JPS63213303A

JPS63213303A - 電気抵抗体及びその製造方法

Info

Publication number: JPS63213303A
Application number: JP62045602A
Authority: JP
Inventors: 敏光本多; 山田　忠彦; 鬼形　和治; 正一登坂
Original assignee: Taiyo Yuden Co Ltd
Current assignee: Taiyo Yuden Co Ltd
Priority date: 1987-02-28
Filing date: 1987-02-28
Publication date: 1988-09-06
Also published as: JPH0428122B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】産業上の利用分野本発明は、固定チップ抵抗器あるいは回路配線°基板等
に設けられる厚膜タイプの電気抵抗体、特に非酸化性雰
囲気中で焼成して得られることが可能な電気抵抗体及び
その製造方法に関する。

従来の技術電子機器の電気回路は、抵抗、コンデンサ、ダイオード
、トランジスタ等の各種電気素子が回路基板に実装され
て構成されることが良く行われているが、電子機器の小
型化に伴ってこれらの電気素子の実装密度をさらに高め
ることができる回路基板が多く用いられるようになって
きた。

これらの回路基板に設けられる抵抗体には、抵抗体材料
ペーストを回路上に直接印刷して焼付けることにより形
成した厚膜抵抗体、あるいは角板状セラミックチップの
両端に一対の電極を形成し、双方の電極に跨がるように
前記厚膜抵抗体を形成した固定チップ抵抗器等がある。

このような厚膜抵抗体を回路基板に設けるには、従来、
例えば１５００℃前後で焼成して得られたアルミナ基板
の表面にＡｇあるいはＡｇ−Ｐｄ等の導体材料ペースト
を塗布し、焼付けした後、例えばＲｕＯ□を抵抗体材料
として含有するペーストをスクリーン印刷等により塗布
し、ついで７５０〜８５０℃で焼付け、さらに必要に応
じてトリミング等により抵抗値の調整を行なうやり方が
一般的である。

しかしながら近年、電子機器等に対する軽薄・短小化、
低コスト化の要求がさらに強まってきており、回路基板
に対しても一層の小型化、低コスト化の検討が行われる
ようになってきた。

前者の小型化のための具体的な対応としては、第１に回
路基板の多層化、第２に抵抗体の内装化が行なわれてい
る。回路基板を多層化した例としては、ＡｇあるいはＡ
ｇ−Ｐｄ系等の導体材料ペーストを印刷したセラミック
グリーンシート（生シート）を積層、圧着した後、大気
中８００〜１１００℃で同時焼成して得られる多層配線
基板が挙げられ、また、抵抗体を内装化した例としては
、前記導体材料ペーストを印刷したセラミックグリーン
シート上にさらにＲｕＯ□系抵抗系材抗体材料ペースト
し、前記と同様に積層、圧着した後、同時焼成して得ら
れる抵抗体内装多層配線基板等が知られている。

また、後者の低コスト化のための具体的な対応としては
、ＡｇあるいはＡｇ−Ｐｄ系材料のような高価な貴金属
系の導体材料に代わって、安価なＮｉあるいはＣｕ等の
卑金属系の導体材料を用い、これらを窒素ガスあるいは
水素を含む窒素ガス中等、その酸化による高抵抗化を避
けることができるような中性あるいは還元性の非酸化性
雰囲気中、８００〜１１００℃でグリーンセラミックと
同時焼成して得られる多層配線基板が実用化されている
。また、特開昭５６−１５３７０２号公報に記載されて
いるように、Ｍｏ５ｉｚ−ＴａＳｉｚ及びガラスからな
る抵抗体材料を、ｔＲ（Ｃｕ）導体を有するアルミナ基
板上に塗布し、熱処理して得られる厚膜抵抗体等も知ら
れている。

発明が解決しようとする問題点しかしながら、回路基板の小型化と低コスト化を同時に
行なうようにすると、ＲｕＯ□系抵抗系材抗体材料ガス
あるいは水素を含む窒素ガス雰囲気中でグリーンセラミ
ックと同時焼成したときに還元反応が起こり、抵抗値が
低くなって抵抗体としての特性を示さな（なる。

また、ＭｏＳｉ、−ＴａＳｉｚ及びガラスからなる抵抗
体材料を非酸化性雰囲気中でグリーンセラミックシート
と同時焼成すると、両者の膨張率、収縮率の相違による
ずれにより焼成体に反りが生じたり、Ｍｏ５ｉｚ−Ｔａ
Ｓｉ２の分解反応によりガスが発生して焼成体にふくれ
が生じ易いと云う問題点がある。これを改善するために
、特開昭６０−１９８７０３号公報に記載されているよ
うに、Ｍｏ５ｉｚ−弗化金属塩（例えば弗化カルシウム
）及びガラスよりなる抵抗体材料を用いる例か知られて
おり、これについては上記のような焼成時の反りやふく
れは見られない。

しかしながら、このＭｏ５ｔｚ−弗化金属及びガラスよ
りなる抵抗体材料をグリーンセラミックシートに塗布し
、同時焼成して得られた厚膜抵抗体は、９５％相対湿度
中に１０００時間放置すると、５〜１０％の抵抗値の増
加が見られ、抵抗体としての所定の機能を果たすことが
できない。

本発明の目的は、固定チップ抵抗器あるいは一般の回路
基板等に使用できるのみならず、卑金属導体材料ととも
に積層して多層基板に内装化することのできる電気抵抗
体であって、抵抗値の安定な電気抵抗体を提供すること
にある。

また、本発明の他の目的は、前記電気抵抗体の特性をよ
り一層向上させることのできる製造法を提供することに
ある。

問題点を解決するための手段本発明は、上記問題点を解決するために、亜鉛のモリブ
デン酸塩を含有する焼成体を有することを特徴とする電
気抵抗体を提供するものである。

また、本発明は、主成分に亜鉛のモリブデン酸塩及びそ
の前駆体の内の少なくとも一種を含有する抵抗体材料を
熱処理し、この熱処理して得られた抵抗体材料を用いて
焼成し、亜鉛のモリブデン酸塩を含有する焼成体からな
る電気抵抗体を得ることを特徴とする電気抵抗体の製造
方法を提供するものである。

次に本発明の詳細な説明する。

本発明における亜鉛のモリブデン酸塩には、例えばＺｎ
Ｍｏ０ａ、ＺｎＭｏ２０ｔ　、Ｚｎ３Ｍｏ２０ｇ等の単
独物質あるいはその混合物が例示される。

このような亜鉛のモリブデン酸塩は、亜鉛の酸化物と酸
化モリブデン（Ｍａｘｉ）の熱処理によって合成するこ
とができるが、その前駆体を用いて熱処理することによ
り合成することもできる。

本発明においてはバインダーを用いることが好ましく、
これにはガラスが挙げられが、このガラスとしては一般
に知られているガラスが用いられ、特定の組成のガラス
に限定されるものではないが、Ｐｂ２０ａ　、ＢｉｚＯ
ｚ　、Ｓｎｏｗ、ＣｄＯのような酸化物は、これらを含
む抵抗体材料を非酸化性雰囲気中で焼成するときに還元
されて金属化することがあり、この金イは抵抗値を変化
させるので、このようなことが起こることが好ましくな
い場合にはこれらの酸化物を含有しないことが好ましい
。

ガラス成分としては、５ｉＯｔ−ｎｔＯｘ、ＺｎＯ、Ｃ
ａＯ１ＳｒＯ１ＺｒＯ□などが好ましく、これらの酸化
物の組成比は、Ｓｉ０□１２〜３３　　重曹％ＲｚＯｘ　２０〜３５　　重量％ＺｎＯ又はＳｒＯ１３〜３３　　重量％Ｃａ０　１０〜
２５　　重量％ＺｒＯ□１５〜４５　　重量％が好ましい。

これら酸化物の組成物からガラスを製造するには、前記
組成比になるようにそれぞれの酸化物を秤量し、混合す
る。この混合物を坩堝に入れ、１２００〜１５００℃に
温度にて溶融した後、溶融液を例えば水中に投入し、急
冷させ、ガラス粗粉を得る。

この粗粉を例えばボールミル、振動ミルなどの粉砕手段
を用いて所望の粒度（例えば１０μｍ以下）になるまで
粉砕すると、ガラス粉末が得られる。

前記は純粋の酸化物を混合して用いたが、これに限らず
結果的に各酸化物の混合物からなるガラスになれば良く
、各酸化物の前駆体をその一部又は全部に用い、これを
溶融してガラスにしても良い０例えばＣａＯ’　（酸化
カルシウム）はＣａＣ０ｚ（炭酸カルシウム）　、Ｂｚ
（ｈ（酸化硼素）はホウ酸（１１３８０，）の熱処理に
より得られるので、ＣａＯ、Ｂｔｕｓの一部又はその全
部の代わりにそれぞれＣａＣ０，、８２８０３を用いる
ことができる。その他の成分の酸化物についても同様で
ある。

前記のようにして得られる亜鉛のモリブデン酸塩、ガラ
ス粉末は混合され、そのまま抵抗体材料として用いても
良いが、これを熱処理して粉砕したものを抵抗体材料と
することがこれを焼成して得た抵抗体の抵抗温度特性の
上で好ましい、この熱処理温度としては、８００℃〜１
２００℃が好ましく、これより外れると抵抗体材料を電
気抵抗体に加工する各工程の作業条件等による組成比の
微妙な変動に対し、出来上がった抵抗体の抵抗値が影響
を受は易く、所望の抵抗値を安定して得ることが難しい
、この熱処理は非酸化性雰囲気が望ましく、窒素ガスそ
の他年活性ガス、あるいはこれらに水素ガスを含有させ
た混合ガスを用いることが好ましい、　　　　− 抵抗体材料の各成分の組成比は、亜鉛のモリブデン酸塩
５５〜９６重量％、ガラス粉末４〜４５重量％が好まし
い、この範囲より亜鉛のモリブデン酸塩が少な過ぎ、ガ
ラスが多過ぎると、焼成して出来上がった電気抵抗体の
抵抗値が高くなり過ぎ好ましくない場合があり、また、
逆に亜鉛のモリブデン酸塩が多過ぎ、ガラスが少な過ぎ
ると焼成時の焼結性が悪くなり回路基板に安定に保持で
きないことがある。しかし、抵抗体を回路基板を積層し
て埋め込むような場合には亜鉛のモリブデン酸塩が上記
範囲より多い場合のみならず、１００％でも良い、　　
　　　。

このようにして得られた抵抗体材料粉末から固定チップ
抵抗器あるいは厚膜抵抗体のための抵抗体を作成するに
は、例えばセラミックグリーンシ−トにこれらの抵抗体
材料粉末を塗布し、焼成するが、この塗布を行うために
は例えばシルクスクリーン印刷ができるようにこれら抵
抗体材料粉末にビヒクルが混合ざ、れ塗液が調整される
。このビヒクルは、焼成の前段階で焼失できるようなも
のが好ましく、このためには有機物ビヒクル、すなわち
有機溶剤に樹脂を溶解又は分散させ、必要に応じて可塑
剤、分散剤等の各種添加剤を加えたものが好ましい。こ
の有機溶剤にはプチルカービトールアセテート、プチル
カービトール、テレピン油などが挙げられ、樹脂として
はエチルセルローズ、ニトロセルローズ等のセルローズ
誘１ｃ、その他の樹脂が挙げられる。

この有機物ビヒクルと抵抗体材料粉末との使用割合は使
用する有機溶剤、樹脂等により変わるが、有機溶剤と樹
脂との使用割合は前者が２０〜５０１！量％、後者が８
０〜５０重量％が適当である。これらの成分は例えば三
本ロールミル、らいかい器などの混合手段を用いてペー
スト状にされる。

このようにして得られた抵抗体材料ペーストが基板に塗
布され、これがさらに後述の処理を施されて抵抗体が作
成されるが、この基板にはセラミックグリーンシートを
導体材料や抵抗体材料とともに焼成して作成するものの
みならず、予めセラミックグリーンシートを焼成し、こ
れにさらに抵抗体材料、導体材料を塗布した後焼成する
方法でも良い。これらは積層体を形成する場合にも適用
できる。

前記セラミックグリーンシートとしては、例えば酸化ア
ルミニウム（Ａ　１　ｚ（ｈ）３５〜４５重量％、酸化
珪素（ＳｉＯｚ）２５〜３５重量％、酸化硼素（ＢｚＯ
３）１０〜１５重量％、酸化カルシウム（Ｃａｂ）　７
〜１３重量％、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）　７〜１０
重量％等のセラミック構成成分の酸化物混合物を有機物
ビヒクルとボールミル等で混合したスラリーをドクター
ブレード等によりシート化したものが挙げられる。この
際、亜鉛のモリブデン酸塩にガラスを併用しないときは
、前記セラミックグリーンシートにガラス分を多（含ま
せガラスを併用したと同様の効果を出すようにしても良
い。前記有機物ビヒクルには、アクリル酸エステル等の
アクリル樹脂、ポリビニルブチラール等の樹脂、グリセ
リン、フタル酸ジエチル等の可塑剤、カルボン酸塩等の
分散剤、水、有機溶剤等の溶剤から構成される。

上記抵抗体材料ペーストはセラミックグリーンシートに
例えばシルクスクリーン印刷等の手段により塗布され、
乾燥後、４００〜５００℃で熱処理されて樹脂成分が分
解・燃焼されるのが好ましい。

この際、同時にＮｉあるいはＣｕ等の卑金属導体材料あ
るいはＡｇ又はＡｇ−Ｐｄの貴金属導体材料のペースト
も抵抗体材料ペースト塗膜と同様にセラミックグリーン
シートに塗布され、抵抗体材料ペーストの塗布物と同様
に処理される。

このＮｉあるいはＣｕ等の卑金属導体材料あるいはＡｇ
又はＡｇ−Ｐｄの貴金属導体材料のペースト組成物とし
ては、各々の金属粉末９８〜８５重量％にガラスフリフ
トを２〜１５重量％添加したものが例示される。

このようにしてセラミックグリーンシートに抵抗体材料
及び／又は導体材料が組み込まれるが、固定チップ抵抗
器の場合にはこの未焼成基板の表面のみ、多層基板の厚
膜抵抗体の場合には前記抵抗体材料、導体材料を未焼成
状態で組み込んだものをさらに積層して所定の回路を構
成するようにしてから焼成する。この焼成により導体材
料及び／又は厚膜抵抗体材料を基板と同時に焼成体にす
ることができる。

この場合、ＮｉあるいはＣｕ等の卑金属導体材料が導体
材料に用いられるときは、その酸化による高抵抗値化を
防止するために、非酸化性雰囲気中で焼成することが好
ましく、その焼成温度は、例えば８００℃〜１１００℃
、０．５時間〜２時間が例示される。非酸化性雰囲気と
しては、窒素ガスその他事活性ガス、これらに水素ガス
を含有させた混合ガスも用いられる。また、Ａｇ又はＡ
ｇ−Ｐｄの貴金属導体材料を用いるときは空気等の酸化
性雰囲気中で焼成することもできる。

前記のようにして導体及び／又は抵抗体を組み込んだ回
路配線基板が出来上がるが、焼成基板と導体の間は勿論
のこと、焼成基板と抵抗体との間にも焼成に伴ってクラ
ンク、歪み、ふくれ等を生じることがないとともに、抵
抗体は高温高湿度雰囲気中に１０００時間以上放置され
てもその抵抗値が±２％以内の変化に抑制され、その高
い信転性を確保することができる。これは抵抗体が導体
及び焼成基板と良くマツチングするためと、亜鉛のモリ
ブデン酸塩とガラスの焼成体からなる抵抗体の独特の耐
湿性に基づくものと考えられるが詳細は明らかでない。

なお、χ線回折分析により前記抵抗体中に亜鉛のモリブ
デン酸塩を認めることができる。

本発明においては、上記の如く亜鉛のモリブデン酸塩を
用いても良いが、この亜鉛のモリブデン酸塩の代わりに
熱処理により亜鉛のモリブデン酸塩となる前駆体を一部
又は全部用いることもできる。これらのいずれの場合も
ガラスと混合して熱処理したものを粉砕し、抵抗体材料
とすることが好ましいが、この熱処理を行わず上述の有
機物ビヒクル等と混合して作成したペーストを例えばグ
リーンセラミックシートに塗布してから、有機物除去の
加熱処理を経て焼成し、直接抵抗体を作成することもで
きる。

また、ガラスはこれを構成する酸化物の混合材料が亜鉛
のモリブデン酸塩とともに結果的に焼成される状態にお
かれれば良く、これらの酸化物の前駆体を亜鉛のモリブ
デン酸塩及び／又はその前駆体とともにこの酸化物の一
部又は全部を上述したようにペースト状態にし、これを
基板に塗布して有機物の燃焼、その後の焼成のいずれの
過程で上記のガラス成分からなるガラスになり、これと
亜鉛のモリブデン酸塩及び／又はその前駆体と焼成され
ことにより抵抗体を作製できるものであれば良い。例え
ば、ガラスの材料の成分であるＣａ０（酸化カルシウム
）はＣａＣ０３（炭酸カルシウム）の加熱、ＢｚＯ３（
酸化硼素）はホウ酸（ＨｚＢＯｌ）の加熱から得られる
ので、ＣａＯ、ＢＪｉの一部又は全部の代わりにそれぞ
れＣａＣ０１、ＨＪＯｚを用いることができる０本発明
における抵抗体材料とはその処理の過程で結果的に亜鉛
のモリブデン酸塩とガラスとを主成分にするものであれ
ば良い。

実施例次に本発明の詳細な説明する。

実施例１酸化物に換算して表１に示される組成になるように各成
分を秤量し、混合した。

表１表中、単位は重量％。

ガラスＡ１ガラスＢのそれぞれの混合物を各別にアルミ
ナ坩堝中で１４００℃で溶融し、その溶融液を水中に投
入し、急冷させた。この急冷物を取り出してエタノール
とともにボンドミルの中に入れ、アルミナボールで２４
時間粉砕し、粒径１０μｍ以下のガラス粉末を得た。

また、酸化モリブデンと亜鉛の酸化物から亜鉛のモリブ
デン酸塩を得た。

′次に、前記で得たガラスＡ１ガラスＢのそれぞれのガ
ラス粉末と前記で得た亜鉛のモリブデン酸塩を表２に示
す割合になるように秤量し、混合した。

（この頁以下余白）表２（実施例１）上記各試料を窒素（Ｎ２）　９８．５　ＶＯＩ％、水素
（Ｈ２）！、５　ｖｏ１％のガス雰囲気中、１０００℃
、１時間熱処理し、しかる後にエタノールとともにポッ
トミルにて粉砕し、乾燥して１０μｍ以下のガラスと亜
鉛のモリブデン酸塩の熱処理粉末の抵抗体材料粉末を得
た。

次に各試料の抵抗体材料粉末１００重量部に有機物ビヒ
クル（プチルカービトール９０重量部、エチルセルロー
ズ１０重量部）２５１ｉｆｆｉ部を加え、ロールミルで
混合し、抵抗体材料ペーストを得た。

一方、Ａβｚｏｚ　４０．０重量％、５ｉＯｚ３５．０
重量％、ＢｚＯｓ１３．０重量％、ＣａＯ７，０重量％
、ＭｇＯ５，０重量％からなるセラミック原料粉末１０
０重量部にポリビニルブチラール８重量部、フタル酸ジ
エチル８重量部、オレイン酸０．５重量部、アセトン１
０重量部、イソプルピルアルコール２０重量部及びメチ
ルエチルケトン２０重量部を加えてボールミルにより混
合してスラリーを作製し、脱泡処理した後にドクターブ
レード法により厚さ２００μｍの長尺のセラミックグリ
ーンシートを作製した。このセラミックグリーンシート
から縦９１璽横９１１のグリーンシート片と、縦５　ｍ
ｌ横９鶴のグリーンシート片とを切り抜いた。

次に第１図に示す如（、上記の縦９ｆｉ横９鶴のグリー
ンシート片１上に、銅粉末９５重量部、ガラスフリット
５重量部に有機物ビヒクルとしてブチルカルピトール２
０重量部、エチルセルロース５重量部を加え、これらを
三本ロールミルにより混合した導体材料ペーストをシル
クスクリーン印刷し、１２５℃、１０分間乾燥させて導
体材料塗膜２を形成した。次いで、上記で得た抵抗体材
料ペーストを上記グリーンシート片１に上記と同様にシ
ルクスクリーン印刷し、１２５℃、１０分間乾燥させて
厚膜抵抗体用塗膜３を形成した。

次にグリーンシート片１上に前記で得た縦６１箇横９鶴
のグリーンシート片４を図示鎖線で示すように重ね、１
００℃、１５０Ｋｇ／ｃＪで熱圧着する。次いで、これ
を大気等の酸化性雰囲気中、４００〜５００℃で加熱し
てグリーンシート片１．４、導体材料塗膜２、抵抗体材
料筒ｙ、３のそれぞれの残留有機物を分解・燃焼させる
。

このようにして有機物を除去した後、Ｎｔ　９８．５ｖ
ｏ１％、Ｈｚ　１．５　ｖｏ１％の混合ガス中で、９５
０℃、１時間焼成し、第２図に示すようにグリーンシー
ト片１の焼成体の磁器層１ａ、グリーンシート片４の焼
成体の磁器Ｎ４ａの間に導体材料塗膜２の焼成体の厚膜
導体２ａ、抵抗体材料塗膜３の焼成体の厚膜抵抗体３ａ
を有する多層セラミック基板を完成させた。この多層セ
ラミック基板には、後述する第３図、第４図に示される
ような反り、ふくれは見られなかった。

このようにして得られた焼成体の多層セラミック基板を
層方向に研磨して抵抗体層を露出させ、この露出した抵
抗体層をＸ線回折（Ｃｕ　Ｋα線）により分析し、得ら
れた結果を第５図に示す。これによりマグネシウムのモ
リブデン酸塩を確認することができた。

次にこの多層セラミック基板３ａの２５℃における抵抗
値（Ｒｚｓ）と、１２５℃に加熱したときの抵抗値（Ｒ
ａｇｓ）をデジタルマルチメータで測定し、抵抗の温度
係数（ＴＣＰ）を次式により求めた。

上記のＲＺＳの測定抵抗値及びＴＣＰの計算値を表２に
示した。

また、上記で得られた多層セラミック基板を６０℃、９
５％相対湿度のもとに１０００時間放置した後の２５℃
の抵抗値を測定し、その変化率を求めた結果を表２に示
す。

実施例２実施例１において、亜鉛のモリブデン酸塩及びガラス粉
末の混合物について窒素（Ｎｚ）　９８．５ｖｏ１％、
水素（Ｈｚ　）　１．５ｖｏ１％のガス雰囲気中、１ｏ
ｏｏ℃、１時間の熱処理を行わなかった以外は同様にし
て表３に示す抵抗体材料から多層セラミック基板を作成
し、実施例１と同様にＲ□、ＴＣＰ　、抵抗変化率を求
め、これらを表３に示す。

（この頁以下余白）表　３（モリブデン酸塩とガラスを熱処理しない場合）
（実施例２）比較例１　（ＭｏＳｉ２−ＴａＳｉ、ガラ
ス系抵抗体材料）ＭｏＳｉｚ　１６重量部、Ｔａ５ｉｚ
　９重量部の混合物を真空中１４ＧＯ℃で加熱し、その
生成物をエタノールとともにポットミル中アルミナボー
ルで２４時間粉砕し、乾燥させて１０μｍ以下の微粉末
を得た。このようにして得た微粉末２５重量部に対し、
ＢａＯｌＢｇ（ｈ、ＭｇＯ、ＣａＯ、Ｓｉｎ、からなる
ガラスフリフト７５重量部と、有機物ビヒクル（ブチル
カルピトール２０重量部、エチルセルロース５重量部）
２５重量部とを加え、ロールミルで混合して抵抗体材料
ペーストを得た。

この抵抗体材料ペーストを用いた以外は実施例１と同様
にして多層セラミックグリを得た。

その結果、セラミックグリーンシートに抵抗体材料塗膜
を形成し、これを加熱処理して有機物を除去した後に同
時焼成して得たものは、両者の焼成体に膨張率、収縮率
が異なることにより第３図に示すように反りが見られ、
また、Ｍｏ５ｉｚ　、ＴａＳｉ。

の分解反応でＳｉＯ□気体が発生することにより第４図
に示すようにふくれが生じ、実用に供することができな
かった。なお、ｌｌａは上記磁器層ｌａｘ　１４ａは上
記磁器層４ａ、　１３ａは上記厚膜抵抗体３ａにそれぞ
れ対応する磁器層、厚膜抵抗体である。

比較例２（ＭｏＳｉ２−ＢａＦｚガラス系抵抗系材抗体
材料Ｓｉｚ　７０重量部、ＢａＦｇ　２０重量部と、Ｓ
ｉｎｇ、ＺｎＯ、Ｚｒ０ｚ、ＣａＯ１＾１２０．からな
るガラスフリフト１０重量部とをボールミルで混合し、
得られた粉末をアルゴン（Ａｒ）ガス雰囲気中１２００
℃で熱処理した後、これをエータノールとともにポット
ミル中アルミナボールで２４時間粉砕し、乾燥させて１
０μｍ以下の微粉末を得た。

この抵抗体材料ペーストを用いた以外は実施例１と同様
にして多層セラミック基板を得た。この多層セラミック
基板の厚膜抵抗体についても実施例１と同様にして求め
たＲ、、　、ＴＣＲ及び抵抗値の変化率を表４に示す。

表４上記結果より、実施例の多層セラミック基板はいずれも
反り、ふくれがなく、抵抗値の変化率も±２％以内であ
るのに対し、比較例１の多層セラミック基板は反りが見
られ、比較例２の多層セラミンク基板は抵抗値の変化率
が４倍も大きいことがわかる。

発明の効果本発明によれば、亜鉛のモリブデン酸塩を含有する電気
抵抗体を提供できるので、例えば亜鉛のモリブデン酸塩
及びガラスを主成分とする組成の抵抗体材料を用いて、
例えば卑金属導体材料とともに非酸化性雰囲気中でセラ
ミックグリ−シートとともに焼成することにより抵抗体
を形成するようにすると、焼成することにより焼成体に
反りゃふくれが生じるようなことはなく、また、抵抗体
の特に高湿度下の経時変化を小さくできる。

これにより、抵抗体を組み込んだ回路基板の小型化、コ
ストの低減の両方の要求を満たし、回路基板の一層の性
能の向上に寄与できる。

また、亜鉛のモリブデン酸塩を例えばガラスと熱処理し
、この熱処理した抵抗体材料を焼成して抵抗体にすると
、抵抗の温度変化係数の絶対値を小さくすることができ
、回路の性能をさらに向上することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の電気抵抗体を製造するときの焼成前の
抵抗体材料塗膜と導体材料塗膜を基板に形成し、多層構
造にしようとする状態の一例を示す図、第２図はその焼
成体の断面図、第３図は従来の抵抗体材料を使用して多
層構造にしたときの焼成体の断面図、第４図はさらにそ
の焼成体にガスが発生した状態を示す説明図、第５図は
本発明の一実施例の電気抵抗体から亜鉛のモリブデン酸
塩を検出したときのＸ線回折図である。図中、１．４はグリーンシート片、２は導体材料塗膜、
３は抵抗体材料塗膜、１ａ、４ａは磁器層、２ａは厚膜
導体、３ａは厚膜抵抗体である。昭和６２年０２月２８日第１図第３図第４図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）亜鉛のモリブデン酸塩を含有する焼成体を有する
ことを特徴とする電気抵抗体。
（２）焼成体は亜鉛のモリブデン酸塩及びその前駆体の
内の少なくとも一種を主成分に含有する抵抗体材料から
焼成されることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の電気抵抗体。
（３）抵抗体材料の主成分は亜鉛のモリブデン酸塩及び
その前駆体の内の少なくとも一種を当該亜鉛のモリブデ
ン酸塩に換算して５５〜９６重量％と、ガラス４〜４５
重量％とからなることを特徴とする特許請求の範囲第２
項記載の電気抵抗体。
（４）主成分に亜鉛のモリブデン酸塩及びその前駆体の
内の少なくとも一種を含有する抵抗体材料を熱処理し、
この熱処理して得られた抵抗体材料を用いて焼成し、亜
鉛のモリブデン酸塩を含有する焼成体からなる電気抵抗
体を得ることを特徴とする電気抵抗体の製造方法。
（５）熱処理前の抵抗体材料の主成分は亜鉛のモリブデ
ン酸塩及びその前駆体の内の少なくとも一種を当該亜鉛
のモリブデン酸塩に換算して５５〜９６重量％と、ガラ
ス４〜４５重量％とからなることを特徴とする特許請求
の範囲第４項記載の電気抵抗体の製造方法。