JPH09298368A - セラミック配線基板 - Google Patents
セラミック配線基板Info
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- JPH09298368A JPH09298368A JP8140700A JP14070096A JPH09298368A JP H09298368 A JPH09298368 A JP H09298368A JP 8140700 A JP8140700 A JP 8140700A JP 14070096 A JP14070096 A JP 14070096A JP H09298368 A JPH09298368 A JP H09298368A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】配線中に抵抗体を有しながらも、安価で小型化
でき、焼成時に黒変等の現象を生じることがなく、製造
の容易なセラミック配線基板を提供すること。 【解決手段】配線の一部にＲｕＯ2を主成分とする抵抗
体を有し、同時焼成により形成されたセラミック配線基
板であって、このＲｕＯ2を主成分とする抵抗体は、基
板の内部に形成する。この抵抗体を、基板内層のビアホ
ールとして形成するのが好ましい。
でき、焼成時に黒変等の現象を生じることがなく、製造
の容易なセラミック配線基板を提供すること。 【解決手段】配線の一部にＲｕＯ2を主成分とする抵抗
体を有し、同時焼成により形成されたセラミック配線基
板であって、このＲｕＯ2を主成分とする抵抗体は、基
板の内部に形成する。この抵抗体を、基板内層のビアホ
ールとして形成するのが好ましい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、セラミック配線基
板に関し、特に、基板に形成した配線中に抵抗体を有す
るセラミック配線基板に関する。
板に関し、特に、基板に形成した配線中に抵抗体を有す
るセラミック配線基板に関する。
【０００２】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】近
年、セラミック配線基板に形成する配線中に抵抗体を設
けたものが使用されている。例えば、ＩＣチップの駆動
周波数の高周波化に伴い、信号波形の歪みを少なくする
為に終端抵抗として抵抗体を用いる場合などが挙げられ
る。一方、セラミック配線基板は、小型化、低価格化を
求められており、既に焼成したセラミック配線基板上に
抵抗体を後から焼き付けるポストファイア法では、配線
基板表面に抵抗体を印刷するスペースが必要となるので
小型化の要求と両立が難しい。また、微小面積に抵抗体
ペーストを印刷すると、スクリーン印刷では印刷精度を
余り高くできないので、電極（通常配線部分）との接続
部分の信頼性が低下する。また、ペーストのにじみによ
り抵抗値がばらついたり、あまりに近接して抵抗を形成
するとショート不良となり易い。さらに、焼成工数が掛
かるので低価格化についても難点がある。
年、セラミック配線基板に形成する配線中に抵抗体を設
けたものが使用されている。例えば、ＩＣチップの駆動
周波数の高周波化に伴い、信号波形の歪みを少なくする
為に終端抵抗として抵抗体を用いる場合などが挙げられ
る。一方、セラミック配線基板は、小型化、低価格化を
求められており、既に焼成したセラミック配線基板上に
抵抗体を後から焼き付けるポストファイア法では、配線
基板表面に抵抗体を印刷するスペースが必要となるので
小型化の要求と両立が難しい。また、微小面積に抵抗体
ペーストを印刷すると、スクリーン印刷では印刷精度を
余り高くできないので、電極（通常配線部分）との接続
部分の信頼性が低下する。また、ペーストのにじみによ
り抵抗値がばらついたり、あまりに近接して抵抗を形成
するとショート不良となり易い。さらに、焼成工数が掛
かるので低価格化についても難点がある。
【０００３】ところで、ＲｕＯ2は、特性や安定度など
からセラミック配線基板用の抵抗体材料として適当であ
るが、焼成時に飛散して、例えば、ビスマスを含んだ銀
メタライズ配線導体に付着すると、この銀メタライズ配
線導体が黒変するため、配線基板の外観不良となる。ま
た、ＲｕＯ2を含むメタライズインクを基板表面に塗
布、乾燥した後に焼成すると、アルミナやジルコニアな
どの材質からなるセッター（サヤ）とＲｕＯ2接触して
いると、焼成工程において両者が固着してしまい、焼成
後にセッターから配線基板を取り出すときの取り扱いが
困難となる上に、無理に引き剥がすとＲｕＯ2の抵抗体
などを傷つけたり、セッターの破片が抵抗体に接着して
しまう等の不具合があった。本発明はかかる現状に鑑み
てなされたものであって、その課題は、配線中に抵抗体
を有しながらも、安価で小型化でき、焼成時に黒変等の
現象を生じることがなく、製造の容易なセラミック配線
基板を提供することである。
からセラミック配線基板用の抵抗体材料として適当であ
るが、焼成時に飛散して、例えば、ビスマスを含んだ銀
メタライズ配線導体に付着すると、この銀メタライズ配
線導体が黒変するため、配線基板の外観不良となる。ま
た、ＲｕＯ2を含むメタライズインクを基板表面に塗
布、乾燥した後に焼成すると、アルミナやジルコニアな
どの材質からなるセッター（サヤ）とＲｕＯ2接触して
いると、焼成工程において両者が固着してしまい、焼成
後にセッターから配線基板を取り出すときの取り扱いが
困難となる上に、無理に引き剥がすとＲｕＯ2の抵抗体
などを傷つけたり、セッターの破片が抵抗体に接着して
しまう等の不具合があった。本発明はかかる現状に鑑み
てなされたものであって、その課題は、配線中に抵抗体
を有しながらも、安価で小型化でき、焼成時に黒変等の
現象を生じることがなく、製造の容易なセラミック配線
基板を提供することである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】しかしてその第１の解決
手段は、配線の一部にＲｕＯ2を主成分とする抵抗体を
有し、同時焼成により形成されたセラミック配線基板で
あって、該ＲｕＯ2を主成分とする抵抗体は、該基板の
内部に形成されていることを特徴とするものである。同
時焼成によりセラミック配線基板を形成したので、抵抗
体を後から形成する必要がなく安価に形成できる。ま
た、抵抗体としてＲｕＯ2を主成分としたので、安定し
た抵抗体を形成でき、しかもＲｕＯ2を主成分とする抵
抗体を基板の内部に形成したので、焼成時に、ＲｕＯ2
が飛散して黒変現象を生じたり、セッターとの接触部で
固着が生じることがない。
手段は、配線の一部にＲｕＯ2を主成分とする抵抗体を
有し、同時焼成により形成されたセラミック配線基板で
あって、該ＲｕＯ2を主成分とする抵抗体は、該基板の
内部に形成されていることを特徴とするものである。同
時焼成によりセラミック配線基板を形成したので、抵抗
体を後から形成する必要がなく安価に形成できる。ま
た、抵抗体としてＲｕＯ2を主成分としたので、安定し
た抵抗体を形成でき、しかもＲｕＯ2を主成分とする抵
抗体を基板の内部に形成したので、焼成時に、ＲｕＯ2
が飛散して黒変現象を生じたり、セッターとの接触部で
固着が生じることがない。
【０００５】さらに、前記ＲｕＯ2を主成分とする抵抗
体は、前記基板の内層のビアホールとして形成されてい
ると、抵抗体をセラミック基板の表面又は層間に形成し
た場合に比較して、平面視して抵抗体の占める面積が小
さくなり、セラミック基板の小型化に寄与する。また、
ビアホールの直径や高さ（セラミック絶縁層の厚さ）に
よって寸法が限定されるので、抵抗値のばらつきが生じ
にくい。ここで、配線材料としてビスマスを添加したＡ
ｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｔ等を用い、セラミック材料
としてこれらの配線材料と同時焼成可能な低温焼成でき
る材料、例えばガラスセラミックを用いた場合には、前
述した黒変現象が防止できて都合がよい。
体は、前記基板の内層のビアホールとして形成されてい
ると、抵抗体をセラミック基板の表面又は層間に形成し
た場合に比較して、平面視して抵抗体の占める面積が小
さくなり、セラミック基板の小型化に寄与する。また、
ビアホールの直径や高さ（セラミック絶縁層の厚さ）に
よって寸法が限定されるので、抵抗値のばらつきが生じ
にくい。ここで、配線材料としてビスマスを添加したＡ
ｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｔ等を用い、セラミック材料
としてこれらの配線材料と同時焼成可能な低温焼成でき
る材料、例えばガラスセラミックを用いた場合には、前
述した黒変現象が防止できて都合がよい。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図１を参照
しつつ説明する。アルミナ（３０重量％）−ホウケイ酸
ガラス（７０重量％）の粉末にバインダーや溶剤を混
ぜ、周知の方法でグリーンシートとし、厚さ０．５ｍｍ
の複数の絶縁シート１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄとした。抵
抗体でない配線やビアホールを形成するための導体ペー
ストとして、Ａｇ粉末（８０重量％）、ビスマス粉末
（２重量％）およびホウケイ酸ガラス（３重量％）とビ
ヒクルを混合したＡｇペースト２、およびＡｇおよびＰ
ｄの配合比８０：２０のＡｇ−Ｐｄ混合粉末（８２重量
％）にホウケイ酸ガラス（２重量％）とビヒクルを混合
したＡｇ−Ｐｄペースト３を調合、製作した。一方、抵
抗体用ペーストとして、ＲｕＯ2粉末（３０重量％）に
アルミナーホウケイ酸ガラス粉末（４０重量％）とビヒ
クルを混合してＲｕＯ2ペースト４を調合、製作した。
しつつ説明する。アルミナ（３０重量％）−ホウケイ酸
ガラス（７０重量％）の粉末にバインダーや溶剤を混
ぜ、周知の方法でグリーンシートとし、厚さ０．５ｍｍ
の複数の絶縁シート１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄとした。抵
抗体でない配線やビアホールを形成するための導体ペー
ストとして、Ａｇ粉末（８０重量％）、ビスマス粉末
（２重量％）およびホウケイ酸ガラス（３重量％）とビ
ヒクルを混合したＡｇペースト２、およびＡｇおよびＰ
ｄの配合比８０：２０のＡｇ−Ｐｄ混合粉末（８２重量
％）にホウケイ酸ガラス（２重量％）とビヒクルを混合
したＡｇ−Ｐｄペースト３を調合、製作した。一方、抵
抗体用ペーストとして、ＲｕＯ2粉末（３０重量％）に
アルミナーホウケイ酸ガラス粉末（４０重量％）とビヒ
クルを混合してＲｕＯ2ペースト４を調合、製作した。
【０００７】まず、図１(A)に示すように、絶縁シート
１ａの所定位置に複数の直径２５０μｍの貫通孔５ａ、
５ｂを穿孔した。次いで、図１(B)に示すように、これ
らのうち貫通孔５ａにＲｕＯ2ペースト４を印刷により
充填し、未焼成抵抗体ビアホール６を形成した。その
後、他の貫通孔５ｂには、Ａｇペースト２を同様に印刷
充填して、未焼成導体ビアホール７ａを形成した。更
に、絶縁シート１ａの図中上面１ａｕ上にＡｇペースト
２により配線８ａを印刷・形成した（図１(C)）。同様
にして、図１(D)に示すように絶縁シート１ｂについて
も、未焼成抵抗体ビアホール６および未焼成導体ビアホ
ール７ａ、配線８ａを形成した。
１ａの所定位置に複数の直径２５０μｍの貫通孔５ａ、
５ｂを穿孔した。次いで、図１(B)に示すように、これ
らのうち貫通孔５ａにＲｕＯ2ペースト４を印刷により
充填し、未焼成抵抗体ビアホール６を形成した。その
後、他の貫通孔５ｂには、Ａｇペースト２を同様に印刷
充填して、未焼成導体ビアホール７ａを形成した。更
に、絶縁シート１ａの図中上面１ａｕ上にＡｇペースト
２により配線８ａを印刷・形成した（図１(C)）。同様
にして、図１(D)に示すように絶縁シート１ｂについて
も、未焼成抵抗体ビアホール６および未焼成導体ビアホ
ール７ａ、配線８ａを形成した。
【０００８】また、絶縁シート１ｃには、未焼成抵抗体
ビアホール６および未焼成導体ビアホール７ａに代え
て、Ａｇ−Ｐｄペースト３を印刷充填して未焼成導体ビ
アホール７ｂを形成し、さらに配線８ａに代えて、Ａｇ
−Ｐｄペースト３を印刷して配線８ｂを形成した（図１
(E)）。また、絶縁シート１ｄにも同様に、未焼成導体
ビアホール７ｂおよび配線８ｂを形成し、さらに図中下
面１ｄｄ上に、Ａｇ−Ｐｄペースト３を印刷して配線８
ｄを形成した（図１(F)）
ビアホール６および未焼成導体ビアホール７ａに代え
て、Ａｇ−Ｐｄペースト３を印刷充填して未焼成導体ビ
アホール７ｂを形成し、さらに配線８ａに代えて、Ａｇ
−Ｐｄペースト３を印刷して配線８ｂを形成した（図１
(E)）。また、絶縁シート１ｄにも同様に、未焼成導体
ビアホール７ｂおよび配線８ｂを形成し、さらに図中下
面１ｄｄ上に、Ａｇ−Ｐｄペースト３を印刷して配線８
ｄを形成した（図１(F)）
【０００９】これら４枚の絶縁シートを、下から１ｄ、
１ｂ、１ａ、１ｃの順に積層・圧着して、アルミナ製の
セッター上に載置して、３５０℃で脱脂した後、大気雰
囲気において９５０℃で焼成し、図２に示すセラミック
配線基板１０を製作した。焼成段階において、セラミッ
ク配線基板１０は、セッターと固着することはなく、従
って、焼成後の取り扱いは容易であり、セッターとの固
着によって外部に露出する配線が傷ついたり、セッター
の破片が配線に接着してしまうような問題は発生しなか
った。
１ｂ、１ａ、１ｃの順に積層・圧着して、アルミナ製の
セッター上に載置して、３５０℃で脱脂した後、大気雰
囲気において９５０℃で焼成し、図２に示すセラミック
配線基板１０を製作した。焼成段階において、セラミッ
ク配線基板１０は、セッターと固着することはなく、従
って、焼成後の取り扱いは容易であり、セッターとの固
着によって外部に露出する配線が傷ついたり、セッター
の破片が配線に接着してしまうような問題は発生しなか
った。
【００１０】このセラミック配線基板１０は、各々厚さ
０．２５ｍｍの４層のアルミナーホウケイ酸ガラス複合
系ガラスセラミックからなるセラミック絶縁層（１１
ｄ、１１ｂ、１１ａ、１１ｄ）を有している。これらの
絶縁層のうち、内層１１ａ及び１１ｂには、各々直径２
００μｍのＲｕＯ2抵抗体ビアホール１６およびＡｇ導
体ビアホール１７ａが形成され、また、表面層（外層）
１１ｃ、１１ｄには直径２００μｍのＡｇ−Ｐｄ導体ビ
アホール１７ｂが形成されている。また、絶縁層１１ａ
と１１ｃおよび１１ｂと１１ａの間には、Ａｇ内部配線
１８ａが形成され、絶縁層１１ｂと１１ｄの間には、Ａ
ｇ−Ｐｄ内部配線１８ｃが形成されている。その他、セ
ラミック配線基板の上下表面、即ち、絶縁層１１ｃの上
面１０ｕおよび絶縁層１１ｄの下面１０ｄには、外部配
線１８ｂ1、１８ｂ2および１８ｄ1、１８ｄ2が形成され
ている。
０．２５ｍｍの４層のアルミナーホウケイ酸ガラス複合
系ガラスセラミックからなるセラミック絶縁層（１１
ｄ、１１ｂ、１１ａ、１１ｄ）を有している。これらの
絶縁層のうち、内層１１ａ及び１１ｂには、各々直径２
００μｍのＲｕＯ2抵抗体ビアホール１６およびＡｇ導
体ビアホール１７ａが形成され、また、表面層（外層）
１１ｃ、１１ｄには直径２００μｍのＡｇ−Ｐｄ導体ビ
アホール１７ｂが形成されている。また、絶縁層１１ａ
と１１ｃおよび１１ｂと１１ａの間には、Ａｇ内部配線
１８ａが形成され、絶縁層１１ｂと１１ｄの間には、Ａ
ｇ−Ｐｄ内部配線１８ｃが形成されている。その他、セ
ラミック配線基板の上下表面、即ち、絶縁層１１ｃの上
面１０ｕおよび絶縁層１１ｄの下面１０ｄには、外部配
線１８ｂ1、１８ｂ2および１８ｄ1、１８ｄ2が形成され
ている。
【００１１】ここで、セラミック配線基板１０におい
て、外部配線１８ｂ2と１８ｄ2の間は、Ａｇ内部配線１
８ａ、Ａｇ−Ｐｄ内部配線１８ｃ、Ａｇ導体ビアホール
１７ａおよびＡｇ−Ｐｄ導体ビアホール１７ｂで連結さ
れているので、抵抗値は６．４ｍΩと低くなっている。
これに対して、外部配線１８ｂ1と１８ｄ1の間は、Ａｇ
内部配線１８ａ、Ａｇ−Ｐｄ内部配線１８ｃ、Ａｇ−Ｐ
ｄ導体ビアホール１７ｂの他、ＲｕＯ2抵抗体ビアホー
ル１６で連結されているので、ＲｕＯ2抵抗体ビアホー
ルの部分が抵抗体となって高い抵抗値（１５９Ω）を有
している。
て、外部配線１８ｂ2と１８ｄ2の間は、Ａｇ内部配線１
８ａ、Ａｇ−Ｐｄ内部配線１８ｃ、Ａｇ導体ビアホール
１７ａおよびＡｇ−Ｐｄ導体ビアホール１７ｂで連結さ
れているので、抵抗値は６．４ｍΩと低くなっている。
これに対して、外部配線１８ｂ1と１８ｄ1の間は、Ａｇ
内部配線１８ａ、Ａｇ−Ｐｄ内部配線１８ｃ、Ａｇ−Ｐ
ｄ導体ビアホール１７ｂの他、ＲｕＯ2抵抗体ビアホー
ル１６で連結されているので、ＲｕＯ2抵抗体ビアホー
ルの部分が抵抗体となって高い抵抗値（１５９Ω）を有
している。
【００１２】さらに、外部配線１８ｂ1、１８ｂ2や１８
ｄ1、１８ｄ2は、ＲｕＯ2の飛散による黒変現象を生ず
ることはなく、良好な外観が得られた。しかも、この実
施態様においては、ビアホールを抵抗体として利用して
いるので、抵抗体を形成する場所を基板表面に設ける必
要がなく、また、抵抗体をセラミック配線基板の表面又
は層間に形成した場合に比較して、平面視して抵抗体の
占める面積が小さくなり、セラミック基板の小型化に寄
与する。
ｄ1、１８ｄ2は、ＲｕＯ2の飛散による黒変現象を生ず
ることはなく、良好な外観が得られた。しかも、この実
施態様においては、ビアホールを抵抗体として利用して
いるので、抵抗体を形成する場所を基板表面に設ける必
要がなく、また、抵抗体をセラミック配線基板の表面又
は層間に形成した場合に比較して、平面視して抵抗体の
占める面積が小さくなり、セラミック基板の小型化に寄
与する。
【００１３】
【発明の効果】本発明によれば、セラミック配線基板の
配線中にＲｕＯ2抵抗体を内蔵し、しかも安価で、小型
化が容易な、黒変現象やセッターとの固着等の不具合を
生じないセラミック配線基板を得ることができる。
配線中にＲｕＯ2抵抗体を内蔵し、しかも安価で、小型
化が容易な、黒変現象やセッターとの固着等の不具合を
生じないセラミック配線基板を得ることができる。
【図１】セラミック配線基板の製造工程を説明するため
の、各絶縁シートの模式的断面である。
の、各絶縁シートの模式的断面である。
【図２】本発明の実施態様にかかるセラミック配線基板
の構造を示す断面図である。
の構造を示す断面図である。
１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ：絶縁シート ２：Ａｇペースト ３：Ａｇ−Ｐｄペースト ４：ＲｕＯ2ペースト ５ａ、５ｂ：貫通孔 ６：未焼成抵抗体ビアホール ７ａ、７ｂ：未焼成導体ビアホール ８：配線 １０：セラミック配線基板 １１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄ：セラミック絶縁層 １６：抵抗体ビアホール １７ａ、１７ｂ：導体ビアホール １８ａ、１８ｃ：内部配線 １８ｂ、１８ｄ：外部配線
Claims (2)
- 【請求項１】配線の一部にＲｕＯ2を主成分とする抵抗
体を有し、同時焼成により形成されたセラミック配線基
板であって、該ＲｕＯ2を主成分とする抵抗体は、該基
板の内部に形成されていることを特徴とするセラミック
配線基板。 - 【請求項２】前記ＲｕＯ2を主成分とする抵抗体は、前
記基板の内層のビアホールとして形成されていることを
特徴とする請求項１に記載のセラミック配線基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8140700A JPH09298368A (ja) | 1996-05-09 | 1996-05-09 | セラミック配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8140700A JPH09298368A (ja) | 1996-05-09 | 1996-05-09 | セラミック配線基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09298368A true JPH09298368A (ja) | 1997-11-18 |
Family
ID=15274709
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8140700A Pending JPH09298368A (ja) | 1996-05-09 | 1996-05-09 | セラミック配線基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09298368A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001257471A (ja) * | 2000-03-10 | 2001-09-21 | Ngk Insulators Ltd | 多層配線基板及びその製造方法 |
| US6861899B2 (en) | 2002-09-09 | 2005-03-01 | Fujitsu Ten Limited | Signal transmission circuit and electronic equipment |
| JP2005251871A (ja) * | 2004-03-02 | 2005-09-15 | Ibiden Co Ltd | プリント配線板 |
| JP2011518336A (ja) * | 2008-04-21 | 2011-06-23 | トップ エンジニアリング カンパニー リミテッド | Ｍｅｍｓプローブカード及びその製造方法 |
| DE10300530B4 (de) * | 2002-01-11 | 2013-11-21 | Denso Corporation | Leiterplatte mit einem eingebauten Kondensator und Herstellungsverfahren der Leiterplatte |
| CN117641718A (zh) * | 2024-01-26 | 2024-03-01 | 苏州敏芯微电子技术股份有限公司 | 线路板 |
-
1996
- 1996-05-09 JP JP8140700A patent/JPH09298368A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001257471A (ja) * | 2000-03-10 | 2001-09-21 | Ngk Insulators Ltd | 多層配線基板及びその製造方法 |
| DE10300530B4 (de) * | 2002-01-11 | 2013-11-21 | Denso Corporation | Leiterplatte mit einem eingebauten Kondensator und Herstellungsverfahren der Leiterplatte |
| US6861899B2 (en) | 2002-09-09 | 2005-03-01 | Fujitsu Ten Limited | Signal transmission circuit and electronic equipment |
| JP2005251871A (ja) * | 2004-03-02 | 2005-09-15 | Ibiden Co Ltd | プリント配線板 |
| JP4540365B2 (ja) * | 2004-03-02 | 2010-09-08 | イビデン株式会社 | プリント配線板 |
| JP2011518336A (ja) * | 2008-04-21 | 2011-06-23 | トップ エンジニアリング カンパニー リミテッド | Ｍｅｍｓプローブカード及びその製造方法 |
| CN117641718A (zh) * | 2024-01-26 | 2024-03-01 | 苏州敏芯微电子技术股份有限公司 | 线路板 |
| CN117641718B (zh) * | 2024-01-26 | 2024-04-12 | 苏州敏芯微电子技术股份有限公司 | 线路板 |
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