JPS6251754B2 - - Google Patents
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- JPS6251754B2 JPS6251754B2 JP57002456A JP245682A JPS6251754B2 JP S6251754 B2 JPS6251754 B2 JP S6251754B2 JP 57002456 A JP57002456 A JP 57002456A JP 245682 A JP245682 A JP 245682A JP S6251754 B2 JPS6251754 B2 JP S6251754B2
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- Japan
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- film
- sputtering
- atmosphere
- heating element
- glass substrate
- Prior art date
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- Expired
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N97/00—Electric solid-state thin-film or thick-film devices, not otherwise provided for
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Description
本発明は感熱記録紙を使用するサーマルプリン
ター用のサーマルヘツドの製造法に関する。 サーマルヘツドの初期は厚膜技術を利用した厚
膜抵抗発熱体が多く作られたが、印字品質の向
上、プリンターの小形化に伴なう文字の微細上等
の要求に対して、厚膜印刷技術では対応不可能に
なり、現在は薄膜が主流となりつつある。 薄膜の場合、抵抗体は作りやすさの点からNi
−Crが多く使用されてきたが、耐パルス性や抵
抗体の機械的強度の点からCr−Si膜がより多く
使用されるようになつてきている。 従来、抵抗発熱体の基体はアルミナ等の磁器が
使用されてきたが、近年は抵抗発熱体に与える電
気エネルギーより発生する熱エネルギーをできる
だけ有効利用するため、抵抗発熱体と磁器基体の
間に熱絶縁体を設ける意味で磁器基板上にガラス
層を被覆したり、あるいは磁器基体の代わりにガ
ラス基体を使用することが多い。 Cr−Si膜を抵抗発熱体とした時、発熱体の下
地がガラス質であることにより、熱膨張係数の
差、表面平滑なガラス面による構造体のつくりに
くさ等と思われる理由により、Cr−Si膜の下地
ガラスからのはくりが発生することがあつた。 これを防止する手段として、ガラス質と抵抗発
熱体の間にはSiOx（ｘ＝１〜２）を介在させる
方法がある。SiOx（ｘ＝１〜２）が存在すると
加熱、冷却のくりかえしを行つた場合も、またテ
ープ試験においても接着強度が高くなつているこ
とが確認できる。 しかしSiOx（ｘ＝１〜２）は通常、薄膜とし
て作成するが、抵抗加熱真空蒸着、電子ビーム真
空蒸着、スパツタリング等の方法を用いるにしろ
一工程余分に必要であり、経費が増加しサーマル
ヘツドの価格上昇の要因となつた。 本発明は経費の増加なしにCr−Si膜の接着強
度の高いサーマルヘツドを製造することを目的と
するものである。 以下、本発明の一実施例について説明する。 Cr−Si（１：１重量比）をターゲツトとした
DCマグネトロンスパツタリング装置の真空排気
系を操作し、大気が残つている段階、例えば１×
10-2torrより、スパツタリングを開始する。放電
電圧750Vであり、この時の電流は0.7Aであつ
た。大気が排気され徐々に高真空に進む段階で
徐々にアルゴンを流入させ、真空度を１×
10-2torrに維持する。放電はほぼ同一条件で維持
できる。 スパツタリング開始30分後、得られた抵抗値は
17Ω／□であつた。 このようにしてガラス基板上に作成したCr−
Si膜の接着強度を比較試験した結果を次に示す。 試料としては、 前記実施例のもの、 ガ
ラス基板上にSiOx（ｘ＝１〜２）を厚さ数千Å
着膜したうえにCr−Si膜を作成したもの、
ガラス基板上に直接アルゴン雰囲気中でスパツタ
リングしてCr−Si膜を作成したものの３種であ
る。 接着強度の評価としては以下の方法で行つた。 ５mm角で長さ70mmの鉄材の一端を研磨し充分平
面を出した試験棒を用意し、この５mm角の平面の
試験面にエポキシ接着剤としてボンドクイツクセ
ツト（商品名）を塗布し、これを試料膜面に押し
あて30分間放置して硬化させる。次に試験棒の一
端に力を加え、試験棒を倒し、５mm角の試験面に
よりはぎとられた試料膜面の面積の多小により、
試料の基材に対する接着強度を評価する。 以上の方法による評価の結果を下表に示す。
ター用のサーマルヘツドの製造法に関する。 サーマルヘツドの初期は厚膜技術を利用した厚
膜抵抗発熱体が多く作られたが、印字品質の向
上、プリンターの小形化に伴なう文字の微細上等
の要求に対して、厚膜印刷技術では対応不可能に
なり、現在は薄膜が主流となりつつある。 薄膜の場合、抵抗体は作りやすさの点からNi
−Crが多く使用されてきたが、耐パルス性や抵
抗体の機械的強度の点からCr−Si膜がより多く
使用されるようになつてきている。 従来、抵抗発熱体の基体はアルミナ等の磁器が
使用されてきたが、近年は抵抗発熱体に与える電
気エネルギーより発生する熱エネルギーをできる
だけ有効利用するため、抵抗発熱体と磁器基体の
間に熱絶縁体を設ける意味で磁器基板上にガラス
層を被覆したり、あるいは磁器基体の代わりにガ
ラス基体を使用することが多い。 Cr−Si膜を抵抗発熱体とした時、発熱体の下
地がガラス質であることにより、熱膨張係数の
差、表面平滑なガラス面による構造体のつくりに
くさ等と思われる理由により、Cr−Si膜の下地
ガラスからのはくりが発生することがあつた。 これを防止する手段として、ガラス質と抵抗発
熱体の間にはSiOx（ｘ＝１〜２）を介在させる
方法がある。SiOx（ｘ＝１〜２）が存在すると
加熱、冷却のくりかえしを行つた場合も、またテ
ープ試験においても接着強度が高くなつているこ
とが確認できる。 しかしSiOx（ｘ＝１〜２）は通常、薄膜とし
て作成するが、抵抗加熱真空蒸着、電子ビーム真
空蒸着、スパツタリング等の方法を用いるにしろ
一工程余分に必要であり、経費が増加しサーマル
ヘツドの価格上昇の要因となつた。 本発明は経費の増加なしにCr−Si膜の接着強
度の高いサーマルヘツドを製造することを目的と
するものである。 以下、本発明の一実施例について説明する。 Cr−Si（１：１重量比）をターゲツトとした
DCマグネトロンスパツタリング装置の真空排気
系を操作し、大気が残つている段階、例えば１×
10-2torrより、スパツタリングを開始する。放電
電圧750Vであり、この時の電流は0.7Aであつ
た。大気が排気され徐々に高真空に進む段階で
徐々にアルゴンを流入させ、真空度を１×
10-2torrに維持する。放電はほぼ同一条件で維持
できる。 スパツタリング開始30分後、得られた抵抗値は
17Ω／□であつた。 このようにしてガラス基板上に作成したCr−
Si膜の接着強度を比較試験した結果を次に示す。 試料としては、 前記実施例のもの、 ガ
ラス基板上にSiOx（ｘ＝１〜２）を厚さ数千Å
着膜したうえにCr−Si膜を作成したもの、
ガラス基板上に直接アルゴン雰囲気中でスパツタ
リングしてCr−Si膜を作成したものの３種であ
る。 接着強度の評価としては以下の方法で行つた。 ５mm角で長さ70mmの鉄材の一端を研磨し充分平
面を出した試験棒を用意し、この５mm角の平面の
試験面にエポキシ接着剤としてボンドクイツクセ
ツト（商品名）を塗布し、これを試料膜面に押し
あて30分間放置して硬化させる。次に試験棒の一
端に力を加え、試験棒を倒し、５mm角の試験面に
よりはぎとられた試料膜面の面積の多小により、
試料の基材に対する接着強度を評価する。 以上の方法による評価の結果を下表に示す。
【表】
この表に示す結果より明らかなように、本発明
の実施例によれば、大気中においてスパツタリン
グを開始して、まずガラス基板上に酸化シリコン
を形成した後、着膜の進行と共に大気をアルゴン
に置換してスパツタリングを継続してCr−Si膜
を形成しているため、ガラス基板とCr−Si膜と
の間に形成された酸化シリコンの膜によつて、従
来のSiOx（ｘ＝１〜２）を着膜したうえにCr−
Si膜を形成したものと同程度の接着強度が得られ
る。 なお、本実施例においては、ガラス基板上に
Cr−Si膜を形成する場合のみを示したが、ガラ
ス基板以外、アルミナ基板等を用いる場合でも同
様な効果が得られる。 以上のように本発明のサーマルヘツドの製造方
法は、着膜の初めには大気により、着膜の進行と
共にこの大気に置換したアルゴンによりスパツタ
リングを継続し、Cr−Si薄膜を着膜して抵抗発
熱体を作成するので、ガラス基体上に作成される
Cr−Si膜の接着強度を向上させることができ、
また製造法上別個にSiOx（ｘ＝１〜２）を作成
した上にCr−Si膜を作成するよりも製造経費は
安くなり、より安価な製品を供給することができ
る。
の実施例によれば、大気中においてスパツタリン
グを開始して、まずガラス基板上に酸化シリコン
を形成した後、着膜の進行と共に大気をアルゴン
に置換してスパツタリングを継続してCr−Si膜
を形成しているため、ガラス基板とCr−Si膜と
の間に形成された酸化シリコンの膜によつて、従
来のSiOx（ｘ＝１〜２）を着膜したうえにCr−
Si膜を形成したものと同程度の接着強度が得られ
る。 なお、本実施例においては、ガラス基板上に
Cr−Si膜を形成する場合のみを示したが、ガラ
ス基板以外、アルミナ基板等を用いる場合でも同
様な効果が得られる。 以上のように本発明のサーマルヘツドの製造方
法は、着膜の初めには大気により、着膜の進行と
共にこの大気に置換したアルゴンによりスパツタ
リングを継続し、Cr−Si薄膜を着膜して抵抗発
熱体を作成するので、ガラス基体上に作成される
Cr−Si膜の接着強度を向上させることができ、
また製造法上別個にSiOx（ｘ＝１〜２）を作成
した上にCr−Si膜を作成するよりも製造経費は
安くなり、より安価な製品を供給することができ
る。
Claims (1)
- １ Cr−Siをターゲツトとし、着膜の初めは大
気中においてスパツタリングを開始し、着膜の進
行と共にこの大気に置換したアルゴン中において
スパツタリングを継続し、Cr−Si薄膜を着膜し
て抵抗発熱体を作成するサーマルヘツドの製造
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57002456A JPS58119878A (ja) | 1982-01-11 | 1982-01-11 | サ−マルヘツドの製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57002456A JPS58119878A (ja) | 1982-01-11 | 1982-01-11 | サ−マルヘツドの製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58119878A JPS58119878A (ja) | 1983-07-16 |
| JPS6251754B2 true JPS6251754B2 (ja) | 1987-10-31 |
Family
ID=11529792
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57002456A Granted JPS58119878A (ja) | 1982-01-11 | 1982-01-11 | サ−マルヘツドの製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58119878A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60129274A (ja) * | 1983-12-16 | 1985-07-10 | Hitachi Ltd | 感熱記録ヘッドの製造方法 |
-
1982
- 1982-01-11 JP JP57002456A patent/JPS58119878A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58119878A (ja) | 1983-07-16 |
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