KR100284785B1 - 메모리 데이터 처리 시스템 및 방법과 이건 시스템을 구비하는 통신 시스템 - Google Patents

메모리 데이터 처리 시스템 및 방법과 이건 시스템을 구비하는 통신 시스템 Download PDF

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Abstract

본 발명은 TCR의 길이 효과가 낮은 후막 저항기 조성물을 제공한다. 루테늄의 산화물 및 루테늄 피로클로르 옥사이드 중 1종 이상을 전도성 성분으로 함유하는 본 발명의 후막 저항기 조성물은 그안에 혼입되어 있는 은 0.02 내지 5.0중량%를 갖는 것을 특징으로 한다.

Description

후막 저항기 조성물
본 발명은 전도성 성분으로서 루테늄의 산화물 및(또는) 루테늄 피로클로르옥사이드를 함유하는 후막 저항기 조성물, 더욱 구체적으로는 Pd/Ag 전극 또는 Ag 전극과 조합하여 사용되는 후막 저항기 조성물에 관한 것이다.
후막 저항기 전기 부품, 후막 하이브리드 회로 등에 널리 사용되는 후막 저항기 조성물은 절연 기판의 표면 상에 형성된 전극 또는 전도체 패턴 상에 조성물을 프린트한 다음 프린트물을 소성시켜 저항기 후막을 형성하기 위한 조성물이다.
후막 저항기 조성물은 전도성 성분 및 무기 결합제를 유기 매질(운반체)중에 분산시켜 제조한다. 전도성 성분은 후막 저항기의 전기적 성질을 결정하는 중요한 역할을 하며, 이 성분으로서 산화 루테늄 등이 사용된다. 무기 결합제는 유리를 포함하며, 후막을 표면과 일체적으로 유지시키고 기판에 결합시키는 중요한 역할을 한다. 유기 매질은 조성물의 적용 특성, 특히 물성에 영향을 미치는 분산매질이다.
후막 저항기 조성물이 하이브리드 마이크로전자 회로 또는 칩 저항기에 사용될 경우, 저항기의 전기적 안정성이 높고, 특히 그들의 패드 길이(쪽)의 변화에 대응하여 변화하는 각종 저항기의 저항 온도 계수(TCR) 변화가 적은 것이 중요하다. 최근 수년 동안, 저항기의 크기가 장치의 디자인에 따라 0.3×0.3mm의 최소한의 크기로부터 수 mm2의 크기에 이르기까지 폭넓게 변하여 왔다. 그러나, 이러한 저항기가 Pd/Ag 전극 또는 Ag 전극과 조합될 때, 작은 길이의 저항기는 생성되는 프린트의 형상 또는 얻어지는 막의 두께가 변하거나 또는 Ag 등이 전극으로부터 저항기 내로 확산될 문제점을 일으킬 것이다. 이것은 저항 및 저항기 후막의 TCR을 변화시킬 것이다. 저항은 비록 약간 변하더라도, 이것은 저항기 후막의 일부를 레이저로 제거하는 레이저 트리밍에 의해 소정의 값으로 조절할 수 있다. 그러나, TCR은 일단 변하면, 능동적으로 조절할 수 없다. 따라서, 저항보다는 TCR에 있어서 저항기의 패드 길이에 대한 의존도가 낮은 것, 즉 길이 효과가 낮은 것이 바람직하다. TCR에는 고온 TCR(HTCR) 및 냉 TCR(CTCR)이 있는데, HTCR 및 CTCR이 모두 낮은 길이 효과를 갖는 것은 바람직하다.
TCR의 길이 효과를 감소시키기 위해 후막 저항기 조성물의 성분들의 배함 및 비율을 변화시키는 것과 같은 개선책이 시도되었다. 하지만, 이들 중 어떠한 것도 만족스러운 결과를 얻지 못하였다.
따라서, 본 발명의 목적은 길이 효과가 낮은 TCR을 갖는 후막 저항기 조성물을 제공하는 것이다.
상기 목적은 전도성 성분으로서 루테늄의 산화물 및 루테늄 피로클로르 옥사이드 중 1종 이상을 함유하는 후막 저항기 조성물에 은 0.02 내지 5.0wt%를 혼입시킴으로써 달성된다.
이하, 본 발명은 보다 상세히 설명하고자 한다.
본 발명의 후막 저항기 조성물은 전도성 성분, 무기 결합제 및 유기 매질(운반체)을 필수 성분으로서 함유하고, 은 0.02 내지 5.0wt%를 추가로 함유한다. 은은 후막 저항기 조성물 중에 금속 은(Ag), 은 이온(Ag-) 또는 은 화합물(Ag2O등)과 같은 임의의 형태로 존재할 수 있다. 본 발명의 후막 저항기 조성물은 전도성 성분, 무기 결합제 및 유기 매질을 혼합하고, 경우에 따라서는 무기 첨가제를 첨가하여 제조한다. 은은 조성물의 제조 공정 동안 임의의 단계에서 혼입시킬 수 있다. 예를 들면, 은은 전도성 성분 또는 무기 결합제 중에 혼입될 수 있다. 다르게는, 은은 후막 저항기 조성물에 무기 첨가제로서 첨가될 수 있다. 또한, 은은 유기 매질내로 혼입시키기 위해 유기금속 화합물로 전환될 수도 있다. 이러한 은-함유 유기 매질을 사용함으로써, 은은 후막 저항기 조성물 중에 혼입될 수 있다. 이들 방법들을 결합하여 사용하는 것, 즉 은을 유리 및 유기 매질에 모두 혼입시키는 것도 역시 가능하다.
후막 저항기 조성물 중에 은이 존재하면 전극으로부터의 은 성분의 확산이 저항기의 TCR에 미치는 영향을 감소시킨다. 이것이 후막 저항기의 TCR의 길이 효과를 개선하는데 기여할 것으로 생각된다.
[A. 전도성 성분]
본 발명의 후막 저항기 조성물은 전도성 성분으로서 루테늄의 산화물 또는 루테늄 피클로르 옥사이드를 함유한다. 루테늄 피로클로르 옥사이드는 Ru+4, Ir+4또는 이들의 혼합물(M″)의 다성분 화합물인 피로클로르 옥사이드의 일종으로서, 상기 화합물은 하기 일반식으로 표시된다:
(MxBi2-x)(M′yM″2-y)O7-z
상기 식 중, M은 이트륨, 탈륨, 인듐, 카드뮴, 납, 구리 및 희토류 금속으로 이루어진 군으로부터 선택되고, M′은 백금, 티탄, 크롬, 로듐 및 안티몬으로 이루어진 군 중에서 선택되고, M″은 루테늄, 이리듐 또는 이들의 혼합물이고, x는 0 내지 2의 수이고, 단 1가 구리의 경우에는 x≤1이고, y는 0 내지 0.5의 수이고, 단 M′이 루테늄이거나 또는 백금, 티탄, 크롬, 로듐 및 안티몬 중 2종 이상일 경우에는 y는 0 내지 1의 수이고, z는 0 내지 1의 수이고, 단 M이 2가의 납 또는 카드뮴일 경우, z은 약 x/2 이상의 수이다.
이들 루테늄 피로클로르 옥사이드는 미국 특허 제3,583,931호의 명세서 중에 상세히 기재되어 있다.
바람직한 루테늄 피로클로르 옥사이드는 비스무스 루테네이트(Bi2Ru2O7) 및 납 루테네이트(Pb2Ru2O6)가 보다 바람직하다. 그 밖의 피로클로르 Pb1.5Bi0.5Ru2O6.20및 CdBiRu2O6.5도 또한 사용할 수 있다. 이들 모든 피로클로르 화합물의 경우 y=0이다.
루테늄의 산화물 또는 루테늄 피로클로르 옥사이드는 유기 매질을 함유하는 조성물의 총 중량을 기준하여 10 내지 50wt%, 바람직하게는 12 내지 40wt%의 비율로 사용된다. 무기 고상물의 전체 함량을 기준하였을 때에는, 상기 비율은 14 내지 75wt%, 바람직하게는 17 내지 57wt%이다. 무기 고상물의 총 함량은 전도성 성분 및 무기 결합제의 총량을 의미한다. 본 발명의 조성물이 전도성 성분 및 무기 결합제에 더하여 무기 첨가제를 함유할 경우, 무기 고상물의 총 함량에는 상기 무기 첨가제가 포함된다.
[B. 무기 결합제]
통상적으로 후막 저항기 조성물에 사용되는 각종 유리들을 본 발명의 후막 저항기 조성물 중의 무기 결합제로서 사용할 수 있다. 즉, PbO 40 내지 80wt% 및 SiO210 내지 50wt%를 함유하고 PbO 및 SiO2의 총 함량이 60% 이상인 유리를 사용할 수 있다. 이들에는 예를 들면, SiO2약 23 내지 34wt%를 함유하는 납 실리케이트 유리, 및 SiO2약 23 내지 34wt%, PbO DIR 52 내지 73wt% 및 B2O3약 4 내지 14wt%를 함유하는 납 보로실리케이트 유리가 포함된다. 본 발명의 조성물 중에서 무기 결합제로서 사용할 수 있는 유리에 대한 배합비의 예를 표 1 및 2에 나타낸다. 이들 표 중에서 유리의 예들은 통상의 제조 방법으로 제조할 수 있다.
[표 1]
[표 2]
본 발명의 후막 저항기 조성물 중에는 상기 열거한 유리를 무기 결합제로서 사용할 수 있다. SiO230-60wt%, CaO 5-30wt%, B2O31-40wt%, PbO 0-50wt% 및 Al2O30-20wt%를 함유하고, SiO2, CaO, B2O3, PbO 및 Al2O3의 총량이 전체 유리의 95wt% 이상인 제1유리 및 PbO-SiO2유리로 이루어지고 PbO가 전체 유리의 50wt% 이상인 제2유리의 혼합물이 사용될 경우, 보다 바람직한 효과가 얻어질 수 있다.
제1유리는 납 산화물을 단지 최대 50wt%로 함유하므로, 일반적으로 높은 연화점을 갖는 유리이다. 제2유리는 납 산화물을 50wt% 이상 함유하므로, 일반적으로 낮은 연화점을 갖는 유리이다.
제1유리는 소결되지 않고, 제2유리는 유리로서는 너무 유연하여 저항기의 형상을 불량하게 만들기 때문에, 제1유리 및 제2유리 각각은 단독으로는 후막 저항기 조성물용 유리 결합제로 사용될 수 없다. 지금까지는 단독으로 사용될 수 없다고 여겨져 온 상기 유리들을 혼합함으로써, 본 발명은 TCR이 최소한의 길이 효과를 갖고, 상부도포된 유리의 소성 때문에 저항 및 TCR의 변화가 낮은 후막 저항기를 달성하였다. 이것은 전혀 예상할 수 없는 것이었다.
제1유리는 SiO2, CaO, B2O3, PbO 및 Al2O3의 총량이 유리의 95wt% 이상인 유리이다. SiO2의 양은 30wt% 이상이어야 한다. 이보다 작은 양으로는 충분히 높은 연화점을 얻을 수 없다. 그러나, 상기 양은 60wt% 이하이어야 한다. 이보다 많은 양은 Si를 결정화시킨다. CaO의 양은 5wt% 이상 30wt%J 이하이어야 한다. 30wt% 이상의 양은 Ca를 다른 성분들과 결정화시킨다. B2O3의 양은 1wt% 이상 40wt% 이하이어야 한다. 40wt% 이상의 양은 유리를 형성시킬 수 없다. PbO의 양은 50중량% 이하이어야 한다. 50wt%를 초과하는 양은 충분히 높은 연화점을 얻지 못하게 한다. PbO의 양은 바람직하게는 0-30wt%, 보다 바람직하게는 0-20wt%이다. Al2O3의 양은 20wt% 이하이어야 한다. 20wt%를 초과하는 양은 유리를 형성시킬 수 없다. 바람직한 양은 0 내지 5중량%이다.
제1유리는 유기 매질을 함유하는 조성물의 총 중량을 기준하여, 5-35wt%, 바람직하게는 10-25wt%의 비율로 사용된다. 무기 고상물의 총 함량을 기준하였을 경우에는 7-50wt%, 바람직하게는 14-36wt%이다.
제2유리는 PbO의 함량이 50wt% 이상인 PbO-SiO2유리이다. 단지 제1유리를 제2유리와 함께 사용함으로써, 저항기 TCR의 길이 효과의 감소를 달성할 수 있다.
제2유리는 바람직하게는, PbO 50-80wt%, SiO210-35wt%, Al2O30-10wt%, B2O31-10wt%, CuO 1-10wt%, 및 ZnO 1-10wt%를 함유하고, PbO, SiO2, Al2O3B2O3, CuO 및 ZnO의 총 함량이 유리의 95wt% 이상인 것이다. 이러한 배합비의 제2유리와 상기한 제1유리를 혼합함으로써, 상부도포된 유리의 소성 때문에 TCR 및 저항의 변화 및 TCR의 길이 효과가 최소화되고, 소결 특성도 또한 개선된다.
제2유리는 유기 매질을 함유하는 조성물의 총 중량을 기준하였을 때, 5-40wt%, 바람직하게는 10-35wt%의 비율로 사용된다. 무기 고상물의 총 함량을 기준하였을 경우에는 7-57wt%, 바람직하게는 14-50wt%이다.
본 발명의 후막 저항기 조성물은 제3의 유리를 유리 결합제로 함유할 수 있다. 제3의 유리는 그의 연화점이 제1유리의 것보다는 낮지만 제2유리의 것보다는 높도록 제조된 PbO-SiO2유리이다. 예를 들면, 제3유리는 PbO 65.0wt%, SiO234.0wt% 및 Al2O31.0wt%의 배합비를 갖는다.
제3유리는 유기 매질을 함유하는 조성물의 총 중량을 기준하였을 때 0-30wt%, 바람직하게는 5-25wt%의 비율로 사용된다. 무기 고상물의 총 함량을 기준하였을 경우에는 0-43wt%, 바람직하게는 7-36wt%이다.
제1, 제2 및 제3유리를 포함하여, 본 발명의 조성물 중에 무기 결합제로 사용되는 유리는 추가로, 후막 저항기의 열 팽창 계수를 조절하고, 유리 결합제의 숙성 온도를 조절하기 위한 성분을 5wt% 이하로 함유할 수 있다. 통상이 기판인 96% 알루미나 세라믹은 75×10-7/℃의 열 팽창 계수를 가지므로, 후막 저항기 조성물의 열 팽창 계수는 바람직하게는 그 이하이어야 한다. 열 팽창 계수는 실리카, 납 산화물 및 붕소 산화물의 함량을 조정함으로써 조절할 수 있다. 리튬, 칼륨 또는 나트륨의 산화물을 소량 혼입시킴으로써 조절된 열 팽창 계수를 얻을 수 있다. 리튬 산화물을 유리 결합제 성분 중에 약 3wt%의 함량으로 혼입시키는 것이 유리하다. 최대 약 4%의 ZrO2는 유리의 알칼리 용액 중의 용해에 대한 저항을 향상시키는 반면, TiO2는 유리의 산에 의한 공격에 대한 저항을 향상시킨다. 유리가 PbO가 없는 아연 알루미노보로실리케이트 유리일 경우, Na2O를 혼입시킴으로써 바람직한 범위의 열 팽창 계수를 제공할 수 있다.
무기 결합제로서의 제1, 제2 및 제3유리는 통상의 유리 제조 기술에 의해 제조될 수 있다. 즉, 이들은 바람직한 성분들 또는 그의 전구체들, 예를 들면 B2O3의 경우 H3BO3를 바람직한 비율로 혼합하고 혼합물을 가열시켜 용융물을 형성시킴으로써 제조할 수 있다. 당업계에 공지되어 있는 바와 같이, 가열은 용융물이 완전히 액체가 되고, 기체가 더 이상 발생되지 않을 때까지 피크 온도로 수행한다. 본 발명의 경우, 피크 온도는 1100 내지 1500℃, 통상적으로는 1200 내지 1400℃이다. 이어서, 용융물을 전형적으로 냉각 벨트 상에 또는 흐르는 냉각수중에 부어서 급냉시킨다. 이어서, 생성물을 필요에 따라 밀링시켜 그의 입자 크기를 감소시킨다.
보다 구체적으로는, 이들 유리들은 전기적으로 가열되는 탄화규소 로(furnace)중의 백금 도가니 중에서 약 1200-1400℃에서 20분 내지 1시간 동안 용융시켜 제조할 수 있다. 회전 밀 또는 진동 밀으로 처리함으로써, 최종 입자 크기를 1-10m2/g으로 조절할 수 있다. 진동 밀 처리는 무기 분말 및 알루미나 실린더 등을 수성 매질과 함께 용기 중에 넣은 다음 명시된 시간 동안 용기를 진동시켜 행한다.
은을 무기 결합제 중에 혼입시킬 경우, 그의 제조 과정 동안 무기 결합제로서의 유리의 출발 물질 내에 Ag2O 또는 AgNO3를 넣는 것이 바람직하다. 이 경우, Ag2O 또는 AgNO3의 바람직한 양은 유리의 약 0.1wt% 내지 약 10wt%이거나 또는 후막 저항기 조성물의 약 0.02wt% 내지 약 5wt%이다.
[C.무기 첨가제]
본 발명의 후막 저항기 조성물은 ZrSiO4또는 금속 산화물(예, MnO 또는 Nb2O5)과 같은 무기 첨가제를 추가로 함유할 수 있다. ZrSiO4는 후막 저항기의 레이저 트리밍 특성을 개선시키는데 기여하는 반면, MnO 및 Nb2O5는 TCR의 조절에 기여한다. 무기 첨가제는 유기 매질을 함유하는 조성물의 총 중량을 기준하였을 때 0-20wt%의 비율로, 무기 고상물의 총 함량을 기준하였을 때 0-30wt%의 비율로 사용된다.
본 발명의 조성물 중에 은이 전도성 성분 또는 무기 결합제 외에 무기 첨가제로서 합입될 때, 금속 은 분말, Ag2O 분말 또는 AgNO3분말을 전도성 성분 및 무기 결합제와 함께 유기 매질과 혼합하는 방법을 사용하는 것이 바람직하다. 이 경우, 금속 은, Ag2O 또는 AgNO3의 양은 바람직하게는 후막 저항기 조성물의 약 0.02wt% 내지 약 5wt%이다. 바람직한 금속 은 분말은 구형이고, 5㎛ 이하의 입자 크기를 갖는다. Ag2O의 바람직한 입자 크기도 또한 5㎛ 이하이고, AgNO3의 입자 크기도 마찬가지로 5㎛ 이하이다.
[D. 유기 매질]
본 발명의 이들 무기 고상물은 인쇄가능한 조성물 페이스트를 만들기 위해 유기 매질 또는 운반체 중에 분산된다. 유기 매질은 조성물의 총 중량을 기준하였을 때 20-40wt%, 바람직하게는 25-35wt%의 비율로 사용된다.
임의의 불활성 액체를 매질로 사용할 수 있다. 증점제 및(또는) 안정화제 및(또는) 기타 통상의 첨가제를 함유하거나 또는 함유하지 않는 물 또는 기타 각종 유기 액체 중 1종을 사용할 수 있다. 사용가능한 유기 액체들의 예로는 지방족 알콜, 상기 알콜의 에스테르(예, 아세테이트 및 프로피오네이트), 테르펜, 예를 들면 소나무 뿌리 오일 또는 테르피네올, 및 용매(예, 소나무 뿌리 오일 및 에틸렌 글리콜 모노아세테이트의 모노부틸 에테르)중의 수지(예, 에틸 셀룰로오스 또는 저급 알콜의 폴리메타크릴레이트)의 용액을 들 수 있다. 매질 중에는, 기판에 적용된 후에 신속한 고상화를 촉진시키기 위한 휘발성 액체를 포함시킬 수 있다. 다르게는, 매질은 상기 휘발성 액체들로 이루어질 수 있다. 바람직한 매질은 에틸 셀룰로오스 및 β-테르피네올을 기재로 한다.
본 발명에서 유기 매질 중에 은을 혼입시킬 경우, 은을 유기금속 화합물, 예를 들면 수지산은으로 전환시켜 이것을 유기 매질 중에 혼입시키는 것이 바람직하다. 은 화합물의 양은 바람직하게는, 유기 매질의 약 0.05wt% 내지 약 12.5wt%이거나 또는 후막 저항기 조성물의 약 0.02wt% 내지 약 5wt%이다.
[E. 제조, 도포 및 시험 방법]
본 발명의후막 저항기 조성물은 3중 롤 밀에 의해 제조할 수 있다.
본 발명의 저항기 조성물은 통상의 방법에 의해 세라믹, 알루미나 또는 기타 유전성 기판 상에 막으로 인쇄될 수 있다. 알루미나 기판을 사용하고, 저항기 조성물을 미리소성시킨 팔라듐-은 또는 터미널 상에 인쇄하는 것이 유리하다.
일반적으로, 스크린 스텐실 방법을 사용하는 것이 바람직하다. 인쇄된 패턴을 갖는 기판은 일반적으로 정치시켜 인쇄된 패턴을 레벨링시키고, 150℃의 승온에서 약 10분 동안 건조시킨다. 이어서, 대기 중에서 벨트 로 중에서 약 850℃의 피크 온도로 소성시킨다.
이하, 후막 저항기 조성물의 각종 특성을 시험하는 방법을 설명한다.
(1) 후막 저항기 조성물 페이스트의 제조 방법
무기 고상물 및 매질을 소정의 양으로 혼합하고, 혼합물을 롤 밀로 혼련시켜 페이스트를 만든다.
(2) 인쇄 및 소성
Pd/Ag 후막 전도체를 96% 알루미나 기판 25mm2(1 in×1 in)상에 건조 막 두께 18±2㎛로 인쇄한 다음 150℃에서 10분 동안 건조시켰다. 이 Pd/Ag 후막 전도체는 페이스트 중에 Pd 0.5wt%를 함유한다.
이어서, 후막 저항기 조성물 페이스트를 0.2mm×0.2mm, 0.3mm×0.3mm, 0.8mm×0.8mm 또는 1.3mm×1.3mm의 크기로 인쇄하였다. 도포물의 두께는 생성되는 건조막의 두께가 18±2㎛이도록 하였다. 프린트를 150℃에서 10분 동안 건조시킨 다음 소성시키기 위해 벨트 로 중에서 가열시켰다. 벨트 로의 온도 프로필은 약 850℃의 피크 온도를 10분 동안 유지한 후 냉각시키도록 하였다. 소성 시간은 가열 동안 온도가 100℃를 넘는 시간으로부터 냉각 동안 온도가 100℃ 이하로 되는 시간까지의 시간이 30분이도록 하였다.
(3) 저항, HTCR 및 CTCR의 측정
저항(R)은 0,01%의 정확도를 갖는 자동 범위 자동 평형 디지탈 형 저항계를 사용하여 터미널 패턴화된 프로브로 측정하였다. 구체적으로는, 샘플을 챔버중의 터미널 포스트 상에 위치시키고, 디지탈 형 저항계와 전기적으로 접속시켰다. 챔버 내의 온도를 25℃로 조절하고 평형화시켰다. 이어서, 각 샘플의 저항을 측정하여 눈금을 기록하였다.
이어서, 챔버 내의 온도를 125℃로 올리거나 또는 -55℃로 낮추고 평형화시켰다. 이어서, 각 샘플의 저항을 다시 측정하여 눈금을 기로갛였다. HTCR 및 CTCR은 하기 방정식을 사용하여 계산한다:
HTCR=((R125C-R25C)/R25C) × 10000ppm/℃
CTCR=((R-55C-R26C)/R26C) × 10000ppm/℃
길이 효과는 상이한 크기의 2개의 저항기 사이의 HTCR의 차이(△HTCR) 및 CTCR의 차이(△CTCR)으로 평가한다.
[실시예]
대기 중에서 PbO와 RuO2를 800-1,000℃에서 반응시킨 다음 약 3-60m2/g의 표면적을 갖는 미세 입자들을 얻기 위해 반응 생성물을 미분시켜 실시예에서 전도성 성분으로 사용하기 위한 Pb2Ru2O6를 제조하였다. 실시예에서, RuO2는 약 25m2/g의 표면적을 갖는 것을 사용하였다.
소정의 물질들을 1000-1700℃에서 유리의 배합비에 따라 기체의 발생이 완전히 중단될 때까지 약 30분 내지 5시간 동안 가열 용융시킨 다음, 용융물을 물중에서 급냉시키고, 급냉시킨 생성물을 비표면적이 약 2-5m2/g이 되도록 밀링시켜 무기 결합제로 사용하기 위한 6개의 유리(유리 A, B1 및 B2, C, D1 및 D2)를 제조하였다. 이들 유리의 배합비를 표 3에 나타내었다. 유리 A는 상기한 제1유리, 유리 B1 및 B2는제2유리, 유리 C는 제3유리에 해당한다.
[표 3]
실시예에서 사용한 유기 매질은 에틸 셀룰로오스 10-30부 및 β-테르피네올의 90-70부의 혼합물이다.
[실시예 1]
통상의 루테늄 피로클로르 옥사이드(Pb2Ru2O6) 제품을 함유하는 조성물(실시예 1) 및 여기에 Ag 분말을 첨가한 조성물(실시예 2)을 제조하였고, 이들 조성물을 사용하여 얻은 저항기를 TCR의 길이 효과에 대해 조사하였다. 저항기의 크기는 1.3mm×1.3mm 및 0.2mm×0.2mm이었다. 실시예 1의 배합을 아래에 나타내었다. 실시예 2의 배합은 실시예 1의 조성물에 평균 입자 크기가 1-2㎛인 구형 Ag 분말 1wt%를 첨가한 것으로 하였다.
실시예 1 및 2의 결과는 다음에 나타내었다. 여기에서, 크기가 0.2mm×0.2mm인 저항기의 저항은 후막의 것과 같이 계산하기 어려웠다. 따라서, 그것은 시트(sheet) 저항이 아니고 실측치이었다.
실시예 1 및 2를 비교하면 △HTCR 및 △CTCR이 모두 은 분말을 첨가할 때 매우 작게 된다는 것을 알 수 있다.
[실시예 2]
루테늄 산화물(RuO2) 및 루테늄 피로클로르 옥사이드(Pb2Ru2O6)를 함유하는 조성물(실시예 3) 및 이의 무기 결합제 유리들 중 1종에 AgO2를 혼입시킨 조성물(실시예 4)을 제조하였다. 이들 조성물을 사용하여 얻은 저항기를 TCR의 길이 효과에 대해 조사하였다. 저항기의 크기는 0.8mm×0.8mm 및 0.3mm×0.3mm이었다. 실시예 3 및 4의 배합 및 측정 결과를 아래에 나타내었다.
실시예 3 및 4를 비교하면, 은 함유 유리(유리 B2)를 사용하면 △R, △HTCR 및 △CTCR이 모두 매우 작게 된다는 것을 알 수 있다.
생성된 저항기의 소결된 표면 상태는 실시예 3과 4 사이에 차이가 없었다. 따라서, 본 발명은 저항기 조성물의 소결 상태를 변화시키지 않고 TCR의 길이 효과를 감소시킬 수 있다는 것을 알 수 있다.
[실시예 3]
AgO2분말을 혼입시킨 루테늄 산화물(RuO2)-함유 조성물들(각각, 실시예 5 및 6)을 제조하였다. 이들 조성물을 사용하여 얻은 저항기를 TCR의 길이 효과에 대해 조사하였다. 저항기의 크기는 0.8mm×0.8mm 및 0.3mm×0.3mm이었다. 실시예 5 및 6의 배합 및 측정 결과를 아래에 나타내었다. 실시예 5 및 6 모두, △R, △HTCR 및 △CTCR이 작았는데 이는 본 발명의 효과를 입증하는 것이다.

Claims (3)

  1. 입자 부가혼합물의 전체 중량을 기준으로 a) 0.02 내지 5중량%의 금속 은(Ag), 은 이온(Ag+), 은 화합물(Ag2O) 또는 그들의 혼합물, b) 14 내지 75중량%의 하기의 일반식에 의하여 나타내어지는 전도성 화합물 및 c) 40 내지 80중량%의 PbO 및 10 내지 50중량%의 SiO2를 포함하고 PbO와 SiO2의 총량이 무기 결합제의 60중량% 이상인 85.08 내지 20중량%의 무기 결합제를 포함하며, 상기 a), b) 및 c) 모두가 유기 매질 중에 분산된 것인 후막 저항기 조성물.
    (MxBi2-x)(M′yM″2-y)O7-z
    상기식에서, M은 이트륨, 탈륨, 인듐, 카드뮴, 납, 구리 및 희토류 금속으로 이루어진 군으로부터 선택되고, M′은 백금, 티탄, 크롬, 로듐 및 비소로 구성되는 군으로부터 선택되며, M″은 루테늄, 이리듐 또는 그의 혼합물이고, x는 0 내지 2(단, 1가 구리인 경우에는 x≤1)이며, y는 0 내지 0.5(단, M′이 로듐이거나, 또는 백금, 티탄, 크롬, 로듐 및 비소 중의 2종 이상인 경우에는 y는 0 내지 1)이고, z는 0 또는 1(단, M이 2가 납 또는 카드뮴인 경우에는, z는 약 x/2 이상)이다.
  2. 제1항에 있어서, 상기 무기 결합제가 (a) 30 내지 60중량%의 SiO2, 5 내지 30중량%의 CaO, 1 내지 40중량%의 B2O3, 0 내지 50중량%의 PbO 및 0 내지 20중량%의 Al2O3를 함유하고 SiO2, CaO, B2O3, PbO 및 Al2O3의 총함량이 제1유리의 95중량% 이상인 제1유리, (b) 50 내지 80중량%의 PbO, 10 내지 35중량%의 SiO2, 0 내지 10중량%의 Al2O3, 1 내지 10중량%의 B2O3, 1 내지 10중량%의 CuO 및 1 내지 10중량%의 ZnO를 포함하고 PbO, SiO2, Al2O3, CuO 및 ZnO의 총함량이 제2유리의 95중량% 이상인 제2유리를 포함하는 것인 조성물.
  3. 제2항에 있어서, 65.0중량%의 PbO, 34.0중량%의 SiO2및 1.0중량%의 Al2O3를 포함하는 제3유리를 더 포함하는 것인 조성물.
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