JP2723555B2 - グレーズ抵抗材料およびこれを用いた混成集積回路装置 - Google Patents
グレーズ抵抗材料およびこれを用いた混成集積回路装置Info
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、非酸化性雰囲気中での焼成で形成すること
のできるグレーズ抵抗材料およびこれを用いた混成集積
回路装置に関するものである。
のできるグレーズ抵抗材料およびこれを用いた混成集積
回路装置に関するものである。
従来の技術 従来、厚膜ハイブリッドIC分野では、配線導体にAg,A
gPd,AgPt等のAg系の貴金属を、抵抗体にRuO2系をそれぞ
れ用い、空気中焼成方法により回路を形成していた（例
えば、『厚膜IC技術』日本マイクロエレクトロニクス協
会編、工業調査会刊行第26頁〜第34頁）。
gPd,AgPt等のAg系の貴金属を、抵抗体にRuO2系をそれぞ
れ用い、空気中焼成方法により回路を形成していた（例
えば、『厚膜IC技術』日本マイクロエレクトロニクス協
会編、工業調査会刊行第26頁〜第34頁）。
発明が解決しようとする課題 最近、厚膜ハイブリッドIC分野では、高密度回路、高
速ディジタル回路への要望が高まっている。しかし、従
来のAg系配線導体では、マイグレーション、回路インピ
ーダンスの問題があり、この要望を十分に満たすことが
できない。そこで、Cu配線導体を用いた厚膜ハイブリッ
ドICが有望視されているが、Cu配線導体は空気中で焼成
すると酸化するため、Cu配線導体に用いる抵抗体は非酸
化性雰囲気中で焼成して形成しなければならない。この
条件を満たし、実用可能な特性を持つグレーズ抵抗体
は、まだ開発されていない。
速ディジタル回路への要望が高まっている。しかし、従
来のAg系配線導体では、マイグレーション、回路インピ
ーダンスの問題があり、この要望を十分に満たすことが
できない。そこで、Cu配線導体を用いた厚膜ハイブリッ
ドICが有望視されているが、Cu配線導体は空気中で焼成
すると酸化するため、Cu配線導体に用いる抵抗体は非酸
化性雰囲気中で焼成して形成しなければならない。この
条件を満たし、実用可能な特性を持つグレーズ抵抗体
は、まだ開発されていない。
従って、本発明の目的は、空気中のみならず、Cu配線
導体を組合せることができる非酸化性雰囲気中焼成で形
成可能なグレーズ抵抗体を提供することにある。
導体を組合せることができる非酸化性雰囲気中焼成で形
成可能なグレーズ抵抗体を提供することにある。
課題を解決するための手段 上記目的を解決するための本発明のグレーズ抵抗材料
は、金属の珪化物と硼化物とからなる導電成分が10.0〜
60.0重量パーセントと、B2O3を含むガラスが33.0〜88.0
重量パーセントと、Ta2O5、Nb2O5、V2O5、MoO3、WO3、Z
rO2、TiO2、Cr2O3のうち少なくとも１つを1.0〜10.0重
量パーセントを備え、前記金属硼化物の占める割合が8.
0〜30.0重量パーセントであることを特徴とするもので
ある。
は、金属の珪化物と硼化物とからなる導電成分が10.0〜
60.0重量パーセントと、B2O3を含むガラスが33.0〜88.0
重量パーセントと、Ta2O5、Nb2O5、V2O5、MoO3、WO3、Z
rO2、TiO2、Cr2O3のうち少なくとも１つを1.0〜10.0重
量パーセントを備え、前記金属硼化物の占める割合が8.
0〜30.0重量パーセントであることを特徴とするもので
ある。
また、本発明のもう一つのグレーズ抵抗材料は、金属
の珪化物と硼化物とからなる導電成分が8.0〜56.0重量
パーセントと、B2O3を含むガラスが42.0〜84.0重量パー
セントと、Si、Si3N4、SiC、AlN、BNのうち少なくとも
１つを1.0〜10.0重量パーセント有し、前記金属硼化物
の占める割合が6.0〜30.0重量パーセントであることを
特徴とするものである。
の珪化物と硼化物とからなる導電成分が8.0〜56.0重量
パーセントと、B2O3を含むガラスが42.0〜84.0重量パー
セントと、Si、Si3N4、SiC、AlN、BNのうち少なくとも
１つを1.0〜10.0重量パーセント有し、前記金属硼化物
の占める割合が6.0〜30.0重量パーセントであることを
特徴とするものである。
作用 上記組成のグレーズ抵抗材料と、樹脂バインダーを溶
剤に溶かしたビークルとで抵抗ペーストをつくり、これ
をセラミック基板上に印刷し、非酸化性雰囲気中で850
〜950℃で焼成すれば、実用可能な特性を有する抵抗体
を得ることができる。従って、Cu等の卑金属導体を形成
しているセラミック基板上に厚膜抵抗体を形成すること
ができる。
剤に溶かしたビークルとで抵抗ペーストをつくり、これ
をセラミック基板上に印刷し、非酸化性雰囲気中で850
〜950℃で焼成すれば、実用可能な特性を有する抵抗体
を得ることができる。従って、Cu等の卑金属導体を形成
しているセラミック基板上に厚膜抵抗体を形成すること
ができる。
実施例 以下、本発明に対する参考例および本発明の実施例を
説明する。
説明する。
（参考例１） まず、本発明に対する参考例に係るグレーズ抵抗材料
について述べる。ガラスとしては、組成が酸化ホウ素
（B2O3）36.0重量パーセント、酸化バリウム（BaO）36.
0重量パーセント、酸化ケイ素（SiO2）9.0重量パーセン
ト、酸化アルミナ（Al2O5）5.0重量パーセント、酸化チ
タン（TiO2）4.0重量パーセント、酸化ジルコニウム（Z
rO2）4.0重量パーセント、酸化タンタル（Ta2O5）2.0重
量パーセント、酸化カルシウム（CaO）2.0重量パーセン
ト、酸化マグネシウム（MgO）2.0重量パーセントから成
り、軟化点が約670℃のものを用いる。
について述べる。ガラスとしては、組成が酸化ホウ素
（B2O3）36.0重量パーセント、酸化バリウム（BaO）36.
0重量パーセント、酸化ケイ素（SiO2）9.0重量パーセン
ト、酸化アルミナ（Al2O5）5.0重量パーセント、酸化チ
タン（TiO2）4.0重量パーセント、酸化ジルコニウム（Z
rO2）4.0重量パーセント、酸化タンタル（Ta2O5）2.0重
量パーセント、酸化カルシウム（CaO）2.0重量パーセン
ト、酸化マグネシウム（MgO）2.0重量パーセントから成
り、軟化点が約670℃のものを用いる。
上記ガラス、TaSi2、TiB2を第１表に示す割合で配合
したものをビークル（アクリル系樹脂をターピネオール
に溶かしたもの）と混練し、抵抗ペーストした。この抵
抗ペーストを、Cu厚膜導体を電極とした96％アルミナ基
板上に250メッシュのスクリーンを用いて印刷し、120℃
の温度で乾燥させてから、窒素ガスパージし、最高温度
900℃に加熱したトンネル炉を通して焼成し、抵抗体を
形成した。この抵抗体の25℃における面積抵抗値と、25
℃と125℃の温度間で測定した抵抗温度係数を第１表に
示す。負荷寿命特性（150mW/mm2の負荷電力を、周囲温
度70℃で、1.5時間印加、0.5時間除去を繰り返し1000時
間経過した時の抵抗値変化率で評価）、耐湿特性（周囲
温度85℃、相対湿度85％中で1000時間経過した時の抵抗
値変化率で評価）、熱衝撃特性（周囲温度−65℃中で30
分間放置、周囲温度125℃中で30分間放置を繰り返し、1
000時間経過した時の抵抗値変化率で評価）は、いずれ
も抵抗値変化率が±１％以内であった。
したものをビークル（アクリル系樹脂をターピネオール
に溶かしたもの）と混練し、抵抗ペーストした。この抵
抗ペーストを、Cu厚膜導体を電極とした96％アルミナ基
板上に250メッシュのスクリーンを用いて印刷し、120℃
の温度で乾燥させてから、窒素ガスパージし、最高温度
900℃に加熱したトンネル炉を通して焼成し、抵抗体を
形成した。この抵抗体の25℃における面積抵抗値と、25
℃と125℃の温度間で測定した抵抗温度係数を第１表に
示す。負荷寿命特性（150mW/mm2の負荷電力を、周囲温
度70℃で、1.5時間印加、0.5時間除去を繰り返し1000時
間経過した時の抵抗値変化率で評価）、耐湿特性（周囲
温度85℃、相対湿度85％中で1000時間経過した時の抵抗
値変化率で評価）、熱衝撃特性（周囲温度−65℃中で30
分間放置、周囲温度125℃中で30分間放置を繰り返し、1
000時間経過した時の抵抗値変化率で評価）は、いずれ
も抵抗値変化率が±１％以内であった。
（参考例２） 参考例１で示したものと同じガラス、TaSi2、硼化物
Ａ（TiB2、ZrB2を等量ずつ混合したもの）を第２表に示
す割合で配合したものをビークル（アクリル系樹脂をタ
ーピネオールに溶かしたもの）と混練し、抵抗ペースト
とした。この抵抗ペーストを、参考例１と同様にして、
96％アルミナ基板上に抵抗体を形成した。この抵抗体の
25℃における面積抵抗値と、25℃と125℃の温度間で測
定した抵抗温度係数を第２表に示す。負荷寿命特性、耐
湿特性、熱衝撃特性は参考例１と同様に測定し、抵抗値
変化率はいずれも±１％以内であった。
Ａ（TiB2、ZrB2を等量ずつ混合したもの）を第２表に示
す割合で配合したものをビークル（アクリル系樹脂をタ
ーピネオールに溶かしたもの）と混練し、抵抗ペースト
とした。この抵抗ペーストを、参考例１と同様にして、
96％アルミナ基板上に抵抗体を形成した。この抵抗体の
25℃における面積抵抗値と、25℃と125℃の温度間で測
定した抵抗温度係数を第２表に示す。負荷寿命特性、耐
湿特性、熱衝撃特性は参考例１と同様に測定し、抵抗値
変化率はいずれも±１％以内であった。
（参考例３） 参考例１で示したものと同じガラス、珪化物Ａ（TaSi
2、WSi2、MoSi2、NbSi2、TiSi2、CrSi2、ZrSi2、VSi2を
等量ずつ混合したもの）、硼化物Ａ（TiB2、ZrB2を等量
ずつ混合したもの）を第３表に示す割合で配合したもの
をビークル（アクリル系樹脂をターピネオールに溶かし
たもの）と混練し、抵抗ペーストとした。この抵抗ペー
ストを、参考例１と同様にして、96％アルミナ基板上に
抵抗体を形成した。この抵抗体の25℃における面積抵抗
値と、25℃と125℃の温度間で測定した抵抗温度係数を
第３表に示す。負荷寿命特性、耐湿特性、熱衝撃特性は
参考例１と同様に測定し、抵抗値変化率はいずれも±１
％以内であった。
2、WSi2、MoSi2、NbSi2、TiSi2、CrSi2、ZrSi2、VSi2を
等量ずつ混合したもの）、硼化物Ａ（TiB2、ZrB2を等量
ずつ混合したもの）を第３表に示す割合で配合したもの
をビークル（アクリル系樹脂をターピネオールに溶かし
たもの）と混練し、抵抗ペーストとした。この抵抗ペー
ストを、参考例１と同様にして、96％アルミナ基板上に
抵抗体を形成した。この抵抗体の25℃における面積抵抗
値と、25℃と125℃の温度間で測定した抵抗温度係数を
第３表に示す。負荷寿命特性、耐湿特性、熱衝撃特性は
参考例１と同様に測定し、抵抗値変化率はいずれも±１
％以内であった。
（参考例４） ガラスとしては、組成が酸化ホウ素（B2O3）36.0重量
パーセント、酸化バリウム（BaO）36.0重量パーセン
ト、酸化ケイ素（SiO2）9.0重量パーセント、酸化アル
ミナ（Al2O5）5.0重量パーセント、酸化タンタル（Ta2O
5）3.0重量パーセント、酸化ニオブ（Nb2O5）3.0重量パ
ーセント、酸化バナジウム（V2O5）3.0重量パーセン
ト、酸化カルシウム（CaO）3.0重量パーセント、酸化マ
グネシウム（MgO）2.0重量パーセントから成り、軟化点
が約640℃のものを用いる。
パーセント、酸化バリウム（BaO）36.0重量パーセン
ト、酸化ケイ素（SiO2）9.0重量パーセント、酸化アル
ミナ（Al2O5）5.0重量パーセント、酸化タンタル（Ta2O
5）3.0重量パーセント、酸化ニオブ（Nb2O5）3.0重量パ
ーセント、酸化バナジウム（V2O5）3.0重量パーセン
ト、酸化カルシウム（CaO）3.0重量パーセント、酸化マ
グネシウム（MgO）2.0重量パーセントから成り、軟化点
が約640℃のものを用いる。
上記ガラス、TiSi2、TaB2を第４表に示す割合で配合
したものをビークル（アクリル系樹脂をターピネオール
に溶かしたもの）と混練し、抵抗ペーストとした。この
抵抗ペーストを参考例１と同様にして、96％アルミナ基
板上に抵抗体を形成した。この抵抗体の25℃における面
積抵抗値と、25℃と125℃の温度間で測定した抵抗温度
係数を第４表に示す。負荷寿命特性、耐湿特性、熱衝撃
特性は参考例１と同様に測定し、抵抗値変化率はいずれ
も±１％以内であった。
したものをビークル（アクリル系樹脂をターピネオール
に溶かしたもの）と混練し、抵抗ペーストとした。この
抵抗ペーストを参考例１と同様にして、96％アルミナ基
板上に抵抗体を形成した。この抵抗体の25℃における面
積抵抗値と、25℃と125℃の温度間で測定した抵抗温度
係数を第４表に示す。負荷寿命特性、耐湿特性、熱衝撃
特性は参考例１と同様に測定し、抵抗値変化率はいずれ
も±１％以内であった。
（参考例５） 参考例１で示したものと同じガラス、珪化物Ｂ（TiSi
2、CrSi2、ZrSi2、VSi2を等量ずつ混合したもの）、TaB
2を第５表に示す割合で配合したものをビークル（アク
リル系樹脂をターピネオールに溶かしたもの）と混練
し、抵抗ペーストとした。この抵抗ペーストを、参考例
１と同様にして、96％アルミナ基板上に抵抗体を形成し
た。この抵抗体の25℃における面積抵抗値と、25℃と12
5℃の温度間で測定した抵抗温度係数を第５表に示す。
負荷寿命特性、耐湿特性、熱衝撃特性は参考例１と同様
に測定し、抵抗値変化率はいずれも±１％以内であっ
た。
2、CrSi2、ZrSi2、VSi2を等量ずつ混合したもの）、TaB
2を第５表に示す割合で配合したものをビークル（アク
リル系樹脂をターピネオールに溶かしたもの）と混練
し、抵抗ペーストとした。この抵抗ペーストを、参考例
１と同様にして、96％アルミナ基板上に抵抗体を形成し
た。この抵抗体の25℃における面積抵抗値と、25℃と12
5℃の温度間で測定した抵抗温度係数を第５表に示す。
負荷寿命特性、耐湿特性、熱衝撃特性は参考例１と同様
に測定し、抵抗値変化率はいずれも±１％以内であっ
た。
（参考例６） 参考例１で示したものと同じガラス、珪化物Ｂ（TiSi
2、CrSi2、ZrSi2、VSi2を等量ずつ混合したもの）、硼
化物Ｂ（TaB2、NbB2、VB2、WB、MoB、CrBを等量ずつ混
合したもの）を第６表に示す割合で配合したものをビー
クル（アクリル系樹脂をターピネオールに溶かしたも
の）と混練し、抵抗ペーストとした。この抵抗ペースト
を、参考例１と同様にして、96％アルミナ基板上に抵抗
体を形成した。この抵抗体の25℃における面積抵抗値
と、25℃と125℃の温度間で測定した抵抗温度係数を第
６表に示す。負荷寿命特性、耐湿特性、熱衝撃特性は参
考例１と同様に測定し、抵抗値変化率はいずれも±１％
以内であった。
2、CrSi2、ZrSi2、VSi2を等量ずつ混合したもの）、硼
化物Ｂ（TaB2、NbB2、VB2、WB、MoB、CrBを等量ずつ混
合したもの）を第６表に示す割合で配合したものをビー
クル（アクリル系樹脂をターピネオールに溶かしたも
の）と混練し、抵抗ペーストとした。この抵抗ペースト
を、参考例１と同様にして、96％アルミナ基板上に抵抗
体を形成した。この抵抗体の25℃における面積抵抗値
と、25℃と125℃の温度間で測定した抵抗温度係数を第
６表に示す。負荷寿命特性、耐湿特性、熱衝撃特性は参
考例１と同様に測定し、抵抗値変化率はいずれも±１％
以内であった。
（実施例１） 参考例１で示したものと同じガラス、TiSi2、硼化物
Ｂ（TaB2、NbB2、VB2、WB、MoB、CrBを等量ずつ混合し
たもの）、Ta2O5を第７表に示す割合で配合したものを
ビークル（アクリル系樹脂をターピネオールに溶かした
もの）と混練し、抵抗ペーストとした。この抵抗ペース
トを、参考例１と同様にして、96％のアルミナ基板上に
抵抗体を形成した。この抵抗体の25℃における面積抵抗
値と、25℃と125℃の温度間で測定した抵抗温度係数を
第７表に示す。負荷寿命特性、耐湿特性、熱衝撃特性は
参考例１と同様に測定し、抵抗値変化率はいずれも±１
％以内であった。
Ｂ（TaB2、NbB2、VB2、WB、MoB、CrBを等量ずつ混合し
たもの）、Ta2O5を第７表に示す割合で配合したものを
ビークル（アクリル系樹脂をターピネオールに溶かした
もの）と混練し、抵抗ペーストとした。この抵抗ペース
トを、参考例１と同様にして、96％のアルミナ基板上に
抵抗体を形成した。この抵抗体の25℃における面積抵抗
値と、25℃と125℃の温度間で測定した抵抗温度係数を
第７表に示す。負荷寿命特性、耐湿特性、熱衝撃特性は
参考例１と同様に測定し、抵抗値変化率はいずれも±１
％以内であった。
本実施例では、N2雰囲気中850〜950℃で焼成されるこ
とにより、TiSi2とガラス中のB2O3およびTa2O5との三者
間で相互反応が起こり、TaB2が生成され、安定ではある
が融点が高く焼結が起こりにくい導電粒子であるTiS
i2、NbB2、VB2、WB、MoB、CrBが、生成されたTaB2によ
り結合され、強固な導電ネットワークが形成されるた
め、良好な電気特性と高い信頼性を有する抵抗体を形成
することができる。
とにより、TiSi2とガラス中のB2O3およびTa2O5との三者
間で相互反応が起こり、TaB2が生成され、安定ではある
が融点が高く焼結が起こりにくい導電粒子であるTiS
i2、NbB2、VB2、WB、MoB、CrBが、生成されたTaB2によ
り結合され、強固な導電ネットワークが形成されるた
め、良好な電気特性と高い信頼性を有する抵抗体を形成
することができる。
（実施例２） 参考例１で示したものと同じガラス、TaSi2、硼化物
Ａ（TiB2、ZrB2を等量ずつ混合したもの）、添加物Ａ
（Ta2O5、Nb2O5、V2O5、MoO3、WO3、ZrO2、TiO2、Cr2O3
を等量ずつ混合したもの）を第８表に示す割合で配合し
たものをビークル（アクリル系樹脂をターピネオールに
溶かしたもの）と混練し、抵抗ペーストとした。この抵
抗ペーストを、参考例１と同様にして、96％アルミナ基
板上に抵抗体を形成した。この抵抗体の25℃における面
積抵抗値と、25℃と125℃の温度間で測定した抵抗温度
係数を第８表に示す。負荷寿命特性、耐湿特性、熱衝撃
特性は参考例１と同様に測定し、抵抗値変化率はいずれ
も±１％以内であった。
Ａ（TiB2、ZrB2を等量ずつ混合したもの）、添加物Ａ
（Ta2O5、Nb2O5、V2O5、MoO3、WO3、ZrO2、TiO2、Cr2O3
を等量ずつ混合したもの）を第８表に示す割合で配合し
たものをビークル（アクリル系樹脂をターピネオールに
溶かしたもの）と混練し、抵抗ペーストとした。この抵
抗ペーストを、参考例１と同様にして、96％アルミナ基
板上に抵抗体を形成した。この抵抗体の25℃における面
積抵抗値と、25℃と125℃の温度間で測定した抵抗温度
係数を第８表に示す。負荷寿命特性、耐湿特性、熱衝撃
特性は参考例１と同様に測定し、抵抗値変化率はいずれ
も±１％以内であった。
本実施例では、N2雰囲気中850〜950℃で焼成されるこ
とにより、TaSi2とガラス中のB2O3および添加物Ａすな
わちTa2O5、Nb2O5、V2O5、MoO3、WO3、ZrO2、TiO2、Cr2
O3との三者間で相互反応が起こり、TaB2、NbB2、VB2、M
oB、WB、ZrB2、TiB2、CrBが生成され、安定ではあるが
融点が高く焼結が起こりにくい導電粒子であるTaSi2、T
iB2、ZrB2が、生成されたTaB2、NbB2、VB2、MoB、WB、Z
rB2、TiB2、CrBにより結合され、強固な導電ネットワー
クが形成されるため、良好な電気特性と高い信頼性を有
する抵抗体を形成するごとができる。
とにより、TaSi2とガラス中のB2O3および添加物Ａすな
わちTa2O5、Nb2O5、V2O5、MoO3、WO3、ZrO2、TiO2、Cr2
O3との三者間で相互反応が起こり、TaB2、NbB2、VB2、M
oB、WB、ZrB2、TiB2、CrBが生成され、安定ではあるが
融点が高く焼結が起こりにくい導電粒子であるTaSi2、T
iB2、ZrB2が、生成されたTaB2、NbB2、VB2、MoB、WB、Z
rB2、TiB2、CrBにより結合され、強固な導電ネットワー
クが形成されるため、良好な電気特性と高い信頼性を有
する抵抗体を形成するごとができる。
（実施例３） 参考例１で示したものと同じガラス、珪化物Ａ（TaSi
2、WSi2、MoSi2、NbSi2、TiSi2、CrSi2、ZrSi2、VSi2を
等量ずつ混合したもの）、TaB2、Siを第９表に示す割合
で配合したものをビークル（アクリル系樹脂をターピネ
オールに溶かしたもの）と混練し、抵抗ペーストした。
この抵抗ペーストを、参考例１と同様にして、96％アル
ミナ基板上に抵抗体を形成した。この抵抗体の25℃にお
ける面積抵抗値と、25℃125℃の温度間で測定した抵抗
温度係数を第９表に示す。負荷寿命特性、耐湿特性、熱
衝撃特性は参考例１と同様に測定し、抵抗値変化率はい
ずれも±１％以内であった。
2、WSi2、MoSi2、NbSi2、TiSi2、CrSi2、ZrSi2、VSi2を
等量ずつ混合したもの）、TaB2、Siを第９表に示す割合
で配合したものをビークル（アクリル系樹脂をターピネ
オールに溶かしたもの）と混練し、抵抗ペーストした。
この抵抗ペーストを、参考例１と同様にして、96％アル
ミナ基板上に抵抗体を形成した。この抵抗体の25℃にお
ける面積抵抗値と、25℃125℃の温度間で測定した抵抗
温度係数を第９表に示す。負荷寿命特性、耐湿特性、熱
衝撃特性は参考例１と同様に測定し、抵抗値変化率はい
ずれも±１％以内であった。
（実施例４） 参考例１で示したものと同じガラス、珪化物Ｂ（TiSi
2、CrSi2、ZrSi2、VSi2を等量ずつ混合したもの）、ZrB
2、添加物Ｂ（Si、Si3N4、SiC、AlN、BN、SiO2を等量ず
つ混合したもの）を第10表に示す割合で配合したものを
ビークル（アクリル系樹脂をターピネオールに溶かした
もの）と混練し、抵抗ペーストとした。この抵抗ペース
トを、参考例１と同様にして、96％アルミナ基板上に抵
抗体を形成した。この抵抗体の25℃における面積抵抗値
と、25℃と125℃の温度間で測定した抵抗温度係数を第1
0表に示す。負荷寿命特性、耐湿特性、熱衝撃特性は参
考例１と同様に測定し、抵抗値変化率はいずれも±１％
以内であった。
2、CrSi2、ZrSi2、VSi2を等量ずつ混合したもの）、ZrB
2、添加物Ｂ（Si、Si3N4、SiC、AlN、BN、SiO2を等量ず
つ混合したもの）を第10表に示す割合で配合したものを
ビークル（アクリル系樹脂をターピネオールに溶かした
もの）と混練し、抵抗ペーストとした。この抵抗ペース
トを、参考例１と同様にして、96％アルミナ基板上に抵
抗体を形成した。この抵抗体の25℃における面積抵抗値
と、25℃と125℃の温度間で測定した抵抗温度係数を第1
0表に示す。負荷寿命特性、耐湿特性、熱衝撃特性は参
考例１と同様に測定し、抵抗値変化率はいずれも±１％
以内であった。
第１図〜第３図はそれぞれ本発明によるグレーズ抵抗
材料を用いた実施例を示す図で、第１図は混成集積回路
装置に用いた例、第２図はチップ抵抗器に用いた例、第
３図は抵抗ネットワークに用いた例を示すものである。
材料を用いた実施例を示す図で、第１図は混成集積回路
装置に用いた例、第２図はチップ抵抗器に用いた例、第
３図は抵抗ネットワークに用いた例を示すものである。
第１図において、１は抵抗体、２はセラミック基板、
３は電極、４は半導体素子、５はチップ部品、６はオー
バーコートである。この第１図に示す例では、セラミッ
ク基板２の両面に電極３を所定の配線パターンで形成
し、そしてその電極３間に配設されるように印刷により
厚膜の抵抗体１を形成すると共に、半導体素子４、チッ
プ部品５を実装したものである。
３は電極、４は半導体素子、５はチップ部品、６はオー
バーコートである。この第１図に示す例では、セラミッ
ク基板２の両面に電極３を所定の配線パターンで形成
し、そしてその電極３間に配設されるように印刷により
厚膜の抵抗体１を形成すると共に、半導体素子４、チッ
プ部品５を実装したものである。
また、第２図において、11は抵抗体、12はセラミック
基板、13は電極、14はNiメッキ層、15はSn−Pbメッキ
層、16はオーバーコートである。この第２図に示す例で
は、セラミック基板12の上面に抵抗体11を形成し、かつ
その抵抗体11の両端に接続される電極13をセラミック基
板12の両端部の上面、側面および底面に亘って形成し、
さらにその電極13上にNiメッキ層14、Sn−Pbメッキ層15
を形成したものである。
基板、13は電極、14はNiメッキ層、15はSn−Pbメッキ
層、16はオーバーコートである。この第２図に示す例で
は、セラミック基板12の上面に抵抗体11を形成し、かつ
その抵抗体11の両端に接続される電極13をセラミック基
板12の両端部の上面、側面および底面に亘って形成し、
さらにその電極13上にNiメッキ層14、Sn−Pbメッキ層15
を形成したものである。
さらに、第３図において、21は抵抗体、22はセラミッ
ク基板、23は電極、24はリード端子、25はコーティング
材である。この第３図に示す例では、セラミック基板22
上に所定の配線パターンで電極23を設け、そしてその電
極23により配線されるように抵抗体21を設けたものであ
る。
ク基板、23は電極、24はリード端子、25はコーティング
材である。この第３図に示す例では、セラミック基板22
上に所定の配線パターンで電極23を設け、そしてその電
極23により配線されるように抵抗体21を設けたものであ
る。
発明の効果 以上のように、本発明に係わるグレーズ抵抗材料は、
非酸化性雰囲気中の焼成により抵抗体に形成することが
可能であるため、Cu等の卑金属配線導体と共に回路を形
成することができる。従って、本発明によれば、Cu配線
厚膜ハイブリッドICを実現することができ、厚膜ハイブ
リッドICの高密度化、高速ディジタル化に寄与すること
ができる。
非酸化性雰囲気中の焼成により抵抗体に形成することが
可能であるため、Cu等の卑金属配線導体と共に回路を形
成することができる。従って、本発明によれば、Cu配線
厚膜ハイブリッドICを実現することができ、厚膜ハイブ
リッドICの高密度化、高速ディジタル化に寄与すること
ができる。
第１図は本発明のグレーズ抵抗材料を用いて構成した混
成集積回路装置の実施例の断面図、第２図は同じくチッ
プ抵抗器の実施例の断面図、第３図は同じく抵抗ネット
ワークの実施例の斜視図である。 1,11,21……抵抗体、2,12,22……セラミック基板、3,1
3,23……電極、４……半導体素子、５……チップ部品、
6,16……オーバーコート、14……Niメッキ層、15……Sn
−Pbメッキ層、24……リード端子、25……コーティング
材。
成集積回路装置の実施例の断面図、第２図は同じくチッ
プ抵抗器の実施例の断面図、第３図は同じく抵抗ネット
ワークの実施例の斜視図である。 1,11,21……抵抗体、2,12,22……セラミック基板、3,1
3,23……電極、４……半導体素子、５……チップ部品、
6,16……オーバーコート、14……Niメッキ層、15……Sn
−Pbメッキ層、24……リード端子、25……コーティング
材。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 井岡 満雄 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (72)発明者 渡辺 寛敏 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭63−202001（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−213312（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−147806（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−166101（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−232901（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−296701（ＪＰ，Ａ) 特開 昭52−46499（ＪＰ，Ａ)
Claims (4)
- 【請求項１】金属の珪化物と硼化物とからなる導電成分
が10.0〜60.0重量パーセントと、B2O3を含むガラスが3
3.0〜88.0重量パーセントと、 Ta2O5、Nb2O5、V2O5、MoO3、WO3、ZrO2、TiO2、Cr2O3の
うち少なくとも１つを1.0〜10.0重量パーセントを備
え、前記金属硼化物の占める割合が8.0〜30.0重量パー
セントであるグレーズ抵抗材料。 - 【請求項２】金属の珪化物と硼化物とからなる導電成分
が8.0〜56.0重量パーセントと、B2O3を含むガラスが42.
0〜84.0重量パーセントと、Si、Si3N4、SiC、AlN、BNの
うち少なくとも１つを1.0〜10.0重量パーセント有し、
前記金属硼化物の占める割合が6.0〜30.0重量パーセン
トであるグレーズ抵抗材料。 - 【請求項３】金属の珪化物と硼化物とからなる導電成分
が10.0〜60.0重量パーセントと、B2O3を含むガラスが3
3.0〜88.0重量パーセントと、 Ta2O5、Nb2O5、V2O5、MoO3、WO3、ZrO2、TiO2、Cr2O3の
うち少なくとも１つを1.0〜10.0重量パーセント有し、
前記金属硼化物の占める割合が8.0〜30.0重量パーセン
トであるグレーズ抵抗材料から得られる抵抗体を、基板
上に形成して構成した混成集積回路装置。 - 【請求項４】金属の珪化物と硼化物とからなる導電成分
が8.0〜56.0重量パーセントと、B2O3を含むガラスが42.
0〜84.0重量パーセントと、Si、Si3N4、SiC、AlN、BNの
うち少なくとも１つを1.0〜10.0重量パーセント有し、
前記金属硼化物の占める割合が6.0〜30.0重量パーセン
トであるグレーズ抵抗材料からなる抵抗体を、基板上に
形成して構成した混成集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63255167A JP2723555B2 (ja) | 1987-12-14 | 1988-10-11 | グレーズ抵抗材料およびこれを用いた混成集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31589987 | 1987-12-14 | ||
| JP62-315899 | 1987-12-14 | ||
| JP63255167A JP2723555B2 (ja) | 1987-12-14 | 1988-10-11 | グレーズ抵抗材料およびこれを用いた混成集積回路装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01257301A JPH01257301A (ja) | 1989-10-13 |
| JP2723555B2 true JP2723555B2 (ja) | 1998-03-09 |
Family
ID=26542056
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63255167A Expired - Fee Related JP2723555B2 (ja) | 1987-12-14 | 1988-10-11 | グレーズ抵抗材料およびこれを用いた混成集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2723555B2 (ja) |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5246499A (en) * | 1975-10-09 | 1977-04-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Resistance composition |
| US4366094A (en) * | 1981-02-02 | 1982-12-28 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Conductor compositions |
| US4652397A (en) * | 1984-12-17 | 1987-03-24 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Resistor compositions |
| US4597897A (en) * | 1985-06-24 | 1986-07-01 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Hexaboride resistor composition |
| JPH073801B2 (ja) * | 1986-04-03 | 1995-01-18 | 旭硝子株式会社 | 抵抗体組成物 |
| JPS63202001A (ja) * | 1987-02-18 | 1988-08-22 | 株式会社日立製作所 | 厚膜抵抗組成物、厚膜抵抗体、並びに厚膜ハイブリッドｉｃ |
| JPS63213312A (ja) * | 1987-03-02 | 1988-09-06 | 松下電器産業株式会社 | グレ−ズ抵抗材料 |
-
1988
- 1988-10-11 JP JP63255167A patent/JP2723555B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01257301A (ja) | 1989-10-13 |
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |