JP2008007810A - スパッタリングターゲット - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 スパッタリング法により抵抗薄膜を成膜するに際して、20質量%以上、60質量%以下のTaと、8質量%を超え、15質量%以下のAlを含み、残部はCrおよびNiからなり、Niに対するCrの質量比Cr/Niが0.5〜1.2であるスパッタリングターゲットを用いる。
【選択図】 図1
Description
表1に示した組成となるように配合した原料(電気ニッケル、電解クロム、アルミニウムショット、タンタル板)を真空溶解炉でArガス中、1500℃の条件で溶解し、約2kgのインゴットを作製した。得られたインゴットに均質化処理を施した後、ワイヤーカットで厚さ5mm、直径150mmの丸板を切り出し、上下面を研削してスパッタリングターゲットとした。
表1に示した組成となるように、構成元素および配合割合を変えたスパッタリングターゲットを用いたこと以外は、実施例1と同様にして、それぞれの薄膜抵抗器を得た。
2 抵抗薄膜
3 Au電極
4 液滴
5 低電圧電源
Claims (1)
- 20質量%以上、60質量%以下のTaと、8質量%を超え、15質量%以下のAlを含み、残部はCrおよびNiからなり、Niに対するCrの質量比Cr/Niが0.5〜1.2であるスパッタリングターゲット。
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CN109763100A (zh) * | 2019-01-25 | 2019-05-17 | 西安交通大学苏州研究院 | 薄膜压力传感器中的敏感薄膜及其制作方法和应用 |
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