JPS60182187A - 厚膜端子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、特に絶縁性ガラスセラミックス基板に形成す
る厚膜端子の接看強ｊｆを向上する端子の構成に関する
ものである。

〔発明の背景〕

近年、厚膜技術を用いて形成する厚膜混成集積回路にお
いても、回路基板の小型・＾果槓化の要求は非常に高い
。従来、多くの厚膜混成集積回路は、焼結したアルミナ
基板に導体ペースト、抵抗ペースト、ガラスペーストを
用いて形成されていたが、高業績化の要求に対応すべく
新しい混成集積回路基板として、ガラス粉末をグリーン
シートに成形し、これに従来の厚膜形成法と同様に導体
ペースト、抵抗ペーストを印刷し、回路を印刷した複数
のグリーンシートを積層した後、焼結した多層構造の基
板が提案されている。

このようにして形成される多層回路板の厚膜端子におい
ても、従来のアルミナ焼結基板に用いられるものと同様
なＡＰ　−Ｐｔｉ系導体ペーストが使用されると、積層
体の基材であるガラス粉の焼結が生じるため、特に厚膜
端子部において部体膜の剥離を生じる場合があり、また
、端子のはんだによるｍＷ強度が、アルミナ焼結板を用
いる場合に比べてかなり弱いという欠点があった。

特に、接続強度の向上は／４種導電ペースト材料を用い
ても達成されず、その強度は１句４以上という要求を満
たすに至らなかった。

〔発明の目的〕

本発明は、前記した欠点を解消するものであって、ガラ
ス焼結板と厚膜導体端子との密着上を向上し、端子のは
んだ付強要（−朕着強度）を向上した厚膜端子を提供す
ることにある。

〔発明の概要〕

本発明の特徴は、特に接渚彊度を要する厚膜端子膜を金
属と金属酸化物との混合物なる第１層と、これを覆う低
抵抗の導体膜とからなる第２層とで構成することにある
。

第１層に用いられる金属は、Ｎ＝、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｒ、
Ｔ＝の卑金属がよく、金属酸化物としてＮＬにはＮＬＯ
ＡｌにはＡ４０．、　ＣｕにはＣｕＯ，ＣｒにはＣｒ２
Ｏ，、Ｔ＝にはＴＬＯ，が用いられる。

第２層には、はんだ接続性が良好なＡｆ　、−Ｐｄ系導
体が用いられる。

第１層を構成する金属の粒径は０．１〜０．５μ、金属
酸化物の粒径は１．０〜１．５μｍであり、金属と金属
酸化物の容積混合比は金属／金属酸化物−０，７〜１．
６そして膜厚は２〜５μｍがよい。また、第２層Ａｔ・
Ｐｄ導体膜厚は１０μｍ以上がよい。

ここにおいて、粒径、膜厚が規定の範囲を越えると端子
膜の剥離を生じ、はんだ接続強度の向−上に効果がない
。

〔発明の実施例〕

以下、本発明の実施例を図を用いて説明する。

第１図、第２図は実施例の断面図であり、第３図は本発
明による接着強度を従来例と比較して示す特性図である
。

第１図は、ガラス基板１の上に、第１層の金属と金属酸
化物との混合膜２と、第２層のＡＩ・Ｐｄ導体膜３が形
成され、端子部はＡｆ−Ｐｄのリード部４を介して基板
の回路部分へ導かれる。

本発明の厚膜端子は次のようにして製造された。５ＬＯ
ｔ　、Ａ４０ｓ　、Ｂｔｕｓ　、ＰｂＯ、Ｃ（ＺＯ、Ｋ
２Ｏ、ＮａｔＯを構成材料とするガラス粉末は、通常の
ガラス製法により、原料の混合、溶解し、粉砕して、粒
径２μとする。次いでこのガラス粉末にブチラール樹脂
等の高分子バインダ材料、フタリル酸グリエール等の可
塑剤、そしてアルコール等の有機溶剤を加えて泥しよう
を作成し、これをドクターブレードを用いる通常のセラ
ミックスシート成形機によりガラスのグリーンシートを
作成する。

厚膜端子は次のようにして形成した。まず、ガラスのグ
リーンシートに、粒径０５μｍのＮｂ粉末と粒径１．５
μｍのＮＬＯを等量混合し、粉末１０ｔに対して、エチ
ルセルロースを溶解した有機ビヒクル２０ｏｃを加えて
ペースト化したものを印刷する。

乾燥後、ＡｔＰｄ導体ペーストを先に形成した膜を榎５
構成で導体端子膜を形成した。これを、８００℃−１０
分の高温部をもつ厚膜ベルト炉を通して、ガラスグリー
ンシートと厚膜端子膜を同時に熱処理して形成した。

この端子部に、Ｐｄ　−Ｓｎ共晶はんだにより０．６ｗ
ｎφのはんだめりき銅線を接続し、引張り試験機により
、はんだ接続強度を測定した。第３図に、本実施例によ
らないＡｆ・Ｐｄ導体膜端子の強度と比較して示す。

実施例２ 本実施例においては、厚膜端子の第１層を粒径ｏ、ｓｔ
ｔｍのＡ／粉と、粒径１．０／ｊｍのＡ／、０３を等量
混合したペーストを実施例１と同様にして作成した。

この時、ガラスのグリーンシートに０．２ｍφのスルー
ホールが形成され、Ａｌ−Ｐｄ導体が充填されたものを
用いた。第２図に本実施例を示す。厚膜端子の第１層膜
は、このスルーホールの周囲に余白を残すように形成さ
れる。Ａｆ・ＰｄＳ体を印刷し、実施例と同様にして厚
膜端子を含むグリーンシートを焼結した。はんだ接続に
よる強度を第３図の実施例２に示す。

同様な効果が、Ｃｕ　−ｃｕｏ　ｌ　Ｃｒ　−Ｃｒｔ’
ｓ　Ｔ　ＴＬ　−ＴＬｌｔの膜を形成した厚膜端子にお
いて得られた。

〔発明の効果〕

本発明によれば、厚膜素子における電極端子の接着強度
の高い特性を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図は本発明の実施例１，２を示した端子部
断面図、第５図は従来法と本発明実施例との電極端子の
接着強度特性図である。 １・・・ガラスセラミックス基板、 ２・・・金属−金属酸化物混合層、 ３・・・Ａｔ−Ｐｄ導体の端子部、 ４・・・）ｔ　−ｐｇ導体のリード部、５・・・スルー
ホール部導電体。 才１図 才３図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. ｔ　絶縁性ガラスセラミックス基板上に厚膜導電材料で
   形成した厚膜回路基板の外部接続用端子において、Ｎ”
   、Ａ７！、Ｃｕ：Ｃｒ＋ＴＬのうちから選ばれた一種類
   の金属とその選ばれた金属酸化物とからなる第１層を形
   成し、この上に人びとＰｄから成る第２層を形成するこ
   とを特徴とする厚膜端子。