JP6675050B1 - サーミスタ焼結体および温度センサ素子 - Google Patents
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Abstract
Description
B=(lnRm−lnRn)/(1/Tm−1/Tn)
Rm:温度Tmにおける抵抗値 Rn:温度Tnにおける抵抗値
また、例えば特許文献1に開示されるように、広い温度範囲にわたって温度検知するうえで、熱履歴等による抵抗値変化が小さいことも要求される。
このようにB定数と抵抗値Rは、検知温度範囲、さらには検知対象物、検知場所によって求められる数値が異なるため、調整が必要である。
しかしながら、より広い検知温度範囲を対象とする場合には、B定数を低くする過程で抵抗値Rも大きく低下する。そのため、絶縁材料の添加量が必然的に増え、B定数/抵抗値Rの安定した調整が困難となる。
また、本発明のサーミスタ焼結体において、好ましくは、副相がYCrO3相であり、酸素を除くCr,Mn,Ca,PrおよびYの化学組成が、Cr:3〜15モル%、Mn:7〜12モル%、Ca:2〜8モル%、Pr:0.5〜30モル%、残部が不可避不純物およびYからなる。
これらの本発明のサーミスタ焼結体において、好ましくは、B定数の標準偏差が5[k]以下であり、かつ比抵抗の標準偏差が100[kΩ・mm]以上とされる。
図1(a)に示すように、本実施形態に係るサーミスタ焼結体は、Y2O3相と、Y(Cr,Mn)O3相と、を備える複合組織からなる酸化物焼結体である。
Y2O3相は電気的な絶縁体としての性質を有し、サーミスタ焼結体の抵抗値に影響を与える。また、Y(Cr,Mn)O3相は半導体としての性質を有し、サーミスタ焼結体のB定数に影響を与える。ここではY(Cr,Mn)O3相について説明するが、これはY(Cr/Mn)O3の一形態にすぎない。本発明は、YCrO3相をY(Cr,Mn)O3相の代替として用いることができる。
本実施形態に係るサーミスタ焼結体は、典型的には海島構造(sea-island structure)をなし、主相をなすY2O3相に副相をなすY(Cr,Mn)O3相が分散した複合組織をなす。サーミスタ焼結体は、好ましくはY2O3相が60〜90体積%であり、より好ましくは65〜75体積%である。
本実施形態に係るサーミスタ焼結体が海島構造をなす場合には、粒界が明確に特定できないこともあるが、Y2O3相は概ね0.5〜30μmの平均粒径(d50)を有し、Y(Cr,Mn)O3相は概ね1.0〜10μmの平均粒径を有している。
結果を図1(b)に示すが、Y(Cr,Mn)O3相にCaが固溶していることが確認された。Y(Cr,Mn)O3相にCaが固溶することで、Y(Cr,Mn)O3相のB定数を低くするのに寄与するものと解される。また、図1(b)に示すように、PrもY(Cr,Mn)O3相に固溶することで、Y(Cr,Mn)O3相の抵抗値を高くするのに寄与するものと解される。
本発明において、Y(Cr,Mn)O3相またはYCrO3相が副層をなす場合には、Pr量の増量に伴う比抵抗ρの上昇量に対してB定数の変動を小さく抑えることができる。
Y(Cr,Mn)O3相が副層をなす場合の好ましいMnの範囲は7〜12モル%であり、より好ましくは8〜11モル%である。
YCrO3相が副層をなす場合の好ましいCrの範囲は10〜20モル%、より好ましいCrの範囲は16〜20モル%である。
ここで、B定数に与える影響を抑えるとは、Pr量の増量に対してB定数の変動が小さいことをいう。
次に、図2を参照してサーミスタ焼結体を製造する方法の一例を説明する。
本実施形態における製造方法は、図2に示すように、原料粉末の秤量、原料粉末の混合、原料粉末の乾燥、仮焼き、仮焼き後の混合・粉砕、乾燥・造粒、成形および焼結の工程を備える。以下、順に各工程を説明する。
本実施形態において、イットリウム酸化物(Y2O3)粉末、プラセオジム酸化物(Pr2O3)粉末、クロム酸化物(Cr2O3)粉末、マンガン酸化物(MnO,Mn2O3,Mn3O4等)粉末、CaCO3粉末を原料粉末とする。
以上の原料粉末を、上述した化学組成をなすように秤量する。
原料粉末は、高い特性のサーミスタ焼結体を得るために、98%以上、好ましくは99%以上、より好ましくは99.9%以上の純度を有する。
また、原料粉末の粒径は、仮焼が進行する限り限定されるものでないが、平均粒径(d50)で0.1〜6.0μmの範囲で選択することができる。
所定量だけ秤量されたY2O3粉末、Pr2O3粉末、Cr2O3粉末、Mn3O4粉末、CaCO3粉末を混合する。混合は、例えば、混合粉末に水を加えたスラリー状としてボールミルによって行うことができる。混合には、ボールミル以外の混合機を用いることもできる。
副相としてY(Cr,Mn)O3相を得る場合には原料としてCr2O3粉末およびMn3O4粉末の双方を用いる。また、副相としてYCrO3相を得る場合には原料としてMn3O4粉末を用いることなくCr2O3粉末を用いる。
混合後のスラリーをスプレードライヤ、その他の機器によって乾燥・造粒して、仮焼用の混合粉末とすることが好ましい。
乾燥後の仮焼用の混合粉末を仮焼きする。仮焼きすることにより、Y2O3粉末、Pr2O3粉末、Cr2O3粉末、Mn3O4粉末、CaCO3粉末から、Y2O3相とY(Cr,Mn)O3相の複合組織を有する仮焼結体を得る。
仮焼きは、仮焼用の混合粉末を例えば坩堝に投入し、大気中で800〜1300℃の温度範囲で保持することで行われる。仮焼きの温度が800℃未満では複合組織の生成が不十分であり、また、1300℃を超えると焼結密度の低下や抵抗値の安定性の低下を招く恐れがある。そこで仮焼の保持温度は、800〜1300℃の範囲とする。
仮焼きにおける保持時間は、保持温度に応じて適宜設定されるべきであるが、上記温度範囲であれば、0.5〜100時間程度の保持時間で仮焼の目的を達成できる。
仮焼後の粉末を混合および粉砕する。混合・粉砕は仮焼き前と同様に、水を加えてスラリー状とし、ボールミルを用いて行うことができる。
粉砕後の粉末は、スプレードライヤ、その他の機器によって乾燥・造粒することが好ましい。
仮焼後の造粒粉を所定の形状に成形する。
成形は、金型を用いたプレス成形のほかに、冷間静水圧プレス(CIP:Cold Isostatic Press)を用いることができる。
成形体の密度が高いほど、高い密度の焼結体を得るのが容易であるから、可能な限り成形体の密度を高くしたい。そのためには高い密度を得ることができるCIPを用いることが好ましい。
次に、得られた成形体を焼結する。
焼結は、大気中で1400〜1650℃の温度範囲で保持することで行われる。焼結の温度が1400℃未満では複合組織の生成が不十分であり、また、1650℃を超えると焼結体が融解したり焼結坩堝等との反応が生じたりする。焼結における保持時間は、保持温度に応じて適宜設定されるべきであるが、上記温度範囲であれば、0.5〜200時間程度の保持時間で緻密な焼結体を得ることができる。
で保持することにより行われる。
以上のようにして得られたサーミスタ焼結体が適用される温度センサ素子10の具体例を説明する。
温度センサ素子10は、図3(a)に示すように、素子本体11と、保護層16と、を備えている。
素子本体11は、抵抗値の変化を電圧変化として取り出すための検出回路とともに用いることによって、素子本体11が置かれている環境の温度を検出して電気信号からなる温度検出信号を生成させる。
保護層16は、素子本体11を封止して気密状態に保持することによって、環境条件に基づいて特にサーミスタ焼結体の化学的、物理的変化の発生を防止するとともに、機械的に保護する。
電極13A,13Bは、厚膜または薄膜として形成される。厚膜の電極13A,13Bは、白金粉末に有機バインダを混合して作製したペーストをサーミスタ焼結体の表裏両面に塗布し、乾燥した後に焼結して形成する。また、薄膜電極は、真空蒸着またはスパッタリングによって形成することができる。
電極13A,13Bが形成されたサーミスタ焼結体は、所定の寸法に加工される。
リード線15A,15Bは、一端側が接続電極14A,14Bを介して電極13A,13Bに電気的および機械的に接続される。リード線15A,15Bは、他端側がと外部の検出回路と接続される。リード線15A,15Bは、耐熱性を有する、例えば白金または白金とイリジウム(Ir)の合金からなる線材から構成される。
リード線15A,15Bのそれぞれの一端側に予め接続電極14A,14Bをなす白金粉末を含むペーストを塗布しておく。リード線15A,15Bのそれぞれの白金ペーストが塗布された側を電極13A,13Bに接触させた状態で白金ペーストを乾燥させ、その後、白金粉末を焼結する。
温度センサ素子20は、図4(a)に示すように、素子本体21と、保護層26と、を備えており、外観上は温度センサ素子10と類似する。素子本体21および保護層26は、それぞれ温度センサ素子10の素子本体11および保護層16と同様の機能を備えている。
次に、成形されたシートから所定寸法の大きさに打ち抜いて、焼結する。焼結の条件は前述の通りである。そして、焼結して得られたウエハを研磨して、図4(b)の中段に示すように所定厚さのサーミスタ焼結体からなるウエハ31を得る。その後、研磨済みのウエハ31(サーミスタ焼結体)の表裏両面に電極形成用のペーストを印刷によって塗布した後に焼結して、電極膜形成済ウエハ30を得る。ペーストに含まれる導電材料としては、白金(Pt)、その他の貴金属から選択される。焼結は、白金を選択した場合には、1300℃程度で行われる。その後に所定寸法になるように切断することによって、図4(b)の中段に示すように、膜状の電極23A,23Bが表裏に形成されたサーミスタチップ33が得られる。
次に、本発明のサーミスタ焼結体を実施例に基づいて説明する。
以下の平均粒径を有する原料粉末を用意し、上述した製造工程にしたがって、図5に示す種々の組成を有するサーミスタ焼結体を作製した。これらサーミスタ焼結体は、Y(Cr,Mn)O3相にCrとMnの双方が含まれている。この表中、No.1は、Y以外の希土類を含まない本実施例における基本組成を示し、No.2〜5がPrを含み、No.6〜9がYを含み、No.10〜13がLaを含み、No.14〜17がCeを含む試料である。
試料は仮焼きを1000℃×24時間、焼結を1500℃×24時間の条件とし、いずれも大気中で行った。
Y2O3粉末:0.1μm Pr2O3粉末:0.1μm La2O3粉末:0.1μm
CeO2粉末:0.1μm Cr2O3粉末:2.0μm Mn3O4粉末:5.0μm
CaCO3粉末:2.0μm
また、図6(a),(b)に示すように、Laを含むサーミスタ焼結体は、B定数の低下とともに比抵抗ρが低下し、Ceを含むサーミスタ焼結体は、B定数の上昇とともに比抵抗ρが上昇する。ここではLa,Ceを例示するが、B定数と比抵抗ρがともに変動する元素は他にも存在する。
次に、図7に示す種々の組成を有するサーミスタ焼結体を作製した。使用した原料粉末および製造工程は実施例1と同じである。図7において、グループAおよびグループBは、実施例1と同様に、Y(Cr,Mn)O3相を副相として含むサーミスタ焼結体であるが、Pr以外のベースとなる化学組成が実施例1と異なる。また、図7において、グループCはYCrO3相を副相として含むサーミスタ焼結体である。
また、図10に示すように、Prを含み、かつ、YCrO3相が副相をなすサーミスタ焼結体は、実施例1と同様に、Pr量の増量に伴う比抵抗ρの上昇量に対してB定数の変動が小さい。
Y2O3を用い、抵抗値の調整に実績のある半導体相のペロブスカイト化合物ABO3の形態では、Aサイト元素に、Mg、Ca,Sr、Ba、La,Ce、Nd、Pm、Sm、Yb、Lu等が挙げられ、Bサイト元素にはTi、V、Fe,Co、Ni、Cu、Al等が挙げられる。これらは本発明と同様にY2O3による抵抗値の調整がなされるもので、これらの化合物にも本発明を適用できる。
2 Y(Cr,Mn)O3相
10,20 温度センサ素子
11,21 素子本体
12 感熱体
13A,13B,23A,23B 電極
14A,14B,24A,24B 接続電極
15A,15B,25A,25B リード線
16,26 保護層
31 ウエハ
33 サーミスタチップ
Claims (6)
- 主相としてのY2O3相と、副相としてのY(Cr/Mn)O3相と、を備える焼結体からなり、
酸素を除くCr,Mn,Ca,PrおよびYの化学組成が、
Cr:20モル%以下およびMn:20モル%以下の1種または2種、Ca:1〜15モル%、Pr:0.5〜30モル%、残部が不可避不純物およびYからなる、
ことを特徴とするサーミスタ焼結体。
- 前記副相がY(Cr,Mn)O3相またはYCrO3相であり、
PrがY(Cr,Mn)O3相またはYCrO3相に固溶している、
請求項1に記載のサーミスタ焼結体。
- 前記副相がY(Cr,Mn)O3相であり、
酸素を除くCr,Mn,Ca,PrおよびYの化学組成が、
Cr:3〜15モル%、Mn:7〜12モル%、Ca:2〜7モル%、Pr:0.5〜15モル%、残部が不可避不純物およびYからなる、
請求項2に記載のサーミスタ焼結体。
- 前記副相がYCrO3相であり、
酸素を除くCr,Ca,PrおよびYの化学組成が、
Cr:10〜20モル%、Ca:2〜8モル%、Pr:0.5〜30モル%、残部が不可避不純物およびYからなる、
請求項2に記載のサーミスタ焼結体。
- B定数の標準偏差が5[k]以下であり、かつ比抵抗の標準偏差が100[kΩ・mm]以上でもある、
請求項3または請求項4に記載のサーミスタ焼結体。
- 感熱体と、
前記感熱体に電気的に接続される一対のリード線と、
前記感熱体を覆う保護層と、を備え、
前記感熱体が請求項1から請求項5のいずれか一項に記載のサーミスタ焼結体からなる温度センサ素子。
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