JPH07105284B2 - グレース抵抗体の製造方法 - Google Patents

グレース抵抗体の製造方法

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JPH07105284B2
JPH07105284B2 JP3425688A JP3425688A JPH07105284B2 JP H07105284 B2 JPH07105284 B2 JP H07105284B2 JP 3425688 A JP3425688 A JP 3425688A JP 3425688 A JP3425688 A JP 3425688A JP H07105284 B2 JPH07105284 B2 JP H07105284B2
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健 井関
治 牧野
満雄 井岡
寛敏 渡辺
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、非酸化性雰囲気中での焼成で厚膜抵抗体を形
成するためのグレーズ低抗体の製造方法およびそのグレ
ーズ抵抗体を用いた混成集積回路装置に関するものであ
る。
従来の技術 従来、混成集積回路装置の中で厚膜ハイブリッドICの分
野では、配線導体にAg,AgPd,AgPt等のAg系の貴金属を、
抵抗体にRuO2をそれぞれ用いた空気中焼成方法により回
路を形成していた。
発明が解決しようとする課題 最近、厚膜ハイブリッドIC分野では、高密度回路、高速
ディジタル回路への要望が高まっている。しかし、従来
のAg系配線導体では、マイグレーション、回路インピー
ダンスの問題があり、この要望を十分に満たすことがで
きない。そこで、Cu配線導体を用いた厚膜ハイブリッド
ICが有望視されているが、Cu配線導体は空気中で焼成す
ると酸化するため、Cu配線導体に用いる抵抗体は非酸化
性雰囲気中で焼成して形成しなければならない。この条
件を満たし、実用可能な特性を持つグレーズ抵抗材料
は、まだ開発されていない。
従って、本発明の目的は、Cu配線導体と組合せて形成す
ることができる非酸化性雰囲気中で焼成可能なグレーズ
抵抗体の製造方法を提供することにある。
課題を解決するための手段 上記目的を達成するための本発明のグレーズ抵抗体の製
造方法は、遷移金属とSiとB2O3を含有するガラスとを配
合したグレーズ抵抗材料を非酸化性雰囲気中で850〜950
℃で焼成する工程を有する。
作用 上記組成のグレーズ抵抗材料と樹脂バインダーを溶剤に
溶かしたビークルとで抵抗ペーストをつくり、これをセ
ラミック基板上に印刷し、非酸化性雰囲気中で850〜950
℃で焼成すれば、実用可能な特性を有する抵抗体を得る
ことが出来る。従って、Cu等の卑金属導体を形成してい
るセラミック基板上に厚膜抵抗体を形成することが出来
る。
実施例 (実施例1) 次に、本発明の実施例に係るグレーズ抵抗体の製造方法
について述べる。B2O3を含有するガラスとしては、ガラ
スA(組成がB2O340.0重量パーセント、BaO 36.0重量
パーセント、SiO2 8.0重量パーセント、Al2O3 6.0重
量パーセント、CaO 4.0重量パーセント、MgO 4.0重量
パーセント、SrO 2.0重量パーセントから成り、軟化点
が約600℃のもの)を用いた。
ガラスA、Ta,Siを第1表に示す割合で配合したものを
ビークル(アクリル系樹脂をターピネオールに溶かした
もの)と混練し、抵抗ペーストとした。この抵抗ペース
トを、Cu厚膜導体を電極とした96%アルミナ基板上に25
0メッシュのスクリーンを用いて印刷し、120℃の温度で
乾燥させてから、窒素ガスパージし、最高温度900℃に
加熱したトンネル炉を通して焼成し、抵抗体を形成し
た。この抵抗体の25℃における面積抵抗面と、25℃と12
5℃の温度間で測定した抵抗温度係数を第1表に示す。
負荷寿命特性(150mW/mm2の負荷電力を、周囲温度70℃
で、1.5時間印加、0.5時間除去を繰り返し1000時間経過
した時の抵抗値変化率で評価)、耐湿特性(周囲温度85
℃、相対湿度85%中で1000時間経過した時の抵抗変化率
で評価)、熱衝撃特性(周囲温度−65℃中で30分間放
置、周囲温度125℃中で30分間放置を繰り返し、1000時
間経過した時の抵抗値変化率で評価)はいずれも抵抗値
変化率が±1%以内であった。
(実施例2) 実施例1で示したガラスA、遷移金属A(Ti,V,Cr,Mn,F
e,Co,Ni,Zr,Nb,Mo,Ta,Wを等量ずつ混合したもの)、Si
を第2表に示す割合で配合したものをビークル(アクリ
ル系樹脂をターピネオールに溶かしたもの)と混練し、
抵抗ペーストとした。この抵抗ペーストを実施例1と同
様にして、96%アルミナ基板上に抵抗体を形成した。こ
の抵抗体の25℃における面積抵抗値と、25℃と125℃の
温度間で測定した抵抗温度係数を第2表に示す。負荷寿
命特性、耐湿特性、熱衝撃特性は実施例1と同様に測定
し、抵抗値変化率はいずれも±1%以内であった。
(実施例3) 次に、B2O3含有するガラスとして、実施例1で示したガ
ラスAとは組成が異なるガラスB(B2O3 35.0重量パー
セント、BaO 35.0重量パーセント、SiO 8.0重量パー
セント、Al2O3 6.0重量パーセント、Ta2O5 4.0重量パ
ーセント、ZrO2 4.0重量パーセント、MgO 4.0重量パ
ーセント、CaO 4.0重量パーセントからなり、軟化点が
約680℃のもの)を用いた。
ガラスB、Ta,Siを第3表に示す割合で配合したものを
ビークル(アクリル系樹脂をターピネオールに溶かした
もの)と混練し、抵抗ペーストとした。この抵抗ペース
トを実施例1と同様にして、96%アルミナ基板上に抵抗
体を形成した。この抵抗体の25℃における面積抵抗値
と、25℃と125℃の温度間で測定した抵抗温度係数を第
3表に示す。負荷寿命特性、耐湿特性、熱衝撃特性は実
施例1と同様に測定し、抵抗値変化率はいずれも±1%
以内であった。
(実施例4) 実施例3で示したガラスB、遷移金属A(Ti,V,Cr,Mn,F
e,Co,Ni,Zr,Nb,Mo,Ta,Wを等量ずつ混合したもの)、Si
を第4表に示す割合で配合したものをビークル(アクリ
ル系樹脂をターピネオールに溶かしたもの)と混練し、
抵抗ペーストとした。この抵抗ペーストを実施例1と同
様にして、96%アルミナ基板上に抵抗体を形成した。こ
の抵抗体の25℃における面積抵抗値と、25℃と125℃の
温度間で測定した抵抗温度係数を第4表に示す。負荷寿
命特性、耐湿特性、熱衝撃特性は実施例1と同様に測定
し、抵抗値変化率はいずれも±1%以内であった。
上記実施例が示すように、本発明に係わるグレーズ抵抗
体の製造方法により、優れた特性を有する厚膜抵抗体を
得ることができる。これは、本発明に係わるグレーズ抵
抗材料が850〜950℃で焼成される際に、遷移金属、Si、
ガラス中のB2O3が相互作用を起こし、金属硼化物、金属
珪化物、金属酸化物、SiO2がガラスネットワーク中に生
成されるため、安定かつ微細な導電経路網と耐候性の高
いガラスネットワークを形成することに起因している。
また、上記各実施例において、それぞれ得られたグレー
ズ抵抗材料を形成することにより、Cu配線導体を有する
混成集積回路装置を構成することができた。
発明の効果 以上の説明から明らかなように、本発明に係わるグレー
ズ抵抗体の製造方法は、非酸化性雰囲気中で850〜950℃
で焼成することにより、ガラス中のB2O3とSiが反応して
SiO2とBを生成し、このBと遷移金属がさらに反応し
て、金属珪化物と耐熱性および化学的安定性の高い導電
物質である金属硼化物とがガラス中に分散された、電気
特性、信頼性に優れた実用可能なグレーズ抵抗体を形成
することが可能であるため、Cu等の卑金属配線導体と共
に回路を形成することが出来る。また、このようなグレ
ーズ抵抗体を用いた本発明の混成集積回路装置によれ
ば、Cu配線厚膜ハイブリッドICを実現することができ、
厚膜ハイブリッドICの高密度化、高速ディジタル化に寄
与できる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 渡辺 寛敏 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭51−108296(JP,A) 特開 昭53−65996(JP,A)

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】遷移金属とSiとB2O3を含有するガラスとを
    配合したグレーズ抵抗材料を非酸化性雰囲気中で850〜9
    50℃で焼成する工程を有するグレーズ抵抗体の製造方
    法。
  2. 【請求項2】遷移金属は、Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni,Zr,Nb,
    Mo,Ta,Wの内の少なくとも1種以上である請求項1記載
    のグレーズ抵抗体の製造方法。
  3. 【請求項3】B2O3を含有するガラスは、B2O3と非酸化性
    雰囲気中で焼成される際に金属化されにくい金属酸化物
    とからなり、軟化点が550〜800℃の範囲のものである請
    求項1記載のグレーズ抵抗体の製造方法。
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JPS51108296A (en) * 1975-03-19 1976-09-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd Teikososeibutsuno seizohoho
JPS5365996A (en) * 1976-11-24 1978-06-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd Resistance composite

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