JP2580615B2 - 温度センサ - Google Patents
温度センサInfo
- Publication number
- JP2580615B2 JP2580615B2 JP62220600A JP22060087A JP2580615B2 JP 2580615 B2 JP2580615 B2 JP 2580615B2 JP 62220600 A JP62220600 A JP 62220600A JP 22060087 A JP22060087 A JP 22060087A JP 2580615 B2 JP2580615 B2 JP 2580615B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- film
- corona discharge
- temperature sensor
- discharge treatment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は基板上にPt測温抵抗膜を形成した温度センサ
に関する。
に関する。
従来技術のその問題点 従来、高温用の温度センサとして、セラミック基板上
にPtをスパッタあるいは蒸着等の方法にて成膜し、ガラ
スコートを施したり、筒体内に密封したものが知られて
いる。また、セラミック基板上に白金ペーストをパター
ン印刷し、これを焼付けた厚膜型の温度センサがある。
これらPt測温抵抗膜は、一般に、基板表面が１〜２μｍ
程度の粗さであれば比較的良好な密着性が得られるが、
高純度アルミナ基板、例えば99％の純度で表面粗さが0.
2〜0.5μｍ程度の基板に対しては十分な密着性が得られ
ず、膜厚や焼成時の温度勾配に制約を受けるという問題
点を有していた。また、１回の成膜で所望の膜厚が得ら
れない場合、２回以上の成膜工程を必要としていた。
にPtをスパッタあるいは蒸着等の方法にて成膜し、ガラ
スコートを施したり、筒体内に密封したものが知られて
いる。また、セラミック基板上に白金ペーストをパター
ン印刷し、これを焼付けた厚膜型の温度センサがある。
これらPt測温抵抗膜は、一般に、基板表面が１〜２μｍ
程度の粗さであれば比較的良好な密着性が得られるが、
高純度アルミナ基板、例えば99％の純度で表面粗さが0.
2〜0.5μｍ程度の基板に対しては十分な密着性が得られ
ず、膜厚や焼成時の温度勾配に制約を受けるという問題
点を有していた。また、１回の成膜で所望の膜厚が得ら
れない場合、２回以上の成膜工程を必要としていた。
問題点を解決するための手段 以上の問題点を解決するため、本発明に係る温度セン
サは、Pt測温抵抗膜を形成する基板に対してコロナ放電
処理を施したことを特徴とする。
サは、Pt測温抵抗膜を形成する基板に対してコロナ放電
処理を施したことを特徴とする。
コロナ放電処理は下地電極上に絶縁材を介して設置し
た基板に対して高電圧を印加された放電電極を相対移動
させることにより行なわれる。
た基板に対して高電圧を印加された放電電極を相対移動
させることにより行なわれる。
作 用 基板上にコロナ放電処理が施されると、その放電効果
によって基板表面のぬれ性（親水性）が改善され、表面
粗さの小さい基板であってもPt測温抵抗膜が良好に密着
することとなる。
によって基板表面のぬれ性（親水性）が改善され、表面
粗さの小さい基板であってもPt測温抵抗膜が良好に密着
することとなる。
実施例 以下の表に示す実施例においては、表面粗さ0.2μｍ
のアルミナ基板に対して、まず、コロナ放電装置によっ
てコロナ放電処理を施した。コロナ放電装置は絶縁樹脂
基台１内にアースされた下地電極２を設け、基台１の直
上を高圧トランス４に接続された放電電極３をホルダ５
で支持して矢印Ａ方向にスキャン可能に設置したもので
ある。基台１上に並置されたアルミナ基板10に対しては
出力電極24kV、出力150〜160Wで20秒間コロナ放電を行
なった。放電電極３とアルミナ基板10の間隔は２〜3mm
とした。
のアルミナ基板に対して、まず、コロナ放電装置によっ
てコロナ放電処理を施した。コロナ放電装置は絶縁樹脂
基台１内にアースされた下地電極２を設け、基台１の直
上を高圧トランス４に接続された放電電極３をホルダ５
で支持して矢印Ａ方向にスキャン可能に設置したもので
ある。基台１上に並置されたアルミナ基板10に対しては
出力電極24kV、出力150〜160Wで20秒間コロナ放電を行
なった。放電電極３とアルミナ基板10の間隔は２〜3mm
とした。
以上のコロナ放電処理が施されたアルミナ基板10に対
して、有機Ptレジネートペーストをスクリーン印刷し、
100℃/minの温度勾配で1300〜1500℃に加熱して焼付け
を行なった。この場合、有機Ptレジネートペースト成膜
の厚みは0.15μｍである。一方、比較例，として同
様の表面粗さを有するアルミナ基板に対して前記コロナ
放電処理を施すことなく、同様の有機Ptレジネートペー
ストをスクリーン印刷し、それぞれ30℃/min,50℃/min
の温度勾配で1300〜1500℃の条件で焼付けを行なった。
有機Ptレジネートペースト成膜の厚みはそれぞれ0.15μ
m,0.07μｍである。
して、有機Ptレジネートペーストをスクリーン印刷し、
100℃/minの温度勾配で1300〜1500℃に加熱して焼付け
を行なった。この場合、有機Ptレジネートペースト成膜
の厚みは0.15μｍである。一方、比較例，として同
様の表面粗さを有するアルミナ基板に対して前記コロナ
放電処理を施すことなく、同様の有機Ptレジネートペー
ストをスクリーン印刷し、それぞれ30℃/min,50℃/min
の温度勾配で1300〜1500℃の条件で焼付けを行なった。
有機Ptレジネートペースト成膜の厚みはそれぞれ0.15μ
m,0.07μｍである。
焼付け後これらの抵抗体に対す1mmピッチの碁盤目状
の接着テープによる剥離テストに依れば、実施例のPt測
温抵抗膜は剥離が見られなかったのに対し、比較例で
は40％、比較例では50％の剥離が生じた。
の接着テープによる剥離テストに依れば、実施例のPt測
温抵抗膜は剥離が見られなかったのに対し、比較例で
は40％、比較例では50％の剥離が生じた。
なお、下表のテープ剥離テストの項目中、分母はテス
ト個数を示し、分子は剥離しなかった個数を示す。
ト個数を示し、分子は剥離しなかった個数を示す。
なお、前記実施例以外にも、本発明にて種々の厚みの
Pt測温抵抗膜を形成したが、Pt測温抵抗膜の厚みの大小
に拘わらず、基板に対する密着性は良好であった。
Pt測温抵抗膜を形成したが、Pt測温抵抗膜の厚みの大小
に拘わらず、基板に対する密着性は良好であった。
なお、本発明に係る温度センサは前記実施例に限定さ
れるものではなく、その要旨の範囲内で種々に変形する
ことができる。
れるものではなく、その要旨の範囲内で種々に変形する
ことができる。
例えば、基板の材質としてはアルミナ以外に種々のセ
ラミックやガラス基板を使用でき、Pt測温抵抗膜として
有機Ptレジネートペースト以外に、Pt粉末，ワニス，フ
リットを混練したもの、あるいはスパッタ，蒸着等の方
法で形成したものにも適用できる。
ラミックやガラス基板を使用でき、Pt測温抵抗膜として
有機Ptレジネートペースト以外に、Pt粉末，ワニス，フ
リットを混練したもの、あるいはスパッタ，蒸着等の方
法で形成したものにも適用できる。
発明の効果 以上の説明で明らかな様に、本発明によれば、Pt測温
抵抗膜を形成する基板に対して予めコロナ放電処理を施
したため、その放電効果によって基板表面のぬれ性（親
水性）が改質され、Pt測温抵抗膜の密着性が向上し、表
面粗さの小さい高純度アルミナ基板等にて所望の膜厚を
１回の成膜工程で形成することができる。
抵抗膜を形成する基板に対して予めコロナ放電処理を施
したため、その放電効果によって基板表面のぬれ性（親
水性）が改質され、Pt測温抵抗膜の密着性が向上し、表
面粗さの小さい高純度アルミナ基板等にて所望の膜厚を
１回の成膜工程で形成することができる。
第１図は本発明に係る基板の表面改質に使用されるコロ
ナ放電装置の斜視図、第２図はその装置を使用してのコ
ロナ放電処理の説明図である。 １……絶縁樹脂基台、２……下地電極、３……放電電
極、10……アルミナ基板。
ナ放電装置の斜視図、第２図はその装置を使用してのコ
ロナ放電処理の説明図である。 １……絶縁樹脂基台、２……下地電極、３……放電電
極、10……アルミナ基板。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 笠次 徹 京都府長岡京市天神２丁目26番10号 株 式会社村田製作所内 (56)参考文献 特開 昭62−105406（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】基板に対してコロナ放電処理を施した後、
該基板にPt測温抵抗膜を形成したことを特徴とする温度
センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62220600A JP2580615B2 (ja) | 1987-09-02 | 1987-09-02 | 温度センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62220600A JP2580615B2 (ja) | 1987-09-02 | 1987-09-02 | 温度センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6461901A JPS6461901A (en) | 1989-03-08 |
| JP2580615B2 true JP2580615B2 (ja) | 1997-02-12 |
Family
ID=16753519
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62220600A Expired - Lifetime JP2580615B2 (ja) | 1987-09-02 | 1987-09-02 | 温度センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2580615B2 (ja) |
-
1987
- 1987-09-02 JP JP62220600A patent/JP2580615B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6461901A (en) | 1989-03-08 |
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Legal Events
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