JPH02191301A - 抵抗ペースト - Google Patents
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- JPH02191301A JPH02191301A JP63310938A JP31093888A JPH02191301A JP H02191301 A JPH02191301 A JP H02191301A JP 63310938 A JP63310938 A JP 63310938A JP 31093888 A JP31093888 A JP 31093888A JP H02191301 A JPH02191301 A JP H02191301A
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- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はサーデイツプ基板用ペースト及び混成集積回路
用ペーストに関するものである。
用ペーストに関するものである。
近年、電子機器の薄型化、コンパクト化は著しく、集積
度の増加と共に一段と信頼性が向上し、用途も拡大の一
途をたどっている。モノリシー、りICでは急速な密度
の増加、小型化かすすんできており、一方ハイブリウト
ICの分野ても特に自動車用制御回路や電源装置用など
の産業機器においては耐熱性、耐熱衝撃性にすぐれた大
規模ハイブリットIC化の傾向か強い。最近のハイブリ
ットICでは、セラミック基板上にダイオード、トラン
ジスタ、半導体ICなどの能動部品のばかコイル、トラ
ンス、コンデンサーなどほとんどの電気部品を搭載して
いる。集積度も一段と増加し信頼度も飛躍的に向上した
混成集積回路か開発されている。
度の増加と共に一段と信頼性が向上し、用途も拡大の一
途をたどっている。モノリシー、りICでは急速な密度
の増加、小型化かすすんできており、一方ハイブリウト
ICの分野ても特に自動車用制御回路や電源装置用など
の産業機器においては耐熱性、耐熱衝撃性にすぐれた大
規模ハイブリットIC化の傾向か強い。最近のハイブリ
ットICでは、セラミック基板上にダイオード、トラン
ジスタ、半導体ICなどの能動部品のばかコイル、トラ
ンス、コンデンサーなどほとんどの電気部品を搭載して
いる。集積度も一段と増加し信頼度も飛躍的に向上した
混成集積回路か開発されている。
これらのハイブリットICはセラミック基板上に、個別
部品あるいはICエレメントを搭載したり、厚膜技術を
駆使して構成されている。サーディウブエCは通常A1
20392〜96%程度のアルミナ基板上にシリコンの
ICチップをボンディングペーストを使用して固着して
いる。
部品あるいはICエレメントを搭載したり、厚膜技術を
駆使して構成されている。サーディウブエCは通常A1
20392〜96%程度のアルミナ基板上にシリコンの
ICチップをボンディングペーストを使用して固着して
いる。
最近では耐熱性、良熱伝導性等の特性を生かした窒化ア
ルミ(AuN)か利用されるようになってきた。
ルミ(AuN)か利用されるようになってきた。
通常サーデイツプ用のボンディング方法としてはAu系
ペーストまたは半田、ガラスなどが使用されている。A
u系ペーストは導電性に優れ、化学的にもまったく安定
で、Auワイヤーとのボンタビリティかもっとも良く、
Siとも容易に合金化し、基板との接着もきわめて良好
で、特に信頼性に優れているか高価であるという難点か
ある。この難点を解消するためAuをAgに代えAgの
欠点であるマイグレーションを防止するためにPdを添
加したAg−Pd系のペーストか開発されてきた。
ペーストまたは半田、ガラスなどが使用されている。A
u系ペーストは導電性に優れ、化学的にもまったく安定
で、Auワイヤーとのボンタビリティかもっとも良く、
Siとも容易に合金化し、基板との接着もきわめて良好
で、特に信頼性に優れているか高価であるという難点か
ある。この難点を解消するためAuをAgに代えAgの
欠点であるマイグレーションを防止するためにPdを添
加したAg−Pd系のペーストか開発されてきた。
これら従来のペーストは金属粉末にカラス賀金属酸化物
を混合し、ビヒクルを用いて混練したちのてあり、セラ
ミック基板との接着はもっばらガラスフリットの焼結結
合にたよるものであった。
を混合し、ビヒクルを用いて混練したちのてあり、セラ
ミック基板との接着はもっばらガラスフリットの焼結結
合にたよるものであった。
しかしなからガラスフリットは熱衝撃に弱く基板を焼成
してパッケージ化する工程や、あるいは使用中の環境温
度の変化によって接着強度か熱劣化する欠点を有する。
してパッケージ化する工程や、あるいは使用中の環境温
度の変化によって接着強度か熱劣化する欠点を有する。
セラミック基板との接着力を向−卜させるため、Cuな
とをat添加しセラミック基板と化学的に結合させる試
みもなされているか、ガラスフリットを使用する限り熱
劣化特性を飛躍的に向上させることは困難てあった。
とをat添加しセラミック基板と化学的に結合させる試
みもなされているか、ガラスフリットを使用する限り熱
劣化特性を飛躍的に向上させることは困難てあった。
また、特に窒化アルミ基板に対してはフリットタイプの
ペーストては、トッテインクや印刷に際しては分散か悪
く、均一なメタライズ皮膜とならないばかりてなく、セ
ラミック基板に充分拡散しないため皮膜の接着強度か不
足し、半田濡れ性やワイヤーボンディング性も不充分な
ものとなる欠点がある。
ペーストては、トッテインクや印刷に際しては分散か悪
く、均一なメタライズ皮膜とならないばかりてなく、セ
ラミック基板に充分拡散しないため皮膜の接着強度か不
足し、半田濡れ性やワイヤーボンディング性も不充分な
ものとなる欠点がある。
(発明か解決しようとする課題〕
上記のような窒化アルミ基板に対する欠点を解消するた
め銀と銅との複合粉末を使用しフリットを使用しないペ
ーストが提案されている。すなわち1本発明者らは先に
銀(Ag)と銅(Cu)の複合微粉末を使用し、酸化イ
ツトリウム(Y2O2)および銅有a物を添加すること
を特徴とする導電ペーストを提案した(特開昭62−7
1110) 、 シかし、そのペーストを用いてAJI
N基板に回路を形成すると、Agか基板内に拡散して外
見上黒ずみ、ひいてはAgマイグレーションを引起こす
欠点があった。
め銀と銅との複合粉末を使用しフリットを使用しないペ
ーストが提案されている。すなわち1本発明者らは先に
銀(Ag)と銅(Cu)の複合微粉末を使用し、酸化イ
ツトリウム(Y2O2)および銅有a物を添加すること
を特徴とする導電ペーストを提案した(特開昭62−7
1110) 、 シかし、そのペーストを用いてAJI
N基板に回路を形成すると、Agか基板内に拡散して外
見上黒ずみ、ひいてはAgマイグレーションを引起こす
欠点があった。
本発明は先の提案をさらに改良し特に窒化アルミ基板に
対して接着強度を強めかつAgマイグレーションを防止
することを目的としたものである。
対して接着強度を強めかつAgマイグレーションを防止
することを目的としたものである。
本発明は銀微粉末と、銀と銅との複合微粉末、および白
金(pt)またはパラジウム(Pd)微粉末を含み、さ
らに酸化イツトリウムとルテニウム(Ru)若しくは酸
化銀(Ag20)を含有し、さらにビヒクル中に銅有機
物を含み、残部がビヒクルよりなることを要旨とし、A
gのマイグレーションを防止し、ワイヤー接着性、ハン
ダ特性を向上させる効果を有する、特に窒化アルミ基板
用の抵抗ペーストである。
金(pt)またはパラジウム(Pd)微粉末を含み、さ
らに酸化イツトリウムとルテニウム(Ru)若しくは酸
化銀(Ag20)を含有し、さらにビヒクル中に銅有機
物を含み、残部がビヒクルよりなることを要旨とし、A
gのマイグレーションを防止し、ワイヤー接着性、ハン
ダ特性を向上させる効果を有する、特に窒化アルミ基板
用の抵抗ペーストである。
次に本発明につき詳説する。
本発明の抵抗ペーストは木質的には金属粉末と酸化イツ
トリウムおよびルテニウム若しくは酸化銀から成る固型
成分、および銅有機物を含み残余してはAg粉末、Ag
とCuとの複合粉末、pt粉末芳しくはPd粉末を使用
する。
トリウムおよびルテニウム若しくは酸化銀から成る固型
成分、および銅有機物を含み残余してはAg粉末、Ag
とCuとの複合粉末、pt粉末芳しくはPd粉末を使用
する。
本発明においてS微粉末は粒径10gm以下のもの、好
ましくは平均粒径(D5o)が0.5〜5IL11のも
のを使用する。]Ogmより大きくなるとビヒクル中で
の分散性か悪くなり、ドツティングの時にニードルが閉
塞する恐れかある。又、印刷に際して線の解像性か悪く
なり、焼成仕上がり面の平滑性か得難くなる。銀粉末は
特殊なものである必要はなく5通常の還元法や電解法で
得られた銀粉末を使用することができる。
ましくは平均粒径(D5o)が0.5〜5IL11のも
のを使用する。]Ogmより大きくなるとビヒクル中で
の分散性か悪くなり、ドツティングの時にニードルが閉
塞する恐れかある。又、印刷に際して線の解像性か悪く
なり、焼成仕上がり面の平滑性か得難くなる。銀粉末は
特殊なものである必要はなく5通常の還元法や電解法で
得られた銀粉末を使用することができる。
銀と銅の複合微粉末はどとクル中て銀粒子と銅粒子か結
合を保っていれば良く、メツキ粉、共沈粉、メカニカル
アロイ粉末等が利用てきる。特にメカニカルアロイ粉末
は、銀と銅の粉末をボールミル中て高速回転させて混合
粉砕した結果書られるものであり、銀粒子と銅粒子か機
械的に噛合って結合しており、バインダーを何ら使用す
ることなく銀粒子と銅粒子の強固な結合を保つことが可
能である。メカニカルアロイ粉末による場合は広範囲の
Cu含有量の複合粉末を任意に選択使用できる利点を有
する。銀と銅との複合粉末の粒子径は10μ同以下、好
ましくは平均粒子径(D5o)が0.5〜5終」のもの
が良い、銀と銅との複合粉末中の銅の含有量は20〜8
5%が適当である。銅含有量が20%以下ではペースト
として使用した場合の皮膜強度が充分でなく、95%を
越えると複合粉末化の効果がなくなる。さらに比重値が
なるべく銀と銅との中I■僅に近いものがビヒクル中で
の分散性を良くする上で望ましい。
合を保っていれば良く、メツキ粉、共沈粉、メカニカル
アロイ粉末等が利用てきる。特にメカニカルアロイ粉末
は、銀と銅の粉末をボールミル中て高速回転させて混合
粉砕した結果書られるものであり、銀粒子と銅粒子か機
械的に噛合って結合しており、バインダーを何ら使用す
ることなく銀粒子と銅粒子の強固な結合を保つことが可
能である。メカニカルアロイ粉末による場合は広範囲の
Cu含有量の複合粉末を任意に選択使用できる利点を有
する。銀と銅との複合粉末の粒子径は10μ同以下、好
ましくは平均粒子径(D5o)が0.5〜5終」のもの
が良い、銀と銅との複合粉末中の銅の含有量は20〜8
5%が適当である。銅含有量が20%以下ではペースト
として使用した場合の皮膜強度が充分でなく、95%を
越えると複合粉末化の効果がなくなる。さらに比重値が
なるべく銀と銅との中I■僅に近いものがビヒクル中で
の分散性を良くする上で望ましい。
抵抗ペースト中のルテニウム以外の主成分たる金属粉末
中に占める銅含有率は0.1〜10%、好ましくは2〜
5%である。銅含有率が0,1%以下では窒化アルミ中
への拡散が不充分で接着強度が上がらない、また、銅含
有量が10%を越えると銅の酸化が著しくなり、かえっ
て悪影響をおよぼす結果となる。
中に占める銅含有率は0.1〜10%、好ましくは2〜
5%である。銅含有率が0,1%以下では窒化アルミ中
への拡散が不充分で接着強度が上がらない、また、銅含
有量が10%を越えると銅の酸化が著しくなり、かえっ
て悪影響をおよぼす結果となる。
本発明の一つは白金を添加したものである。
白金は化学的に安定であるから単独で混合しても上記特
性を改善するのに有効である。白金粉末の粉末粒子径は
]OuLm以下、平均粒子径(D5o)は5gm以下程
度のものか良い。白金の含有量はペースト中のルテニウ
ムを除く主たる金属粉末に対し10〜30%好ましくは
、15〜20%である。白金含有量か10%以下ては添
加効果が認められず、30%以上では白金の添加効果は
飽和してしまう。
性を改善するのに有効である。白金粉末の粉末粒子径は
]OuLm以下、平均粒子径(D5o)は5gm以下程
度のものか良い。白金の含有量はペースト中のルテニウ
ムを除く主たる金属粉末に対し10〜30%好ましくは
、15〜20%である。白金含有量か10%以下ては添
加効果が認められず、30%以上では白金の添加効果は
飽和してしまう。
上記範囲で白金を多量に添加することにより、シート抵
抗を低く保ちながら半田喰われ性を改善し、マイグレー
ションを防ぐと共に、ペーストの融点を高め1000〜
1200°Cの焼成にも耐えて強固な皮膜を形成するこ
とか可能となる。
抗を低く保ちながら半田喰われ性を改善し、マイグレー
ションを防ぐと共に、ペーストの融点を高め1000〜
1200°Cの焼成にも耐えて強固な皮膜を形成するこ
とか可能となる。
本発明の他の一つは、白金(Pt)の代わりにパラジウ
ム(Pd)を使用したちのてあり、同様の効果か得られ
る。
ム(Pd)を使用したちのてあり、同様の効果か得られ
る。
パラジウムを添加したペーストは銀のマイクレージコン
を防止する効果を有することは広く知られた事実である
。パラジウムを添加する場合は1粒度(D5o)か2p
m以下の微粉末を使用することか好ましい。
を防止する効果を有することは広く知られた事実である
。パラジウムを添加する場合は1粒度(D5o)か2p
m以下の微粉末を使用することか好ましい。
パラジウムの含有量はペースト中のルテニウムを除く主
たる金属粉末に対して0.2〜30%、好ましくは0.
5〜10%である。パラジウム含有量が0.2%以下で
は添加の効果が認められず、30%以上添加しても著し
い特性向上は期待できなくなるからである。
たる金属粉末に対して0.2〜30%、好ましくは0.
5〜10%である。パラジウム含有量が0.2%以下で
は添加の効果が認められず、30%以上添加しても著し
い特性向上は期待できなくなるからである。
導電ペースト中の銀粉末、#!と銅との複合粉末および
白金若しくはパラジウム粉末の含有量は合計で60〜9
0%とする必要があり、これ以外では取扱い易いペース
ト粘度が得られない。
白金若しくはパラジウム粉末の含有量は合計で60〜9
0%とする必要があり、これ以外では取扱い易いペース
ト粘度が得られない。
本発明はセラミックとの馴染みを良くする酸化イツトリ
ウムを含むものである。
ウムを含むものである。
醇化イツトリウム、(Y2O2)は化学的手法で製造さ
れた純度が89.6%以上のものが好ましい0粒度は平
均粒径で51L■以下が好ましく、粒径は強度を向上さ
せるために、あるいは分散性を良くするために細かい方
が良い、平均粒径が10弘■以上になると、均一分散性
が悪く表面平滑性の面で好ましくない。
れた純度が89.6%以上のものが好ましい0粒度は平
均粒径で51L■以下が好ましく、粒径は強度を向上さ
せるために、あるいは分散性を良くするために細かい方
が良い、平均粒径が10弘■以上になると、均一分散性
が悪く表面平滑性の面で好ましくない。
酸化イツトリウムの添加量はペーストの固型成分生の割
合か20ppm〜2%、好ましくは0.05〜1%とな
るよう添加すると付着強度向上に著しい効果を発揮する
ことが判明した。添加量か20ppm以下では効果か認
められず、2%を越えるとY2O3か析出し、表面平滑
性に悪影響を及ぼし、ダイアタッチ性を阻害する0表面
平滑性を保ちしかも付着強度を向上させるにはペースト
の固型成分中に0.05〜1%添加するのが良い。
合か20ppm〜2%、好ましくは0.05〜1%とな
るよう添加すると付着強度向上に著しい効果を発揮する
ことが判明した。添加量か20ppm以下では効果か認
められず、2%を越えるとY2O3か析出し、表面平滑
性に悪影響を及ぼし、ダイアタッチ性を阻害する0表面
平滑性を保ちしかも付着強度を向上させるにはペースト
の固型成分中に0.05〜1%添加するのが良い。
本発明で使用する銅有機物とは、
(Rは飽和型炭化水素)の一般式で示される6のて、環
式テルペン系誘導体またはR−3−Cu又はR−3−C
u−3−Rの一般式で示されるものでもよい。銅の含有
量は一般に3〜10重量%である。具体的には、レジネ
ー、ト銅、銅アリールメルカプチド、銅テルペンメチド
などがある。これらの有機銅はペースト中で溶剤に溶け
た状!島て存在する。有機銅は、IR法(Infra−
Red Absorption Spectrum、赤
外線吸収スペクトル)、NMR法(Nuclear M
agneticResonance核磁気共鳴法)等て
金属銅と区別して存在か判別できる。
式テルペン系誘導体またはR−3−Cu又はR−3−C
u−3−Rの一般式で示されるものでもよい。銅の含有
量は一般に3〜10重量%である。具体的には、レジネ
ー、ト銅、銅アリールメルカプチド、銅テルペンメチド
などがある。これらの有機銅はペースト中で溶剤に溶け
た状!島て存在する。有機銅は、IR法(Infra−
Red Absorption Spectrum、赤
外線吸収スペクトル)、NMR法(Nuclear M
agneticResonance核磁気共鳴法)等て
金属銅と区別して存在か判別できる。
銅有機物を使用することによる効果は
i)液体であるためビヒクルと良く混ざるため、分散性
に優れたペーストか可能である。
に優れたペーストか可能である。
酉)基板にトッテインクしても偏析か殆んどない。
1ii)焼成過程に於て、Ag/Cu複合粉、Y2O3
粉粉末は、主に基板との接着強度に寄与し、銅有機物は
均一に分散するため、メタライズ層間の焼結を促進させ
る効果かある。
粉粉末は、主に基板との接着強度に寄与し、銅有機物は
均一に分散するため、メタライズ層間の焼結を促進させ
る効果かある。
従って接着強度のばらつきか小さくなり、安定した強度
の製品を得られる点にある。
の製品を得られる点にある。
ビヒクルは金属微粉末を均一に分散させ、使用に際して
は適度の粘性と表面張力を有し、塗布面に滑らかに拡散
させる機能を有する。本発明て使用するビヒクルは通常
使用されているエチルセルロースをバインターとして、
溶剤としてテレピネオール、フチルカルビトール、フチ
ルカルビトールアセテート、テキサノール等の有機質溶
媒か使用できる。また、金属粉末との漏れ性を良くする
ため界面活性剤を0.5〜10%添加すると分散性が良
くなる。又、分散剤としてロジン系樹脂を0.1〜2%
添加すると良い、ペースト状態では金属微粉末粒子の分
離偏析を避けるため、粘度は高く調整しておくが、トッ
テインクの場合は溶剤を用いて希釈し、40〜450
cpsの粘度に調整する。印刷の場合は高い粘度のまま
使用する。
は適度の粘性と表面張力を有し、塗布面に滑らかに拡散
させる機能を有する。本発明て使用するビヒクルは通常
使用されているエチルセルロースをバインターとして、
溶剤としてテレピネオール、フチルカルビトール、フチ
ルカルビトールアセテート、テキサノール等の有機質溶
媒か使用できる。また、金属粉末との漏れ性を良くする
ため界面活性剤を0.5〜10%添加すると分散性が良
くなる。又、分散剤としてロジン系樹脂を0.1〜2%
添加すると良い、ペースト状態では金属微粉末粒子の分
離偏析を避けるため、粘度は高く調整しておくが、トッ
テインクの場合は溶剤を用いて希釈し、40〜450
cpsの粘度に調整する。印刷の場合は高い粘度のまま
使用する。
本発明ではptの代わりにパラジウムを添加しても良い
。
。
ルテニウム(Ru)はAgの拡散を抑制する効果があり
、基板の黒ずみも防止できる。 Rhは銅電解採取のス
ラッジから副生ずるものを精製し、ルテニウム粉末とし
て市販されているものが利用できる。 Ruの添加量は
ペースト中の固型分に対して0.5〜5wt%が適当で
ある。0.5%以下ではAgの拡散を抑制する効果が十
分でなく、また、5%以上であるとAg拡散抑制の効果
はあるもののAg粒子の焼結を阻害し、接着力が低下す
ると共に回路の抵抗も高くなる。
、基板の黒ずみも防止できる。 Rhは銅電解採取のス
ラッジから副生ずるものを精製し、ルテニウム粉末とし
て市販されているものが利用できる。 Ruの添加量は
ペースト中の固型分に対して0.5〜5wt%が適当で
ある。0.5%以下ではAgの拡散を抑制する効果が十
分でなく、また、5%以上であるとAg拡散抑制の効果
はあるもののAg粒子の焼結を阻害し、接着力が低下す
ると共に回路の抵抗も高くなる。
本発明ては、ルテニウムの代わりに酸化銀(AgzO)
a粉末を用いても同様の効果か得られる。
a粉末を用いても同様の効果か得られる。
Ag2Oの添加量はルテニウムと同しく固型分に対して
0.5〜5%か適当である。R14と併用しても使用な
く、その場合の添加量も両者合わせて0.5〜5%の範
囲が適当である。
0.5〜5%か適当である。R14と併用しても使用な
く、その場合の添加量も両者合わせて0.5〜5%の範
囲が適当である。
(作用)
本発明はガラスフリットを使用しないのて熱的に安定な
導電ペーストとなる。また、銀と銅との複合粉末の使用
により均質で合金化し易く、従って安定した導電体を得
ることか可能である。さらに酸化イツトリウムおよび銅
有a物の作用により基板への付着強度か増し、ルテニウ
ム若しくは酸化銀の作用によりAgのマイクレージョン
を抑え、外観」二の変色も防止する特有の効果を有する
。
導電ペーストとなる。また、銀と銅との複合粉末の使用
により均質で合金化し易く、従って安定した導電体を得
ることか可能である。さらに酸化イツトリウムおよび銅
有a物の作用により基板への付着強度か増し、ルテニウ
ム若しくは酸化銀の作用によりAgのマイクレージョン
を抑え、外観」二の変色も防止する特有の効果を有する
。
実施例
次に実施例をあげて本発明を説明する。
表1に示す金属粉末と酸化イツトリウムとルテニウム粉
末、酸化銀粉末を使用し、ビヒクルとして銅有機物を配
合したテルピネオール、エチルセルロース及び界面活性
剤を使用して三木ロールミルて混練してペーストを作っ
た。
末、酸化銀粉末を使用し、ビヒクルとして銅有機物を配
合したテルピネオール、エチルセルロース及び界面活性
剤を使用して三木ロールミルて混練してペーストを作っ
た。
(以下余白)
銀粉末は市販の還元粉を使用し、純度は99.9%、粒
度は1〜4μmであった。
度は1〜4μmであった。
銀と銅との複合粉末としては銀粉10%と銅粉90%を
ボールミル中で高速混合粉砕したメカニカルアロイ粉を
使用した。複合粉末の粒度は]Opm以下に分級したも
のを使用した。
ボールミル中で高速混合粉砕したメカニカルアロイ粉を
使用した。複合粉末の粒度は]Opm以下に分級したも
のを使用した。
白金は市販の0.5〜0.8μmの微粉末、および銀と
白金の割合が85:15の共沈粉末を5pm以下に分散
して使用した。
白金の割合が85:15の共沈粉末を5pm以下に分散
して使用した。
パラジウムは市販の粒度0.8〜1.81zmの微粉末
、および銀とパラジウムの重量比が7二3である共沈粉
末を5ル曙以下に分散したものを使用した。
、および銀とパラジウムの重量比が7二3である共沈粉
末を5ル曙以下に分散したものを使用した。
酸化イツトリウムは平均粒径1.2pm 、純度99.
9%の市販品を使用した。
9%の市販品を使用した。
ルテニウムは純度99.5%、粒度0,5〜8ILmの
市販の電解副生品を使用した。酸化銀は市販のAg2O
粉末を使用した。
市販の電解副生品を使用した。酸化銀は市販のAg2O
粉末を使用した。
ビヒクル成分はテルピネオールに対して12%のエチル
セルロース及びノニオン系界面活性剤2.5%及び銅有
機物としてレジネート銅をあらかじめ添加したものを用
いた。
セルロース及びノニオン系界面活性剤2.5%及び銅有
機物としてレジネート銅をあらかじめ添加したものを用
いた。
ビヒクル成分およびレジネート銅の配合割合は、ペース
ト全体に対し上記ビヒクル成分か11重量部、レジネー
ト銅4重量部になるように配合した。
ト全体に対し上記ビヒクル成分か11重量部、レジネー
ト銅4重量部になるように配合した。
レジネート鋼中のCu含有量は6.4%であるので、レ
ジネート銅から入るCu純分は0.256重量部となる
。
ジネート銅から入るCu純分は0.256重量部となる
。
これらの金属粉末と酸化イツトリウム、ルテニウム、酸
化銀とビヒクルおよびレジネート銅とを表1に示す配合
条件で三本ロールミルを使用して充分混練し、ペースト
を得た。その時の粘度はBrookfield粘度計H
BTで、14番スピンドルを使用して測定したところ、
200±50 Kcpsてあった。
化銀とビヒクルおよびレジネート銅とを表1に示す配合
条件で三本ロールミルを使用して充分混練し、ペースト
を得た。その時の粘度はBrookfield粘度計H
BTで、14番スピンドルを使用して測定したところ、
200±50 Kcpsてあった。
次にこのペーストを使用して基板に電気回路を形成し、
特性を調べた。
特性を調べた。
基板はアルミナおよび窒化アルミ(寸法24.5x24
.5X 0.635+++m)を使用した。
.5X 0.635+++m)を使用した。
基板はトリクレンて洗浄後使用した。基板にペーストを
使用しスクリーン印刷により導電回路を所定のパターン
に形成した。印刷条件は200Meshステンレス製バ
イアス張り、エマルション厚さ45用とした。
使用しスクリーン印刷により導電回路を所定のパターン
に形成した。印刷条件は200Meshステンレス製バ
イアス張り、エマルション厚さ45用とした。
該導電ペーストを印刷後、レベリングを10分間おこな
った後120℃て30分間乾燥し、さらにワトキンス・
ジョンソン社製4MC型厚膜焼成炉により、大気雰囲気
中で焼成した。焼成条件は60分間プロファイルでビー
ク温度910℃及び920℃て8分間とした。
った後120℃て30分間乾燥し、さらにワトキンス・
ジョンソン社製4MC型厚膜焼成炉により、大気雰囲気
中で焼成した。焼成条件は60分間プロファイルでビー
ク温度910℃及び920℃て8分間とした。
このようにして得られたペースト皮膜表面を観察し、皮
膜のシート抵抗を測定した。
膜のシート抵抗を測定した。
さらに2.OX 2.0mm口のパッド上にL字型にし
た0、6■φの銅線(スズメツキ処理)を6/4半田に
て固定し、バーチカルポンドテスターにより接着強度を
測定した。これらの結果を表2に示す。
た0、6■φの銅線(スズメツキ処理)を6/4半田に
て固定し、バーチカルポンドテスターにより接着強度を
測定した。これらの結果を表2に示す。
(以下余白)
次にウェスト・ボンド礼装の超汀波式ワイヤーホンター
を使用し、直径30gの(人文−1%Si)細線をボン
デインクし、ワイヤープルテスターを使用してボンディ
ング強度を測定した。この結果も表2に併記する。表中
の数値は切断力のlO回モ均値を示したちのてあり、X
印はワーヤー接合部で剥離した場合を示している。
を使用し、直径30gの(人文−1%Si)細線をボン
デインクし、ワイヤープルテスターを使用してボンディ
ング強度を測定した。この結果も表2に併記する。表中
の数値は切断力のlO回モ均値を示したちのてあり、X
印はワーヤー接合部で剥離した場合を示している。
さらに6:4組成の半田を使用し、 260°Cに半]
■ポットを温度コントロールして浸漬し、半田濡れ性を
調べた。この結果も表2に併記する。表中◎はパターン
通りに半11か載った場合を示し、X印は一部たけ半田
が載った場合を示す。
■ポットを温度コントロールして浸漬し、半田濡れ性を
調べた。この結果も表2に併記する。表中◎はパターン
通りに半11か載った場合を示し、X印は一部たけ半田
が載った場合を示す。
第2表の結果から明らかなように1本発明による導電ペ
ーストは、焼成後のシート抵抗か低く、セラミック基板
との接着強度が高く、半田濡れ性についても優れている
。外観についても黒味を帯びるのは認められなかった。
ーストは、焼成後のシート抵抗か低く、セラミック基板
との接着強度が高く、半田濡れ性についても優れている
。外観についても黒味を帯びるのは認められなかった。
本発明品のボンディング抵抗値は非常に低く、かつ経時
的に安定しており、かっボンデインク特性も良いので、
アルミニウムワイヤーの使用か可使となることも、本発
明の大きな利点である。
的に安定しており、かっボンデインク特性も良いので、
アルミニウムワイヤーの使用か可使となることも、本発
明の大きな利点である。
本発す1によれば、窒化アルミ基板に対してもすぐれた
接着力を発揮することか151らかである。
接着力を発揮することか151らかである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)銀微粉末、銀と銅との複合微粉末、白金微粉末ルテ
ニウム若しくは酸化銀微粉末、銅有機物およびビヒクル
からなるペーストであって、銀微粉末と銀と銅との複合
微粉末および白金微粉末の合計がペースト中の60〜9
0wt%であり、該微粉末の合計中に含まれる銅の量が
0.1〜10wt%、白金の量が0.1〜30wt%で
あり、酸化イットリウムの含有量がペースト中の固型成
分に対して20ppm〜2wt%であり、ルテニウム若
しくは酸化銀のうち少くとも1種の含有量がペースト中
の固型成分に対して0.5〜5wt%であり、銅有機物
をペースト中の銅純分の合計が0.1〜10wt%とな
る範囲で含有し、残部がビヒクルよりなることを特徴と
する抵抗ペースト。 2)銀微粉末、銀と銅との複合微粉末、パラジウム微粉
末ルテニウム若しくは酸化銀微粉末、銅有機物およびビ
ヒクルからなるペーストであって、銀微粉末と銀と銅と
の複合微粉末およびパラジウム微粉末の合計がペースト
中の60〜90wt%であり、該微粉末の合計中に含ま
れる銅の量が0.1〜10wt%、パラジウムの量が0
.1〜30wt%であり、酸化イットリウムの含有量が
ペースト中の固型成分に対して20ppm〜2wt%で
あり、ルテニウム若しくは酸化銀のうち少くとも1種の
含有量がペースト中の固型成分に対して0.5〜5wt
%であり、銅有機物をペースト中の銅純分の合計が0.
1〜10wt%となる範囲で含有し、残部がビヒクルよ
りなることを特徴とする抵抗ペースト。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63310938A JPH02191301A (ja) | 1988-12-08 | 1988-12-08 | 抵抗ペースト |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63310938A JPH02191301A (ja) | 1988-12-08 | 1988-12-08 | 抵抗ペースト |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02191301A true JPH02191301A (ja) | 1990-07-27 |
Family
ID=18011195
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63310938A Pending JPH02191301A (ja) | 1988-12-08 | 1988-12-08 | 抵抗ペースト |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02191301A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100284785B1 (ko) * | 1994-10-17 | 2001-03-15 | 에를링 블로메 | 메모리 데이터 처리 시스템 및 방법과 이건 시스템을 구비하는 통신 시스템 |
-
1988
- 1988-12-08 JP JP63310938A patent/JPH02191301A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100284785B1 (ko) * | 1994-10-17 | 2001-03-15 | 에를링 블로메 | 메모리 데이터 처리 시스템 및 방법과 이건 시스템을 구비하는 통신 시스템 |
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