JP6675050B1 - サーミスタ焼結体および温度センサ素子 - Google Patents

サーミスタ焼結体および温度センサ素子 Download PDF

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Abstract

【課題】B定数に与える影響を小さくしつつ、抵抗値をより広い範囲で調整できるサーミスタ焼結体および温度センサ素子を提供すること。【解決手段】本発明のサーミスタ焼結体は、主相としてのY2O3相と、副相としてのY(Cr/Mn)O3相とを備える焼結体からなり、酸素を除くCr,Mn,Ca,PrおよびYの化学組成が、Cr:20モル%以下およびMn:20モル%以下の1種または2種、Ca:1〜15モル%、Pr:0.5〜30モル%、残部が不可避不純物およびYからなる。本発明において、好ましくは、副相がY(Cr,Mn)O3相またはYCrO3相であり、PrがY(Cr,Mn)O3相またはYCrO3相に固溶する。【選択図】図6

Description

本発明は、温度センサに用いられるサーミスタ焼結体および温度センサ素子に関する。
従来から、温度によって電気抵抗値(以下、単に抵抗値)が変化するサーミスタ(thermistor)を感熱体として用いた温度センサが広く用いられている。サーミスタの特性は、一般に抵抗値と抵抗温度係数(抵抗値の温度依存性)によって示される。サーミスタの抵抗値特性は、素子を構成する材料によって異なり、使用目的に応じた抵抗値特性を示す種々の材料が開発されている。
平均抵抗温度係数(以下、B定数と呼ぶ)は、下記の式で求められる。
B=(lnRm−lnRn)/(1/Tm−1/Tn)
Rm:温度Tmにおける抵抗値 Rn:温度Tnにおける抵抗値
サーミスタは、抵抗値の変化に基づいて温度を検知するものであり、抵抗値が低くなりすぎると温度を正確に検知することができなくなる。したがって、広い温度域で使用されるサーミスタはB定数が小さいことが求められる。
また、例えば特許文献1に開示されるように、広い温度範囲にわたって温度検知するうえで、熱履歴等による抵抗値変化が小さいことも要求される。
特開2001−143907号公報
温度センサにおいて、検知する温度範囲にしたがってB定数および抵抗値Rの調整を行う必要がある。つまり、検知温度範囲が広い場合、B定数は低く、抵抗値も小さすぎないことが求められる。また、検知温度範囲が狭い場合、B定数は高く、抵抗値も高くし、感度を高めることが求められる。
このようにB定数と抵抗値Rは、検知温度範囲、さらには検知対象物、検知場所によって求められる数値が異なるため、調整が必要である。
しかしながら、より広い検知温度範囲を対象とする場合には、B定数を低くする過程で抵抗値Rも大きく低下する。そのため、絶縁材料の添加量が必然的に増え、B定数/抵抗値Rの安定した調整が困難となる。
そこで本発明は、B定数に与える影響を抑えつつ、抵抗値をより広い範囲で調整できるサーミスタ焼結体および温度センサ素子を提供することを目的とする。
本発明のサーミスタ焼結体は、主相としてのY23相と、副相としてのY(Cr/Mn)O3相と、を備える焼結体からなり、酸素を除くCr,Mn,Ca,PrおよびYの化学組成が、Cr:20モル%以下およびMn:20モル%以下の1種または2種、Ca:1〜15モル%、Pr:0.5〜30モル%、残部が不可避不純物およびYからなる。
本発明の副相を表すY(Cr/Mn)O3相は、Y(Cr,Mn)O3相またはYCrO3相でありPrがY(Cr,Mn)O3相に固溶している。
本発明のサーミスタ焼結体において、好ましくは、副相がY(Cr,Mn)O3相であり、酸素を除くCr,Mn,Ca,PrおよびYの化学組成が、Cr:3〜15モル%、Mn:7〜12モル%、Ca:2〜7モル%、Pr:0.5〜15モル%、残部が不可避不純物およびYからなる。
また、本発明のサーミスタ焼結体において、好ましくは、副相がYCrO3相であり、酸素を除くCr,Mn,Ca,PrおよびYの化学組成が、Cr:3〜15モル%、Mn:7〜12モル%、Ca:2〜8モル%、Pr:0.5〜30モル%、残部が不可避不純物およびYからなる。
これらの本発明のサーミスタ焼結体において、好ましくは、B定数の標準偏差が5[k]以下であり、かつ比抵抗の標準偏差が100[kΩ・mm]以上とされる。
本発明は、感熱体と、感熱体に電気的に接続される一対のリード線と、感熱体を覆う保護層と、を備え、感熱体が以上で説明したいずれかのサーミスタ焼結体からなる温度センサ素子を提供する。
本発明によれば、Y23相とY(Cr/Mn)O3相とを備える焼結体からなるサーミスタ焼結体に所定量のPrを含有させることにより、B定数に与える影響を抑えつつ、抵抗値を調整できる。
本発明の実施形態に係るサーミスタ焼結体の組織を示し、(a)は組織を模式的に示す図、(b)はY23相およびY(Cr,Mn)O3相の化学組成の分析結果を示す表である。 本実施形態に係るサーミスタ焼結体の製造手順の一例を示すフローチャートである。 本実施形態に係るサーミスタ焼結体を用いる温度センサ素子の一例を示す斜視図である。 (a)は本実施形態に係るサーミスタ焼結体を用いる温度センサ素子の他の例を示す斜視図、(b)はその製造手順の概略を示す図である。 実施例1におけるサーミスタ焼結体の化学組成を示す表である。 (a)は実施例における添加元素の量とB定数の関係を示すグラフであり、(b)は実施例における添加元素の量と比抵抗の関係を示すグラフである。 実施例2におけるサーミスタ焼結体の化学組成を示す表である。 実施例2のグループAにおけるPrの量とB定数の関係および比抵抗の関係を示すグラフである。 実施例2のグループBにおけるPrの量とB定数の関係および比抵抗の関係を示すグラフである。 実施例2のグループCにおけるPrの量とB定数の関係および比抵抗の関係を示すグラフである。
以下、添付図面を参照しながら、本発明の実施形態について説明する。
図1(a)に示すように、本実施形態に係るサーミスタ焼結体は、Y23相と、Y(Cr,Mn)O3相と、を備える複合組織からなる酸化物焼結体である。
23相は電気的な絶縁体としての性質を有し、サーミスタ焼結体の抵抗値に影響を与える。また、Y(Cr,Mn)O3相は半導体としての性質を有し、サーミスタ焼結体のB定数に影響を与える。ここではY(Cr,Mn)O3相について説明するが、これはY(Cr/Mn)O3の一形態にすぎない。本発明は、YCrO3相をY(Cr,Mn)O3相の代替として用いることができる。
本実施形態に係るサーミスタ焼結体は、抵抗値およびB定数の高いY23相と、抵抗値およびB定数の低いY(Cr,Mn)O3相と、を有する焼結体組織になっている。サーミスタ焼結体において、Y23相がY(Cr,Mn)O3相よりも多く占めており、Y23相が50体積%超〜90体積%、Y(Cr,Mn)O3相が残部(10体積%〜50体積%未満)を占める。
本実施形態に係るサーミスタ焼結体は、典型的には海島構造(sea-island structure)をなし、主相をなすY23相に副相をなすY(Cr,Mn)O3相が分散した複合組織をなす。サーミスタ焼結体は、好ましくはY23相が60〜90体積%であり、より好ましくは65〜75体積%である。
本実施形態に係るサーミスタ焼結体が海島構造をなす場合には、粒界が明確に特定できないこともあるが、Y23相は概ね0.5〜30μmの平均粒径(d50)を有し、Y(Cr,Mn)O3相は概ね1.0〜10μmの平均粒径を有している。
本実施形態に係るサーミスタ焼結体のY23相およびY(Cr,Mn)O3相のそれぞれの組成分析を行った。
結果を図1(b)に示すが、Y(Cr,Mn)O3相にCaが固溶していることが確認された。Y(Cr,Mn)O3相にCaが固溶することで、Y(Cr,Mn)O3相のB定数を低くするのに寄与するものと解される。また、図1(b)に示すように、PrもY(Cr,Mn)O3相に固溶することで、Y(Cr,Mn)O3相の抵抗値を高くするのに寄与するものと解される。
本実施形態に係るサーミスタ焼結体は、Y23相と、Y(Cr,Mn)O3相と、を備え、酸素を除くCr,Mn,Ca,PrおよびYの化学組成は、Cr:20モル%以下およびMn:20モル%以下の1種または2種、Ca:1〜15モル%、Pr:0.5〜30モル%、残部が不可避不純物およびYからなる。本実施形態に係るサーミスタ焼結体は、Prを添加、含有するところに特徴を有している。この組成範囲において、CrおよびMnの双方を含む場合にY(Cr,Mn)O3相が副層をなし、CrおよびMnのうちでCrだけを含む場合にYCrO3相が副層をなす。
本発明において、Y(Cr,Mn)O3相またはYCrO3相が副層をなす場合には、Pr量の増量に伴う比抵抗ρの上昇量に対してB定数の変動を小さく抑えることができる。
Y(Cr,Mn)O3相が副層をなす場合の好ましいCrの範囲は3〜15モル%、より好ましいCrの範囲は5〜12モル%である。
Y(Cr,Mn)O3相が副層をなす場合の好ましいMnの範囲は7〜12モル%であり、より好ましくは8〜11モル%である。
YCrO3相が副層をなす場合の好ましいCrの範囲は10〜20モル%、より好ましいCrの範囲は16〜20モル%である。
Caは、Y(Cr,Mn)O3相またはYCrO3相に固溶されることで、サーミスタ焼結体のB定数を低くする作用を有する。好ましいCaの範囲は2〜8モル%であり、より好ましいCaの範囲は3〜5モル%である。
Prは本発明の効果、つまりB定数に与える影響を抑えつつ、抵抗値を調整できる効果を得るのに有効な元素である。好ましいPrの範囲は1〜25モル%、より好ましいPrの範囲は3〜15モル%であり、さらに好ましい範囲は3〜10モル%である。
ここで、B定数に与える影響を抑えるとは、Pr量の増量に対してB定数の変動が小さいことをいう。
[サーミスタ焼結体の製造方法]
次に、図2を参照してサーミスタ焼結体を製造する方法の一例を説明する。
本実施形態における製造方法は、図2に示すように、原料粉末の秤量、原料粉末の混合、原料粉末の乾燥、仮焼き、仮焼き後の混合・粉砕、乾燥・造粒、成形および焼結の工程を備える。以下、順に各工程を説明する。
[原料粉末の秤量]
本実施形態において、イットリウム酸化物(Y23)粉末、プラセオジム酸化物(Pr23)粉末、クロム酸化物(Cr23)粉末、マンガン酸化物(MnO,Mn23,Mn34等)粉末、CaCO3粉末を原料粉末とする。
以上の原料粉末を、上述した化学組成をなすように秤量する。
23粉末はY23相の生成に寄与し、Y23粉末、Pr23粉末、Cr23粉末およびMn34粉末はY(Cr,Mn)O3相、YCrO3相またはYMnO3相、つまりY(Cr/Mn)O3相の生成に寄与する。CaCO3粉末は、焼結助剤として機能するのに加えて、Y(Cr,Mn)O3相、YCrO3相またはYMnO3相にCaとなって固溶し、B定数を低くするのに寄与する。また、PrもY(Cr,Mn)O3相またはYCrO3相に固溶することで、Y(Cr,Mn)O3相、YCrO3相またはYMnO3相の抵抗値を調整、例えば高くするのに寄与する。
原料粉末は、高い特性のサーミスタ焼結体を得るために、98%以上、好ましくは99%以上、より好ましくは99.9%以上の純度を有する。
また、原料粉末の粒径は、仮焼が進行する限り限定されるものでないが、平均粒径(d50)で0.1〜6.0μmの範囲で選択することができる。
[原料粉末の混合・ボールミル]
所定量だけ秤量されたY23粉末、Pr23粉末、Cr23粉末、Mn34粉末、CaCO3粉末を混合する。混合は、例えば、混合粉末に水を加えたスラリー状としてボールミルによって行うことができる。混合には、ボールミル以外の混合機を用いることもできる。
副相としてY(Cr,Mn)O3相を得る場合には原料としてCr23粉末およびMn34粉末の双方を用いる。また、副相としてYCrO3相を得る場合には原料としてMn34粉末を用いることなくCr23粉末を用いる。
[原料粉末の乾燥]
混合後のスラリーをスプレードライヤ、その他の機器によって乾燥・造粒して、仮焼用の混合粉末とすることが好ましい。
[仮焼き]
乾燥後の仮焼用の混合粉末を仮焼きする。仮焼きすることにより、Y23粉末、Pr23粉末、Cr23粉末、Mn34粉末、CaCO3粉末から、Y23相とY(Cr,Mn)O3相の複合組織を有する仮焼結体を得る。
仮焼きは、仮焼用の混合粉末を例えば坩堝に投入し、大気中で800〜1300℃の温度範囲で保持することで行われる。仮焼きの温度が800℃未満では複合組織の生成が不十分であり、また、1300℃を超えると焼結密度の低下や抵抗値の安定性の低下を招く恐れがある。そこで仮焼の保持温度は、800〜1300℃の範囲とする。
仮焼きにおける保持時間は、保持温度に応じて適宜設定されるべきであるが、上記温度範囲であれば、0.5〜100時間程度の保持時間で仮焼の目的を達成できる。
[混合・粉砕・ボールミル]
仮焼後の粉末を混合および粉砕する。混合・粉砕は仮焼き前と同様に、水を加えてスラリー状とし、ボールミルを用いて行うことができる。
[乾燥・造粒]
粉砕後の粉末は、スプレードライヤ、その他の機器によって乾燥・造粒することが好ましい。
[成形]
仮焼後の造粒粉を所定の形状に成形する。
成形は、金型を用いたプレス成形のほかに、冷間静水圧プレス(CIP:Cold Isostatic Press)を用いることができる。
成形体の密度が高いほど、高い密度の焼結体を得るのが容易であるから、可能な限り成形体の密度を高くしたい。そのためには高い密度を得ることができるCIPを用いることが好ましい。
[焼結]
次に、得られた成形体を焼結する。
焼結は、大気中で1400〜1650℃の温度範囲で保持することで行われる。焼結の温度が1400℃未満では複合組織の生成が不十分であり、また、1650℃を超えると焼結体が融解したり焼結坩堝等との反応が生じたりする。焼結における保持時間は、保持温度に応じて適宜設定されるべきであるが、上記温度範囲であれば、0.5〜200時間程度の保持時間で緻密な焼結体を得ることができる。
得られたサーミスタ焼結体は、そのサーミスタ特性を安定化させるために、アニール(annealing:焼き鈍し)を施すことが好ましい。アニールは、例えば大気中、1000℃
で保持することにより行われる。
[温度センサ素子]
以上のようにして得られたサーミスタ焼結体が適用される温度センサ素子10の具体例を説明する。
温度センサ素子10は、図3(a)に示すように、素子本体11と、保護層16と、を備えている。
素子本体11は、抵抗値の変化を電圧変化として取り出すための検出回路とともに用いることによって、素子本体11が置かれている環境の温度を検出して電気信号からなる温度検出信号を生成させる。
保護層16は、素子本体11を封止して気密状態に保持することによって、環境条件に基づいて特にサーミスタ焼結体の化学的、物理的変化の発生を防止するとともに、機械的に保護する。
この例における素子本体11は、図3(b)に示すように、平板状のサーミスタ焼結体からなる感熱体12と、電極13A,13Bと、接続電極14A,14Bと、リード線15A,15Bと、を備えている。
電極13A,13Bは、板状をなすサーミスタ焼結体の表裏両面の全域に、それぞれ膜状に形成されている。電極13A,13Bは、白金(Pt)、その他の貴金属から構成される。
電極13A,13Bは、厚膜または薄膜として形成される。厚膜の電極13A,13Bは、白金粉末に有機バインダを混合して作製したペーストをサーミスタ焼結体の表裏両面に塗布し、乾燥した後に焼結して形成する。また、薄膜電極は、真空蒸着またはスパッタリングによって形成することができる。
電極13A,13Bが形成されたサーミスタ焼結体は、所定の寸法に加工される。
接続電極14A,14Bは、それぞれ電極13A,13Bの表面に形成される金属膜から構成される。接続電極14A,14Bも、白金(Pt)、その他の貴金属から構成される。
リード線15A,15Bは、一端側が接続電極14A,14Bを介して電極13A,13Bに電気的および機械的に接続される。リード線15A,15Bは、他端側がと外部の検出回路と接続される。リード線15A,15Bは、耐熱性を有する、例えば白金または白金とイリジウム(Ir)の合金からなる線材から構成される。
リード線15A,15Bは、以下のようにして電極13A,13Bに接続される。
リード線15A,15Bのそれぞれの一端側に予め接続電極14A,14Bをなす白金粉末を含むペーストを塗布しておく。リード線15A,15Bのそれぞれの白金ペーストが塗布された側を電極13A,13Bに接触させた状態で白金ペーストを乾燥させ、その後、白金粉末を焼結する。
図3(a)に示される保護層16は、一例としてSiO2、CaO、SrO、BaO、Al23およびSnO2を原料とするガラスを用いることができる。このようなガラスによって、素子本体11と、リード線15A,15Bの一方端側を封止する。
保護層16でサーミスタ焼結体などを封止する方法は任意であるが、例えばガラスからなる保護層16となるガラス管をサーミスタ焼結体などに被せた後に、ガラス管を溶融させて封止することができる。
温度センサ素子10は、ガラス封止・冷却後にアニール処理をすることが好ましい。このアニール処理により素子本体11の抵抗が減少するのを防止することができる。
次に、図4を参照して他の形態の温度センサ素子20を説明する。
温度センサ素子20は、図4(a)に示すように、素子本体21と、保護層26と、を備えており、外観上は温度センサ素子10と類似する。素子本体21および保護層26は、それぞれ温度センサ素子10の素子本体11および保護層16と同様の機能を備えている。
この例における素子本体21は、図4(a)に示すように、平板状のサーミスタ焼結体と、電極23A,23Bと、接続電極24A,24Bと、リード線25A,25Bと、を備えている。
素子本体21は、素子本体11に対してサーミスタ焼結体と電極23A,23Bの部分に特徴を有する。図4(b)の中段に示すように、素子本体21において、サーミスタ焼結体と電極23A,23Bとは、サーミスタチップ33を構成する。サーミスタチップ33は以下のようにして製造される。
前述した粉砕された仮焼き粉末に例えばエチルセルローズ系のバインダを混合してシート状に成形する。仮焼きの条件は前述の通りである。
次に、成形されたシートから所定寸法の大きさに打ち抜いて、焼結する。焼結の条件は前述の通りである。そして、焼結して得られたウエハを研磨して、図4(b)の中段に示すように所定厚さのサーミスタ焼結体からなるウエハ31を得る。その後、研磨済みのウエハ31(サーミスタ焼結体)の表裏両面に電極形成用のペーストを印刷によって塗布した後に焼結して、電極膜形成済ウエハ30を得る。ペーストに含まれる導電材料としては、白金(Pt)、その他の貴金属から選択される。焼結は、白金を選択した場合には、1300℃程度で行われる。その後に所定寸法になるように切断することによって、図4(b)の中段に示すように、膜状の電極23A,23Bが表裏に形成されたサーミスタチップ33が得られる。
次に、サーミスタ焼結体の表裏両面の電極23A,23B上に、Ptペーストを用いてリード線25A,25Bを接合した後に、焼き付け処理を行って接続電極24A,24Bを形成して、図4(b)の下段に示す素子本体21を作製する。
次に、保護層26を形成するが、保護層26は前述したガラスを用いることができるし、サーミスタ焼結体と類似する構成材料からなる被覆材を用いることもできる。
[実施例1]
次に、本発明のサーミスタ焼結体を実施例に基づいて説明する。
以下の平均粒径を有する原料粉末を用意し、上述した製造工程にしたがって、図5に示す種々の組成を有するサーミスタ焼結体を作製した。これらサーミスタ焼結体は、Y(Cr,Mn)O3相にCrとMnの双方が含まれている。この表中、No.1は、Y以外の希土類を含まない本実施例における基本組成を示し、No.2〜5がPrを含み、No.6〜9がYを含み、No.10〜13がLaを含み、No.14〜17がCeを含む試料である。
試料は仮焼きを1000℃×24時間、焼結を1500℃×24時間の条件とし、いずれも大気中で行った。
23粉末:0.1μm Pr23粉末:0.1μm La23粉末:0.1μm
CeO2粉末:0.1μm Cr23粉末:2.0μm Mn34粉末:5.0μm
CaCO3粉末:2.0μm
得られたそれぞれの焼結体についてB定数および比抵抗を求めた。その結果を図6に示す。なお、B定数は、25℃と50℃の間の値(B25/50)である。
図6(a),(b)に示すように、Prを含むサーミスタ焼結体は、Yを含むサーミスタ焼結体に比べて、比抵抗ρの上昇量に対してB定数の変動が小さい。また、Yを含むサーミスタ焼結体は添加量が10モル%になると、B定数も増加が開始する。しかしながら、Prの場合には10モル%の添加であってもB定数の増加は観られず、B定数に与える影響を抑えつつ比抵抗ρを調整できる。
また、図6(a),(b)に示すように、Laを含むサーミスタ焼結体は、B定数の低下とともに比抵抗ρが低下し、Ceを含むサーミスタ焼結体は、B定数の上昇とともに比抵抗ρが上昇する。ここではLa,Ceを例示するが、B定数と比抵抗ρがともに変動する元素は他にも存在する。
Prを含むサーミスタ焼結体について、B定数の標準偏差および比抵抗の標準偏差を求めた。その結果、B定数の標準偏差は4.44[k]と5[k]以下であり、かつ、比抵抗の標準偏差が170[kΩ・mm]と100[kΩ・mm]以上である。これに対して、Yを含む焼結体の場合、B定数の標準偏差および比抵抗の標準偏差は6.4[k]、67[kΩ・mm]である。
[実施例2]
次に、図7に示す種々の組成を有するサーミスタ焼結体を作製した。使用した原料粉末および製造工程は実施例1と同じである。図7において、グループAおよびグループBは、実施例1と同様に、Y(Cr,Mn)O3相を副相として含むサーミスタ焼結体であるが、Pr以外のベースとなる化学組成が実施例1と異なる。また、図7において、グループCはYCrO3相を副相として含むサーミスタ焼結体である。
得られたそれぞれの焼結体について、実施例1と同様にしてB定数を求めた。その結果を図8(グループA)、図9(グループB)および図10(グループC)に示す。
図8および図9に示すように、Prを含み、かつ、Y(Cr,Mn)O3相が副相をなすサーミスタ焼結体は、実施例1と同様に、Pr量の増量に伴う比抵抗ρの上昇量に対してB定数の変動が小さい。
また、図10に示すように、Prを含み、かつ、YCrO3相が副相をなすサーミスタ焼結体は、実施例1と同様に、Pr量の増量に伴う比抵抗ρの上昇量に対してB定数の変動が小さい。
以上説明の実施例1および実施例2より、Prを含有させることによる、B定数に影響を与えることなく、抵抗値を調整できる、という効果は、主相としてのY23層の他に、副相としてY(Cr,Mn)O3相またはYCrO3相を含む場合に発現される。
以上、本発明を好ましい実施形態および実施例に基づいて説明したが、本発明の主旨を逸脱しない限り、上記実施形態で挙げた構成を取捨選択したり、他の構成に適宜変更したりすることができる。
23を用い、抵抗値の調整に実績のある半導体相のペロブスカイト化合物ABO3の形態では、Aサイト元素に、Mg、Ca,Sr、Ba、La,Ce、Nd、Pm、Sm、Yb、Lu等が挙げられ、Bサイト元素にはTi、V、Fe,Co、Ni、Cu、Al等が挙げられる。これらは本発明と同様にY23による抵抗値の調整がなされるもので、これらの化合物にも本発明を適用できる。
本発明のサーミスタ焼結体およびサーミスタは、−50℃から1200℃程度までの広い温度範囲にわたって使用可能であり、従って、自動車排気ガス処理装置用の温度センサや、給湯器、ボイラ、オーブンレンジおよびストーブ等における、高温の温度測定用として広く利用することができる。
また、本発明のサーミスタ焼結体は、直方晶系の結晶構造のみからなることが好ましいが、六方晶系の結晶構造が存在することを排除するものではない。本発明の特性が得られる限り直方晶系の結晶構造に対して微量の六方晶系の結晶構造が含まれていても、本発明のサーミスタ焼結体に該当する。
1 Y23
2 Y(Cr,Mn)O3
10,20 温度センサ素子
11,21 素子本体
12 感熱体
13A,13B,23A,23B 電極
14A,14B,24A,24B 接続電極
15A,15B,25A,25B リード線
16,26 保護層
31 ウエハ
33 サーミスタチップ

Claims (6)

  1. 主相としてのY23相と、副相としてのY(Cr/Mn)O3相と、を備える焼結体からなり、
    酸素を除くCr,Mn,Ca,PrおよびYの化学組成が、
    Cr:20モル%以下およびMn:20モル%以下の1種または2種、Ca:1〜15モル%、Pr:0.5〜30モル%、残部が不可避不純物およびYからなる、
    ことを特徴とするサーミスタ焼結体。
  2. 前記副相がY(Cr,Mn)O3相またはYCrO3相であり、
    PrがY(Cr,Mn)O3相またはYCrO3相に固溶している、
    請求項1に記載のサーミスタ焼結体。
  3. 前記副相がY(Cr,Mn)O3相であり、
    酸素を除くCr,Mn,Ca,PrおよびYの化学組成が、
    Cr:3〜15モル%、Mn:7〜12モル%、Ca:2〜7モル%、Pr:0.5〜15モル%、残部が不可避不純物およびYからなる、
    請求項2に記載のサーミスタ焼結体。
  4. 前記副相がYCrO3相であり、
    酸素を除くCr,Ca,PrおよびYの化学組成が、
    Cr:10〜20モル%、Ca:2〜8モル%、Pr:0.5〜30モル%、残部が不可避不純物およびYからなる、
    請求項2に記載のサーミスタ焼結体。
  5. B定数の標準偏差が5[k]以下であり、かつ比抵抗の標準偏差が100[kΩ・mm]以上でもある、
    請求項3または請求項4に記載のサーミスタ焼結体。
  6. 感熱体と、
    前記感熱体に電気的に接続される一対のリード線と、
    前記感熱体を覆う保護層と、を備え、
    前記感熱体が請求項1から請求項5のいずれか一項に記載のサーミスタ焼結体からなる温度センサ素子。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021210203A1 (ja) * 2020-04-17 2021-10-21 株式会社芝浦電子 サーミスタ焼結体および温度センサ素子

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002057003A (ja) * 2000-08-10 2002-02-22 Nippon Soken Inc 耐還元性サーミスタ素子とその製造方法および温度センサ
WO2018235432A1 (ja) * 2017-06-20 2018-12-27 株式会社芝浦電子 サーミスタ焼結体及びサーミスタ素子

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3975307A (en) * 1974-10-09 1976-08-17 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. PTC thermistor composition and method of making the same
US5749656A (en) * 1995-08-11 1998-05-12 General Motors Corporation Thermal probe assembly with mold-over crimp sensor packaging
US6261480B1 (en) 1997-03-19 2001-07-17 Denso Corporation Wide-range type thermistor element and method of producing the same
US6136231A (en) 1998-11-20 2000-10-24 Keystone Thermometrics, Inc. Yttrium chromite chromia thermistors
JP3776691B2 (ja) 1999-08-30 2006-05-17 株式会社デンソー サーミスタ素子
WO2001016966A1 (fr) 1999-08-30 2001-03-08 Denso Corporation Dispositif a thermistance
JP3806434B2 (ja) * 2004-04-01 2006-08-09 株式会社芝浦電子 高温用サーミスタ
US20060020415A1 (en) 2004-07-23 2006-01-26 Hardwicke Canan U Sensor and method for making same
JP4183666B2 (ja) 2004-08-10 2008-11-19 株式会社芝浦電子 高温耐熱型サーミスタ
WO2006109792A1 (ja) * 2005-04-11 2006-10-19 Ngk Spark Plug Co., Ltd. 導電性酸化物焼結体、導電性酸化物焼結体を用いたサーミスタ素子、及びサーミスタ素子を用いた温度センサ
ATE458255T1 (de) * 2007-12-21 2010-03-15 Vishay Resistors Belgium Bvba Stabiler thermistor
JP5267860B2 (ja) 2008-01-31 2013-08-21 三菱マテリアル株式会社 サーミスタ素子及びその製造方法
JP5187229B2 (ja) * 2009-02-24 2013-04-24 三菱マテリアル株式会社 薄膜温度センサ及びその製造方法
JP5678520B2 (ja) * 2010-08-26 2015-03-04 Tdk株式会社 サーミスタ素子
KR101355397B1 (ko) * 2012-05-18 2014-01-28 가우스텍 주식회사 센서소자용 조성물, 이를 포함하는 온도센서 및 이의 제조방법
KR101908775B1 (ko) * 2015-04-06 2018-10-16 니뽄 도쿠슈 도교 가부시키가이샤 도전성 산화물 소결체, 그것을 사용한 서미스터 소자 및 온도 센서
JP2017191856A (ja) * 2016-04-13 2017-10-19 日本特殊陶業株式会社 サーミスタ素子及びその製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002057003A (ja) * 2000-08-10 2002-02-22 Nippon Soken Inc 耐還元性サーミスタ素子とその製造方法および温度センサ
WO2018235432A1 (ja) * 2017-06-20 2018-12-27 株式会社芝浦電子 サーミスタ焼結体及びサーミスタ素子

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021210203A1 (ja) * 2020-04-17 2021-10-21 株式会社芝浦電子 サーミスタ焼結体および温度センサ素子

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