JPS62202753A - 薄膜型サ−マルヘツド - Google Patents
薄膜型サ−マルヘツドInfo
- Publication number
- JPS62202753A JPS62202753A JP4425186A JP4425186A JPS62202753A JP S62202753 A JPS62202753 A JP S62202753A JP 4425186 A JP4425186 A JP 4425186A JP 4425186 A JP4425186 A JP 4425186A JP S62202753 A JPS62202753 A JP S62202753A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thermal head
- resistance
- thin film
- heating resistor
- heat
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 18
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 45
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 24
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 19
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims abstract description 15
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 7
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 6
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 abstract description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910018516 Al—O Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910018514 Al—O—N Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910018557 Si O Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract 1
- 239000002075 main ingredient Substances 0.000 abstract 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Inorganic materials [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 3
- 229910004479 Ta2N Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 101710162453 Replication factor A Proteins 0.000 description 1
- 102100035729 Replication protein A 70 kDa DNA-binding subunit Human genes 0.000 description 1
- -1 Ta5i02 Chemical class 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/315—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material
- B41J2/32—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material using thermal heads
- B41J2/335—Structure of thermal heads
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［技術分野］
本発明は薄膜型サーマルヘッドに関し、特に改良された
薄膜発熱抵抗体を有する薄膜型サーマルヘッドに関する
。
薄膜発熱抵抗体を有する薄膜型サーマルヘッドに関する
。
［従来技術とその問題点］
薄膜発熱抵抗体を用いる薄膜型サーマルヘッドはコンピ
ュータ、ワードプロセッサ、ファクシミリ等における印
字ヘッドとして広く用いられている。サーマルヘッドは
抵抗発熱体のドツトを多数配列し、それらを選択的に通
電することにより所望のパターンないし文字の形に発熱
させ、印字リボンの色材を用紙面へ熱転写させるように
なっている。抵抗発熱体には種々のものが知られ、或い
は使用されているが、良く用いられる材料としてはＮｉ
−Ｃｒ 、丁ａ２Ｎ 、丁ａ−３ｉ０２、Ｃｒ−３ｉ等
がある。
ュータ、ワードプロセッサ、ファクシミリ等における印
字ヘッドとして広く用いられている。サーマルヘッドは
抵抗発熱体のドツトを多数配列し、それらを選択的に通
電することにより所望のパターンないし文字の形に発熱
させ、印字リボンの色材を用紙面へ熱転写させるように
なっている。抵抗発熱体には種々のものが知られ、或い
は使用されているが、良く用いられる材料としてはＮｉ
−Ｃｒ 、丁ａ２Ｎ 、丁ａ−３ｉ０２、Ｃｒ−３ｉ等
がある。
これらはサーマルヘッド用抵抗発熱体としてすぐれた特
性を有するが、種々の欠点も有する。合金等の金属系の
発熱抵抗体は耐熱性及び耐酸化性に劣り、印字に必要な
エネルギーを繰返し印加した場合、発熱によって発熱抵
抗体に酸化現象が発生し、抵抗値の増大を招き、印字特
性の低下を招く。
性を有するが、種々の欠点も有する。合金等の金属系の
発熱抵抗体は耐熱性及び耐酸化性に劣り、印字に必要な
エネルギーを繰返し印加した場合、発熱によって発熱抵
抗体に酸化現象が発生し、抵抗値の増大を招き、印字特
性の低下を招く。
また、これらの金属系の発熱抵抗体は繰返し通電による
熱パルスにより急激な熱サイクル下に置かれたとき大き
く熱膨張・収縮し、下地基板と表面耐摩耗性保護膜との
間に大きい応力を生じてクラックの原因となる。一方、
Ｔａ５ｉ０２等の酸化物や窒化物等の場合には、熱伝導
率が小さいため発熱体内での均熱性に欠け、印字品質を
低下させた。
熱パルスにより急激な熱サイクル下に置かれたとき大き
く熱膨張・収縮し、下地基板と表面耐摩耗性保護膜との
間に大きい応力を生じてクラックの原因となる。一方、
Ｔａ５ｉ０２等の酸化物や窒化物等の場合には、熱伝導
率が小さいため発熱体内での均熱性に欠け、印字品質を
低下させた。
また、金属系の発熱抵抗体は固有抵抗率が小さく、また
上記の化合物系の発熱抵抗体でも固有抵抗が小さく（Ｔ
ａ２Ｎで２００〜３００μΩｃｍ、 Ｔａ−３ｉ０２で
も約２０００μΩｃｍ）、サーマルヘッドに必要な面積
抵抗’ｌ／１０／口前後を得ようとすると、数十への薄
膜の発熱抵抗体を実現しなければなら〜ず、安定して製
造することが困難である。典型的な製法はスパッタリン
グ、イオンブレーティング、ＣＶＤ法などの周知の半導
体プロセス技術であるが、膜厚が１０００人程度ないと
工程制御が困難である。また、これらの発熱体材料の抵
抗温度係数は成分比に対して比較的不感であり、所望値
に制御することが困難である。さらに、金属系では発熱
体と電力供給電極との間に反応が生じ、発熱抵抗体の抵
抗値変動や断線等の不良の発生の原因となる。
上記の化合物系の発熱抵抗体でも固有抵抗が小さく（Ｔ
ａ２Ｎで２００〜３００μΩｃｍ、 Ｔａ−３ｉ０２で
も約２０００μΩｃｍ）、サーマルヘッドに必要な面積
抵抗’ｌ／１０／口前後を得ようとすると、数十への薄
膜の発熱抵抗体を実現しなければなら〜ず、安定して製
造することが困難である。典型的な製法はスパッタリン
グ、イオンブレーティング、ＣＶＤ法などの周知の半導
体プロセス技術であるが、膜厚が１０００人程度ないと
工程制御が困難である。また、これらの発熱体材料の抵
抗温度係数は成分比に対して比較的不感であり、所望値
に制御することが困難である。さらに、金属系では発熱
体と電力供給電極との間に反応が生じ、発熱抵抗体の抵
抗値変動や断線等の不良の発生の原因となる。
［発明の目的］
従って、本発明の目的は、耐熱性が高く、寿命が長く、
固有抵抗率が大きく、しかも温度係数が調整可能な薄膜
発熱抵抗体を用いた薄膜型サーマルヘッドを提供するこ
とにある。
固有抵抗率が大きく、しかも温度係数が調整可能な薄膜
発熱抵抗体を用いた薄膜型サーマルヘッドを提供するこ
とにある。
［発明の概要］
本発明は、薄膜発熱抵抗体として、高融点金属と、アル
ミニウムと、酸素と、窒素とを主成分として含有させた
ことを特徴とする。すなわち、Ｈ−ＡＮ−０−Ｎ系発熱
抵抗体である。ここにＨは高融点金属でＴｉ、Ｍｏ、ｗ
１）Ｉｆ、 Ｎｉ１Ｖ 、 Ｚｒ、 Ｌａ、 Ｔａ、
Ｆｅ。
ミニウムと、酸素と、窒素とを主成分として含有させた
ことを特徴とする。すなわち、Ｈ−ＡＮ−０−Ｎ系発熱
抵抗体である。ここにＨは高融点金属でＴｉ、Ｍｏ、ｗ
１）Ｉｆ、 Ｎｉ１Ｖ 、 Ｚｒ、 Ｌａ、 Ｔａ、
Ｆｅ。
Ｃｏ及びＣｒより選ばれた少なくとも１種である。
高融点金属の存在により発熱体の抵抗率は繰返し熱パル
スによっても長期に変化せず、安定したサーマルヘッド
が得られる。また金属系の場合とちがい、酸−窒化物で
あるため熱膨張・収縮が小さく、上下層との熱膨張係数
の差による大きい内部応力の発生、ひいてはクラックの
発生がない。
スによっても長期に変化せず、安定したサーマルヘッド
が得られる。また金属系の場合とちがい、酸−窒化物で
あるため熱膨張・収縮が小さく、上下層との熱膨張係数
の差による大きい内部応力の発生、ひいてはクラックの
発生がない。
金属やＡ（１！Ｎ −ＩＶ！ ２０３の量比を増やせば
熱伝導性が良くなり均熱性が向上し、サーマルヘッドと
しての電力効率の向上が計られる。また、十分な酸素、
窒素の存在により経時酸化のおそれもなく特性が安定す
る。さらに、高融点金属の含有率に対して固有抵抗率及
び抵抗温度係数が大きく変化するので、その含有量を制
御することでサーマルヘッドの特性の制御範囲が広くな
り、例えば１０４μΩｃｍ抵抗温度係数±１１００１）
Ｄ／ ’Ｃのような発熱体抵抗の設計も容易になし得る
。このような高抵抗−率では、発熱体の薄膜は１０００
人前後が好適となり、成膜が容易となる。
熱伝導性が良くなり均熱性が向上し、サーマルヘッドと
しての電力効率の向上が計られる。また、十分な酸素、
窒素の存在により経時酸化のおそれもなく特性が安定す
る。さらに、高融点金属の含有率に対して固有抵抗率及
び抵抗温度係数が大きく変化するので、その含有量を制
御することでサーマルヘッドの特性の制御範囲が広くな
り、例えば１０４μΩｃｍ抵抗温度係数±１１００１）
Ｄ／ ’Ｃのような発熱体抵抗の設計も容易になし得る
。このような高抵抗−率では、発熱体の薄膜は１０００
人前後が好適となり、成膜が容易となる。
［発明の詳細な説明］
本発明の薄膜型サーマルヘッドの構成の概要は第１図に
示されている。図中１はグレーズドセラミック基板であ
り、その表面にグレーズ層２が形成される。グレーズ層
２は磁器のうわぐすりに相当する酸化物であり、硅素及
びアルミニウムの酸化物を含み、またより好ましくはさ
らに発熱抵抗体層に用いられる高融点金属と同じものを
含む。
示されている。図中１はグレーズドセラミック基板であ
り、その表面にグレーズ層２が形成される。グレーズ層
２は磁器のうわぐすりに相当する酸化物であり、硅素及
びアルミニウムの酸化物を含み、またより好ましくはさ
らに発熱抵抗体層に用いられる高融点金属と同じものを
含む。
グレーズ層２の上には例えば公知のスパッタ法により本
発明の薄膜抵抗発熱体３が成膜され、さらに電力供給用
電極（Ｎｉ、 Ｃｒ、 Ａｌ等、特に八ｌ）４が蒸着
またはスパッタなどで成膜され、最後に公知の耐摩耗性
保護膜（例えばＡＮ −０系、Ａｌ−〇−Ｎ系、Ａｌ−
５ｒ−ｏ系等）６がスパッタ法等で成膜される。
発明の薄膜抵抗発熱体３が成膜され、さらに電力供給用
電極（Ｎｉ、 Ｃｒ、 Ａｌ等、特に八ｌ）４が蒸着
またはスパッタなどで成膜され、最後に公知の耐摩耗性
保護膜（例えばＡＮ −０系、Ａｌ−〇−Ｎ系、Ａｌ−
５ｒ−ｏ系等）６がスパッタ法等で成膜される。
発熱抵抗体３は本発明に従って、硅素とアルミニウムと
高融点金属Ｍ（Ｔｉ、 ）ｌｏｌＷ 、１−１ｆ、 Ｎ
ｉ１Ｖ １Ｚｒ、 Ｌａ、 Ｃｒ、 Ｔａ、 Ｆｅ、
Ｃｏの少なくとも１種）とを含む酸化窒化物（Ａｌ２２
０３． Ａ６Ｎ ）である。
高融点金属Ｍ（Ｔｉ、 ）ｌｏｌＷ 、１−１ｆ、 Ｎ
ｉ１Ｖ １Ｚｒ、 Ｌａ、 Ｃｒ、 Ｔａ、 Ｆｅ、
Ｃｏの少なくとも１種）とを含む酸化窒化物（Ａｌ２２
０３． Ａ６Ｎ ）である。
この高融点金属は種類によって作用上のちがいがあるが
、しかし単独またはどの組合せを用いても発熱抵抗体の
抵抗率１０７〜１０２μΩｃｍ及び−１５００〜＋５０
０ｐｐｍ１０℃の範囲で大きく変動する。従って特定の
高融点金属以外の成分の構成比率を選択することにより
、所望の抵抗率に於いて所望の温度係数の発熱体を設計
しうる。例えば抵抗率１０４μΩｃｍのものを選択すれ
ば膜厚は１０００Å以上となしうる。一般に高融点金属
は２０〜６０ｗｔ％の範囲で選択しうる。この点につい
ては実施例により具体的に示す。
、しかし単独またはどの組合せを用いても発熱抵抗体の
抵抗率１０７〜１０２μΩｃｍ及び−１５００〜＋５０
０ｐｐｍ１０℃の範囲で大きく変動する。従って特定の
高融点金属以外の成分の構成比率を選択することにより
、所望の抵抗率に於いて所望の温度係数の発熱体を設計
しうる。例えば抵抗率１０４μΩｃｍのものを選択すれ
ば膜厚は１０００Å以上となしうる。一般に高融点金属
は２０〜６０ｗｔ％の範囲で選択しうる。この点につい
ては実施例により具体的に示す。
ＡＩ！は耐熱性、耐酸性の窒化物及び酸化物を形成しう
るちのであり、それらの比率を変えることにより耐熱性
を保ちながら抵抗率を変えることができる。例えばＡで
。、２６ ０．２９ ０．２２は抵抗Ｎ 率＞＞１０７μΩｃｍ、温度係数 ＜−ｉｓｏｏｐｐｍ
／℃であるが、高融点金属Ｍの含有率が１０ｗｔ％以上
で１０７μΩｃｍ以下、−１００ｐｌ）ｍ／ ’Ｃ以上
を得ルコトカできる。
るちのであり、それらの比率を変えることにより耐熱性
を保ちながら抵抗率を変えることができる。例えばＡで
。、２６ ０．２９ ０．２２は抵抗Ｎ 率＞＞１０７μΩｃｍ、温度係数 ＜−ｉｓｏｏｐｐｍ
／℃であるが、高融点金属Ｍの含有率が１０ｗｔ％以上
で１０７μΩｃｍ以下、−１００ｐｌ）ｍ／ ’Ｃ以上
を得ルコトカできる。
Ｈ，Ａｌ、０、Ｎのうち少なくとも２種を含有する耐摩
耗保護層６を選択すれば、本発明の発熱抵抗体は耐摩耗
保護層に良くなじみ、また熱膨張係数の差が少なくなり
好ましい。さらに、電極４゜５としてＡＩを用いれば、
同様に電極と発熱抵抗体とのなじみが良くなり好ましい
。
耗保護層６を選択すれば、本発明の発熱抵抗体は耐摩耗
保護層に良くなじみ、また熱膨張係数の差が少なくなり
好ましい。さらに、電極４゜５としてＡＩを用いれば、
同様に電極と発熱抵抗体とのなじみが良くなり好ましい
。
本発明の発熱抵抗体は特にスパッタ法で製造することが
できる。例えば所望の組成比を有する固形物粉末を予め
製造し、それを圧縮成形してペレット化し、これをター
ゲットとしてＡｒをスパッタガスとして用い、その他必
要に応じて０２、Ｎ２ガス等を共存させ、Ａｒイオンを
ターゲットに衝撃させ、放出されたイオンないし原子を
基板上に付着させる。膜組成はペレツ１〜の組成及びス
パッタ条件を変えることにより調整しうる。
できる。例えば所望の組成比を有する固形物粉末を予め
製造し、それを圧縮成形してペレット化し、これをター
ゲットとしてＡｒをスパッタガスとして用い、その他必
要に応じて０２、Ｎ２ガス等を共存させ、Ａｒイオンを
ターゲットに衝撃させ、放出されたイオンないし原子を
基板上に付着させる。膜組成はペレツ１〜の組成及びス
パッタ条件を変えることにより調整しうる。
Ｘ圧貝
組成ＨＯＡｅＯ，２６０，２９ＮＯ，２２のペレットＯ
をターゲットとして１〜６ｍＴｏｒｒのＡｒをスパッタ
ガスとして用い、ターゲット−基板距離６０ｓ、 ＲＦ
電力１〜１０Ｗ／ｃｍ−基板温度２００〜４００°Ｃの
条件を調整して、上記組成の発熱抵抗体を製作し、さら
に八で電極、保護膜を順に成膜してサーマルヘッドを作
成した。なお、基板表面層及び保護層には Ａｆｉ及
びＳｉの他にＭＯを少量含有させた。得られたサーマル
ヘッドに対して、次ぎのテストを行った。
ガスとして用い、ターゲット−基板距離６０ｓ、 ＲＦ
電力１〜１０Ｗ／ｃｍ−基板温度２００〜４００°Ｃの
条件を調整して、上記組成の発熱抵抗体を製作し、さら
に八で電極、保護膜を順に成膜してサーマルヘッドを作
成した。なお、基板表面層及び保護層には Ａｆｉ及
びＳｉの他にＭＯを少量含有させた。得られたサーマル
ヘッドに対して、次ぎのテストを行った。
Ｘ＝ ０．２３のサンプルに対してパルス幅０．３ｍ秒
、周期２ｍ秒の熱パルスを加えたときの抵抗値変化率を
第２図に示した。またＮｏの含有率による抵抗率及び抵
抗温度係数を第３図に示した。なお対照サンプルとして
従来のＴａ２Ｎ発熱抵抗体Ａと、Ｚｒ−８ｉ発熱抵抗体
Ｃに対する耐熱パルステストの結果を第２図に併記した
。第２図のＢは本発明による発熱抵抗体を用いたサーマ
ルヘッドを示す。
、周期２ｍ秒の熱パルスを加えたときの抵抗値変化率を
第２図に示した。またＮｏの含有率による抵抗率及び抵
抗温度係数を第３図に示した。なお対照サンプルとして
従来のＴａ２Ｎ発熱抵抗体Ａと、Ｚｒ−８ｉ発熱抵抗体
Ｃに対する耐熱パルステストの結果を第２図に併記した
。第２図のＢは本発明による発熱抵抗体を用いたサーマ
ルヘッドを示す。
［作用効果］
第２図から分るように、本発明の）ＩＯ−ＡＩ２−０−
Ｎ未発熱抵抗体Ｂを用いたサーマルヘッドは熱パルスを
多数加えても抵抗値が変らず、耐熱性が良い。
Ｎ未発熱抵抗体Ｂを用いたサーマルヘッドは熱パルスを
多数加えても抵抗値が変らず、耐熱性が良い。
従来の発熱抵抗体Ａ（Ｔａ２Ｎ）やＣ（Ｚｒ−３ｉ）で
は成る一定数の熱パルスを越えると抵抗の変化が大きく
なる。
は成る一定数の熱パルスを越えると抵抗の変化が大きく
なる。
第３図から分るように、本発明の発熱抵抗体は高融点金
属の含有量に応じてその抵抗率及び抵抗温度係数が大き
く変動する。従って高融点金属の含有率を調整すること
によってこれらの値を所望の値に設計することができる
。
属の含有量に応じてその抵抗率及び抵抗温度係数が大き
く変動する。従って高融点金属の含有率を調整すること
によってこれらの値を所望の値に設計することができる
。
発熱体中にＡＮを含むために耐熱性の向上には発熱体面
内の温度分布の均一化、及び熱膨張係数の減少によるも
のと思われる。またＡＩ電極を用いてもそれが発熱体中
へ拡散するおそれがなく、従って安価なＡρ電極を給電
用に用いることができる。また、耐摩耗保護膜に）ｆｏ
、Ａｌ、Ｎを含有した材料を用いれば、相互間のなじみ
が良くなって密着性が向上し、熱衝撃等に強くなり、ク
ラック・剥離等の発生が抑制される。また、本発明の発
熱抵抗体は耐薬品性に優れ、アルカリや湿気の影響を受
は難い。
内の温度分布の均一化、及び熱膨張係数の減少によるも
のと思われる。またＡＩ電極を用いてもそれが発熱体中
へ拡散するおそれがなく、従って安価なＡρ電極を給電
用に用いることができる。また、耐摩耗保護膜に）ｆｏ
、Ａｌ、Ｎを含有した材料を用いれば、相互間のなじみ
が良くなって密着性が向上し、熱衝撃等に強くなり、ク
ラック・剥離等の発生が抑制される。また、本発明の発
熱抵抗体は耐薬品性に優れ、アルカリや湿気の影響を受
は難い。
第１図はサーマルヘッドの構造を示す断面図、第２図は
本発明の発熱抵抗体を用いたサーマルヘッド及び従来例
の耐熱テストを示すグラフ、及び第３図は本発明のサー
マルヘッドにおいて発熱抵抗体中に含有される高融点金
属と抵抗率及び抵抗温度係数との関係を示すグラフであ
る。 ・、″“下］ 代理人の氏名 倉 内 基 Ｋ ；、；掛、＝ｊギ憾州
招ざ￥ａ
本発明の発熱抵抗体を用いたサーマルヘッド及び従来例
の耐熱テストを示すグラフ、及び第３図は本発明のサー
マルヘッドにおいて発熱抵抗体中に含有される高融点金
属と抵抗率及び抵抗温度係数との関係を示すグラフであ
る。 ・、″“下］ 代理人の氏名 倉 内 基 Ｋ ；、；掛、＝ｊギ憾州
招ざ￥ａ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、熱絶縁層を有する下地基板に、高融点金属とアルミ
ニウムと酸素と窒素とを主成分とする発熱抵抗体薄膜を
設け、その表面に耐摩耗性保護膜を形成し、さらに前記
抵抗体に電力供給用電極を接続した、薄膜型サーマルヘ
ッド。 ２、高融点金属がＴｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｈｆ、Ｎｉ、Ｖ、Ｚ
ｒ、Ｌａ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｆｅ、Ｃｏよりなる群から選ば
れる前記第１項記載のサーマルヘッド。 ３、耐摩耗性保護膜がＯとＮとアルミニウムと、高融点
金属のうち少なくとも２種の元素を含んでいる前記第１
項記載のサーマルヘッド。 ４、電力供給用電極がＡｌ単層である前記第１項ないし
第３項のいずれかに記載のサーマルヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4425186A JPS62202753A (ja) | 1986-03-03 | 1986-03-03 | 薄膜型サ−マルヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4425186A JPS62202753A (ja) | 1986-03-03 | 1986-03-03 | 薄膜型サ−マルヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62202753A true JPS62202753A (ja) | 1987-09-07 |
Family
ID=12686307
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4425186A Pending JPS62202753A (ja) | 1986-03-03 | 1986-03-03 | 薄膜型サ−マルヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62202753A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1072417A1 (en) * | 1999-07-29 | 2001-01-31 | Hewlett-Packard Company | Printhead containing an oxynitride-based resistor system |
| US8100511B2 (en) | 2008-06-17 | 2012-01-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Heater of an inkjet printhead and method of manufacturing the heater |
| US20130286137A1 (en) * | 2010-12-25 | 2013-10-31 | Kyocera Corporation | Thermal head and thermal printer including the same |
-
1986
- 1986-03-03 JP JP4425186A patent/JPS62202753A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1072417A1 (en) * | 1999-07-29 | 2001-01-31 | Hewlett-Packard Company | Printhead containing an oxynitride-based resistor system |
| US6299294B1 (en) | 1999-07-29 | 2001-10-09 | Hewlett-Packard Company | High efficiency printhead containing a novel oxynitride-based resistor system |
| US8100511B2 (en) | 2008-06-17 | 2012-01-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Heater of an inkjet printhead and method of manufacturing the heater |
| US20130286137A1 (en) * | 2010-12-25 | 2013-10-31 | Kyocera Corporation | Thermal head and thermal printer including the same |
| US8810618B2 (en) * | 2010-12-25 | 2014-08-19 | Kyocera Corporation | Thermal head and thermal printer including the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4168343A (en) | Thermal printing head | |
| JPS56130374A (en) | Thermal head | |
| JPH07132628A (ja) | サーマルヘッドおよびその製造方法 | |
| US4690872A (en) | Ceramic heater | |
| JPS62202753A (ja) | 薄膜型サ−マルヘツド | |
| JPH0312551B2 (ja) | ||
| JP2870692B2 (ja) | 薄膜型サーマルヘッド | |
| JPS62201264A (ja) | 薄膜型サ−マルヘツド | |
| JPS62202754A (ja) | 薄膜型サ−マルヘツド | |
| JPS62202756A (ja) | 薄膜型サ−マルヘツド | |
| JPS62201266A (ja) | 薄膜型サ−マルヘツド | |
| JPS62201265A (ja) | 薄膜型サ−マルヘツド | |
| JPS62201263A (ja) | 薄膜型サ−マルヘツド | |
| JPS62202755A (ja) | 薄膜型サ−マルヘツド | |
| JP2008007810A (ja) | スパッタリングターゲット | |
| JPS62201262A (ja) | 薄膜型サ−マルヘツド | |
| JPH0712689B2 (ja) | サ−マルヘツド | |
| JPH06227015A (ja) | サーマルヘッド用耐摩耗性保護膜およびその製造方法 | |
| JPS623968A (ja) | 耐摩耗性薄膜サ−マルヘツド | |
| JP2990719B2 (ja) | サーマルヘッド | |
| JPH0583378B2 (ja) | ||
| JPS6367319B2 (ja) | ||
| JPS63135260A (ja) | サ−マルヘツド | |
| JPH0461201A (ja) | 薄膜抵抗体 | |
| JPS6156111B2 (ja) |