JPH0217607A - グレーズ抵抗ペーストおよび混成集積回路装置 - Google Patents
グレーズ抵抗ペーストおよび混成集積回路装置Info
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- JPH0217607A JPH0217607A JP63168241A JP16824188A JPH0217607A JP H0217607 A JPH0217607 A JP H0217607A JP 63168241 A JP63168241 A JP 63168241A JP 16824188 A JP16824188 A JP 16824188A JP H0217607 A JPH0217607 A JP H0217607A
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- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 40
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 11
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims abstract description 7
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract description 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims 2
- WEAMLHXSIBDPGN-UHFFFAOYSA-N (4-hydroxy-3-methylphenyl) thiocyanate Chemical compound CC1=CC(SC#N)=CC=C1O WEAMLHXSIBDPGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- VKTGMGGBYBQLGR-UHFFFAOYSA-N [Si].[V].[V].[V] Chemical compound [Si].[V].[V].[V] VKTGMGGBYBQLGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- LKTZODAHLMBGLG-UHFFFAOYSA-N alumanylidynesilicon;$l^{2}-alumanylidenesilylidenealuminum Chemical compound [Si]#[Al].[Si]#[Al].[Al]=[Si]=[Al] LKTZODAHLMBGLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- FHTCLMVMBMJAEE-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)manganese Chemical compound [Si]=[Mn]=[Si] FHTCLMVMBMJAEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)molybdenum Chemical compound [Si]=[Mo]=[Si] YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims 1
- 229910021357 chromium silicide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 claims 1
- 229910021344 molybdenum silicide Inorganic materials 0.000 claims 1
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910021334 nickel silicide Inorganic materials 0.000 claims 1
- RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N nickel silicide Chemical compound [Ni]=[Si]=[Ni] RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims 1
- 229910021341 titanium silicide Inorganic materials 0.000 claims 1
- WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N tungsten disilicide Chemical compound [Si]#[W]#[Si] WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910021342 tungsten silicide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910021355 zirconium silicide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 12
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 abstract description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 abstract 3
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 abstract 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 9
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 6
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 6
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 6
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 description 5
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000002362 mulch Substances 0.000 description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N niobium pentoxide Chemical compound O=[Nb](=O)O[Nb](=O)=O ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017028 MnSi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020968 MoSi2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008479 TiSi2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 210000003323 beak Anatomy 0.000 description 1
- DFJQEGUNXWZVAH-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)titanium Chemical compound [Si]=[Ti]=[Si] DFJQEGUNXWZVAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 1
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 101150093826 par1 gene Proteins 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、非酸化性雰囲気中での焼成で厚膜抵抗体を形
成するためのグレーズ抵抗ペーストに関するものである
。このグレーズ抵抗ペーストを使用すれば、ＣＵ配線導
体等の卑金属配線導体と厚膜抵抗体とを同一のセラミッ
ク基板上に形成することができる。
成するためのグレーズ抵抗ペーストに関するものである
。このグレーズ抵抗ペーストを使用すれば、ＣＵ配線導
体等の卑金属配線導体と厚膜抵抗体とを同一のセラミッ
ク基板上に形成することができる。
従来の技術
従来、厚膜ハイブリッド１０分野では、配線導体にムｇ
、ムｇＰｄ、ムｇＰｔ等のムｇ系の貴金属導体ペースト
を、抵抗体にＲｕＯ２系抵抗ペーストをそれぞれ用い、
空気中焼成方法により回路を形成していた。（例えば、
「厚膜ＩＧ技術」日本マイクロエレクトロニクス協会編
、工業調査会刊行第２６頁〜第３４頁） 発明が解決しようとする課題 最近、厚膜ハイブリッドＩＣ分野では、高密度回路、高
速ディジタル回路への要望が高まっている。しかし、従
来のムｇ系配線導体では、マイグレーシリン、回路イン
ピーダンスの問題があり、この要望を十分に満たすこと
ができない。そこで、ＣＵ配線導体を用いた厚膜ノ・イ
ブリッドＩＣが有望視されているが、ＣＵ配線導体は空
気中で焼成すると酸化するため、ＣＵ配線導体に用いる
抵抗体は非酸化性雰囲気中で焼成して形成しなければな
らない。この条件を満たし、実用可能な特性を持つグレ
ーズ抵抗ペーストは、まだ開発されていない。
、ムｇＰｄ、ムｇＰｔ等のムｇ系の貴金属導体ペースト
を、抵抗体にＲｕＯ２系抵抗ペーストをそれぞれ用い、
空気中焼成方法により回路を形成していた。（例えば、
「厚膜ＩＧ技術」日本マイクロエレクトロニクス協会編
、工業調査会刊行第２６頁〜第３４頁） 発明が解決しようとする課題 最近、厚膜ハイブリッドＩＣ分野では、高密度回路、高
速ディジタル回路への要望が高まっている。しかし、従
来のムｇ系配線導体では、マイグレーシリン、回路イン
ピーダンスの問題があり、この要望を十分に満たすこと
ができない。そこで、ＣＵ配線導体を用いた厚膜ノ・イ
ブリッドＩＣが有望視されているが、ＣＵ配線導体は空
気中で焼成すると酸化するため、ＣＵ配線導体に用いる
抵抗体は非酸化性雰囲気中で焼成して形成しなければな
らない。この条件を満たし、実用可能な特性を持つグレ
ーズ抵抗ペーストは、まだ開発されていない。
従って、本発明の目的は、ＣＵ配線導体と組合せること
ができる非酸化性雰囲気中で焼成可能なグレーズ抵抗ペ
ーストを提供することにある。
ができる非酸化性雰囲気中で焼成可能なグレーズ抵抗ペ
ーストを提供することにある。
課題を解決するための手段
上記目的を達成するための本発明のグレーズ抵抗ペース
トは、ムｌ粉末、遷移金属酸化物粉末、Ｂ２Ｏ５を含有
するガラス粉末、および有機バインダーを含むビークル
からなる。
トは、ムｌ粉末、遷移金属酸化物粉末、Ｂ２Ｏ５を含有
するガラス粉末、および有機バインダーを含むビークル
からなる。
作用
上記組成のグレーズ抵抗材料と樹脂バインダーを溶剤に
溶かしたビークルとで抵抗ペーストをつくり、これをセ
ラミック基板上に印刷し、非酸化性雰囲気中で８５０〜
９５０℃で焼成すれば、実用可能な特性を有する抵抗体
を得ることが出来る。
溶かしたビークルとで抵抗ペーストをつくり、これをセ
ラミック基板上に印刷し、非酸化性雰囲気中で８５０〜
９５０℃で焼成すれば、実用可能な特性を有する抵抗体
を得ることが出来る。
従って、Ｃｕ等の卑金属導体を形成しているセラミック
基板上に厚膜抵抗体を形成することが出来る。
基板上に厚膜抵抗体を形成することが出来る。
実施例
（実施例１）
次に、本発明の実施例に係るグレーズ抵抗ペーストにつ
いて述べる。Ｂ２Ｏ３を含有するガラスとしては、組成
がＢ ２０ 、４０．０重量パーセント。
いて述べる。Ｂ２Ｏ３を含有するガラスとしては、組成
がＢ ２０ 、４０．０重量パーセント。
Ｂａ０ ３０．０重量パーセント、５ｉ０２８．０重量
パーー１＝／）、、ム１２０，６．０重量パーセント、
Ｔａ２０５４．０重量パーセント、ＣａＯ４，０重量パ
ーセント。
パーー１＝／）、、ム１２０，６．０重量パーセント、
Ｔａ２０５４．０重量パーセント、ＣａＯ４，０重量パ
ーセント。
Ｍｇ０４．Ｏ重量パーセント、５ｒＯ４，Ｏ重量パーセ
ントからなり、軟化点が約６１０℃のもの）を用いた。
ントからなり、軟化点が約６１０℃のもの）を用いた。
上記ガラス粉末、ムｌ粉末、Ｔ＆２０５粉末を第１表に
示す割合で配合したものをピーク／Ｌ／（アクリル系樹
脂をターピネオールに溶かしたもの）と混練し、抵抗ペ
ーストとした。この抵抗ペーストを、ＣＵ厚膜導体を電
極とした９６％アルミナ基板上に２５０メツシユのスク
リーンを用いて印刷し、１２０℃の温度で乾燥させてか
ら、窒素ガスパージし、最高温度９００℃に加熱したト
ンネル炉を通して焼成し、抵抗体を形成した。この抵抗
体の２５℃における面積抵抗値と、２６℃と１２５℃の
温度間で測定した抵抗温度係数を第１表に示す。負荷寿
命特性（１５０１１１Ｗ／ｍｌｌ の負荷電力を、周
囲温度７０℃で、１．６時間印加、０．５時間除去を繰
り返し１０００時間経過した時の抵抗値変化率で評価）
、耐湿特性（周囲温度８６℃、相対湿度８６％中で１０
００時間経過した時の抵抗値変化率で評価）、熱衝撃特
性（周囲温度−６６℃中で３０分間放置、周囲温度１２
６℃中で３０分間放置を繰り返し、１０００時間経過し
た時の抵抗値変化率で評価）は、いずれも抵抗値変化率
が±１％以内であった。
示す割合で配合したものをピーク／Ｌ／（アクリル系樹
脂をターピネオールに溶かしたもの）と混練し、抵抗ペ
ーストとした。この抵抗ペーストを、ＣＵ厚膜導体を電
極とした９６％アルミナ基板上に２５０メツシユのスク
リーンを用いて印刷し、１２０℃の温度で乾燥させてか
ら、窒素ガスパージし、最高温度９００℃に加熱したト
ンネル炉を通して焼成し、抵抗体を形成した。この抵抗
体の２５℃における面積抵抗値と、２６℃と１２５℃の
温度間で測定した抵抗温度係数を第１表に示す。負荷寿
命特性（１５０１１１Ｗ／ｍｌｌ の負荷電力を、周
囲温度７０℃で、１．６時間印加、０．５時間除去を繰
り返し１０００時間経過した時の抵抗値変化率で評価）
、耐湿特性（周囲温度８６℃、相対湿度８６％中で１０
００時間経過した時の抵抗値変化率で評価）、熱衝撃特
性（周囲温度−６６℃中で３０分間放置、周囲温度１２
６℃中で３０分間放置を繰り返し、１０００時間経過し
た時の抵抗値変化率で評価）は、いずれも抵抗値変化率
が±１％以内であった。
（以 下 余 白）
（実施例２）
実施例１で示したガラス粉末、ムｌ粉末、遷移金属酸化
物粉末人（Ｔａ２０５．Ｗｂ２０５．Ｖ２Ｏ５゜Ｎｏ
ＭｏＯＺｒＯＴｉＯ２，Ｃｒ２Ｏ，、Ｃｏｏ、Ｎｉ０
゜３ ３’ ２’ ＭｎＯの粉末を等量ずつ混合したもの）を第２表に示す
割合で配合したものをビークル（アクリル系樹脂をター
ピネオールに溶かしたもの）と混練し、抵抗ペーストと
した。この抵抗ペーストを実施例１と同様にして、９６
％アルミナ基板上に抵抗体を形成した。この抵抗体の２
５℃における面積抵抗値と、２６℃と１２６℃の温度間
で測定した抵抗温度係数を第２表に示す。負荷寿命特性
。
物粉末人（Ｔａ２０５．Ｗｂ２０５．Ｖ２Ｏ５゜Ｎｏ
ＭｏＯＺｒＯＴｉＯ２，Ｃｒ２Ｏ，、Ｃｏｏ、Ｎｉ０
゜３ ３’ ２’ ＭｎＯの粉末を等量ずつ混合したもの）を第２表に示す
割合で配合したものをビークル（アクリル系樹脂をター
ピネオールに溶かしたもの）と混練し、抵抗ペーストと
した。この抵抗ペーストを実施例１と同様にして、９６
％アルミナ基板上に抵抗体を形成した。この抵抗体の２
５℃における面積抵抗値と、２６℃と１２６℃の温度間
で測定した抵抗温度係数を第２表に示す。負荷寿命特性
。
耐湿特性、熱衝撃特性は実施例１と同様に測定し、抵抗
値変化率はいずれも±１％以内であった。
値変化率はいずれも±１％以内であった。
（以 下 余 白）
（実施例３）
実施例１で示したガラス粉末、Ａｅ粉末。
Ｔ２Ｌ２０５粉末、ＴｉＳｉ２粉末を第３図に示す割合
で配合したものをビーク）Ｖ （アクリル系樹脂をター
ピネオールに溶かしたもの）と混練し、抵抗ペーストと
した。この抵抗ペーストを実施例１と同様にして、９６
％アルミナ基板上に抵抗体を形成した。この抵抗体の２
６℃における面積抵抗値と、２６℃と１２６℃の温度間
で測定した抵抗温度係数を第３表に示す。負荷寿命特性
、耐湿特性、熱衝撃特性は実施例１と同様に測定し、抵
抗値変化率はいずれも±１％以内であった。
で配合したものをビーク）Ｖ （アクリル系樹脂をター
ピネオールに溶かしたもの）と混練し、抵抗ペーストと
した。この抵抗ペーストを実施例１と同様にして、９６
％アルミナ基板上に抵抗体を形成した。この抵抗体の２
６℃における面積抵抗値と、２６℃と１２６℃の温度間
で測定した抵抗温度係数を第３表に示す。負荷寿命特性
、耐湿特性、熱衝撃特性は実施例１と同様に測定し、抵
抗値変化率はいずれも±１％以内であった。
（以 下金 白）
（実施例４）
実施例１で示したガラヌ粉末、ムｌ粉末、遷移金ＪｉＪ
酸化物粉末Ａ （”２０５１Ｎｂ２０ｓ 、ｖ２ｏ５１
ＷＯ３，ＭｏＯｓ 、 ｚｒｏ ２ ＋ＴｉＯ２、ｃｒ
２ｏ ５ ＋ Ｃｏｏ 。
酸化物粉末Ａ （”２０５１Ｎｂ２０ｓ 、ｖ２ｏ５１
ＷＯ３，ＭｏＯｓ 、 ｚｒｏ ２ ＋ＴｉＯ２、ｃｒ
２ｏ ５ ＋ Ｃｏｏ 。
ＮｉＯ，ＭｎＯの粉末を等量ずつ混合したもの）、金属
珪化物粉末ム（ム（ｌ Ｓ ｌ ２ ｍ Ｃｒ Ｓｌ
２１ ＣＯＳ １２１ｚｒ Ｓ ｌ ２ ＋ Ｗ ８１
２１ Ｔ ＆ Ｓ ｌ ２１ Ｔ ｉ Ｓ ｌ ２１
Ｎ ｂ Ｓ ｌ ２１Ｎｉｓｉ２．ＶＳｉ２．ＭｎＳｉ
２．ＭｏＳｉ２を等量ずつ混合したもの）を第４表に示
す割合で配合したものをピーク）Ｖ （アクリル系樹脂
をターピネオー／ｌ／に溶かしたもの）と混練し、抵抗
ペーストとした。
珪化物粉末ム（ム（ｌ Ｓ ｌ ２ ｍ Ｃｒ Ｓｌ
２１ ＣＯＳ １２１ｚｒ Ｓ ｌ ２ ＋ Ｗ ８１
２１ Ｔ ＆ Ｓ ｌ ２１ Ｔ ｉ Ｓ ｌ ２１
Ｎ ｂ Ｓ ｌ ２１Ｎｉｓｉ２．ＶＳｉ２．ＭｎＳｉ
２．ＭｏＳｉ２を等量ずつ混合したもの）を第４表に示
す割合で配合したものをピーク）Ｖ （アクリル系樹脂
をターピネオー／ｌ／に溶かしたもの）と混練し、抵抗
ペーストとした。
この抵抗ペーストを実施例１と同様にして、９６％アル
ミナ基板上に抵抗体を形成した。この抵抗体の２６℃に
おける面積抵抗値と、２６℃と１２５℃の温度間で測定
した抵抗温度係数を第４表に示す。負荷寿命特性、＃４
湿特性、熱衝撃特性は実施例１と同様に測定し、抵抗値
変化率はいずれも±１％以内であった。
ミナ基板上に抵抗体を形成した。この抵抗体の２６℃に
おける面積抵抗値と、２６℃と１２５℃の温度間で測定
した抵抗温度係数を第４表に示す。負荷寿命特性、＃４
湿特性、熱衝撃特性は実施例１と同様に測定し、抵抗値
変化率はいずれも±１％以内であった。
（以 下金 白）
（実施例６）
実施例１で示したガラス粉末、ムｌ粉末。
”２０５粉末Ｉ Ｓｌ ５Ｎ４１を第３表に示す割合で
配合したものをビークル（アクリル系樹脂をターピネオ
ールに溶かしたもの）と混練し、抵抗ぺ一ヌトとした。
配合したものをビークル（アクリル系樹脂をターピネオ
ールに溶かしたもの）と混練し、抵抗ぺ一ヌトとした。
この抵抗ペーストを実施例１と同様にして、９６％アル
ミナ基板上に抵抗体を形成した。この抵抗体の２６℃に
おける面積抵抗値と、２６℃と１２６℃の温度間で測定
した抵抗温度係数を第６表に示す。負荷寿命特性、耐湿
特性、熱衝撃特性は実施例１と同様に測定し、抵抗値変
化率はいずれも±１％以内であった。
ミナ基板上に抵抗体を形成した。この抵抗体の２６℃に
おける面積抵抗値と、２６℃と１２６℃の温度間で測定
した抵抗温度係数を第６表に示す。負荷寿命特性、耐湿
特性、熱衝撃特性は実施例１と同様に測定し、抵抗値変
化率はいずれも±１％以内であった。
（以 下 余 白）
（実施例６）
実施例１で示したガラス粉末、Ａ６粉末、遷移金属酸化
物粉末Ａ（Ｔ１Ｌ２０５．Ｎｂ２Ｏ５，ｖ２０５゜Ｎｏ
ＭｏＯ、ＺｒＯＴｉｏ２．ｃｒ２ｏ３．ｃｏｏ。
物粉末Ａ（Ｔ１Ｌ２０５．Ｎｂ２Ｏ５，ｖ２０５゜Ｎｏ
ＭｏＯ、ＺｒＯＴｉｏ２．ｃｒ２ｏ３．ｃｏｏ。
５１ ２’ＮｉＯ，Ｍｎ
Ｏの粉末を等量ずつ混合したもの）、無機フィラー粉末
ム（ム１２０３１ ＳｉＯ２１Ｍ ｇ ０Ｓｉ３Ｎ４．
ＢＮ、ＡｌＮ、ＳｉＣを等量ずつ混合したもの）を第６
表に示す割合で配合したものをビークル（アクリル系樹
脂をターピネオールに溶かしたもの）と混練し、抵抗ペ
ーストとした。この抵抗ペーストを実施例１と同様にし
て、９６％アルミナ基板上に抵抗体を形成した。この抵
抗体の２６℃における面積抵抗値と、２６℃と１２５℃
の温度間で測定した抵抗温度係数を第６表に示す１、負
荷寿命特性、耐湿特性、熱衝撃特性は実施例１と同様に
測定し、抵抗値変化率はいずれも±１％以内であった。
Ｏの粉末を等量ずつ混合したもの）、無機フィラー粉末
ム（ム１２０３１ ＳｉＯ２１Ｍ ｇ ０Ｓｉ３Ｎ４．
ＢＮ、ＡｌＮ、ＳｉＣを等量ずつ混合したもの）を第６
表に示す割合で配合したものをビークル（アクリル系樹
脂をターピネオールに溶かしたもの）と混練し、抵抗ペ
ーストとした。この抵抗ペーストを実施例１と同様にし
て、９６％アルミナ基板上に抵抗体を形成した。この抵
抗体の２６℃における面積抵抗値と、２６℃と１２５℃
の温度間で測定した抵抗温度係数を第６表に示す１、負
荷寿命特性、耐湿特性、熱衝撃特性は実施例１と同様に
測定し、抵抗値変化率はいずれも±１％以内であった。
（以 下 余 白）
上記実施例が示すように、本発明に係わるグレーズ抵抗
ペーストにより、優れた特性を有する厚膜抵抗体を得る
ことができる。これは、本発明に係わるグレーズ抵抗ペ
ーストが８５０〜９５０℃で焼成される際に、ムｅ、遷
移金属酸化物、ガラスの中のＢ２０．が相互作用を越こ
し、金属硼化物金属珪化物、金属酸化物、ム１２０５が
ガラスネットワーク中に生成されるため、安定かつ微細
な導電経路網と耐候性の高いガラスネットワークを形成
することに起因している。
ペーストにより、優れた特性を有する厚膜抵抗体を得る
ことができる。これは、本発明に係わるグレーズ抵抗ペ
ーストが８５０〜９５０℃で焼成される際に、ムｅ、遷
移金属酸化物、ガラスの中のＢ２０．が相互作用を越こ
し、金属硼化物金属珪化物、金属酸化物、ム１２０５が
ガラスネットワーク中に生成されるため、安定かつ微細
な導電経路網と耐候性の高いガラスネットワークを形成
することに起因している。
発明の効果
上述の説明から明らかのように、本発明に係わるグレー
ズ抵抗ペーストは、非酸化性雰囲気中の焼成により実用
可能な抵抗体を形成することが可能であるため、ＣＵ等
の卑金属配線導体と共に回路を形成することが出来る。
ズ抵抗ペーストは、非酸化性雰囲気中の焼成により実用
可能な抵抗体を形成することが可能であるため、ＣＵ等
の卑金属配線導体と共に回路を形成することが出来る。
従って、本発明はＣｕ配線厚膜ハイブリッドＩＣを実現
し、厚膜ハイブリッドＩＣの高密度化、高速ディジタル
化に寄与する。
し、厚膜ハイブリッドＩＣの高密度化、高速ディジタル
化に寄与する。
Claims (4)
- （１）Ａｌ粉末，遷移金属酸化物粉末，Ｂ＿２Ｏ＿３を
含有するガラス粉末、および有機バインダーを含むビー
クルからなり、前記遷移金属酸化物粉末は、Ｔａ，Ｎｂ
，Ｖ，Ｗ，Ｍｏ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｍｎ
の酸化物の内の少なくとも１種であり、前記Ｂ＿２Ｏ＿
３を含有するガラス粉末は、Ｂ＿２Ｏ＿３と非酸化性雰
囲気で焼成される際に金属化されにくい金属酸化物とか
ら構成され、軟化点が５００〜８００℃の範囲のもので
あることを特徴とするグレーズ抵抗ペースト。 - （２）珪化アルミニウム，珪化クロム，珪化コバルト，
珪化ジルコニウム，珪化タングステン，珪化タンタル，
珪化チタン，珪化ニオブ，珪化ニッケル，珪化バナジウ
ム，珪化マンガン，珪化モリブデンの内の少なくとも１
種を添加した請求項１記載のグレーズ抵抗ペースト。 - （３）Ａｌ＿２Ｏ＿３，ＳｉＯ＿２，ＭｇＯ，Ｓｉ＿３
Ｎ＿４，ＢＮ，ＡｌＮ，ＳｉＣの内の少なくとも１種を
添加した請求項１記載のグレーズ抵抗ペースト。 - （４）基板上に、請求項１記載のグレーズ抵抗ペースト
による抵抗体を形成して構成した混成集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63168241A JPH0217607A (ja) | 1988-07-06 | 1988-07-06 | グレーズ抵抗ペーストおよび混成集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63168241A JPH0217607A (ja) | 1988-07-06 | 1988-07-06 | グレーズ抵抗ペーストおよび混成集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0217607A true JPH0217607A (ja) | 1990-01-22 |
Family
ID=15864378
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63168241A Pending JPH0217607A (ja) | 1988-07-06 | 1988-07-06 | グレーズ抵抗ペーストおよび混成集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0217607A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05169368A (ja) * | 1991-12-20 | 1993-07-09 | Kinki Yakuhin Kogyo Kk | ステンレスの脱スケール法 |
| US5361648A (en) * | 1992-04-07 | 1994-11-08 | Nsk Ltd. | Rolling-sliding mechanical member |
| US5520987A (en) * | 1993-07-23 | 1996-05-28 | Nsk, Ltd. | Rolling/sliding member |
| US5611250A (en) * | 1992-07-23 | 1997-03-18 | Nsk, Ltd. | Rolling/sliding part |
| JP2009004113A (ja) * | 2007-06-19 | 2009-01-08 | Japan Aviation Electronics Industry Ltd | 接点部材及び接点部材の表面処理方法 |
-
1988
- 1988-07-06 JP JP63168241A patent/JPH0217607A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05169368A (ja) * | 1991-12-20 | 1993-07-09 | Kinki Yakuhin Kogyo Kk | ステンレスの脱スケール法 |
| JPH06102298B2 (ja) * | 1991-12-20 | 1994-12-14 | アベル株式会社 | ステンレスの脱スケール法 |
| US5361648A (en) * | 1992-04-07 | 1994-11-08 | Nsk Ltd. | Rolling-sliding mechanical member |
| US5611250A (en) * | 1992-07-23 | 1997-03-18 | Nsk, Ltd. | Rolling/sliding part |
| US5520987A (en) * | 1993-07-23 | 1996-05-28 | Nsk, Ltd. | Rolling/sliding member |
| JP2009004113A (ja) * | 2007-06-19 | 2009-01-08 | Japan Aviation Electronics Industry Ltd | 接点部材及び接点部材の表面処理方法 |
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