサ、ダ
イオード、トランジスタ等の各種電気素子が回路
基板に実装されて構成されることが良く行われて
いるが、電子機器の小型化に伴つてこれらの電気
素子の実装密度をさらに高めることができる回路
基板が多く用いられるようになつてきた。 これらの回路基板に設けられる抵抗体には、抵
抗体材料ペーストを回路上に直接印刷して焼付け
ることにより形成した厚膜抵抗体、あるいは角板
状セラミツクチツプの両端に一対の電極を形成
し、双方の電極に跨がるように前記厚膜抵抗体を
形成した固定チツプ抵抗器等がある。 このような厚膜抵抗体を回路基板に設けるに
は、従来、例えば1500℃前後で焼成して得られた
アルミナ基板の表面にAgあるいはAg−Pd等の導
体材料ペーストを塗布し、焼付けした後、例えば
RuO2を抵抗体材料として含有するペーストをス
クリーン印刷等により塗布し、ついで750〜850℃
で焼付け、さらに必要に応じてトリミング等によ
り抵抗値の調整を行なうやり方が一般的である。 しかしながら近年、電子機器等に対する軽薄・
短小化、低コスト化の要求がさらに強まつてきて
おり、回路基板に対しても一層の小型化、低コス
ト化の検討が行われるようになつてきた。 前者の小型化のための具体的な対応としては、
第1に回路基板に多層化、第2に抵抗体の内装化
が行なわれている。回路基板を多層化した例とし
ては、AgあるいはAg−Pd系等の導体材料ペース
トを印刷したセラミツクグリーンシート(生シー
ト)を積層、圧着した後、大気中800〜1100℃で
同時焼成して得られる多層配線基板が挙げられ、
また、抵抗体を内装化した例としては、前記導体
材料ペーストを印刷したセラミツクグリーンシー
ト上にさらにRuO2系抵抗体材料ペーストを印刷
し、前記と同様に積層、圧着した後、同時焼成し
て得られる抵抗体内装多層配線基板等が知られて
いる。 また、後者の低コスト化のための具体的な対応
としては、AgあるいはAg−Pd系材料のような高
価な貴金属系の導体材料に代わつて、安価なNi
あるいはCu等の卑金属系の導体材料を用い、こ
れらを窒素ガスあるいは水素を含む窒素ガス中
等、その酸化による高抵抗化を避けることができ
るような中性あるいは還元性の非酸化性雰囲気
中、800〜1100℃でグリーンセラミツクと同時焼
成して得られる多層配線基板が実用化されてい
る。また、特開昭56−153702号公報に記載されて
いるように、MoSi2−TaSi2及びガラスからなる
抵抗体材料を、銅(Cu)導体を有するアルミナ
基板上に塗布し、熱処理して得られる厚膜抵抗体
等も知られている。 発明が解決しようとする問題点 しかしながら、回路基板の小型化と低コスト化
を同時に行なうようにすると、RuO2系抵抗体材
料は窒素ガスあるいは水素を含む窒素ガス雰囲気
中でグリーンセラミツクと同時焼成したときに還
元反応が起こり、抵抗値が低くなつて抵抗体とし
ての特性を示さなくなる。 また、MoSi2−TaSi2及びガラスからなる抵抗
体材料を非酸化性雰囲気中でグリーンセラミツク
シートと同時焼成すると、両者の膨張率、収縮率
の相違によるずれにより焼成体に反りが生じた
り、MoSi2−TaSi2の分解反応によりガスが発生
して焼成体にふくれが生じ易いと云う問題点があ
る。これを改善するために、特開昭60−198703号
公報に記載されているように、MoSi2−弗化金属
塩(例えば弗化カルシウム)及びガラスよりなる
抵抗体材料を用いる例か知られており、これにつ
いては上記のような焼成時の反りやふくれは見ら
れない。 しかしながら、このMoSi2−弗化金属及びガラ
スよりなる抵抗体材料をグリーンセラミツクシー
トに塗布し、同時焼成して得られた厚膜抵抗体
は、95%相対湿度中に1000時間放置すると、5〜
10%の抵抗値の増加が見られ、抵抗体としての所
定の機能を果たすことができない。 本発明の目的は、固定チツプ抵抗器あるいは一
般の回路基板等に使用できるのみならず、卑金属
導体材料とともに積層して多層基板に内装化する
ことのできる電気抵抗体であつて、抵抗値の安定
な電気抵抗体を提供することにある。 また、本発明の他の目的は、前記電気抵抗体の
特性をより一層向上させることのできる製造法を
提供することにある。 問題点を解決するための手段 本発明は、上記問題点を解決するために、ニオ
ブ及び/又はタンタルのモリブデン酸塩を含有す
る焼成体を有することを特徴とする電気抵抗体を
提供するものである。 また、本発明は、主成分にニオブ及び/又はタ
ンタルのモリブデン酸塩及びその前駆体の内の少
なくとも一種を含有する抵抗体材料を熱処理し、
この熱処理して得られた抵抗材料を用いて焼成
し、ニオブ及び/又はタンタルのモリブデン酸塩
を含有する焼成体からなる電気抵抗体を得ること
を特徴とする電気抵抗体の製造方法を提供するも
のである。 次に本発明に詳細に説明する。 本発明におけるニオブ及び/又はタンタルのモ
リブデン酸塩には、例えばNb2MO3O14、
Ta2Mo3O14等の単独物質あるいはこれらの混合
物が例示される。また、これらの金属の複数から
なるモリブデン酸塩も使用でき、例えば(Nbx
Tay,Mo3O14但し、x+y=2等が例示され、
これらは単独あるいは複数、さらには上記の各単
独物質、混合物質と混合して用いられる。 このようなニオブ及び/又はタンタルのモリブ
デン酸塩は、それぞれ金属の酸化物と酸化モリブ
デン(MoO3)の熱処理によつて合成することが
できるが、その前駆体を用いて熱処理することに
より合成することもできる。 本発明においてはバインダーを用いることが好
ましく、これにはガラスが挙げられが、このガラ
スとしては一般に知られているガラスが用いら
れ、特定の組成のガラスに限定されるものではな
いが、Pb3O4、Bi2O3、SnO2、CdOのような酸化
物は、これらを含む抵抗体材料を非酸化性雰囲気
中で焼成するときに還元されて金属化することが
あり、この金属は抵抗値を変化させるので、この
ようなことが起こることが好ましくない場合には
これらの酸化物を含有しないことが好ましい。 ガラス成分としては、SiO2、B2O3、ZnO、
CaO、SrO、ZrO2などが好ましく、これらの酸
化物の組成比は、 SiO2 12〜33重量% B2O3 20〜35重量% ZnO又はSrO 13〜33重量% CaO 10〜25重量% ZrO2 15〜45重量% が好ましい。 これら酸化物の組成物からガラスを製造するに
は、前記組成比になるようにそれぞれの酸化物を
秤量し、混合する。この混合物を坩堝に入れ、
1200〜1500℃に温度にて溶融した後、溶融液を例
えば水中に投入し、急冷させ、ガラス粗粉を得
る。この粗粉を例えばボールミル、振動ミルなど
の粉砕手段を用いて所望の粒度(例えば10μm以
下)になるまで粉砕すると、ガラス粉末が得られ
る。 前記は純粋の酸化物を混合して用いたが、これ
に限らず結果的に各酸化物の混合物からなるガラ
スになれば良く、各酸化物の前駆体をその一部又
は全部に用い、これを溶融してガラスにしても良
い。例えばCaO(酸化カルシウム)はCaCO3(炭
酸カルシウム)、B2O3(酸化硼素)はホウ酸
(H3BO3)の熱処理により得られるので、CaO、
B2O3の一部又はその全部の代わりにそれぞれ
CaCO3、H2BO3を用いることができる。その他
の成分の酸化物についても同様である。 前記のようにして得られるニオブ及び/又はタ
ンタルのモリブデン酸塩、ガラス粉末は混合さ
れ、そのまま抵抗体材料として用いても良いが、
これを熱処理して粉砕したものを抵抗体材料とす
ることがこれを焼成して得た抵抗体を抵抗温度特
性の上で好ましい。この熱処理温度としては、
800℃〜1200℃が好ましく、これより外れると抵
抗体材料を電気抵抗体に加工する各工程の作業条
件等による組成比の微妙な変動に対し、出来上が
つた抵抗体の抵抗値が影響を受け易く、所望の抵
抗値を安定して得ることが難しい。この熱処理は
非酸化性雰囲気が望ましく、窒素ガスその他不活
性ガス、あるいはこれらに水素ガスを含有させた
混合ガスを用いることが好ましい。 抵抗体材料の各成分の組成比は、ニオブ及び/
又はタンタルのモリブデン酸塩45〜96重量%、ガ
ラス粉末4〜55重量%が好ましい。この範囲より
ニオブ及び/又はタンタルのモリブデン酸塩が少
な過ぎ、ガラスが多過ぎると、焼成して出来上が
つた電気抵抗体の抵抗値が高くなり過ぎ好ましく
ない場合があり、また、逆にニオブ及び/又はタ
ンタルのモリブデン酸塩が多過ぎ、ガラスが少な
過ぎると焼成時の焼結性が悪くなり回路基板に安
定に保持できないことがある。しかし、抵抗体を
回路基板を積層して埋め込むような場合にはニオ
ブ及び/又はタンタルのモリブデン酸塩が上記範
囲より多い場合のみならず、100%でも良い。 このようにして得られた抵抗体材料粉末から固
定チツプ抵抗器あるいは厚膜抵抗体のための抵抗
体を作成するには、例えばセラミツクグリーンシ
ートにこれらの抵抗体材料粉末を塗布し、焼成す
るが、この塗布を行うためには例えばシルクスク
リーン印刷ができるようにこれら抵抗体材料粉末
にビヒクルが混合され塗液が調整される。このビ
ヒクルは、焼成の前段階で焼失できるようなもの
が好ましく、このためには有機物ビヒクル、すな
わち有機溶剤に樹脂を溶解又は分散させ、必要に
応じて可塑剤、分散剤等の各種添加剤を加えたも
のが好ましい。この有機溶剤にはブチルカービト
ールアセテート、ブチルカービトール、テレピン
油などが挙げられ、樹脂としてはエチルセルロー
ズ、ニトロセルローズ等のセルローズ誘導体、そ
の他の樹脂が挙げられる。 この有機物ビヒクルと抵抗体材料粉末との使用
割合は使用する有機溶剤、樹脂等により変わる
が、有機溶剤と樹脂との使用割合は前者が20〜50
重量%、後者が80〜50重量%が適当である。これ
らの成分は例えば三本ロールミル、らいかい器な
どの混合手段を用いてペースト状にされる。 このようにして得られた抵抗体材料ペーストが
基板に塗布され、これがさらに後述の処理を施さ
れて抵抗体が作成されるが、この基板にはセラミ
ツクグリーンシートを導体材料や抵抗体材料とと
もに焼成して作成するもののみならず、予めセラ
ミツクグリーンシートを焼成し、これにさらに抵
抗体材料、導体材料を塗布した後焼成する方法で
も良い。これらは積層体を形成する場合にも適用
できる。 前記セラミツクグリーンシートとしては、例え
ば酸化アルミニウム(Al2O3)35〜45重量%、酸
化珪素(SiO2)25〜35重量%、酸化硼素(B2O3)
10〜15重量%、酸化カルシウム(CaO)7〜13重
量%、酸化マグネシウム(MgO)7〜10重量%
等のセラミツク構成成分の酸化物混合物を有機物
ビヒクルとボールミル等で混合したスラリーをド
クターブレード等によりシート化したものが挙げ
られる。この際、ニオブ及び/又はタンタルのモ
リブデン酸塩にガラスを併用しないときは、前記
セラミツクグリーンシートにガラス分を多く含ま
せガラスを併用したと同様の効果を出すようにし
ても良い。前記有機物ビヒクルには、アクリル酸
エステル等のアクリル樹脂、ポリビニルブチラー
ル等の樹脂、グリセリン、フタル酸ジエチル等の
可塑剤、カルボン酸塩等の分散剤、水、有機溶剤
等の溶剤から構成される。 前記抵抗体材料ペーストはセラミツクグリーン
シートに例えばシルクスクリーン印刷等の手段に
より塗布され、乾燥後、400〜500℃で熱処理され
て樹脂成分が分解・燃焼されるのが好ましい。こ
の際、同時にNiあるいはCu等の卑金属導体材料
あるいはAg又はAg−Pdの貴金属導体材料のペー
ストも抵抗体材料ペースト塗膜と同様にセラミツ
クグリーンシートに塗布され、抵抗体材料ペース
トの塗布物と同様に処理される。 このNiあるいはCu等の卑金属導体材料あるい
はAg又はAg−Pdの貴金属導体材料のペースト組
成物としては、各々の金属粉末98〜85重量%にガ
ラスフリツトを2〜15重量%添加したものが例示
される。 このようにしてセラミツクグリーンシートに抵
抗体材料及び/又は導体材料が組み込まれるが、
固定チツプ抵抗器の場合にはこの未焼成基板の表
面のみ、多層基板の厚膜抵抗体の場合には前記抵
抗体材料、導体材料を未焼成状態で組み込んだも
のをさらに積層して所定の回路を構成するように
してから焼成する。この焼成により導体材料及
び/又は厚膜抵抗体材料を基板と同時に焼成体に
することができる。 この場合、NiあるいはCu等の卑金属導体材料
が導体材料に用いられるときは、その酸化による
高抵抗値化を防止するために、非酸化性雰囲気中
で焼成することが好ましく、その焼成温度は、例
えば800℃〜1100℃、0.5時間〜2時間が例示され
る。非酸化性雰囲気としては、窒素ガスその他不
活性ガス、これらに水素ガスを含有させた混合ガ
スも用いられる。また、Ag又はAg−Pdの貴金属
導体材料を用いるときは空気等の酸化性雰囲気中
で焼成することもできる。 前記のようにして導体及び/又は抵抗体を組み
込んだ回路配線基板が出来上がるが、焼成基板と
導体の間は勿論のこと、焼成基板と抵抗体との間
にも焼成に伴つてクラツク、歪み、ふくれ等を生
じることがないとともに、抵抗体は高温高湿度雰
囲気中に1000時間以上放置されてもその抵抗値が
±2%以内の変化に抑制され、その高い信頼性を
確保することができる。これは抵抗体が導体及び
焼成基板と良くマツチングするためと、ニオブ及
び/又はタンタルのモリブデン酸塩とガラスの焼
成体からなる抵抗体の独特の耐湿性に基づくもの
と考えられるが詳細は明らかでない。なお、X線
回折分析により前記抵抗体中にニオブ及び/又は
タンタルのモリブテン酸塩を認めることができ
る。 本発明においては、上記の如くニオブ及び/又
はタンタルのモリブデン酸塩を用いても良いが、
このニオブ及び/又はタンタルのモリブデン酸塩
の代わりに熱処理によりニオブ及び/又はタンタ
ルのモリブデン酸塩となる前駆体を一部又は全部
用いることもできる。これらのいずれの場合もガ
ラスと混合して熱処理したものを粉砕し、抵抗体
材料とすることが好ましいが、この熱処理を行わ
ず上述の有機物ビヒクル等と混合して作成したペ
ーストを例えばグリーンセラミツクシートに塗布
してから、有機物除去の加熱処理を経て焼成し、
直接抵抗体を作成することもできる。 また、ガラスはこれを構成する酸化物の混合材
料がニオブ及び/又はタンタルのモリブデン酸塩
とともに結果的に焼成される状態におかれれば良
く、これらの酸化物の前駆体をニオブ及び/又は
タンタルのモリブデン酸塩及び/又はその前駆体
とともにこの酸化物の一部又は全部を上述したよ
うにペースト状態にし、これを基板に塗布して有
機物の燃焼、その後の焼成のいずれの過程で上記
のガラス成分からなるガラスになり、これとニオ
ブ及び/又はタンタルのモリブデン酸塩及び/又
はその前駆体と焼成されことにより抵抗体を作製
できるものであれば良い。例えば、ガラスの材料
の成分であるCaO(酸化カルシウム)はCaCO3
(炭酸カルシウム)の加熱、B2O3(酸化硼素)は
ホウ酸(H2BO3)の加熱から得られるので、
CaO、B2O3の一部又は全部の代わりにそれぞれ
CaCO3、H2BO3を用いることができる。本発明
における抵抗体材料とはその処理の過程で結果的
にニオブ及び/又はタンタルのモリブデン酸塩と
ガラスとを主成分にするものであれば良い。 実施例 次に本発明の実施例を説明する。 実施例 1 酸化物に換算して表1に示される組成になるよ
うに各成分を秤量し、混合した。
【表】
表中、単位は重量%。
ガラスA、ガラスBのそれぞれの混合物を各別
にアルミナ坩堝中で1400℃で溶融し、その溶融液
を水中に投入し、急冷させた。この急冷物を取り
出してエタノールとともにポツトミルの中に入
れ、アルミナボールで24時間粉砕し、粒径10μm
以下のガラス粉末を得た。 また、酸化モリブデンとニオブの酸化物からニ
オブのモリブデン酸塩を得た。 次に、前記で得たガラスA、ガラスBのそれぞ
れのガラス粉末と前記で得たニオブのモリブデン
酸塩を表2に示す割合になるように秤量し、混合
した。
ガラスA、ガラスBのそれぞれの混合物を各別
にアルミナ坩堝中で1400℃で溶融し、その溶融液
を水中に投入し、急冷させた。この急冷物を取り
出してエタノールとともにポツトミルの中に入
れ、アルミナボールで24時間粉砕し、粒径10μm
以下のガラス粉末を得た。 また、酸化モリブデンとニオブの酸化物からニ
オブのモリブデン酸塩を得た。 次に、前記で得たガラスA、ガラスBのそれぞ
れのガラス粉末と前記で得たニオブのモリブデン
酸塩を表2に示す割合になるように秤量し、混合
した。
【表】
上記各試料を窒素(N2)98.5vol%、水素
(H2)1.5vol%のガス雰囲気中、1000℃、1時間
熱処理し、しかる後にエタノールとともにポツト
ミルにて粉砕し、乾燥して10μm以下のガラスと
ニオブのモリブデン酸塩の熱処理粉末の抵抗体材
料粉末を得た。 次に各試料の抵抗体材料粉末100重量部に有機
物ビヒクル(ブチルカービトール90重量部、エチ
ルセルローズ10重量部)25重量部を加え、ロール
ミルで混合し、抵抗体材料ペーストを得た。 一方、Al2O340.0重量%、SiO235.0重量%、
B2O313.0重量%、CaO7.0重量%、MgO5.0重量%
からなるセラミツク原料粉末100重量部にポリビ
ニルブチラール8重量部、フタル酸ジエチル8重
量部、オレイン酸0.5重量部、アセトン10重量部、
イソプルピルアルコール20重量部及びメチルエチ
ルケトン20重量部を加えてボールミルにより混合
してスラリーを作製し、脱泡処理した後にドクタ
ーブレード法により厚さ200μmの長尺のセラミ
ツクグリーンシートを作製した。このセラミツク
グリーンシートから縦9mm横9mmのグリーンシー
ト片と、縦6mm横9mmのグリーンシート片とを切
り抜いた。 次に第1図に示す如く、上記の縦9mm横9mmの
グリーンシート片1上に、銅粉末95重量部、ガラ
スフリツト5重量部に有機物ビヒクルとしてブチ
ルカルビトール20重量部、エチルセルロース5重
量部を加え、これらを三本ロールミルにより混合
した導体材料ペーストをシルクスクリーン印刷
し、125℃、10分間乾燥させて導体材料塗膜2を
形成した。次いで、上記で得た抵抗体材料ペース
トを上記グリーンシート片1に上記と同様にシル
クスクリーン印刷し、125℃、10分間乾燥させて
厚膜抵抗体用塗膜3を形成した。 次にグリーンシート片1上に前記で得た縦6mm
横9mmのグリーンシート片4を図示鎖線で示すよ
うに重ね、100℃、150Kg/cm2で熱圧着する。次い
で、これを大気等の酸化性雰囲気中、400〜500℃
で加熱してグリーンシート片1,4、導体材料塗
膜2、抵抗体材料塗膜3のそれぞれの残留有機物
を分解・燃焼させる。 このようにして有機物を除去した後、
N298.5vol%、H21.5vol%の混合ガス中で、950
℃、1時間焼成し、第2図に示すようにグリーン
シート片1の焼成体の磁器層1a、グリーンシー
ト片4の焼成体の磁器層4aの間に導体材料塗膜
2の焼成体の厚膜導体2a、抵抗体材料塗膜3の
焼成体の厚膜抵抗体3aを有する多層セラミツク
基板を完成させた。この多層セラミツク基板に
は、後述する第3図、第4図に示されるような反
り、ふくれは見られなかつた。 このようにして得られた焼成体の多層セラミツ
ク基板を層方向に研磨して抵抗体層を露出させ、
この露出した抵抗体層をX線回折(CuKα線)に
より分析し、得られた結果を第5図に示す。これ
によりニオブのモリブデン酸塩を確認することが
できた。 次にこの多層セラミツク基板3aの25℃におけ
る抵抗値(R25)と、125℃に加熱したときの抵
抗値(R125)をデジタルマルチメータで測定し、
抵抗の温度係数(TCR)を次式により求めた。 TCR=R125−R25/R25×10000(ppm/℃) 上記のR25の測定抵抗値及びTCRの計算値を表
2に示した。 また、上記で得られた多層セラミツク基板を60
℃、95%相対湿度のもとに1000時間放置した後の
25℃の抵抗値を測定し、その変化率を求めた結果
を表2に示す。 実施例 2 実施例1において、ニオブのモリブデン酸塩の
代わりにタンタルのモリブデン酸塩を用いた以外
は同様にして表3に示す抵抗体材料から多層セラ
ミツク基板を作製し、実施例1と同様にR25、
TCR、抵抗値変化率を求めこれらをそれぞれ表
3に示す。 実施例 3 実施例1において、ニオブのモリブデン酸塩の
ニオブの一部をタンタルと置換した表4に示すモ
リブデン酸塩を使用した以外は同様にして表4に
示す抵抗体材料から多層セラミツク基板を作製
し、実施例1と同様にR25、TCR、抵抗値変化率
を求めこれらを表4に示す。 実施例 4 実施例1において、ニオブのモリブデン酸塩の
代わりにニオブのモリブデン酸塩とタンタルのモ
リブデン酸塩の混合物を用いた以外は同様にして
表5に示す抵抗体材料から多層セラミツク基板を
作製し、実施例1と同様にR25、TCR、抵抗値変
化率を求めこれらを表5に示す。 実施例 5 実施例1〜2において、それぞれニオブ、タン
タルのモリブデン酸塩及びガラス粉末の混合物に
ついて窒素(N2)98.5vol%、水素(H2)1.5vol
%のガス雰囲気中、1000℃、1時間の熱処理を行
わなかつた以外は同様にして表6に示す抵抗体材
料から多層セラミツク基板を作成し、実施例1と
同様にR25、TCR、抵抗変化率を求め、これらを
表6に示す。 なお、図示省略したが、上記それぞれの実施例
の焼成体の抵抗体についてその該当する金属のモ
リブデン酸塩を上記と同様にしてX線回折による
分析により認めることができる。
(H2)1.5vol%のガス雰囲気中、1000℃、1時間
熱処理し、しかる後にエタノールとともにポツト
ミルにて粉砕し、乾燥して10μm以下のガラスと
ニオブのモリブデン酸塩の熱処理粉末の抵抗体材
料粉末を得た。 次に各試料の抵抗体材料粉末100重量部に有機
物ビヒクル(ブチルカービトール90重量部、エチ
ルセルローズ10重量部)25重量部を加え、ロール
ミルで混合し、抵抗体材料ペーストを得た。 一方、Al2O340.0重量%、SiO235.0重量%、
B2O313.0重量%、CaO7.0重量%、MgO5.0重量%
からなるセラミツク原料粉末100重量部にポリビ
ニルブチラール8重量部、フタル酸ジエチル8重
量部、オレイン酸0.5重量部、アセトン10重量部、
イソプルピルアルコール20重量部及びメチルエチ
ルケトン20重量部を加えてボールミルにより混合
してスラリーを作製し、脱泡処理した後にドクタ
ーブレード法により厚さ200μmの長尺のセラミ
ツクグリーンシートを作製した。このセラミツク
グリーンシートから縦9mm横9mmのグリーンシー
ト片と、縦6mm横9mmのグリーンシート片とを切
り抜いた。 次に第1図に示す如く、上記の縦9mm横9mmの
グリーンシート片1上に、銅粉末95重量部、ガラ
スフリツト5重量部に有機物ビヒクルとしてブチ
ルカルビトール20重量部、エチルセルロース5重
量部を加え、これらを三本ロールミルにより混合
した導体材料ペーストをシルクスクリーン印刷
し、125℃、10分間乾燥させて導体材料塗膜2を
形成した。次いで、上記で得た抵抗体材料ペース
トを上記グリーンシート片1に上記と同様にシル
クスクリーン印刷し、125℃、10分間乾燥させて
厚膜抵抗体用塗膜3を形成した。 次にグリーンシート片1上に前記で得た縦6mm
横9mmのグリーンシート片4を図示鎖線で示すよ
うに重ね、100℃、150Kg/cm2で熱圧着する。次い
で、これを大気等の酸化性雰囲気中、400〜500℃
で加熱してグリーンシート片1,4、導体材料塗
膜2、抵抗体材料塗膜3のそれぞれの残留有機物
を分解・燃焼させる。 このようにして有機物を除去した後、
N298.5vol%、H21.5vol%の混合ガス中で、950
℃、1時間焼成し、第2図に示すようにグリーン
シート片1の焼成体の磁器層1a、グリーンシー
ト片4の焼成体の磁器層4aの間に導体材料塗膜
2の焼成体の厚膜導体2a、抵抗体材料塗膜3の
焼成体の厚膜抵抗体3aを有する多層セラミツク
基板を完成させた。この多層セラミツク基板に
は、後述する第3図、第4図に示されるような反
り、ふくれは見られなかつた。 このようにして得られた焼成体の多層セラミツ
ク基板を層方向に研磨して抵抗体層を露出させ、
この露出した抵抗体層をX線回折(CuKα線)に
より分析し、得られた結果を第5図に示す。これ
によりニオブのモリブデン酸塩を確認することが
できた。 次にこの多層セラミツク基板3aの25℃におけ
る抵抗値(R25)と、125℃に加熱したときの抵
抗値(R125)をデジタルマルチメータで測定し、
抵抗の温度係数(TCR)を次式により求めた。 TCR=R125−R25/R25×10000(ppm/℃) 上記のR25の測定抵抗値及びTCRの計算値を表
2に示した。 また、上記で得られた多層セラミツク基板を60
℃、95%相対湿度のもとに1000時間放置した後の
25℃の抵抗値を測定し、その変化率を求めた結果
を表2に示す。 実施例 2 実施例1において、ニオブのモリブデン酸塩の
代わりにタンタルのモリブデン酸塩を用いた以外
は同様にして表3に示す抵抗体材料から多層セラ
ミツク基板を作製し、実施例1と同様にR25、
TCR、抵抗値変化率を求めこれらをそれぞれ表
3に示す。 実施例 3 実施例1において、ニオブのモリブデン酸塩の
ニオブの一部をタンタルと置換した表4に示すモ
リブデン酸塩を使用した以外は同様にして表4に
示す抵抗体材料から多層セラミツク基板を作製
し、実施例1と同様にR25、TCR、抵抗値変化率
を求めこれらを表4に示す。 実施例 4 実施例1において、ニオブのモリブデン酸塩の
代わりにニオブのモリブデン酸塩とタンタルのモ
リブデン酸塩の混合物を用いた以外は同様にして
表5に示す抵抗体材料から多層セラミツク基板を
作製し、実施例1と同様にR25、TCR、抵抗値変
化率を求めこれらを表5に示す。 実施例 5 実施例1〜2において、それぞれニオブ、タン
タルのモリブデン酸塩及びガラス粉末の混合物に
ついて窒素(N2)98.5vol%、水素(H2)1.5vol
%のガス雰囲気中、1000℃、1時間の熱処理を行
わなかつた以外は同様にして表6に示す抵抗体材
料から多層セラミツク基板を作成し、実施例1と
同様にR25、TCR、抵抗変化率を求め、これらを
表6に示す。 なお、図示省略したが、上記それぞれの実施例
の焼成体の抵抗体についてその該当する金属のモ
リブデン酸塩を上記と同様にしてX線回折による
分析により認めることができる。
【表】
【表】
【表】
【表】
比較例 1
(MoSi2−TaSi2ガラス系抵抗体材料)
MoSi216重量部、TaSi29重量部の混合物を真
空中1400℃で加熱し、その生成物をエタノールと
ともにポツトミル中アルミナボールで24時間粉砕
し、乾燥させて10μm以下の微粉末を得た。この
ようにして得た微粉末25重量部に対し、BaO、
B2O3、MgO、CaO、SiO2からなるガラスフリツ
ト75重量部と、有機物ビヒクル(ブチルカルビト
ール20重量部、エチルセルロース5重量部)25重
量部とを加え、ロールミルで混合して抵抗体材料
ペーストを得た。 この抵抗体材料ペーストを用いた以外は実施例
1と同様にして多層セラミツク基板を得た。 その結果、セラミツクグリーンシートに抵抗体
材料塗膜を形成し、これを加熱処理して有機物を
除去した後に同時焼成して得たものは、両者の焼
成体に膨張率、収縮率が異なることにより第3図
に示すように反りが見られ、また、MoSi2、
TaSi2の分解反応でSiO2気体が発生することによ
り第4図に示すようにふくれが生じ、実用に供す
ることができなかつた。なお、11aは上記磁器
層1a,14aは上記磁器層4a,13aは上記
厚膜抵抗体3aにそれぞれ対応する磁器層、厚膜
抵抗体である。 比較例 2 (MoSi2−BaF2ガラス系抵抗体材料) MoSi270重量部、BaF220重量部と、SiO2、
ZnO、ZrO2、CaO、Al2O3からなるガラスフリツ
ト10重量部とをボールミルで混合し、得られた粉
末をアルゴン(Ar)ガス雰囲気中1200℃で熱処
理した後、これをエタノールとともにポツトミル
中アルミルボールで24時間粉砕し、乾燥させて
10μm以下の微粉末を得た。 この抵抗体材料ペーストを用いた以外は実施例
1と同様にして多層セラミツク基板を得た。この
多層セラミツク基板の厚膜抵抗体についても実施
例1と同様にして求めたR25、TCR及び抵抗値の
変化率を表4に示す。
空中1400℃で加熱し、その生成物をエタノールと
ともにポツトミル中アルミナボールで24時間粉砕
し、乾燥させて10μm以下の微粉末を得た。この
ようにして得た微粉末25重量部に対し、BaO、
B2O3、MgO、CaO、SiO2からなるガラスフリツ
ト75重量部と、有機物ビヒクル(ブチルカルビト
ール20重量部、エチルセルロース5重量部)25重
量部とを加え、ロールミルで混合して抵抗体材料
ペーストを得た。 この抵抗体材料ペーストを用いた以外は実施例
1と同様にして多層セラミツク基板を得た。 その結果、セラミツクグリーンシートに抵抗体
材料塗膜を形成し、これを加熱処理して有機物を
除去した後に同時焼成して得たものは、両者の焼
成体に膨張率、収縮率が異なることにより第3図
に示すように反りが見られ、また、MoSi2、
TaSi2の分解反応でSiO2気体が発生することによ
り第4図に示すようにふくれが生じ、実用に供す
ることができなかつた。なお、11aは上記磁器
層1a,14aは上記磁器層4a,13aは上記
厚膜抵抗体3aにそれぞれ対応する磁器層、厚膜
抵抗体である。 比較例 2 (MoSi2−BaF2ガラス系抵抗体材料) MoSi270重量部、BaF220重量部と、SiO2、
ZnO、ZrO2、CaO、Al2O3からなるガラスフリツ
ト10重量部とをボールミルで混合し、得られた粉
末をアルゴン(Ar)ガス雰囲気中1200℃で熱処
理した後、これをエタノールとともにポツトミル
中アルミルボールで24時間粉砕し、乾燥させて
10μm以下の微粉末を得た。 この抵抗体材料ペーストを用いた以外は実施例
1と同様にして多層セラミツク基板を得た。この
多層セラミツク基板の厚膜抵抗体についても実施
例1と同様にして求めたR25、TCR及び抵抗値の
変化率を表4に示す。
【表】
上記結果より、実施例の多層セラミツク基板は
いずれも反り、ふくれがなく、抵抗値の変化率も
±2%以内であるのに対し、比較例1の多層セラ
ミツク基板は反りが見られ、比較例2の多層セラ
ミンク基板は抵抗値の変化率が4倍も大きいこと
がわかる。 発明の効果 本発明によれば、ニオブ及び/又はタンタルの
モリブデン酸塩を含有する電気抵抗体を提供でき
るので、例えばニオブ及び/又はタンタルのモリ
ブデン酸塩及びガラスを主成分とする組成の抵抗
体材料を用いて、例えば卑金属導体材料とともに
非酸化性雰囲気中でセラミツクグリーンシートと
ともに焼成することにより抵抗体を形成するよう
にすると、焼成することにより焼成体に反りやふ
くれが生じるようなことはなく、また、抵抗体の
特に高湿度下の経時変化を小さくできる。 これにより、抵抗体を組み込んだ回路基板の小
型化、コストの低減の両方の要求を満たし、回路
基板の一層の性能の向上に寄与できる。 また、ニオブ及び/又はタンタルのモリブデン
酸塩を例えばガラスと熱処理し、この熱処理した
抵抗体材料を焼成して抵抗体にすると、抵抗の温
度変化係数の絶対値を小さくすることができ、回
路の性能をさらに向上することができる。
いずれも反り、ふくれがなく、抵抗値の変化率も
±2%以内であるのに対し、比較例1の多層セラ
ミツク基板は反りが見られ、比較例2の多層セラ
ミンク基板は抵抗値の変化率が4倍も大きいこと
がわかる。 発明の効果 本発明によれば、ニオブ及び/又はタンタルの
モリブデン酸塩を含有する電気抵抗体を提供でき
るので、例えばニオブ及び/又はタンタルのモリ
ブデン酸塩及びガラスを主成分とする組成の抵抗
体材料を用いて、例えば卑金属導体材料とともに
非酸化性雰囲気中でセラミツクグリーンシートと
ともに焼成することにより抵抗体を形成するよう
にすると、焼成することにより焼成体に反りやふ
くれが生じるようなことはなく、また、抵抗体の
特に高湿度下の経時変化を小さくできる。 これにより、抵抗体を組み込んだ回路基板の小
型化、コストの低減の両方の要求を満たし、回路
基板の一層の性能の向上に寄与できる。 また、ニオブ及び/又はタンタルのモリブデン
酸塩を例えばガラスと熱処理し、この熱処理した
抵抗体材料を焼成して抵抗体にすると、抵抗の温
度変化係数の絶対値を小さくすることができ、回
路の性能をさらに向上することができる。
第1図は本発明の電気抵抗体を製造するときの
焼成前の抵抗体材料塗膜と導体材料塗膜を基板に
形成し、多層構造にしようとする状態の一例を示
す図、第2図はその焼成体の断面図、第3図は従
来の抵抗体材料を使用して多層構造にしたときの
焼成体の断面図、第4図はさらにその焼成体にガ
スが発生した状態を示す説明図、第5図は本発明
の一実施例の電気抵抗体からニオブのモリブデン
酸塩を検出したときのX線回折図である。 図中、1,4はグリーンシート片、2は導体材
料塗膜、3は抵抗体材料塗膜、1a,4aは磁器
層、2aは厚膜導体、3aは厚膜抵抗体である。
焼成前の抵抗体材料塗膜と導体材料塗膜を基板に
形成し、多層構造にしようとする状態の一例を示
す図、第2図はその焼成体の断面図、第3図は従
来の抵抗体材料を使用して多層構造にしたときの
焼成体の断面図、第4図はさらにその焼成体にガ
スが発生した状態を示す説明図、第5図は本発明
の一実施例の電気抵抗体からニオブのモリブデン
酸塩を検出したときのX線回折図である。 図中、1,4はグリーンシート片、2は導体材
料塗膜、3は抵抗体材料塗膜、1a,4aは磁器
層、2aは厚膜導体、3aは厚膜抵抗体である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 ニオブ及び/又はタンタルのモリブデン酸塩
を含有する焼成体を有することを特徴とする電気
抵抗体。 2 焼成体はニオブ及び/又はタンタルのモリブ
デン酸塩及びその前駆体の内の少なくとも一種を
主成分に含有する抵抗体材料から焼成されること
を特徴とする特許請求の範囲第1項記載の電気抵
抗体。 3 抵抗体材料の主成分はニオブ及び/又はタン
タルのモリブデン酸塩及びその前駆体の内の少な
くとも一種を当該ニオブ及び/又はタンタルのモ
リブデン酸塩に換算して45〜96重量%と、ガラス
4〜55重量%とからなることを特徴とする特許請
求の範囲第2項記載の電気抵抗体。 4 主成分にニオブ及び/又はタンタルのモリブ
デン酸塩及びその前駆体の内の少なくとも一種を
含有する抵抗体材料を熱処理し、この熱処理して
得られた抵抗体材料を用いて焼成し、ニオブ及
び/又はタンタルのモリブデン酸塩を含有する焼
成体からなる電気抵抗体を得ることを特徴とする
電気抵抗体の製造方法。 5 熱処理前の抵抗体材料の主成分はニオブ及
び/又はタンタルのモリブデン酸塩及びその前駆
体の内の少なくとも一種を当該ニオブ及び/又は
タンタルのモリブデン酸塩に換算して45〜96重量
%と、ガラス4〜55重量%とからなることを特徴
とする特許請求の範囲第4項記載の電気抵抗体の
製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62045606A JPS63213307A (ja) | 1987-02-28 | 1987-02-28 | 電気抵抗体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62045606A JPS63213307A (ja) | 1987-02-28 | 1987-02-28 | 電気抵抗体及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63213307A JPS63213307A (ja) | 1988-09-06 |
JPH0428126B2 true JPH0428126B2 (ja) | 1992-05-13 |
Family
ID=12724015
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62045606A Granted JPS63213307A (ja) | 1987-02-28 | 1987-02-28 | 電気抵抗体及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63213307A (ja) |
-
1987
- 1987-02-28 JP JP62045606A patent/JPS63213307A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS63213307A (ja) | 1988-09-06 |