JPS6145543B2 - - Google Patents
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-
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Description
本発明は、薄膜発熱抵抗体を有するサーマルヘ
ツドに関する。 熱印字記録に用いられるサーマルヘツドは例え
ばガラスのような電気的な絶縁性と平滑面とを有
する基板上に複数個の発熱抵抗体と、この発熱抵
抗体に電力を供給するために電気導体とを設け、
記録すべき情報に従つて必要な熱パターンが得ら
れるように、対応する発熱抵抗体に電気導体を介
して電流を流して発熱させ、記録媒体に接触する
ことにより記録を行なうものである。そこに用い
られる発熱抵抗体としては、従来窒化タンタル、
ニクロム酸化錫等の薄膜発熱抵抗体、銀−パラジ
ウムを用いた厚膜発熱抵抗体、シリコン半導体を
用いた半導体発熱抵抗体がある。このうち薄膜発
熱抵抗体を用いたサーマルヘツドは厚膜発熱抵抗
体、半導体発熱抵抗体等と比較して熱応答性がよ
く耐熱性、耐熱衝撃性に優れ、寿命が長く、信頼
性が高い等の特徴を有している。この薄膜発熱抵
抗体としては、従来、窒化タンタルが耐熱性に優
れ、信頼性も高く、又固有抵抗値も250〜300μΩ
cmと比較的高い値で製造の制御性もよいため、特
に多く用いられている。 しかるに窒化タンタルは約300℃以上の高温に
於ては急激に酸化されその抵抗値が急激に増加
し、記録紙に印字する場合、印字濃度を劣化させ
る欠点がある。一般にはこの欠点を補うために酸
化シリコン(SiO2)の耐酸化保護層を設け、更に
その上に酸化タンタル(Ta2O5)の耐摩耗層を設
けてサーマルヘツドとして使用しているが、サー
マルヘツドを長時間駆動させた時の抵抗変化はな
お十分満足できるものではなかつた。特に近年、
高速サーマルヘツドの要求が増加しつつあるため
ヘツドの通電パルス巾を短かくして感熱紙を発色
させる必要があり、従つて電力は従来より増加す
ることになり、発熱抵抗体はさらに高温になるか
ら寿命はより短くなる。そのためさらに耐熱性の
ある発熱抵抗体が要求されている。 本発明は、比抵抗を広い範囲から設定すること
ができ、サーマルシヨツクに強く、基板、電気導
体、保護層との密着性の良いサーマルヘツドを提
供することを目的とし、その特徴とするところは
サーマルヘツドの発熱抵抗体が金属またはSiある
いはGeと金属硼化物とを含有することにある。 ここで金属硼化物とは、硼化ジルコニウム、硼
化ハフニウム、硼化タチン、硼化ランタン、硼化
モリブデン、硼化タングステン、硼化タンタル、
硼化クロム、硼化バナジウム、硼化ニオブなどが
ある。 金属としては、Mo,Ti,Ta,Co,Pt,Ag,
La,Zr,Cr,W,Mn,Au,Pd,Nbである。 これらの金属またはSiあるいはGeと金属硼化
物とをそれぞれ1種類以上選択して組合せて発熱
抵抗体を構成するものである。そして、この発熱
抵抗体を構成する金属またはSiあるいはGeと金
属硼化物とは原子的なスケールで混在しているも
のである。 発熱抵抗体中における金属またはSiあるいは
Geの量は0.5mol%〜50mol%が適当である。この
量の金属またはSiあるいはGeを含有することに
より安定性が増し、基板電気導体、保護層との密
着性の良い発熱抵抗体が得られる。 以下、図面を参照しながな詳細に説明する。 第1図は本発明に適用するサーマルヘツドの形
状例の要部断面図である。同図中の1はセラミツ
クス、ガラスあるいは、グレードセラミツクスの
ような電気的な絶縁物で形成された基板である。
2は金属硼化物と金属又はSiあるいはGeとから
なる本発明に係る薄膜発熱抵抗体である。3は該
薄膜発熱抵抗体に電力を供給するための電気導体
で、アルミニユウム、金等の電気良導体で、形成
されている。又4は薄膜発熱抵抗体及び電気導体
の保護層で、例えば電子ビーム蒸着、スパツター
等によつて作製した酸化シリコン、酸化マグネシ
ウム、酸化アルミニウム、酸化タンタルあるいは
これらを組合せた多層構成が用いられ、これによ
つてサーマルヘツドの寿命を一層長くすることが
できる。 本発明の発熱抵抗体の製造はスパツタリング、
高速スパツタリング、電子ビーム蒸着あるいは電
子ビーム蒸着と抵抗加熱の組合せでも可能であ
る。 スパツタリングによつて製造する場合は、金属
硼化物と金属又はSiあるいはGeとを含むホツト
プレスしたターゲツトをスパツタリングする方
法、金属硼化物と金属又はSiあるいはGeとの混
合粉末をスパツタリングする方法、あるいは金属
硼化物ターゲツト上を金属又はSiあるいはGeを
必要な面積をおおつたものをスパツタリングする
方法等がある。 いずれの場合にも1×10-3Torr〜5×
10-1Torrのアルゴン雰囲気中で行うのがよく、
好ましくは、1×10-2Torr〜1×10-1Torr〜が
良い。またスパツタリング中に於いて200℃〜500
℃の基板加熱を行うことによつて基板に対する発
熱抵抗体部の密着性が向上し、経時的安定性に効
果がある。 一方電子ビーム蒸着で製造する場合には、金属
硼化物と金属の粉末の混合物を約100Kg/cm2の圧
力でプレスしたタブレツトを作り、1×
10-4Torr以上の高真空で基板上に蒸着させる方
法がある。また電子ビーム法又は電子ビーム法と
抵抗加熱蒸着法の組合せで蒸発源を2つ以上もう
け、金属硼化物及び金属又はSiあるいはGeの蒸
着速度をコントロールし、所定の割合の蒸着物を
作る方法でも良い。 次に実施例にもとづいて説明する。 (実施例 1) 金属硼化物粉末90(mol%)及びモリブデン粉
末(mol%)の混合物を約1100℃でホツトプレス
したターゲツトを用い、充分に洗浄されたガラス
厚50μmのグレーズドアルミナ基板を200℃に基
板加熱し、アルゴン圧力2×10-2Torr、雰囲気
中で高周波スパツタリング行ない1000Åの膜厚の
金属硼化物とモリブデンを含む表1に示す10種の
発熱抵抗体を作成した。 この上にチタン10Å、アルミニウム1μmを電
子ビーム蒸着で付け選択エツチングで4本/mmの
分解能をもつサーマルヘツドパターンを形成し
た。 さらにこの上に保護層として、酸化シリコン
(SiO2)を2μm、酸化タンタル(Ta2O5)を5μ
m連続的にスパツターで積層し、表1のNo.1−1
〜1−10の組成のターゲツトから作成した発熱抵
抗体を有するサーマルヘツドを作製した。 なお、No.1−1〜1−10のサーマルヘツド発熱
抵抗体はX線回折の結果、モリブデン及びターゲ
ツトに配合した金属硼化物が認められた。またイ
オンマイクロアナライザーで分析したところ、酸
素、窒素、炭素などがわずかに混入していた。 比較の為に、高周波2極の反応スパツタリング
によつてタンタルをターゲツトとし、アルゴンと
窒素の全圧力が8×10-2Torr、窒素分圧が1×
10-4Torrの条件で1000Åの厚さの窒化タンタル
薄膜発熱抵抗体を作り、さらに電子ビーム法で
Tiを10μm、Alを1μm蒸着後、エツチングに
より、4本/mmの分解能をもつサーマルヘツドパ
ターンを作つた。さらに保護膜として酸化シリコ
ン(SiO2)を2μm、酸化タンタル(Ta2O5)を5
μm連続的にスパツタで積層し、比較サーマルヘ
ツドAを作製した。 これらの本発明及び比較例サーマルヘツドに対
し繰返し周期20msでパルス巾0.6msの矩形パルス
で1発熱素子当り3.2ワツトの電力を印加し、印
加パルスに対する発熱抵抗体劣化試験を行なつ
た。100万パルス印加後の結果を表1に示した。 窒化タンタルを発熱抵抗体としたサーマルヘツ
ドAでは、100万回の印加パルス数で15%の抵抗
値増加があつた。一方金属硼化物とモリブデンを
含んだサーマルヘツドでは100万回で抵抗値増加
は小さかつた。また1000万回印加後の抵抗値増加
はいずれも10%以下であつた。従つて従来の窒化
タンタル発熱抵抗体に比して10倍以上の耐久性が
あつた。 (実施例 2) 硼化ジルコニウム(ZrB2)と金属を含む表2に
示した8種のホツトプレスしたターゲツトを用
い、実施例1と同様の製法で表2に示すNo.2−1
〜2−8のサーマルヘツドを作製した。 実施例1と同様の試験を行ない結果を表2に示
した。このように100万回のパルス印加後の抵抗
変化はいずれも少なかつた。又、これらはいずれ
も1千万回のパルスを印加したのちも抵抗変化は
+10%以下であつた。 (実施例 3) 金属硼化物を2種以上、金属又はSiあるいは
Geを1〜2種以上の表3に示したターゲツトを
作製し、実施例1と同様の製法で表3のNo.3−1
〜3−7のサーマルヘツドを作製し、実施例1と
同様の試験を行なつた結果を表3に示した。 (実施例 4) 金属硼化物及び金属又はSiあるいはGe粉末を
表4に示した割合で混合後、約100Kg/cm2の圧力
でプレスしたタブレツトを作り、これを電子ビー
ム蒸着法で5×10-5Torrの真空度で、充分洗浄
した50μmのガラス層をもつグレーズドアルミナ
基板上に、基板加熱温度200℃に保ちながら1000
Åの厚さに蒸着した。 これに実施例1と同様の製法でサーマルヘツド
を作製し実施例1と同様の試験を行なつた結果を
表4に示した。100万回後の抵抗変化はいずれも
小さかつた。又、これらは1千万回のパルス印加
後も抵抗変化は10%以下であつた。 (実施例 5) 実施例1のNo.1−3のサーマルヘツドで保護層
のみを変え、保護層として下記の酸化物が一層で
あるサーマルヘツドを作製した。保護層は酸化シ
リコン(SiO2)、酸化タンタル(Ta2O5)、酸化ア
ルミニウム(Al2O3)、酸化マグネシウム
(MgO)を電子ビーム蒸着法で7μm付着させ
た。 これらのサーマルヘツドに対して実施例1と同
様な試験を行なつたが、抵抗変化率は100万パル
ス後、いずれも2%以下であつた。 (実施例 6) 表1のNo.1−2、表2のNo.2−2、表3のNo.3
−1、表4のNo.4−3のサーマルヘツドを繰返し
周期20ms、印加電圧パルス巾0.6ms、1発熱素子
当り3.2ワツトの電力を印加しながら、感熱紙
(商品名:TP−50KH,十条製紙製)に対し押し
つけ圧力800g/cm2で連続的に印字しながら、耐
久試験を行なつた。1億回の印字後いずれも抵抗
変化は+10%以下であり、保護層のはがれも発生
せず、実用的に十分満足できる結果を得た。 なお1発熱素子当りの印加電力3.2Wで感熱紙
(TP−50KH)に対し実用的な印字濃度が得られ
た。
ツドに関する。 熱印字記録に用いられるサーマルヘツドは例え
ばガラスのような電気的な絶縁性と平滑面とを有
する基板上に複数個の発熱抵抗体と、この発熱抵
抗体に電力を供給するために電気導体とを設け、
記録すべき情報に従つて必要な熱パターンが得ら
れるように、対応する発熱抵抗体に電気導体を介
して電流を流して発熱させ、記録媒体に接触する
ことにより記録を行なうものである。そこに用い
られる発熱抵抗体としては、従来窒化タンタル、
ニクロム酸化錫等の薄膜発熱抵抗体、銀−パラジ
ウムを用いた厚膜発熱抵抗体、シリコン半導体を
用いた半導体発熱抵抗体がある。このうち薄膜発
熱抵抗体を用いたサーマルヘツドは厚膜発熱抵抗
体、半導体発熱抵抗体等と比較して熱応答性がよ
く耐熱性、耐熱衝撃性に優れ、寿命が長く、信頼
性が高い等の特徴を有している。この薄膜発熱抵
抗体としては、従来、窒化タンタルが耐熱性に優
れ、信頼性も高く、又固有抵抗値も250〜300μΩ
cmと比較的高い値で製造の制御性もよいため、特
に多く用いられている。 しかるに窒化タンタルは約300℃以上の高温に
於ては急激に酸化されその抵抗値が急激に増加
し、記録紙に印字する場合、印字濃度を劣化させ
る欠点がある。一般にはこの欠点を補うために酸
化シリコン(SiO2)の耐酸化保護層を設け、更に
その上に酸化タンタル(Ta2O5)の耐摩耗層を設
けてサーマルヘツドとして使用しているが、サー
マルヘツドを長時間駆動させた時の抵抗変化はな
お十分満足できるものではなかつた。特に近年、
高速サーマルヘツドの要求が増加しつつあるため
ヘツドの通電パルス巾を短かくして感熱紙を発色
させる必要があり、従つて電力は従来より増加す
ることになり、発熱抵抗体はさらに高温になるか
ら寿命はより短くなる。そのためさらに耐熱性の
ある発熱抵抗体が要求されている。 本発明は、比抵抗を広い範囲から設定すること
ができ、サーマルシヨツクに強く、基板、電気導
体、保護層との密着性の良いサーマルヘツドを提
供することを目的とし、その特徴とするところは
サーマルヘツドの発熱抵抗体が金属またはSiある
いはGeと金属硼化物とを含有することにある。 ここで金属硼化物とは、硼化ジルコニウム、硼
化ハフニウム、硼化タチン、硼化ランタン、硼化
モリブデン、硼化タングステン、硼化タンタル、
硼化クロム、硼化バナジウム、硼化ニオブなどが
ある。 金属としては、Mo,Ti,Ta,Co,Pt,Ag,
La,Zr,Cr,W,Mn,Au,Pd,Nbである。 これらの金属またはSiあるいはGeと金属硼化
物とをそれぞれ1種類以上選択して組合せて発熱
抵抗体を構成するものである。そして、この発熱
抵抗体を構成する金属またはSiあるいはGeと金
属硼化物とは原子的なスケールで混在しているも
のである。 発熱抵抗体中における金属またはSiあるいは
Geの量は0.5mol%〜50mol%が適当である。この
量の金属またはSiあるいはGeを含有することに
より安定性が増し、基板電気導体、保護層との密
着性の良い発熱抵抗体が得られる。 以下、図面を参照しながな詳細に説明する。 第1図は本発明に適用するサーマルヘツドの形
状例の要部断面図である。同図中の1はセラミツ
クス、ガラスあるいは、グレードセラミツクスの
ような電気的な絶縁物で形成された基板である。
2は金属硼化物と金属又はSiあるいはGeとから
なる本発明に係る薄膜発熱抵抗体である。3は該
薄膜発熱抵抗体に電力を供給するための電気導体
で、アルミニユウム、金等の電気良導体で、形成
されている。又4は薄膜発熱抵抗体及び電気導体
の保護層で、例えば電子ビーム蒸着、スパツター
等によつて作製した酸化シリコン、酸化マグネシ
ウム、酸化アルミニウム、酸化タンタルあるいは
これらを組合せた多層構成が用いられ、これによ
つてサーマルヘツドの寿命を一層長くすることが
できる。 本発明の発熱抵抗体の製造はスパツタリング、
高速スパツタリング、電子ビーム蒸着あるいは電
子ビーム蒸着と抵抗加熱の組合せでも可能であ
る。 スパツタリングによつて製造する場合は、金属
硼化物と金属又はSiあるいはGeとを含むホツト
プレスしたターゲツトをスパツタリングする方
法、金属硼化物と金属又はSiあるいはGeとの混
合粉末をスパツタリングする方法、あるいは金属
硼化物ターゲツト上を金属又はSiあるいはGeを
必要な面積をおおつたものをスパツタリングする
方法等がある。 いずれの場合にも1×10-3Torr〜5×
10-1Torrのアルゴン雰囲気中で行うのがよく、
好ましくは、1×10-2Torr〜1×10-1Torr〜が
良い。またスパツタリング中に於いて200℃〜500
℃の基板加熱を行うことによつて基板に対する発
熱抵抗体部の密着性が向上し、経時的安定性に効
果がある。 一方電子ビーム蒸着で製造する場合には、金属
硼化物と金属の粉末の混合物を約100Kg/cm2の圧
力でプレスしたタブレツトを作り、1×
10-4Torr以上の高真空で基板上に蒸着させる方
法がある。また電子ビーム法又は電子ビーム法と
抵抗加熱蒸着法の組合せで蒸発源を2つ以上もう
け、金属硼化物及び金属又はSiあるいはGeの蒸
着速度をコントロールし、所定の割合の蒸着物を
作る方法でも良い。 次に実施例にもとづいて説明する。 (実施例 1) 金属硼化物粉末90(mol%)及びモリブデン粉
末(mol%)の混合物を約1100℃でホツトプレス
したターゲツトを用い、充分に洗浄されたガラス
厚50μmのグレーズドアルミナ基板を200℃に基
板加熱し、アルゴン圧力2×10-2Torr、雰囲気
中で高周波スパツタリング行ない1000Åの膜厚の
金属硼化物とモリブデンを含む表1に示す10種の
発熱抵抗体を作成した。 この上にチタン10Å、アルミニウム1μmを電
子ビーム蒸着で付け選択エツチングで4本/mmの
分解能をもつサーマルヘツドパターンを形成し
た。 さらにこの上に保護層として、酸化シリコン
(SiO2)を2μm、酸化タンタル(Ta2O5)を5μ
m連続的にスパツターで積層し、表1のNo.1−1
〜1−10の組成のターゲツトから作成した発熱抵
抗体を有するサーマルヘツドを作製した。 なお、No.1−1〜1−10のサーマルヘツド発熱
抵抗体はX線回折の結果、モリブデン及びターゲ
ツトに配合した金属硼化物が認められた。またイ
オンマイクロアナライザーで分析したところ、酸
素、窒素、炭素などがわずかに混入していた。 比較の為に、高周波2極の反応スパツタリング
によつてタンタルをターゲツトとし、アルゴンと
窒素の全圧力が8×10-2Torr、窒素分圧が1×
10-4Torrの条件で1000Åの厚さの窒化タンタル
薄膜発熱抵抗体を作り、さらに電子ビーム法で
Tiを10μm、Alを1μm蒸着後、エツチングに
より、4本/mmの分解能をもつサーマルヘツドパ
ターンを作つた。さらに保護膜として酸化シリコ
ン(SiO2)を2μm、酸化タンタル(Ta2O5)を5
μm連続的にスパツタで積層し、比較サーマルヘ
ツドAを作製した。 これらの本発明及び比較例サーマルヘツドに対
し繰返し周期20msでパルス巾0.6msの矩形パルス
で1発熱素子当り3.2ワツトの電力を印加し、印
加パルスに対する発熱抵抗体劣化試験を行なつ
た。100万パルス印加後の結果を表1に示した。 窒化タンタルを発熱抵抗体としたサーマルヘツ
ドAでは、100万回の印加パルス数で15%の抵抗
値増加があつた。一方金属硼化物とモリブデンを
含んだサーマルヘツドでは100万回で抵抗値増加
は小さかつた。また1000万回印加後の抵抗値増加
はいずれも10%以下であつた。従つて従来の窒化
タンタル発熱抵抗体に比して10倍以上の耐久性が
あつた。 (実施例 2) 硼化ジルコニウム(ZrB2)と金属を含む表2に
示した8種のホツトプレスしたターゲツトを用
い、実施例1と同様の製法で表2に示すNo.2−1
〜2−8のサーマルヘツドを作製した。 実施例1と同様の試験を行ない結果を表2に示
した。このように100万回のパルス印加後の抵抗
変化はいずれも少なかつた。又、これらはいずれ
も1千万回のパルスを印加したのちも抵抗変化は
+10%以下であつた。 (実施例 3) 金属硼化物を2種以上、金属又はSiあるいは
Geを1〜2種以上の表3に示したターゲツトを
作製し、実施例1と同様の製法で表3のNo.3−1
〜3−7のサーマルヘツドを作製し、実施例1と
同様の試験を行なつた結果を表3に示した。 (実施例 4) 金属硼化物及び金属又はSiあるいはGe粉末を
表4に示した割合で混合後、約100Kg/cm2の圧力
でプレスしたタブレツトを作り、これを電子ビー
ム蒸着法で5×10-5Torrの真空度で、充分洗浄
した50μmのガラス層をもつグレーズドアルミナ
基板上に、基板加熱温度200℃に保ちながら1000
Åの厚さに蒸着した。 これに実施例1と同様の製法でサーマルヘツド
を作製し実施例1と同様の試験を行なつた結果を
表4に示した。100万回後の抵抗変化はいずれも
小さかつた。又、これらは1千万回のパルス印加
後も抵抗変化は10%以下であつた。 (実施例 5) 実施例1のNo.1−3のサーマルヘツドで保護層
のみを変え、保護層として下記の酸化物が一層で
あるサーマルヘツドを作製した。保護層は酸化シ
リコン(SiO2)、酸化タンタル(Ta2O5)、酸化ア
ルミニウム(Al2O3)、酸化マグネシウム
(MgO)を電子ビーム蒸着法で7μm付着させ
た。 これらのサーマルヘツドに対して実施例1と同
様な試験を行なつたが、抵抗変化率は100万パル
ス後、いずれも2%以下であつた。 (実施例 6) 表1のNo.1−2、表2のNo.2−2、表3のNo.3
−1、表4のNo.4−3のサーマルヘツドを繰返し
周期20ms、印加電圧パルス巾0.6ms、1発熱素子
当り3.2ワツトの電力を印加しながら、感熱紙
(商品名:TP−50KH,十条製紙製)に対し押し
つけ圧力800g/cm2で連続的に印字しながら、耐
久試験を行なつた。1億回の印字後いずれも抵抗
変化は+10%以下であり、保護層のはがれも発生
せず、実用的に十分満足できる結果を得た。 なお1発熱素子当りの印加電力3.2Wで感熱紙
(TP−50KH)に対し実用的な印字濃度が得られ
た。
【表】
〓
〓R 〓テスト後の発熱抵抗体〓抵抗値
〓R 〓テスト後の発熱抵抗体〓抵抗値
【表】
【表】
第1図は本発明に係るサーマルヘツドの形状例
の要部断面図。 1……基板、2……薄膜発熱抵抗体、3……電
気導体、4……保護層。
の要部断面図。 1……基板、2……薄膜発熱抵抗体、3……電
気導体、4……保護層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 基板と、該基板上に形成された発熱抵抗体
と、該発熱抵抗体に電力を供給する電気導体とを
有するサーマルヘツドにおいて、前記発熱抵抗体
がMo,Ti,Ta,Co,Pt,Ag,La,Zr,Cr,
W,Mn,Au,Pd,Nbから選ばれた金属または
SiあるいはGeと、Zr,Hf,Ti,La,Mo,W,
Ta,Cr,V,Nb,から選ばれた金属の金属硼化
物とを含有することを特徴とするサーマルヘツ
ド。 2 金属硼化物を2種類以上含有する特許請求の
範囲第1項記載のサーマルヘツド。 3 発熱抵抗体が酸化シリコン薄膜で覆われてい
る特許請求の範囲第1項記載のサーマルヘツド。 4 酸化タンタルの保護層を有する特許請求の範
囲第1項記載のサーマルヘツド。 5 酸化アルミニウムの保護層を有する特許請求
の範囲第1項記載のサーマルヘツド。 6 酸化マグネシウム保護層を有する特許請求の
範囲第1項記載のサーマルヘツド。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP103478A JPS5494343A (en) | 1978-01-09 | 1978-01-09 | Thermal head |
US05/906,359 US4296309A (en) | 1977-05-19 | 1978-05-15 | Thermal head |
US06/552,013 US4545881A (en) | 1977-05-19 | 1983-11-16 | Method for producing electro-thermal transducer |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP103478A JPS5494343A (en) | 1978-01-09 | 1978-01-09 | Thermal head |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5494343A JPS5494343A (en) | 1979-07-26 |
JPS6145543B2 true JPS6145543B2 (ja) | 1986-10-08 |
Family
ID=11490273
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP103478A Granted JPS5494343A (en) | 1977-05-19 | 1978-01-09 | Thermal head |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5494343A (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0551521B1 (en) * | 1991-08-02 | 1998-11-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Base for ink jet head, ink jet head using said base, and ink jet device equipped with said head |
JP4500988B2 (ja) * | 2003-02-28 | 2010-07-14 | 国立大学法人 名古屋工業大学 | 低磁気抵抗遷移金属クラスター集合体及びその製造方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS52109947A (en) * | 1976-03-11 | 1977-09-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Thermal head and its preparation |
-
1978
- 1978-01-09 JP JP103478A patent/JPS5494343A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS52109947A (en) * | 1976-03-11 | 1977-09-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Thermal head and its preparation |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5494343A (en) | 1979-07-26 |
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