JPS63215554A

JPS63215554A - 電気抵抗体ペ−スト及びその製造方法

Info

Publication number: JPS63215554A
Application number: JP62045617A
Authority: JP
Inventors: 敏光本多; 山田　忠彦; 鬼形　和治; 正一登坂
Original assignee: Taiyo Yuden Co Ltd
Current assignee: Taiyo Yuden Co Ltd
Priority date: 1987-02-28
Filing date: 1987-02-28
Publication date: 1988-09-08
Also published as: JPH0469587B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】産業上の利用分野本発明は、固定チップ抵抗器あるいは回路配線基板等に
設けられる厚膜タイプの電気抵抗体、特に非酸化性雰囲
気中で焼成して得られることが可能な電気抵抗体及びそ
の製造方法に関する。

従来の技術電子機器の電気回路は、抵抗、コンデンサ、ダイオード
、トランジスタ等の各種電気素子が回路基板に実装され
て構成されることが良く行なわれているが、電子機器の
小型化に伴ってこれらの電気素子の実装密度をさらに高
めることができる回路基板が多（用いられるようになっ
てきた。

これらの回路基板に設けられる抵抗体には、抵抗体材料
ペーストを回路上に直接印刷して焼付けることにより形
成した厚膜抵抗体、あるいは角板状セラミックチップの
両端に一対の電極を形成し、双方の電極に跨がるように
前記厚膜抵抗体を形成した固定チップ抵抗器等がある。

このような厚膜抵抗体を回路基板に設けるには、従来、
例えば１５００℃前後で焼成して得られたアルミナ基板
の表面にＡｇあるいはＡｇ−Ｐｄ等の導体材料ペースト
を塗布し、焼付けした後、例えばＲｕｎｇを抵抗体材料
として含有するペーストをスクリーン印刷等により塗布
し、ついで７５０〜８５０℃で焼付け、さらに必要に応
じてトリミング等により抵抗値の調整を行なうやり方が
一般的である。

しかしながら近年、電子機器等に対する軽薄・短小化、
低コスト化の要求がさらに強まってきており、回路基板
に対しても一層の小型化、低コスト化の検討が行われる
ようになってきた。

前者の小型化のための具体的な対応としては、第１に回
路基板の多層化、第２に抵抗体の内装化が行なわれてい
る０回路基板を多層化する例としては、ＡｇあるいはＡ
ｇ−Ｐｄ系等の導体材料ペーストを印刷したセラミック
グリーンシート（生シート）を積層、圧着した後、大気
中８００〜１１００℃で同時焼成して得られる多層配線
基板が挙げられ、また、抵抗体を内装化した例としては
、前記導体材料ペーストを印刷したセラミックグリーン
シート上にさらにＲｕＯ□系抵抗系材抗体材料ペースト
し、前記と同様に積層、圧着した後、同時焼成して得ら
れる抵抗体内装多層配線基板等が知られている。

また、後者の低コスト化のための具体的な対応としては
、八ｇあるいはＡｇ−Ｐｄ系材料のような高価な貴金属
系の導体材料に代わって、安価なＮｉあるいはＣｕ等の
卑金属系の導体材料を用い、これらを窒素ガスあるいは
水素を含む窒素ガス中等、その酸化による高抵抗化を避
けることができるような中性あるいは還元性の非酸化性
雰囲気中、８００〜１１００℃でグリーンセラミックと
同時焼成して得られる多層配線基板が実用化されている
。また、特開昭５６−１５３７０２号公報に記載されて
いるように、Ｍｏ５ｉｚ−ＴａＳｉｔ及びガラスからな
る抵抗体材料を、Ｆｌ　（Ｃｕ）導体を存するアルミナ
基板上に塗布し、熱処理して得られる厚膜抵抗体等も知
られている。

発明が解決しようとする問題点しかしながら、回路基板の小型化と低コスト化を同時に
行なうようにすると、ＲｕＯ□系抵抗系材抗体材料ガス
あるいは水素を含む窒素ガス雰囲気中でグリーンセラミ
ックと同時焼成したときに還元反応が起こり、抵抗値が
低くなって抵抗体としての特性を示さなくなる。

また、Ｍｏ５ｉｚ−ＴａＳｉｚ及びガラスからなる抵抗
体材料を非酸化性雰囲気中でグリーンセラミックシート
と同時焼成すると、両者の膨張率、収縮率の相違による
ずれにより焼成体に反りが生じたり、Ｍｏ５ｉｚ−Ｔａ
Ｓｉｚの分解反応によりガスが発生して焼成体にふくれ
が生じ易いと云う問題点がある。これを改善するために
、特開昭６０−１９８７０３号公報に記載されているよ
うに、Ｍｏ５ｉｚ−弗化金属塩（例えば弗化カルシウム
）及びガラスよりなる抵抗体材料を用いる例か知られて
おり、これについては上記のような焼成時の反りやふく
れは見られない。

しかしながら、このＭｏ５ｉｚ−弗化金属及びガラスよ
りなる抵抗体材料をグリーンセラミックシートに塗布し
、同時焼成して得られた厚膜抵抗体は、９５％相対湿度
中に１０００時間放置すると、５〜１０％の抵抗値の増
加が見られ、抵抗体としての所定の機能を果たすことが
できない。

また、上記の従来の電気抵抗体は、その抵抗値の温度変
化係数が１０００　ｐｐｍ／　’Ｃよりは小さくならず
、清書な動作を必要とする回路の抵抗体素子としては問
題があった。

そこで、本願と同日の他の出願で、モリブデン酸金属塩
とガラスを主成分とする抵抗体材料を焼成して得た電気
抵抗体、及びこの抵抗体材料にさらに金属の弗化物を含
有させた抵抗体材料を焼成して得た電気抵抗体について
提案し、これらは多層基板に内装化しても前記のような
焼成体の反りやふくれ、抵抗値の変化は見られず、さら
に後者の電気抵抗体は前者より抵抗値の温度変化係数を
小さくすることができた。

しかしながら、この電気抵抗体の抵抗値の温度変化係数
をさらに小さくすることが望まれていた。

本発明の目的は、固定チップ抵抗器あるいは一般の回路
基板等に使用できるのみならず、卑金属導体材料ととも
に積層し、多層基板に内装化することのできる電気抵抗
体であって、その抵抗の温度変化係数を小さくすること
のできる電気抵抗体を提供することにある。

また、本発明の他の目的は、上記電気抵抗体の特性を向
上させることのできる製造法を提供することにある。

問題点を解決するための手段本発明は、上記問題点を解決するために、アルミニウム
のモリブデン酸塩及びその前駆体の内の少なくとも一種
と、アルカリ土類金属の弗化物と、アルカリ土類金属の
炭酸塩を含有することを特徴とする電気抵抗体ペースト
を提供するものである。

また、本発明は、主成分にアルミニウムのモリブデン酸
塩及びその前駆体の内の少なくとも一種と、アルカリ土
類金属の弗化物と、アルカリ土類金属の炭酸塩を含有し
、前記アルミニウムのモリブデン酸塩及びその前駆体の
内の少なくとも一種と、アルカリ土類金属の弗化物の混
合物系について熱処理をし、この熱処理により得た材料
に上記アルカリ土類金属の炭酸塩を加えて抵抗体材料を
構成し、この抵抗体材料を用いてペーストにしたことを
特徴とする電気抵抗体ペーストの製造方法を提供するも
のである。

次に本発明の詳細な説明する。

本発明におけるアルミニウムのモリブデン酸塩には、例
えばＡｔ□Ｍｏ　、０゜等が例示される。

このようなアルミニウムのモリブデン酸塩は、アルミニ
ウムの酸化物と酸化モリブデン（ＭＯＯ３）の熱処理に
よって合成することができるが、その前駆体を用いて熱
処理することにより合成することもできる。

本発明においてはバインダーを用いることが好ましく、
これにはガラスが挙げられが、このガラスとしては一般
に知られているガラスが用いられ、特定の組成のガラス
に限定されるものではないが、Ｐｂ：＋０４、ＢｌｚＯ
ｘ　％　ＳｎＯ２、ＣｄＯのような酸化物は、これらを
含む抵抗体材料を非酸化性雰囲気中で焼成するときに還
元されて金属化することがあり、この金属は抵抗値を変
化させるので、このようなことが起こることが好ましく
ない場合にはこれらの酸化物を含有しないことが好まし
い。

ガラス成分としては、Ｓｉｎｇ、Ｐｈ１ｓ、ＺｎＯ、Ｃ
ａＯ１ＳｒＯ１ｚｒＯ□などが好ましく、これらの酸化
物の組成比は、５ｉ（ｈ　１２〜３３　　重量％ＢｚＯ
ｓ　２０〜３５　　重量％ＺｎＯ又は５ｒＯ１３〜３３　　重量％Ｃａ０　１０〜
２５　　重量％Ｚｒ（ｈ　１５〜４５　　重量％が好ましい。

これら酸化物の組成物からガラスを製造するには、前記
組成比になるようにそれぞれの酸化物を秤量し、混合す
る。この混合物を坩堝に入れ、１２００〜１５００℃の
温度にて溶融した後、溶融液を例えば水中に投入し、急
冷させ、ガラス粗粉を得る。

この粗粉を例えばボールミル、振動ミルなどの粉砕手段
を用いて所望の粒度（例えば１０μｍ以下）になるまで
粉砕すると、ガラス粉末が得られる。

前記は純粋の酸化物を混合して用いたが、これに限らず
結果的に各酸化物の混合物からなるガラスになれば良く
、各酸化物の前駆体をその一部又は全部に用い、これを
溶融してガラスにしても良い０例えばＣａＯ（酸化カル
シウム）はＣａＣ０ｚ（炭酸カルシウム）　、ＢｚＯｓ
（酸化硼素）はホウ酸（１１１ＢＯユ）の熱処理により
得られるので、ＣａＯ％　８ｇ０３の一部又はその全部
の代わりにそれぞれＣａＣＯｘ　、ＨｔＢ（ｈを用いる
ことができる。その他の成分の酸化物についても同様で
ある。

また、本発明において用いられるアルカリ土類金属の弗
化物は、Ｍｅを金属としたときＭｅＦｚの一般式で表さ
れ、Ｍｅとしてアルカリ土類金属、すなわちＭｇ、　Ｃ
ａ、　Ｓｒ、　Ｂａを用い、これらの各金属塩の一種又
は二種以上を混合して用いることが好ましい。

しかし、これらアルカリ土類金属の弗化物に限らず、他
の金属の弗化物も使用できる。

前記のようにして得られるアルミニウムのモリブデン酸
塩、ガラス粉末及びアルカリ土類金属等の弗化物は混合
され、そのまま抵抗体材料として用いても良いが、これ
を熱処理して粉砕したものを抵抗体材料とすることがこ
れを焼成して得た抵抗体の抵抗温度特性の上で好ましい
。この熱処理温度としては、８００℃〜１２００℃が好
ましく、これより外れると抵抗体材料を電気抵抗体に加
工する各工程の作業条件等による組成比の微妙な変動に
対し、出来上がった抵抗体の抵抗値が影響を受は易く、
所望の抵抗値を安定して得ることが難しい。

この熱処理は非酸化性雰囲気が望ましく、窒素ガスその
他年活性ガスのみならず、これらに水素ガスを含存させ
た混合ガスを用いることが好ましい。

このようにして得られた抵抗体材料粉末から固定抵抗器
あるいは厚膜抵抗体のための抵抗体を作成するには、例
えばセラミックグリーンシートにこれらの抵抗体材料粉
末を塗布する。この塗布を行うために例えばシルクスク
リーン印刷ができるようにこれら抵抗体材料粉末にビヒ
クルが混合されるが、この際、アルカリ土類金属の炭酸
塩を加えた塗液が調製される。

この炭酸塩にはＭｅ’ＣＯ）の一般式を有するものが挙
げられ、Ｍｅ’　としてはＭｇ５（ａ、　Ｓｒ、　Ｂａ
のアルカリ土類金属等が好ましいが、これらに限らず他
の金属炭酸塩も用いられる。

抵抗体材料の各成分の組成比は、アルミニウムのモリブ
デン酸塩６０〜９５重量％、ガラス粉末４〜３９重量％
、アルカリ土類金属の弗化物０．５〜１０重量％、アル
カリ土類金属の炭酸塩０．５〜２５重量％が好ましい。

この範囲よりアルミニウムのモリブデン酸塩が少な過ぎ
、ガラスが多過ぎると、焼成して出来上がった電気抵抗
体の抵抗値が高くなり過ぎ好ましくない場合があり、ま
た、逆にアルミニウムのモリブデン酸塩が多過ぎ、ガラ
スが少な過ぎると焼成時の焼結性が悪くなり回路基板に
安定に保持できないことがある。しかし、抵抗体を回路
基板を積層して埋め込むような場合にはアルミニウムの
モリブデン酸塩が上記範囲より多（、ガラスを含まない
場合でも良い。また、アルカリ土類金属の弗化物は０．
５！量％より少な過ぎても、１０重量％より多過ぎても
出来上がった電気抵抗体の温度変化係数が±３００　ｐ
ｐｍ／’ｃより大きくなり、好ましくない場合がある。

しかし、この範囲以外のものも抵抗の温度変化係数の改
善が見られる範囲で使用できる。

前記塗液のビヒクルは、焼成の前段階で焼失できるよう
なものが好ましく、このためには有機物ビヒクル、すな
わち有機溶剤に樹脂を溶解又は分散させ、必要に応じて
可塑剤、分散剤等の各種添加剤を加えたものが好ましい
。この有機溶剤にはプチルカービトールアセテート、プ
チルカービトール、テレピン油などが挙げられ、樹脂と
してはエチルセルローズ、ニトロセルローズ等のセルロ
ーズ誘導体、その他の樹脂が挙げられる。

この有機物ビヒクルと抵抗体材料粉末との使用割合は使
用する有機溶剤、樹脂等により変わるが、有機溶剤と樹
脂との使用割合は前者が２０〜５０重量％、後者が８０
〜５０重量％が適当である。これらの成分は例えば三本
ロールミル、らいかい器などの混合手段を用いてペース
ト状にされる。

このようにして得られた抵抗体材料ペーストが基板に塗
布され、さらに後述の処理を施されて抵抗体が作成され
るが、この基板にはセラミックグリーンシートを導体材
料や抵抗体材料とともに焼成して作成するもののみなら
ず、予めセラミックグリーンシートを焼成し、これにさ
らに抵抗体材料、導体材料を塗布した後焼成する方法で
も良い。

これらは積層体を形成する場合にも適用できる。

前記セラミックグリーンシートとしては、例えば酸化ア
ルミニウム（Ａ　Ｎ　、０３）３５〜４５重量％、酸化
珪素（ＳｉＯ□）２５〜３５重量％、酸化硼素（ＢｚＯ
＊）１０〜１５重量％、酸化カルシウム（Ｃａｂ）　７
〜１３重量％、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）７〜１０重
量％等のセラミック構成成分の酸化物混合物を有機物ビ
ヒクルとボールミル等で混合したスラリーをドクターブ
レード等によりシート化したものが挙げられる。この際
、アルミニウムのモリブデン酸塩にガラスを併用しない
ときは、前記セラミックグリーンシートにガラス分を多
く含ませガラスを併用したと同様の効果を出すようにし
ても良い。前記有機物ビヒクルには、アクリル酸エステ
ル等のアクリル樹脂、ポリビニルブチラール等の樹脂、
グリセリン、フタル酸ジエチル等の可塑剤、カルボン酸
塩等の分散剤、水、有機溶剤等の溶剤から構成される。

上記抵抗体材料ペーストはセラミックグリーンシートに
例えばシルクスクリーン印刷等の手段により塗布され、
乾燥後、４００〜５００℃で熱処理されて樹脂成分が分
解・燃焼されるのが好ましい。

この際、同時にＮｉあるいはＣｕ等の卑金属導体材料あ
るいはＡｇ又はＡｇ−Ｐｄの貴金属導体材料のペースト
も抵抗体材料ペースト塗膜と同様にセラミックグリーン
シートに塗布され、抵抗体材料ペーストの塗布物と同様
に処理される。

このＮｉあるいはＣｕ等の卑金属導体材料あるいはＡｇ
又はＡｇ−Ｐｄの貴金属導体材料のペースト組成物とし
ては、各々の金属粉末９８〜８５！量％にガラスフリッ
トを２〜１５重量％加えたものが例示される。

このようにしてセラミックグリーンシートに抵抗体材料
及び／又は導体材料が組み込まれるが、固定チップ抵抗
器の場合にはこの未焼成基板の表面のみ、多Ｎ基板の厚
膜抵抗体の場合には前記抵抗体材料、導体材料を未焼成
状態で組み込んだものをさらに積層して所定の回路を構
成するようにしてから焼成する。この焼成により導体材
料及び／又は厚膜抵抗体材料を基板と同時に焼成体にす
ることができる。

この場合、ＮｉあるいはＣｕ等の卑金属導体材料が導体
材料に用いられるときは、その酸化による高抵抗値化を
防止するために、非酸化性雰囲気中で焼成することが好
ましく、その焼成温度は、例えば８００℃〜１１００℃
、０．５時間〜２時間が例示される。非酸化性雰囲気と
しては、窒素ガスその他事活性ガス、これらに水素ガス
を含有させた混合ガスも用いられる。また、Ａｇ又はＡ
ｇ−Ｐｄの貴金属導体材料を用いるときは空気等の酸化
性雰囲気中で焼成することもできる。

前記のようにして導体及び／又は抵抗体を組み込んだ回
路配線基板が出来上がるが、焼成基板と導体の間は勿論
のこと、焼成基板と抵抗体との間にも焼成に伴ってクラ
ックや歪、ふくれを生じることがないとともに、抵抗体
は高湿度雰囲気中に１０００時間以上放置されてもその
抵抗値が±２％以内の変化に抑制され、その高い信頼性
を確保することができるとともに、抵抗値の温度変化係
数も例えば±３００ｐｐａａ／　”ｃ以下にすることが
できる。これは抵抗体が導体及び焼成基板と良くマツチ
ングするためと、アルミニウムのモリブデン酸塩及びア
カリ土類金属の弗化物とガラスの焼成体からなる抵抗体
の独特の耐湿性に基づくものと考えられるが詳細は明ら
かでない。なお、Ｘ線回折分析により前記抵抗体中にア
ルミニウムのモリブデン酸塩とアルカリ土類金属の弗化
物を認めることができる。

本発明においては、上記の如（アルミニウムのモリブデ
ン酸塩を用いても良いが、この代わりに熱処理によりア
ルミニウムのモリブデン酸塩となる前駆体を一部又は全
部用いることもできる。これらのいずれの場合もガラス
と混合して熱処理したものを粉砕し、抵抗体材料とする
ことが好ましいが、この熱処理を行わず上述の有機物ビ
ヒクル等と混合して作成したペーストを例えばグリーン
セラミックシートに塗布してから、有機物除去の加熱処
理を経て焼成し、直接抵抗体を作成することもできる。

また、ガラスはこれを構成する酸化物の混合材料がアル
ミニウムのモリブデン酸塩及びアルカリ土類金属の弗化
物とともに結果的に焼成される状態におかれれば良く、
これらの酸化物の前駆体をアルミニウムのモリブデン酸
塩及び／又はその前駆体、アルカリ土類金属の弗化物と
ともにこの酸化物の一部又は全部を上述したようにペー
スト状態にし、これを基板に塗布して有機物の燃焼、そ
の後の焼成のいずれの過程で上記のガラス成分からなる
ガラスになり、これとアルミニウムのモリブデン酸塩及
び／又はその前駆体、アルカリ土類金属の弗化物及びア
ルカリ土類金属の炭酸塩（又はその加熱体）と焼成され
ることにより抵抗体を作製できるものであれば良い。例
えば、ガラスの材料の成分であるＣａＯ（酸化カルシウ
ム）はＣａＣ０：＋（炭酸カルシウム）の加熱、Ｂ２Ｏ
２（酸化硼素）はホウ酸（ＨｔＢＯｉ）の加熱から得ら
れるので、ＣａＯ５Ｂ２０３の一部又は全部の代わりに
それぞれＣａＣ０，、Ｈ，ＢＯ３を用いることができる
。本発明における抵抗体材料とはその処理の過程で結果
的にアルミニウムのモリブデン酸塩とガラスとアルカリ
土類金属の弗化物を主成分にするものであれば良い。

実施例次に本発明の詳細な説明する。

実施例１酸化物に換算して表１に示される組成になるように各成
分を秤量し、混合した。

（この頁以下余白）表１表中、単位は重量％。

ガラスＡ、ガラスＢのそれぞれの混合物を各別にアルミ
ナ坩堝中で１４００℃で溶融し、その溶融液を水中に投
入し、急冷させた。この急冷物を取り出してエタノール
とともにボットミルの中に入れ、アルミナボールで２４
時間粉砕し、粒径１０μｍ以下のガラス粉末を得た。

また、酸化モリブデンとアルミニウムの酸化物カラアル
ミニウムのモリブデン酸塩を得た。

次に、前記で得たガラスＡ１ガラスＢのそれぞれのガラ
ス粉末と前記で得たアルミニウムのモリブデン酸塩及び
アルカリ土類金属の弗化物を表２に示す割合になるよう
に秤量し、混合した。

（この頁以下余白）ｔｌ’）（つづ船前記各試料を窒素（Ｎｚ）　９８．５　ｖｏ１％、水素
（Ｈ２）１．５νｏｆ％のガス雰囲気中、１０００℃、
１時間熱処理し、しかる後にエタノールとともにポット
ミルにて粉砕し、乾燥して１０ｐｍ以下のガラスとモリ
ブデン酸塩と弗化物の熱処理粉末の抵抗体材料粉末を得
た。

次に各試料に表に示す割合でアルカリ土類金属の炭酸塩
を混合し、この混合の後の抵抗体材料粉末１００重量部
に有機物ビヒクル（プチルカービトール９０重量部、エ
チルセルローズ１０重量部）２５重量部を加え、ロール
ミルで混合し、抵抗体材料ペーストを得た。

一方、Ａ　ｌ　２０３４０．０重量％、５ｉＯｚ３５．
０重量％、Ｂｔ０３１３．０重量％、Ｃａ０７．０重量
％、Ｍｇ０５．０重量％からなるセラミック原料粉末１
００重量部にポリビニルブチラール８重量部、フタル酸
ジエチル８重量部、オレイン酸０．５重量部、アセトン
１０重量部、イソプロピルアルコール２０重量部及びメ
チルエチルケトン２０重量部を加えてボールミルにより
混合してスラリーを作製し、脱泡処理した後にドクター
ブレード法により厚さ２００μｍの長尺のセラミックグ
リーンシートを作製した。このセラミックグリーンシー
トから縦９Ｂ横９鰭のグリーンシート片と、縦６ｆｌ横
９鶴のグリーンシート片とを切り抜いた。

次に第１図に示す如く、前記の縦９ｆｌ横９鶴のグリー
ンシート片１上に銅粉末９５重量部、ガラスフリット５
重量部に、有機物ビヒクルとしてブチルカルピトール２
０重量部、エチルセルロース５重量部を加え、これらを
三本ロールミルにより混合した導体材料ペーストをシル
クスクリーン印刷し、１２５℃、１０分間乾燥させて厚
膜導体材料塗膜２を形成した。次いで、前記で得た抵抗
体材料ペーストを前記グリーンシート片１に前記と同様
にシルクスクリーン印刷し、１２５℃、１０分間乾燥さ
せて抵抗体材料塗膜３を形成した。

次にグリーンシート片１上に前記で得た縦６ｆｌ横９鶴
のグリーンシート片４を図示鎖線で示すように重ね、１
００℃、１５０Ｋｇ／−で熱圧着する。次いで、これを
大気等の酸化性雰囲気中、４００〜５００℃で加熱して
グリーンシート片ｌ、４、導体材料塗膜２、抵抗体材料
塗膜３のそれぞれの残留有機物を分解・燃焼させる。

このようにして有機物を除去した後、Ｎ２９８．５ｖｏ
１％、Ｈｚ　１．５　ｖｏ１％の混合ガス中で、９５０
℃、１時間焼成し、第２図に示すようにグリーンシート
片１の焼成体の磁器層１ａｓグリ一ンシート片４の焼成
体の磁器層４ａの間に導体材料塗膜２の焼成体の厚膜導
体２ａ、抵抗体材料塗膜３の焼成体の厚膜抵抗体３ａを
有する多層セラミック基板を完成させた。この多層基板
には、後述する第３図、第４図に示されるような反り、
ふくれは見られなかった。

このようにして得られた焼成体（試料Ｎｏ１）の多層セ
ラミック基板を層方向に研磨して抵抗体層を露出させ、
この露出した抵抗体層をχ線回折（ＣｕＫα線）により
分析し、得られた結果を第５図に示す。これにより供試
体中のモリブデン酸塩の種類及び弗化物の種類を図示の
如く確認することができた。

次にこの多層セラミック基ｊｌｉ３ａの２５℃における
抵抗値（Ｒｚｓ）と、１２５℃に加熱したときの抵抗値
（Ｒａｔｓ）をデジタルマルチメータで測定し、抵抗の
温度係数（ＴＣＲ）を次式により求めた。

３に示した。

また、上記で得られた多層セラミック基板を６０℃、９
５％相対湿度のもとに１０００時間放置した後の２５℃
の抵抗値を測定し、その変化率を求めた結果を表３に示
す。

なお、各試料阻の試料からアルカリ土類金属の炭酸塩を
除いた試料、さらにアルカリ土類金属の弗化物を除いた
試料のそれぞれから実施例１と同様にして作られた電気
抵抗体のそれぞれについて上記と同様に測定し、求めた
結果を表２の試料隘に対応させてそれぞれ表３に示す。

実施例２実施例１において、モリブデン酸塩、アルカリ土類金属
の弗化物及びガラス粉末の混合物について窒素（Ｎｚ）
　９８．５ｖｏ１％、水素（Ｈｚ）　１．５ｖｏ１％の
ガス雰囲気中、１０００℃、１時間の熱処理を行わなか
った以外は同様にして表４に示す抵抗体材料から多層セ
ラミック基板を作成し、実施例１と同様にＲ２，、ＴＣ
Ｒ、抵抗値変化率を求め表５に示す。

なお、図示省略したが、実施例２の焼成体についてもＸ
線回折分析によりモリブデン酸塩の種類、弗化物の種類
を確認できる。

（この頁以下余白）表３（特…舶４（アルミニウムのモリブデン酸塩と弗化物とガラスを
９理しない場合頁実施例り表３（特性（２）比較例１　（ＭｏＳｉｚ−ＴａＳｉｚガラス系抵抗体材
料）ＭｏＳｉｇ　１６重量部、Ｔａ５ｉｚ　９重量部の
混合物を空中１４００℃で加熱し、その生成物をエタノ
ールとともにボットミル中アルミナポールで２４時間粉
砕し、乾燥させて１０μｍ以下の微粉末を得た。このよ
うにして得た微粉末２５重量部に対し、ＢａＯ、ＢｚＯ
，３、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｉＯ□からなるガラスフリフ
ト７５重量部と、有機物ビヒクル（ブチルカルピトール
２０重量部、エチルセルロース５重量部）２５重量部と
をを加え、ロールミルで混合して抵抗体材料ペーストを
得た。

この抵抗体材料ペーストを用いた以外は実施例１と同様
にして多層セラミック基板を得た。

その結果、セラミックグリーンシートに抵抗体材料塗膜
を形成し、これを加熱処理して有機物を除去した後に同
時焼成して得たものは、両者の焼成体に膨張率、収縮率
が異なることにより第３図に示すように反りが見られ、
また、Ｍｏ５ｉｚ　、Ｔａｘｉの分解反応で５ｉＯｚ気
体が発生することにより第４図に示すようにふくれが生
じ、実用に供することができなかった。なお、ｌｌａは
上記磁器Ｎ＃ａ、、１４ａは上記磁器層４ａ、１３ａは
上記厚膜抵抗体３ａにそれぞれ対応する磁器層、厚膜抵
抗体である。

比較例２（ＭｏＳｉ２−ＢａＦｚガラス系抵抗系材抗体
材料Ｓｉｚ　７０重量部、ＢａＦｚ　２０重量部と、Ｓ
ｉＯ２、Ｚｎ。

ＺｒＯ□、Ｃａ０ｚ、八ｌ□０３からなるガラスフリフ
ト１０重量部とをボールミルで混合し、得られた粉末を
アルゴン（Ａｒ）ガス雰囲気中１２００℃で熱処理した
後、これをエタノールとともにポットミル中アルミナボ
ールで２４時間粉砕し、乾燥させて１０μｍ以下の微粉
末を得た。

この多層セラミック基板の厚膜抵抗体についても実施例
１と同様にして求めたＲ、、　、ＴＣＰ及び抵抗値の変
化率を表１５に示す。

いずれも反り、ふくれがなく、抵抗値の変化率も±２％
以内であり、さらにＴＣＲも特に抵抗体材料を熱処理し
たものは±３ＱＯｐｐｍ／　’Ｃであるのに対し、比較
例１の多層セラミック基板は反りやふくれが見られ、比
較例２の多層セラミック基板は抵抗体の抵抗値の変化率
が４倍も大きく　、ＴＣＲも一桁大きいことがわかる。

発明の効果本発明によれば、アルミニウムのモリブデン酸塩、アル
カリ土類金属の弗化物及びアルカリ土類金属の炭酸塩を
含有させた抵抗体ペーストを提供できるので、これを用
いて例えば卑金属導体材料とともに非酸化性雰囲気中で
セラミックグリーンシートと同時に焼成することにより
抵抗体を形成するようにすると、焼成により焼成体に反
りやふくれが生じるようなことはなく、また、抵抗体の
温度変化を小さくできるのみならず、抵抗体の抵抗値の
温度変化係数を例えば±３００　ｐｐｍ／　’Ｃ以下に
することができる。

これにより、抵抗体を組み込んだ回路基板の小型化、コ
ストの低減の両方の要求を満たすことができるとともに
、特に精密な動作を必要とする電子機器に対しても優れ
た電子部品を提供することができる。

また、例えばアルミニウムのモリブデン酸塩、アルカリ
土類金属の弗化物及びガラスを熱処理すると、これを行
わないものに比べ、抵抗体の温度変化係数の絶対値を小
さくでき、優れた特性の抵抗体を提供できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の電気抵抗体を製造するときの焼成前の
抵抗体材料塗膜と導体材料塗膜を基板に形成し、多層構
造にしようとする状態の一例を示す図、第２図はその焼
成体の断面図、第３図は従来の抵抗体材料を使用して多
層構造にしたときの焼成体の断面図、第４図はその焼成
体にガスが発生したときの説明図、第５図は本発明の一
実施例の電気抵抗体のＸ線回折図である。図中、１．４はグリーンシート片、２は導体材料塗膜、
３は抵抗体材料塗膜、１ａ、４ａは磁器層、２ａは厚膜
導体、３ａは厚膜抵抗体である。昭和６２年０２月２８日第１図第３図第４図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）アルミニウムのモリブデン酸塩及びその前駆体の
内の少なくとも一種と、アルカリ土類金属の弗化物と、
アルカリ土類金属の炭酸塩を含有することを特徴とする
電気抵抗体ペースト。
（２）主成分がアルミニウムのモリブデン酸塩及びその
前駆体の内の少なくとも一種を当該アルミニウムのモリ
ブデン酸塩に換算して６０〜９５重量％と、アルカリ土
類金属の弗化物０．５〜１０重量％と、アルカリ土類金
属の炭酸塩０．５〜２５重量％と、ガラス４〜９重量％
とからなることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の電気抵抗体ペースト。
（３）主成分にアルミニウムのモリブデン酸塩及びその
前駆体の内の少なくとも一種と、アルカリ土類金属の弗
化物と、アルカリ土類金属の炭酸塩を含有し、前記アル
ミニウムのモリブデン酸塩及びその前駆体の内の少なく
とも一種と、アルカリ土類金属の弗化物の混合物系につ
いて熱処理をし、この熱処理により得た材料に上記アル
カリ土類金属の炭酸塩を加えて抵抗体材料を構成し、こ
の抵抗体材料を用いてペーストにしたことを特徴とする
電気抵抗体ペーストの製造方法。
（４）熱処理前の抵抗体材料の主成分はアルミニウムの
モリブデン酸塩及びその前駆体の内の少なくとも一種を
当該アルミニウムのモリブデン酸塩に換算して６０〜９
５重量％と、アルカリ土類金属の弗化物０．５〜１０重
量％と、ガラス４〜３９重量％と、アルカリ土類金属の
炭酸塩０．５〜２５重量％とからなり、このアルカリ土
類金属の炭酸塩０．５〜２５重量％を除く前記３つの主
成分の混合物系について熱処理をすることを特徴とする
特許請求の範囲第３項記載の電気抵抗体ペーストの製造
方法。