JPH05335106A - 抵抗ペースト - Google Patents
抵抗ペーストInfo
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- JPH05335106A JPH05335106A JP4136888A JP13688892A JPH05335106A JP H05335106 A JPH05335106 A JP H05335106A JP 4136888 A JP4136888 A JP 4136888A JP 13688892 A JP13688892 A JP 13688892A JP H05335106 A JPH05335106 A JP H05335106A
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- JP
- Japan
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- resistance
- paste
- mixture
- resistance paste
- glass frit
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/06—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
- H01C17/065—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thick film techniques, e.g. serigraphy
- H01C17/06506—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits
- H01C17/06513—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits characterised by the resistive component
- H01C17/06526—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits characterised by the resistive component composed of metals
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 必要に応じて抵抗温度係数をマイナス（−）
方向へシフトさせることができる抵抗ペーストを提供す
る。 【構成】 ＮbxＬa1-xＢ6-4x（ｘ＝０．１〜０．９mo
l）の組成を有する抵抗材料と、非還元性ガラスフリッ
トとの混合物からなる抵抗ペーストであって、Ｌi2Ｏ，
ＭgＯ，ＣaＯ，ＴiＯ2，ＭnＯ2，ＣuＯ，ＳrＯ，Ｂa
Ｏ，Ｌa2Ｏ3のうちのいずれか１種もしくは複数種が添
加されており、かつ、その添加比率が混合物に対して１
ｗｔ％から１０ｗｔ％までの範囲内とされていることを
特徴としている。
方向へシフトさせることができる抵抗ペーストを提供す
る。 【構成】 ＮbxＬa1-xＢ6-4x（ｘ＝０．１〜０．９mo
l）の組成を有する抵抗材料と、非還元性ガラスフリッ
トとの混合物からなる抵抗ペーストであって、Ｌi2Ｏ，
ＭgＯ，ＣaＯ，ＴiＯ2，ＭnＯ2，ＣuＯ，ＳrＯ，Ｂa
Ｏ，Ｌa2Ｏ3のうちのいずれか１種もしくは複数種が添
加されており、かつ、その添加比率が混合物に対して１
ｗｔ％から１０ｗｔ％までの範囲内とされていることを
特徴としている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、中性あるいは還元性雰
囲気中で焼き付け可能な抵抗ペーストに関する。
囲気中で焼き付け可能な抵抗ペーストに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、アルミナやジルコニアなどか
らなるセラミック基板上には、種々の電子部品を搭載す
るための電極や抵抗体などからなる回路パターンを形成
するのが一般的となっており、その電極の形成にあたっ
ては、ＡgやＡg−Ｐdなどのような貴金属材料を含む導
電ペーストをスクリーン印刷した後、空気中で焼き付け
ることが行われている。ところが、このような貴金属ペ
ーストは高価であることから、最近では、ＣuやＮi，Ａ
lなどの卑金属材料を含む導電ペーストが用いられるよ
うになってきており、このような卑金属ペーストを用い
る場合には、セラミック基板上に卑金属ペーストをスク
リーン印刷した後、中性あるいは還元性雰囲気中で焼き
付けるのが一般的となっている。すなわち、卑金属ペー
ストを空気のような酸素含有雰囲気中で高温加熱した場
合には、良質の絶縁体である酸化物が形成されてしまう
ことになるので、このような酸化物の形成を防止すべく
卑金属ペーストの焼き付けは中性あるいは還元性雰囲気
中で行われるのである。
らなるセラミック基板上には、種々の電子部品を搭載す
るための電極や抵抗体などからなる回路パターンを形成
するのが一般的となっており、その電極の形成にあたっ
ては、ＡgやＡg−Ｐdなどのような貴金属材料を含む導
電ペーストをスクリーン印刷した後、空気中で焼き付け
ることが行われている。ところが、このような貴金属ペ
ーストは高価であることから、最近では、ＣuやＮi，Ａ
lなどの卑金属材料を含む導電ペーストが用いられるよ
うになってきており、このような卑金属ペーストを用い
る場合には、セラミック基板上に卑金属ペーストをスク
リーン印刷した後、中性あるいは還元性雰囲気中で焼き
付けるのが一般的となっている。すなわち、卑金属ペー
ストを空気のような酸素含有雰囲気中で高温加熱した場
合には、良質の絶縁体である酸化物が形成されてしまう
ことになるので、このような酸化物の形成を防止すべく
卑金属ペーストの焼き付けは中性あるいは還元性雰囲気
中で行われるのである。
【０００３】しかしながら、卑金属ペーストを用いるこ
とによって電極を形成する場合には、これらの電極間に
架けわたし状に配置される抵抗体についてもまた、中性
あるいは還元性雰囲気中で焼き付け可能な抵抗ペースト
を用いて形成される必要がある。そして、このような雰
囲気中での焼き付け可能な抵抗ペーストとしては、Ｌa
Ｂ6系やＮbＢ2系の抵抗ペーストのほか、本発明出願人
の先願であるところの特開平２−２４９２０３号公報で
開示したような抵抗ペースト、すなわち、ＮbxＬa1-xＢ
6-4x（ｘ＝０．１〜０．９mol）の組成を有する抵抗材
料と非還元性ガラスフリットとの混合物を有機ビヒクル
によって混練りしてなる抵抗ペーストがある。
とによって電極を形成する場合には、これらの電極間に
架けわたし状に配置される抵抗体についてもまた、中性
あるいは還元性雰囲気中で焼き付け可能な抵抗ペースト
を用いて形成される必要がある。そして、このような雰
囲気中での焼き付け可能な抵抗ペーストとしては、Ｌa
Ｂ6系やＮbＢ2系の抵抗ペーストのほか、本発明出願人
の先願であるところの特開平２−２４９２０３号公報で
開示したような抵抗ペースト、すなわち、ＮbxＬa1-xＢ
6-4x（ｘ＝０．１〜０．９mol）の組成を有する抵抗材
料と非還元性ガラスフリットとの混合物を有機ビヒクル
によって混練りしてなる抵抗ペーストがある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ＬaＢ6系や
ＮbＢ2系の抵抗ペーストでは、抵抗材料とガラスフリッ
トとの混合比を変えることによって広範囲にわたる面積
抵抗値を得ようとすることが行われるのであるが、これ
らの抵抗ペーストではガラスフリット量がわずかに変化
しただけでも面積抵抗値が急変することになるため、面
積抵抗値についての良好な再現性が得られない。これに
対し、ＮbxＬa1-xＢ6-4x系の抵抗ペーストからなる抵抗
体においては、ＬaＢ6系などの抵抗ペーストを用いて形
成された抵抗体よりも面積抵抗値の増加の傾きがゆるや
かとなるから、抵抗材料及びガラスフリットの混合比率
を変えることによって面積抵抗値の範囲が１０Ω／□〜
１０ＭΩ／□と大きく拡がる利点がある。しかしなが
ら、ＮbxＬa1-xＢ6-4x系の抵抗ペーストからなる抵抗体
では、特に、その面積抵抗値が低い領域において抵抗温
度係数（ＴＣＲ）がプラス（＋）方向へとシフトして劣
化することもあり、この点では実用上必要とされる特性
を十分に満たしているとはいえないのが実情であった。
ＮbＢ2系の抵抗ペーストでは、抵抗材料とガラスフリッ
トとの混合比を変えることによって広範囲にわたる面積
抵抗値を得ようとすることが行われるのであるが、これ
らの抵抗ペーストではガラスフリット量がわずかに変化
しただけでも面積抵抗値が急変することになるため、面
積抵抗値についての良好な再現性が得られない。これに
対し、ＮbxＬa1-xＢ6-4x系の抵抗ペーストからなる抵抗
体においては、ＬaＢ6系などの抵抗ペーストを用いて形
成された抵抗体よりも面積抵抗値の増加の傾きがゆるや
かとなるから、抵抗材料及びガラスフリットの混合比率
を変えることによって面積抵抗値の範囲が１０Ω／□〜
１０ＭΩ／□と大きく拡がる利点がある。しかしなが
ら、ＮbxＬa1-xＢ6-4x系の抵抗ペーストからなる抵抗体
では、特に、その面積抵抗値が低い領域において抵抗温
度係数（ＴＣＲ）がプラス（＋）方向へとシフトして劣
化することもあり、この点では実用上必要とされる特性
を十分に満たしているとはいえないのが実情であった。
【０００５】本発明は、このような不都合に鑑みて創案
されたものであって、必要に応じて抵抗温度係数をマイ
ナス（−）方向へシフトさせることが可能な抵抗ペース
トの提供を目的としている。
されたものであって、必要に応じて抵抗温度係数をマイ
ナス（−）方向へシフトさせることが可能な抵抗ペース
トの提供を目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明にかかる抵抗ペー
ストは、このような目的を達成するために、ＮbxＬa1-x
Ｂ6-4x（ｘ＝０．１〜０．９mol）の組成を有する抵抗
材料と、非還元性ガラスフリットとの混合物からなるも
のであって、Ｌi2Ｏ，ＭgＯ，ＣaＯ，ＴiＯ2，ＭnＯ2，
ＣuＯ，ＳrＯ，ＢaＯ，Ｌa2Ｏ3のうちのいずれか１種も
しくは複数種が添加されており、かつ、その添加比率が
混合物に対して１ｗｔ％から１０ｗｔ％までの範囲内と
されていることを特徴としている。
ストは、このような目的を達成するために、ＮbxＬa1-x
Ｂ6-4x（ｘ＝０．１〜０．９mol）の組成を有する抵抗
材料と、非還元性ガラスフリットとの混合物からなるも
のであって、Ｌi2Ｏ，ＭgＯ，ＣaＯ，ＴiＯ2，ＭnＯ2，
ＣuＯ，ＳrＯ，ＢaＯ，Ｌa2Ｏ3のうちのいずれか１種も
しくは複数種が添加されており、かつ、その添加比率が
混合物に対して１ｗｔ％から１０ｗｔ％までの範囲内と
されていることを特徴としている。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の実施例を詳しく説明する。
【０００８】まず、従来例同様、アルミナからなるセラ
ミック基板と、卑金属材料としてのＣuを含む導電ペー
スト、すなわち、Ｃuペーストとを用意した後、このＣu
ペーストをセラミック基板上にスクリーン印刷して窒素
（Ｎ2）雰囲気中で焼き付けることによって電極を形成
した。
ミック基板と、卑金属材料としてのＣuを含む導電ペー
スト、すなわち、Ｃuペーストとを用意した後、このＣu
ペーストをセラミック基板上にスクリーン印刷して窒素
（Ｎ2）雰囲気中で焼き付けることによって電極を形成
した。
【０００９】つぎに、ＮbxＬa1-xＢ6-4x（ｘ＝０．１〜
０．９mol）の組成を有する抵抗材料と非還元性ガラス
フリットとの混合物に対して所要の添加剤を加えること
によって作成された抵抗ペーストを用意する。すなわ
ち、この抵抗ペーストは以下のような手順にしたがって
作成されることになる。
０．９mol）の組成を有する抵抗材料と非還元性ガラス
フリットとの混合物に対して所要の添加剤を加えること
によって作成された抵抗ペーストを用意する。すなわ
ち、この抵抗ペーストは以下のような手順にしたがって
作成されることになる。
【００１０】まず、抵抗材料の出発原料である粉末状の
ＮbＢ2とＬaＢ6とを用意し、これらをＮbxＬa1-xＢ6-4x
（ｘ＝０．１〜０．９mol）の組成となるように秤量し
て混合した後、ピーク温度が１０００℃と設定された窒
素（Ｎ2）雰囲気中で２時間にわたって焼成することに
より、ＮbＢ2にＬaＢ6を固溶させた状態の混合物を作成
する。なお、このときの昇温速度は１分間当たり３℃と
なるように設定している。そして、得られた混合物を振
動ミルによって平均粒径が１μｍとなるまで粉砕したう
えで乾燥させることにより、ＮbxＬa1-xＢ6-4x（ｘ＝
０．１〜０．９mol）の組成を有する抵抗材料を得た。
ＮbＢ2とＬaＢ6とを用意し、これらをＮbxＬa1-xＢ6-4x
（ｘ＝０．１〜０．９mol）の組成となるように秤量し
て混合した後、ピーク温度が１０００℃と設定された窒
素（Ｎ2）雰囲気中で２時間にわたって焼成することに
より、ＮbＢ2にＬaＢ6を固溶させた状態の混合物を作成
する。なお、このときの昇温速度は１分間当たり３℃と
なるように設定している。そして、得られた混合物を振
動ミルによって平均粒径が１μｍとなるまで粉砕したう
えで乾燥させることにより、ＮbxＬa1-xＢ6-4x（ｘ＝
０．１〜０．９mol）の組成を有する抵抗材料を得た。
【００１１】また、抵抗材料とは別に、非還元性ガラス
フリットの出発原料であるＢ2Ｏ3，ＳiＯ2，ＢaＯ，Ｃa
Ｏ，Ｎb2Ｏ5，Ｋ2Ｏをそれぞれ用意したうえ、これらの
各々を３５．５６：３１．２４：１７．７８：１０．０
４：２．４１：２．９７のモル（mol）比で混合した
後、得られた混合物を１２００ないし１３５０℃の温度
下で溶融することによって熔融ガラスを作成する。さら
に、この熔融ガラスを純水中で急冷した後、振動ミルを
用いて平均粒径が５μｍ以下となるまで粉砕することに
より、非還元性ガラスフリットを得た。
フリットの出発原料であるＢ2Ｏ3，ＳiＯ2，ＢaＯ，Ｃa
Ｏ，Ｎb2Ｏ5，Ｋ2Ｏをそれぞれ用意したうえ、これらの
各々を３５．５６：３１．２４：１７．７８：１０．０
４：２．４１：２．９７のモル（mol）比で混合した
後、得られた混合物を１２００ないし１３５０℃の温度
下で溶融することによって熔融ガラスを作成する。さら
に、この熔融ガラスを純水中で急冷した後、振動ミルを
用いて平均粒径が５μｍ以下となるまで粉砕することに
より、非還元性ガラスフリットを得た。
【００１２】さらに、Ｌi2Ｏ，ＭgＯ，ＣaＯ，ＴiＯ2，
ＭnＯ2，ＣuＯ，ＳrＯ，ＢaＯ，Ｌa2Ｏ3のうちのいずれ
か１種もしくは複数種を添加剤として用意したうえ、用
意した添加剤を、第１表で示すように、その添加比率が
ＮbxＬa1-xＢ6-4x系の抵抗材料と非還元性ガラスフリッ
トとの混合物に対して１ｗｔ％から１０ｗｔ％までの範
囲内となるように調整したうえで添加することによって
混合物を得た。なお、この第１表中のパラメータである
ｘ（mol）はＮbxＬa1-xＢ6-4x系の抵抗材料における組
成割合を示しており、これらの試料のうちで本発明の範
囲外となるものには記号「＊」を付している。その後、
以上のようにして得られた混合物に対し、アクリル樹脂
をα−テルピネオールで希釈してなる有機ビヒクルを加
えたうえで混練りすることによって抵抗ペーストを得
た。
ＭnＯ2，ＣuＯ，ＳrＯ，ＢaＯ，Ｌa2Ｏ3のうちのいずれ
か１種もしくは複数種を添加剤として用意したうえ、用
意した添加剤を、第１表で示すように、その添加比率が
ＮbxＬa1-xＢ6-4x系の抵抗材料と非還元性ガラスフリッ
トとの混合物に対して１ｗｔ％から１０ｗｔ％までの範
囲内となるように調整したうえで添加することによって
混合物を得た。なお、この第１表中のパラメータである
ｘ（mol）はＮbxＬa1-xＢ6-4x系の抵抗材料における組
成割合を示しており、これらの試料のうちで本発明の範
囲外となるものには記号「＊」を付している。その後、
以上のようにして得られた混合物に対し、アクリル樹脂
をα−テルピネオールで希釈してなる有機ビヒクルを加
えたうえで混練りすることによって抵抗ペーストを得
た。
【００１３】
【表１】
【００１４】つぎに、Ｃuペーストを焼き付けることに
よって形成されたセラミック基板上の電極間に、電極の
一部を含んで長さ１．５ｍｍ，幅１．５ｍｍの大きさと
された抵抗ペーストをスクリーン印刷した後、１５０℃
の温度下で１０分間にわたって乾燥させた。その後、ピ
ーク温度が９００℃とされたＮ2雰囲気中での１０分間
にわたる焼き付けによって抵抗ペーストからなる抵抗体
を形成し、抵抗値比較試験用の試料を得た。
よって形成されたセラミック基板上の電極間に、電極の
一部を含んで長さ１．５ｍｍ，幅１．５ｍｍの大きさと
された抵抗ペーストをスクリーン印刷した後、１５０℃
の温度下で１０分間にわたって乾燥させた。その後、ピ
ーク温度が９００℃とされたＮ2雰囲気中での１０分間
にわたる焼き付けによって抵抗ペーストからなる抵抗体
を形成し、抵抗値比較試験用の試料を得た。
【００１５】さらに、以上のようにして得られた試料そ
れぞれの抵抗体における面積抵抗値及びＴＣＲを測定し
てみたところ、第２表で示すような測定結果が得られ
た。
れぞれの抵抗体における面積抵抗値及びＴＣＲを測定し
てみたところ、第２表で示すような測定結果が得られ
た。
【００１６】
【表２】
【００１７】すなわち、この第２表によれば、いずれの
添加剤をも添加していない従来例通りの試料Ｎo.１（ｘ
＝０．２５mol）におけるＴＣＲは＋７２５ppm／℃，＋
６７０ppm／℃となり、また、同様の試料Ｎo.１４（ｘ
＝０．７５mol）におけるＴＣＲは＋４３０ppm／℃，＋
３９０ppm／℃となっているのに対し、上記添加剤のい
ずれかを１ｗｔ％から１０ｗｔ％までの範囲内で添加し
てなる抵抗ペーストを焼き付けて形成された抵抗体では
試料Ｎo.１もしくは試料Ｎo.１４よりもＴＣＲがマイナ
ス（−）方向へシフトしている。また、この第２表にお
いては、１０ｗｔ％を越える添加剤を添加してなる試料
Ｎo.４及び試料Ｎo.１７ではＴＣＲの改善が見られない
ことも明らかとなっている。
添加剤をも添加していない従来例通りの試料Ｎo.１（ｘ
＝０．２５mol）におけるＴＣＲは＋７２５ppm／℃，＋
６７０ppm／℃となり、また、同様の試料Ｎo.１４（ｘ
＝０．７５mol）におけるＴＣＲは＋４３０ppm／℃，＋
３９０ppm／℃となっているのに対し、上記添加剤のい
ずれかを１ｗｔ％から１０ｗｔ％までの範囲内で添加し
てなる抵抗ペーストを焼き付けて形成された抵抗体では
試料Ｎo.１もしくは試料Ｎo.１４よりもＴＣＲがマイナ
ス（−）方向へシフトしている。また、この第２表にお
いては、１０ｗｔ％を越える添加剤を添加してなる試料
Ｎo.４及び試料Ｎo.１７ではＴＣＲの改善が見られない
ことも明らかとなっている。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明にかかる抵
抗ペーストにおいては、ＮbxＬa1-xＢ6-4x（ｘ＝０．１
〜０．９mol）の組成を有する抵抗材料と、非還元性ガ
ラスフリットとの混合物に対し、Ｌi2Ｏ，ＭgＯ，Ｃa
Ｏ，ＴiＯ2，ＭnＯ2，ＣuＯ，ＳrＯ，ＢaＯ，Ｌa2Ｏ3の
うちのいずれか１種もしくは複数種を添加し、かつ、そ
の添加比率を混合物に対して１ｗｔ％から１０ｗｔ％ま
での範囲内としている。したがって、このＮbxＬa1-xＢ
6-4x系の抵抗ペーストを焼き付けて形成された抵抗体の
面積抵抗値が低い領域における抵抗温度係数をマイナス
（−）方向へシフトさせることが可能となり、中性ある
いは還元性雰囲気中で焼き付けられる抵抗ペーストに実
用上必要とされる特性を十分に満たすことができるとい
う効果が得られる。
抗ペーストにおいては、ＮbxＬa1-xＢ6-4x（ｘ＝０．１
〜０．９mol）の組成を有する抵抗材料と、非還元性ガ
ラスフリットとの混合物に対し、Ｌi2Ｏ，ＭgＯ，Ｃa
Ｏ，ＴiＯ2，ＭnＯ2，ＣuＯ，ＳrＯ，ＢaＯ，Ｌa2Ｏ3の
うちのいずれか１種もしくは複数種を添加し、かつ、そ
の添加比率を混合物に対して１ｗｔ％から１０ｗｔ％ま
での範囲内としている。したがって、このＮbxＬa1-xＢ
6-4x系の抵抗ペーストを焼き付けて形成された抵抗体の
面積抵抗値が低い領域における抵抗温度係数をマイナス
（−）方向へシフトさせることが可能となり、中性ある
いは還元性雰囲気中で焼き付けられる抵抗ペーストに実
用上必要とされる特性を十分に満たすことができるとい
う効果が得られる。
Claims (1)
- 【請求項１】ＮbxＬa1-xＢ6-4x（ｘ＝０．１〜０．９mo
l）の組成を有する抵抗材料と非還元性ガラスフリット
との混合物からなる抵抗ペーストであって、Ｌi2Ｏ，Ｍ
gＯ，ＣaＯ，ＴiＯ2，ＭnＯ2，ＣuＯ，ＳrＯ，ＢaＯ，
Ｌa2Ｏ3のうちのいずれか１種もしくは複数種が添加さ
れており、かつ、その添加比率が混合物に対して１ｗｔ
％から１０ｗｔ％までの範囲内とされていることを特徴
とする抵抗ペースト。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4136888A JPH05335106A (ja) | 1992-05-28 | 1992-05-28 | 抵抗ペースト |
| US08/068,959 US5387559A (en) | 1992-05-28 | 1993-05-28 | Resistive paste |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4136888A JPH05335106A (ja) | 1992-05-28 | 1992-05-28 | 抵抗ペースト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05335106A true JPH05335106A (ja) | 1993-12-17 |
Family
ID=15185900
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4136888A Pending JPH05335106A (ja) | 1992-05-28 | 1992-05-28 | 抵抗ペースト |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5387559A (ja) |
| JP (1) | JPH05335106A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0686983A1 (en) * | 1994-06-06 | 1995-12-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Resistive paste |
| US5643841A (en) * | 1993-11-16 | 1997-07-01 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Resistive paste |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1655743B1 (en) * | 1998-02-23 | 2010-09-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Resistor material, resistive paste and resistor using the resistor material, and multi-layered ceramic substrate |
| JP3993325B2 (ja) * | 1998-10-22 | 2007-10-17 | ローム株式会社 | 厚膜型サーマルプリントヘッド、およびその製造方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4225468A (en) * | 1978-08-16 | 1980-09-30 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Temperature coefficient of resistance modifiers for thick film resistors |
| US5196915A (en) * | 1988-11-21 | 1993-03-23 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device |
| JPH0736361B2 (ja) * | 1989-03-22 | 1995-04-19 | 株式会社村田製作所 | 抵抗材料、その製造方法およびそれを用いた抵抗ペースト |
-
1992
- 1992-05-28 JP JP4136888A patent/JPH05335106A/ja active Pending
-
1993
- 1993-05-28 US US08/068,959 patent/US5387559A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5643841A (en) * | 1993-11-16 | 1997-07-01 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Resistive paste |
| EP0686983A1 (en) * | 1994-06-06 | 1995-12-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Resistive paste |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5387559A (en) | 1995-02-07 |
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