JPS60165795A - 多層基板およびその製造方法 - Google Patents
多層基板およびその製造方法Info
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- JPS60165795A JPS60165795A JP59022121A JP2212184A JPS60165795A JP S60165795 A JPS60165795 A JP S60165795A JP 59022121 A JP59022121 A JP 59022121A JP 2212184 A JP2212184 A JP 2212184A JP S60165795 A JPS60165795 A JP S60165795A
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- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、電子機器の回路の高密度実装基板として広く
用いることのできる多層基板ならびにその製造方法に関
するものである。
用いることのできる多層基板ならびにその製造方法に関
するものである。
従来例の構成とその問題点
近年、電子機器の小型化や多機能化の要望が増々強くな
ってきている。この要望に応えるため回路部品の高密度
実装が重要な技術となっている。
ってきている。この要望に応えるため回路部品の高密度
実装が重要な技術となっている。
部品の高密度実装を実現するには、部品全小型化すると
同時に基板の配線密度を高めることが極めて重要である
。基板の配線密度を高めるには、基板を多層構造と１７
で配線層を基板内部に形成する方法が最も効果が大きい
。
同時に基板の配線密度を高めることが極めて重要である
。基板の配線密度を高めるには、基板を多層構造と１７
で配線層を基板内部に形成する方法が最も効果が大きい
。
従来、高密度実装基板として、アルミナなどによる絶縁
層とタングステンやモリブデンなどの高融点非貴金属に
よる導体層を交互に積層した還元焼成多層配線基板があ
る。しかしこれには次のような問題点があった。
層とタングステンやモリブデンなどの高融点非貴金属に
よる導体層を交互に積層した還元焼成多層配線基板があ
る。しかしこれには次のような問題点があった。
（１）部品の半田接続および半導体ＩＣ，トランジスタ
の金線またはアルミニウム線によるワイヤーポンディン
グなどのためにタングステンまたはモリフ゛デンの」二
にニッケル、金などのメッキを施こす必要がある。
の金線またはアルミニウム線によるワイヤーポンディン
グなどのためにタングステンまたはモリフ゛デンの」二
にニッケル、金などのメッキを施こす必要がある。
（噂 厚膜部品であるグレーズ抵抗の形成は、一般に空
気中高温（８０ｏ″Ｃ〜９ｏ○°Ｃ）で行なう必要があ
るので、タングステンやモリブデンのような酸化され易
い導体材料で構成された多層基板への厚膜部品の形成は
極めて困難である。
気中高温（８０ｏ″Ｃ〜９ｏ○°Ｃ）で行なう必要があ
るので、タングステンやモリブデンのような酸化され易
い導体材料で構成された多層基板への厚膜部品の形成は
極めて困難である。
一方、上記の」：うな還元焼成多層基板に、空気中高温
で厚膜部品を形成するために多層基板最上層の必要個所
に小孔を設けてその中をｐｔ またはｐｃｉのような貴
金属で充てんした焼結構造の基板が提案されている。（
特開４９−５４８５９）、しかし、この構造の多層基板
に一般的な厚膜部品を形成するには、空気中で８００″
Ｃ〜９００°Ｃという高温で処理する必要があるが、発
明者らが確認したところによれば、ｐｔやｐｃｉ とア
ルミナとの密着性は十分に高いものとは言えず、空気中
でｓｏｏ’ｃ〜９００°Ｃで処理した場合、気密性が悪
＜ｐｔ、ｐｄとアルミナとの界面から空気が除々に侵入
し内部導体のタングステンやモリブデンが酸化され実用
に耐えないという問題を有している。
で厚膜部品を形成するために多層基板最上層の必要個所
に小孔を設けてその中をｐｔ またはｐｃｉのような貴
金属で充てんした焼結構造の基板が提案されている。（
特開４９−５４８５９）、しかし、この構造の多層基板
に一般的な厚膜部品を形成するには、空気中で８００″
Ｃ〜９００°Ｃという高温で処理する必要があるが、発
明者らが確認したところによれば、ｐｔやｐｃｉ とア
ルミナとの密着性は十分に高いものとは言えず、空気中
でｓｏｏ’ｃ〜９００°Ｃで処理した場合、気密性が悪
＜ｐｔ、ｐｄとアルミナとの界面から空気が除々に侵入
し内部導体のタングステンやモリブデンが酸化され実用
に耐えないという問題を有している。
このため、タングステンやモリブデンなどで導体を形成
した還元焼成多層基板に厚膜抵抗を形成する実用的な方
法としては、空気中６００°Ｃ〜ｅｏｏ″Ｃで焼成でき
る特殊な低温焼成タイプの厚膜導体および厚膜抵抗ペー
ストを用いて形成する方法、あるいは、２００°Ｃ付近
で硬化する樹脂系のポリマー抵抗ペーストで形成する方
法により行なわれている。（文献 電子材料 １９８０
年６月号 ｐ８４〜ｐ８７）ｌ、かしながら、これら低
温焼成の厚膜抵抗やポリマー抵抗は、一般的な８００°
Ｃ〜９００″Ｃ焼成の厚膜抵抗に比し、抵抗体の電気的
特性や眼環境特性が劣り、回路」１使用範囲が制限され
ているという問題を有している。
した還元焼成多層基板に厚膜抵抗を形成する実用的な方
法としては、空気中６００°Ｃ〜ｅｏｏ″Ｃで焼成でき
る特殊な低温焼成タイプの厚膜導体および厚膜抵抗ペー
ストを用いて形成する方法、あるいは、２００°Ｃ付近
で硬化する樹脂系のポリマー抵抗ペーストで形成する方
法により行なわれている。（文献 電子材料 １９８０
年６月号 ｐ８４〜ｐ８７）ｌ、かしながら、これら低
温焼成の厚膜抵抗やポリマー抵抗は、一般的な８００°
Ｃ〜９００″Ｃ焼成の厚膜抵抗に比し、抵抗体の電気的
特性や眼環境特性が劣り、回路」１使用範囲が制限され
ているという問題を有している。
発明の目的
本発明の目的は、高密度実装用基板として、信頼性の高
い、厚膜抵抗体、厚膜導体を有する多層配線基板および
その製造方法を提供することにある。
い、厚膜抵抗体、厚膜導体を有する多層配線基板および
その製造方法を提供することにある。
発明の構成
本発明の多層基板は、アルミナを主成分とする電気絶縁
層とタングステンまたはモリブデンから６・−・−− なる内部導体層とを交互に積層すると共に、電気絶縁層
の最外層は内部導体層の必要部分が露出するよう小孔を
設けた還元焼成多層基板の小孔部分に酸化ホウ素と酸化
バリウムを主成分とするガラスと貴金属とからなる導体
材料を充てんし、上記電気絶縁層の最外層上に厚膜導体
および厚膜抵抗体を形成した構成にすることにより、配
線および部品実装密度が高く信頼性の高い、厚膜抵抗体
、厚膜導体を有する多層基板を可能にしたものである。
層とタングステンまたはモリブデンから６・−・−− なる内部導体層とを交互に積層すると共に、電気絶縁層
の最外層は内部導体層の必要部分が露出するよう小孔を
設けた還元焼成多層基板の小孔部分に酸化ホウ素と酸化
バリウムを主成分とするガラスと貴金属とからなる導体
材料を充てんし、上記電気絶縁層の最外層上に厚膜導体
および厚膜抵抗体を形成した構成にすることにより、配
線および部品実装密度が高く信頼性の高い、厚膜抵抗体
、厚膜導体を有する多層基板を可能にしたものである。
また、本発明は、アルミナを主成分とする粉末と有機バ
インダからなる未焼成グリーンシートとする工程と、こ
のグリーンシート上にタングステン粉末またはモリブデ
ン粉末と有機バインダ、溶剤とからなる導体層を形成す
る工程と、アルミナを主成分とする粉末と有機バインダ
、溶剤とからなる絶縁層を形成する工程と、これを還元
雰囲気中高温で焼成する工程と、この還元焼成基板のタ
ングステンまたはモリブデンの露出部分に酸化ホウ素と
酸化バリウムを主成分とするガラスと貴金属粉末、有機
バインダ、溶剤とからなる導体を形成する工程と、」１
記還元焼成基板上に貴金属厚膜導体および厚膜抵抗体を
形成する工程と、これを空気中６００″Ｃ〜９００°Ｃ
で焼付ける工程とから々る多層基板の製造方法であり、
このことに−１： ！ｌ ’−厚膜抵抗体、厚！１強導
体を有する多層基板を簡易かつ確実に作製することを可
能にしたものである。
インダからなる未焼成グリーンシートとする工程と、こ
のグリーンシート上にタングステン粉末またはモリブデ
ン粉末と有機バインダ、溶剤とからなる導体層を形成す
る工程と、アルミナを主成分とする粉末と有機バインダ
、溶剤とからなる絶縁層を形成する工程と、これを還元
雰囲気中高温で焼成する工程と、この還元焼成基板のタ
ングステンまたはモリブデンの露出部分に酸化ホウ素と
酸化バリウムを主成分とするガラスと貴金属粉末、有機
バインダ、溶剤とからなる導体を形成する工程と、」１
記還元焼成基板上に貴金属厚膜導体および厚膜抵抗体を
形成する工程と、これを空気中６００″Ｃ〜９００°Ｃ
で焼付ける工程とから々る多層基板の製造方法であり、
このことに−１： ！ｌ ’−厚膜抵抗体、厚！１強導
体を有する多層基板を簡易かつ確実に作製することを可
能にしたものである。
実施例の説明
以下本発明の実施例について、図面を参照しながら説明
する。
する。
図は、本発明の一実施例における多層基板の断面図であ
る。
る。
図において、１はアルミナ基板、２に１タングステンま
たはモリブデンからなる内部導体層、３はアルミナ絶縁
層、３竹最上層のアルミナ絶縁層、４は酸化ホウ素と酸
化バリウムを主成分とするガラスと貴金属とからなる導
体４′Ａ刺で、内部導体層２が露出するよう設けた最」
二層のアルミナ絶縁層３′の小孔部分に充てんしたもの
であり、６は厚膜導体、６は厚膜抵抗体である。
たはモリブデンからなる内部導体層、３はアルミナ絶縁
層、３竹最上層のアルミナ絶縁層、４は酸化ホウ素と酸
化バリウムを主成分とするガラスと貴金属とからなる導
体４′Ａ刺で、内部導体層２が露出するよう設けた最」
二層のアルミナ絶縁層３′の小孔部分に充てんしたもの
であり、６は厚膜導体、６は厚膜抵抗体である。
この本実施例の多層基板の構成と機能について説明する
。
。
図の多層基板では、この内部導体層を１，３゜３勿アル
ミナ絶縁層は、高温還元雰囲気中で焼結されたもので十
分に緻密な状態となっており、３′の小孔部分以外の内
部導体層２は空気に対して気密構造となっている。した
がって、例えば、３′に小孔のない構造では、空気中、
高温に基板を放置したとしても内部導体層のタングステ
ンあるいはモリブデンは酸化されない。この事実につい
ては従来からも十分に実証されている。
ミナ絶縁層は、高温還元雰囲気中で焼結されたもので十
分に緻密な状態となっており、３′の小孔部分以外の内
部導体層２は空気に対して気密構造となっている。した
がって、例えば、３′に小孔のない構造では、空気中、
高温に基板を放置したとしても内部導体層のタングステ
ンあるいはモリブデンは酸化されない。この事実につい
ては従来からも十分に実証されている。
本発明のねらいは、３％小孔部分を通じて多層基板表面
に電気的導通をもち、かつ厚膜導体および厚膜抵抗体を
形成するために高温、空気中においても内部導体層が酸
化されない構造とするところにあり、このことを酸化ホ
ウ素と酸化バリウムを主成分とするガラスと貴金属とか
らなる導体材料４を、内部導体層２が露出するよう設け
た最上層のアルミナ絶縁層３′の小孔部分に充てんする
ことにより達成している。導体材料４は、貴金属粒子間
の接触により電気的導通を得ると同時に、ガラス材料に
より内部導体層の酸化を防止するものでなければならず
、特にガラス材料が重要であった。
に電気的導通をもち、かつ厚膜導体および厚膜抵抗体を
形成するために高温、空気中においても内部導体層が酸
化されない構造とするところにあり、このことを酸化ホ
ウ素と酸化バリウムを主成分とするガラスと貴金属とか
らなる導体材料４を、内部導体層２が露出するよう設け
た最上層のアルミナ絶縁層３′の小孔部分に充てんする
ことにより達成している。導体材料４は、貴金属粒子間
の接触により電気的導通を得ると同時に、ガラス材料に
より内部導体層の酸化を防止するものでなければならず
、特にガラス材料が重要であった。
一般によく用いられる鉛系のガラス材料では、高温空気
中において内部導体層のタングステンあるいはモリブデ
ンの酸化反応と同時に主成分の酸化鉛の還元反応を生じ
、内部導体層の酸化を防止できず電気的導通は得られな
かった。本発明に使用したガラス材料は、酸化ホウ素と
酸化バリウムを主成分とするものでタングステンやモリ
ブデンを酸化しない性質、別の言い方をすればタングス
テンやモリブデンによって還元され々い性ａを有するガ
ラス材料であり、このガラス材料に貴金属粒子を分散し
た導体材料では、内部導体層は酸化されす、安定した電
気的導通が得られた。貴金属粒子として、金、白金、銀
、パラジウムおよびこれらの合金について検討したが、
いずれも良好な結果が得られた。
中において内部導体層のタングステンあるいはモリブデ
ンの酸化反応と同時に主成分の酸化鉛の還元反応を生じ
、内部導体層の酸化を防止できず電気的導通は得られな
かった。本発明に使用したガラス材料は、酸化ホウ素と
酸化バリウムを主成分とするものでタングステンやモリ
ブデンを酸化しない性質、別の言い方をすればタングス
テンやモリブデンによって還元され々い性ａを有するガ
ラス材料であり、このガラス材料に貴金属粒子を分散し
た導体材料では、内部導体層は酸化されす、安定した電
気的導通が得られた。貴金属粒子として、金、白金、銀
、パラジウムおよびこれらの合金について検討したが、
いずれも良好な結果が得られた。
厚膜導体６は、厚膜抵抗体６およびＩＣ，）ランジスタ
、コンデンサ他の電気部品の接続部と配＼ ＶＦ部であり、材料として銀−パラジウム系に代表１０
・、 − される一般的々貴金属導体ペースト材料を用い形成した
。
、コンデンサ他の電気部品の接続部と配＼ ＶＦ部であり、材料として銀−パラジウム系に代表１０
・、 − される一般的々貴金属導体ペースト材料を用い形成した
。
厚膜抵抗体６は、本発明の目的である高信頼性と小型高
密度の多層基板を得るために、抵抗部品を膜化形成した
もので、材料として酸化ルテニウム系の厚膜抵抗ペース
トを用い形成した。
密度の多層基板を得るために、抵抗部品を膜化形成した
もので、材料として酸化ルテニウム系の厚膜抵抗ペース
トを用い形成した。
次に、図に示した多層基板を得た製造方法について、一
実施例を以下に示す。
実施例を以下に示す。
アルミナを主成分としこれに焼結助剤を添加した無機粉
末とＰＶＢ（ポリビニルブチラール）と可塑剤とからな
るグリーンシートをドクタブレード法で作成した。これ
にタングステン粉末捷たはモリブデン粉末と有機バイン
ダ、溶剤とからなる導体ペーストとアルミナを主成分と
する粉末と有機バインダ、溶剤とからなるアルミナペー
ストとを交互に印刷乾燥し多層化した。この工程で最上
層のアルミナ層には内部導体層が露出するよう所定の位
置に３００μｍ径の小孔を設けた。これを、１５８０°
Ｃの還元雰囲気中で焼成した。こうして、図のアルミナ
基板１、タングステンまたはモリブ１１ 。
末とＰＶＢ（ポリビニルブチラール）と可塑剤とからな
るグリーンシートをドクタブレード法で作成した。これ
にタングステン粉末捷たはモリブデン粉末と有機バイン
ダ、溶剤とからなる導体ペーストとアルミナを主成分と
する粉末と有機バインダ、溶剤とからなるアルミナペー
ストとを交互に印刷乾燥し多層化した。この工程で最上
層のアルミナ層には内部導体層が露出するよう所定の位
置に３００μｍ径の小孔を設けた。これを、１５８０°
Ｃの還元雰囲気中で焼成した。こうして、図のアルミナ
基板１、タングステンまたはモリブ１１ 。
デンからなる内部導体層２、アルミナ絶縁層３および３
′までを形成した還元焼成多層基板を得た。
′までを形成した還元焼成多層基板を得た。
次に、酸化ホウ素と酸化バリウムを主成分とする第１表
の組成のガラス粉末と銀粉末、有機バインダ、溶剤とか
らなる導体ペーストを作成し、これを、」１記の還元焼
成多層基板の最」一層のアルミナ絶縁層３′の小孔部分
に印刷に」：り充てんした。
の組成のガラス粉末と銀粉末、有機バインダ、溶剤とか
らなる導体ペーストを作成し、これを、」１記の還元焼
成多層基板の最」一層のアルミナ絶縁層３′の小孔部分
に印刷に」：り充てんした。
乾燥後、ピーク温度８５０’Ｃ保持時間１０分のベルト
炉に通し空気中焼成し、図４の導体材料を形成した。導
体ペーストのガラス粉末と銀粉末の組成比と空気中８６
０°Ｃ焼成後の特性を調べた結果を第２表に示す。
炉に通し空気中焼成し、図４の導体材料を形成した。導
体ペーストのガラス粉末と銀粉末の組成比と空気中８６
０°Ｃ焼成後の特性を調べた結果を第２表に示す。
ｃ以下余白）
第２表
第２表に示した結果のごとく、銀粉末の組成比が９８ｗ
ｔ％ではガラス成分が少ないためガラス材料に、ｌ：る
内部導体層の酸化からの保護が不完全となり、内部導体
層が酸化され電気的導通が得られなかった０捷だ逆に銀
粉末の組成比が１０ｗｔ％以下では、比抵抗が極めて大
きく、内部導体層は酸化されないが電気的導通は得られ
なかった。銀粉３ − 得られた。
ｔ％ではガラス成分が少ないためガラス材料に、ｌ：る
内部導体層の酸化からの保護が不完全となり、内部導体
層が酸化され電気的導通が得られなかった０捷だ逆に銀
粉末の組成比が１０ｗｔ％以下では、比抵抗が極めて大
きく、内部導体層は酸化されないが電気的導通は得られ
なかった。銀粉３ − 得られた。
また、貴金属として−に記の銀粉末の他に、金。
白金、パラジウム、銀−パラジウム、銀−白金。
金−パラジウムの粉末についても調べたが、はぼ同様の
結果であった。
結果であった。
次に、上記した中で電気的導通が得られたものに、極め
て一般的な銀−パラジウム系の厚膜導体ペースト（銀５
６ｗｔチ、パラジウム１４ｗｔ％、ガラス他３０ ｗｔ
％）を印刷した。乾燥後、ピーク温度ａｃｓｏ’ｃ、保
持時間１０分のベルト炉に通し空気中焼成し、図６の厚
膜導体を形成した。さらに、市販の酸化ルテニウム系の
抵抗ペーストを用い印刷乾燥した。３種類のシート抵抗
の異なる抵抗ペーストを用い印刷、乾燥を３回くり返し
た。これを、ピーク温度８６０″Ｃ９保持時間１０分の
ベルト炉に通し空気中焼成し、図６の厚膜抵抗体を形成
し、図に示した多層基板の完成品を得た。
て一般的な銀−パラジウム系の厚膜導体ペースト（銀５
６ｗｔチ、パラジウム１４ｗｔ％、ガラス他３０ ｗｔ
％）を印刷した。乾燥後、ピーク温度ａｃｓｏ’ｃ、保
持時間１０分のベルト炉に通し空気中焼成し、図６の厚
膜導体を形成した。さらに、市販の酸化ルテニウム系の
抵抗ペーストを用い印刷乾燥した。３種類のシート抵抗
の異なる抵抗ペーストを用い印刷、乾燥を３回くり返し
た。これを、ピーク温度８６０″Ｃ９保持時間１０分の
ベルト炉に通し空気中焼成し、図６の厚膜抵抗体を形成
し、図に示した多層基板の完成品を得た。
この完成品の導通、抵抗値、その他電気的特性や耐環境
特性は、使用条件を十分満足するものであった。また、
必要に応じて図の完成品にガラス１４・ または樹脂に」こる保護コート層を形成した。
特性は、使用条件を十分満足するものであった。また、
必要に応じて図の完成品にガラス１４・ または樹脂に」こる保護コート層を形成した。
なお、上記実施例では、厚膜導体ペーストとして銀−パ
ラジウム系を使用したが、銀、銀−白金。
ラジウム系を使用したが、銀、銀−白金。
金など一般的な厚膜導体ペーストが使用できる。
また、空気中焼成条件としてピーク温度８６０°Ｃ保持
時間１０分についてのみ記したが、各導体ペースト、抵
抗ペーストの適正条件に合わせて、ピーク温度６００°
Ｃ〜９００°Ｃの空気中焼成条件で行なっても、完成品
の基本的な特性には影響がなかった。
時間１０分についてのみ記したが、各導体ペースト、抵
抗ペーストの適正条件に合わせて、ピーク温度６００°
Ｃ〜９００°Ｃの空気中焼成条件で行なっても、完成品
の基本的な特性には影響がなかった。
発明の効果
以上の説明から明らかなように、本発明は、内部導体層
の必要部分が露出するよう小孔を設けた還元焼成多層基
板の小孔部分に酸化ホウ素と酸化バリウムを生成分とす
るガラスと貴金属とからなる導体材料を充てんし、上記
の多層基板の絶縁層表面に厚膜導体および厚膜抵抗体を
形成してのるので、還元焼成多層基板の内部導体層を酸
化することなく、きわめて一般的で特性や工程管理の安
定した厚膜材料を用いて厚膜導体および厚膜抵抗１５
、 体を還元焼成多層基板上に形成することが可能であると
いう優れた効果が得られる。さらに、このことにより、
本発明による多層基板は、配線は内部導体層により多層
化しているので配線密度を極めで大きくでき、捷だ抵抗
部品を厚膜抵抗体により膜化形成しているので、小型で
高密度の回路基板であり、電子機器の小型高密度化に寄
与する効果は大である。
の必要部分が露出するよう小孔を設けた還元焼成多層基
板の小孔部分に酸化ホウ素と酸化バリウムを生成分とす
るガラスと貴金属とからなる導体材料を充てんし、上記
の多層基板の絶縁層表面に厚膜導体および厚膜抵抗体を
形成してのるので、還元焼成多層基板の内部導体層を酸
化することなく、きわめて一般的で特性や工程管理の安
定した厚膜材料を用いて厚膜導体および厚膜抵抗１５
、 体を還元焼成多層基板上に形成することが可能であると
いう優れた効果が得られる。さらに、このことにより、
本発明による多層基板は、配線は内部導体層により多層
化しているので配線密度を極めで大きくでき、捷だ抵抗
部品を厚膜抵抗体により膜化形成しているので、小型で
高密度の回路基板であり、電子機器の小型高密度化に寄
与する効果は大である。
また、本発明の多層基板は従来の還元焼成多層基板と異
なり、部品の半田接続や半導体ＩＣのワイヤーボンディ
ングのためのメッキ処理が不要であり、従来の厚膜多層
基板のようなガラス材料で形成した絶縁層の上に厚膜抵
抗体を形成した場合と異なり、抵抗体形成が容易で安定
であり抵抗体のレーザトリミングによる絶縁層の損傷が
なく、極めて工程条件の管理が容易であり、生産上の効
果も犬である。
なり、部品の半田接続や半導体ＩＣのワイヤーボンディ
ングのためのメッキ処理が不要であり、従来の厚膜多層
基板のようなガラス材料で形成した絶縁層の上に厚膜抵
抗体を形成した場合と異なり、抵抗体形成が容易で安定
であり抵抗体のレーザトリミングによる絶縁層の損傷が
なく、極めて工程条件の管理が容易であり、生産上の効
果も犬である。
図は本発明の一実施例における多層基板の断面図である
。 １・・・・・・アルミナ基板、２・・・・・・内部導体
層、３゜３′・・・・・・アルミナ絶縁層、４・・・・
・・導体材料、５・・・・・・厚膜導体、６・・・・・
・厚膜抵抗体。
。 １・・・・・・アルミナ基板、２・・・・・・内部導体
層、３゜３′・・・・・・アルミナ絶縁層、４・・・・
・・導体材料、５・・・・・・厚膜導体、６・・・・・
・厚膜抵抗体。
Claims (1)
- （１） アルミナを主成分とする電気絶縁層とタングス
テンまたはモリブデンからなる内部導体層とを交互に積
層すると共に、電気絶縁層の最夕１層は内部導体層の必
要部分が露出するよう小孔を設け、この小孔部分に酸化
ホウ素と酸化バリウムを主成分とするガラスと貴金属と
からなる導体材料を充てんし、」−記電気絶縁層の最外
層」−に厚膜導体および厚膜抵抗体を形成したことを特
徴とする多層基板。 （掲 導体材料の貴金属が、金、白金、銀、パラジウム
およびこれらの合金であることを特徴とする特許請求の
範囲前１）項記載の多層基板。 （鴎 導体材料の貴金属含有量が２０ｗｔ％以」二で９
６ｗｔ％以下であることを特徴とする特許請求の範囲第
（１）項記載の多層基板。 （４アルミナを主成分とする粉末と有機バインダからな
る未焼成グリーンシートとする工程と、このグリーンシ
ート上にタングステン粉末またはモ２・′ − リブデン粉末と有機バインダ、溶剤とからなる層を形成
する工程と、アルミナを主成分とする粉末と有機バイン
ダ、溶剤とからなる絶縁層を形成する工程と、これを還
元雰囲気中高温で焼成する工程と、この還元焼成基板の
タングステンまたはモリブデンの露出部分に、酸化ホウ
素と酸化バリウムを主成分とするガラスと貴金属粉末、
有機バインダ、溶剤とからなる導体を形成する工程と、
上記還元焼成基板上に厚膜導体および厚膜抵抗体を形成
する工程と、これを空気中６００″Ｃ〜９００′Ｃで焼
付ける工程とからなることを特徴とする多層基板の製造
方法。 （時 導体材料の貴金属が、金、白金、銀、パラジウム
およびこれらの合金であることを特徴とする特許請求の
範囲第（４項記載の多層基板の製造方法０（→ 導体材
料の貴金属含有量が２０ ｗｔ％以上で９５ｗｔ％以下
であることを特徴とする特許請求の範囲第（４項記載の
多層基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59022121A JPS60165795A (ja) | 1984-02-08 | 1984-02-08 | 多層基板およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59022121A JPS60165795A (ja) | 1984-02-08 | 1984-02-08 | 多層基板およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60165795A true JPS60165795A (ja) | 1985-08-28 |
| JPH0467360B2 JPH0467360B2 (ja) | 1992-10-28 |
Family
ID=12074046
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59022121A Granted JPS60165795A (ja) | 1984-02-08 | 1984-02-08 | 多層基板およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60165795A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61172353A (ja) * | 1985-01-28 | 1986-08-04 | Nec Corp | セラミツク多層基板 |
| JPS62244195A (ja) * | 1986-04-17 | 1987-10-24 | 日本シイエムケイ株式会社 | 多層プリント配線基板とその製造方法 |
-
1984
- 1984-02-08 JP JP59022121A patent/JPS60165795A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61172353A (ja) * | 1985-01-28 | 1986-08-04 | Nec Corp | セラミツク多層基板 |
| JPS62244195A (ja) * | 1986-04-17 | 1987-10-24 | 日本シイエムケイ株式会社 | 多層プリント配線基板とその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0467360B2 (ja) | 1992-10-28 |
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