JPH0314001Y2 - - Google Patents
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- JPH0314001Y2 JPH0314001Y2 JP6426284U JP6426284U JPH0314001Y2 JP H0314001 Y2 JPH0314001 Y2 JP H0314001Y2 JP 6426284 U JP6426284 U JP 6426284U JP 6426284 U JP6426284 U JP 6426284U JP H0314001 Y2 JPH0314001 Y2 JP H0314001Y2
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- resistor
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- ruthenium
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- Expired
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Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
この考案は感温抵抗器、特に抵抗体を膜状とし
た感温抵抗器に関する。 この種感温抵抗器は抵抗温度係数の大きい抵抗
体を用いて構成されるが、抵抗体を膜状とするも
のは従来ではニツケルその他の純金属を蒸着によ
つて薄膜に形成したものを用いていた。しかしこ
のような薄膜は、その膜厚はせいぜい数μｍ程度
であるため、シート抵抗値が数Ω〜数10Ω程度に
とどまつていた。大きな抵抗値のものを得ようと
するには、膜厚を厚くすればよいが、それにして
も蒸着によるときは10μｍ程度が限度である。又
このように蒸着による膜厚の厚いものを得ようと
すれば、それだけ製作コストが高くつく。 又この種感温抵抗器では、抵抗体の保護のため
に保護膜でコーテイングすることがある。しかし
従来では抵抗体にリードを半田付けした構成とし
ているので、この半田付けのあと保護膜のコーテ
イングの際の加熱温度が、半田溶融温度以上であ
つてはならないことになる。そのため従来ではこ
の種保護膜として樹脂を使用せざるを得なかつ
た。このような樹脂を使用するときは、感温抵抗
器の使用温度範囲はたとえば瞬間約170℃程度ま
でに制限されるようになる。 この考案は抵抗値が十分幅広く選択可能で、し
かも使用温度範囲も高い温度まで可能となるよう
にすることを目的とする。 この考案は抵抗体として、ルテニウム、酸化ル
テニウム及び貴金属を主成分とする抵抗ペースト
を膜状に焼成したものを用い、この抵抗体をセラ
ミツク基板の表面上の相対する電極間にまたがつ
て形成し、かつ抵抗体保護層を、前記抵抗体の焼
成温度より低い融点のガラス質で形成したことを
特徴とする。 この考案の実施例を図によつて説明する。第１
図は平面図、第２図は断面図である。なお第１図
では第２図に示す保護膜を省略して図示してい
る。図において１はセラミツク製のような絶縁性
の基板でたとえば縦3.2mm、横1.6mm、厚さ0.5mm程
度の小型のものであり、２は基板１の表面上の相
対する電極、３は厚膜による抵抗体、４は保護膜
である。電極２は導電性のペーストを印刷焼成し
て形成される。図では基板１の表面のみに形成し
ているが、これを基板１の端面にまで延長して形
成してもよいし、更には基板１の裏面にまで延長
して形成してもよい。このように端面或いは裏面
にまで延長して形成しておくと、この種抵抗器を
プリント配線板等に装填して半田付けするとき、
半田面積が広くなるので都合がよい。 抵抗体３はこの考案にしたがい、ルテニウム、
酸化ルテニウム及び貴金属（金、白金、パラジウ
ム等）を主成分とする抵抗ペーストを印刷焼成し
て、たとえば厚み約15μｍ程度の厚膜として形成
する。得られた抵抗体の抵抗温度係数は、主とし
て前記した貴金属に依存する。たとえば貴金属と
して金を使用した場合の抵抗温度係数は1000〜
1600PPM／℃程度の大きな値となる。もつとも
この値はルテニウム及び酸化ルテニウムの抵抗温
度係数にも依存することは依存するが、ルテニウ
ム、酸化ルテニウムは抵抗体３のシート抵抗値を
大きく左右する。具体的にはこのシート抵抗値は
数Ωから100KΩ程度に及ぶ。この値はルテニウ
ムと酸化ルテニウムとの混合量を適当に選定する
ことにより実現できる。 図の構成から理解されるように、この考案によ
る感温抵抗器は従来のようにリード線を備えてい
ない。すなわちリードのための半田付けを必要と
していない。したがつて保護膜４の形成にあた
り、半田溶融温度以上の温度で形成することがで
きる。たとえば低融点ホウケイ酸ガラス（焼成温
度600〜620℃）を印刷焼成して形成するようにし
てもよい。このようなガラス成分によつて保護膜
４を形成すれば、従来のように保護膜として樹脂
を使用した場合に比較して、感温抵抗器の使用温
度範囲を充分広く（たとえば−40〜250℃）する
ことができるようになる。 なお前記した抵抗ペーストを用いて抵抗体を焼
成するとき、その焼成温度と焼成時間とによつて
抵抗温度係数を調整することができる。第３図は
焼成温度、焼成時間に対する抵抗温度係数を示す
ものである。同図においてＡは60分焼成時の場合
を、Ｂは30分焼成時の場合を示す。いずれの場合
でも焼成温度が830℃から850℃、870℃と上昇さ
せていくにしたがい、抵抗温度係数は大きくなつ
ていく。又焼成時間が長い程、抵抗温度係数は大
きくなる。したがつて焼成温度を830〜890℃程度
の範囲で、かつ焼成時間を30〜60分の範囲で適宜
調整すれば、所望の抵抗温度係数の抵抗体が得ら
れるようになる。 このようにして抵抗温度係数が調整できる理由
としては、焼成時間と焼成温度とによつてルテニ
ウムと酸化ルテニウムとの間で酸化又は還元が行
なわれ、両者のブレンド量が変化することに基く
ものと考えられる。 この考案にしたがい、保護膜としてガラス質を
用いる場合、その焼成温度によつて抵抗体の抵抗
値に大きなバラツキを生じることが確められてい
る。次表に前記した組成の抵抗ペースト（シート
抵抗値が1KΩ）を用いて感温抵抗器を製作した
場合の、抵抗体焼成後、600℃でガラスを焼成し
たあと及び850℃で焼成したあとの、それぞれの
抵抗平均値及び標準偏差を示したものである。使
用したガラスは低融点ホウケイ酸鉛ガラスであ
る。
た感温抵抗器に関する。 この種感温抵抗器は抵抗温度係数の大きい抵抗
体を用いて構成されるが、抵抗体を膜状とするも
のは従来ではニツケルその他の純金属を蒸着によ
つて薄膜に形成したものを用いていた。しかしこ
のような薄膜は、その膜厚はせいぜい数μｍ程度
であるため、シート抵抗値が数Ω〜数10Ω程度に
とどまつていた。大きな抵抗値のものを得ようと
するには、膜厚を厚くすればよいが、それにして
も蒸着によるときは10μｍ程度が限度である。又
このように蒸着による膜厚の厚いものを得ようと
すれば、それだけ製作コストが高くつく。 又この種感温抵抗器では、抵抗体の保護のため
に保護膜でコーテイングすることがある。しかし
従来では抵抗体にリードを半田付けした構成とし
ているので、この半田付けのあと保護膜のコーテ
イングの際の加熱温度が、半田溶融温度以上であ
つてはならないことになる。そのため従来ではこ
の種保護膜として樹脂を使用せざるを得なかつ
た。このような樹脂を使用するときは、感温抵抗
器の使用温度範囲はたとえば瞬間約170℃程度ま
でに制限されるようになる。 この考案は抵抗値が十分幅広く選択可能で、し
かも使用温度範囲も高い温度まで可能となるよう
にすることを目的とする。 この考案は抵抗体として、ルテニウム、酸化ル
テニウム及び貴金属を主成分とする抵抗ペースト
を膜状に焼成したものを用い、この抵抗体をセラ
ミツク基板の表面上の相対する電極間にまたがつ
て形成し、かつ抵抗体保護層を、前記抵抗体の焼
成温度より低い融点のガラス質で形成したことを
特徴とする。 この考案の実施例を図によつて説明する。第１
図は平面図、第２図は断面図である。なお第１図
では第２図に示す保護膜を省略して図示してい
る。図において１はセラミツク製のような絶縁性
の基板でたとえば縦3.2mm、横1.6mm、厚さ0.5mm程
度の小型のものであり、２は基板１の表面上の相
対する電極、３は厚膜による抵抗体、４は保護膜
である。電極２は導電性のペーストを印刷焼成し
て形成される。図では基板１の表面のみに形成し
ているが、これを基板１の端面にまで延長して形
成してもよいし、更には基板１の裏面にまで延長
して形成してもよい。このように端面或いは裏面
にまで延長して形成しておくと、この種抵抗器を
プリント配線板等に装填して半田付けするとき、
半田面積が広くなるので都合がよい。 抵抗体３はこの考案にしたがい、ルテニウム、
酸化ルテニウム及び貴金属（金、白金、パラジウ
ム等）を主成分とする抵抗ペーストを印刷焼成し
て、たとえば厚み約15μｍ程度の厚膜として形成
する。得られた抵抗体の抵抗温度係数は、主とし
て前記した貴金属に依存する。たとえば貴金属と
して金を使用した場合の抵抗温度係数は1000〜
1600PPM／℃程度の大きな値となる。もつとも
この値はルテニウム及び酸化ルテニウムの抵抗温
度係数にも依存することは依存するが、ルテニウ
ム、酸化ルテニウムは抵抗体３のシート抵抗値を
大きく左右する。具体的にはこのシート抵抗値は
数Ωから100KΩ程度に及ぶ。この値はルテニウ
ムと酸化ルテニウムとの混合量を適当に選定する
ことにより実現できる。 図の構成から理解されるように、この考案によ
る感温抵抗器は従来のようにリード線を備えてい
ない。すなわちリードのための半田付けを必要と
していない。したがつて保護膜４の形成にあた
り、半田溶融温度以上の温度で形成することがで
きる。たとえば低融点ホウケイ酸ガラス（焼成温
度600〜620℃）を印刷焼成して形成するようにし
てもよい。このようなガラス成分によつて保護膜
４を形成すれば、従来のように保護膜として樹脂
を使用した場合に比較して、感温抵抗器の使用温
度範囲を充分広く（たとえば−40〜250℃）する
ことができるようになる。 なお前記した抵抗ペーストを用いて抵抗体を焼
成するとき、その焼成温度と焼成時間とによつて
抵抗温度係数を調整することができる。第３図は
焼成温度、焼成時間に対する抵抗温度係数を示す
ものである。同図においてＡは60分焼成時の場合
を、Ｂは30分焼成時の場合を示す。いずれの場合
でも焼成温度が830℃から850℃、870℃と上昇さ
せていくにしたがい、抵抗温度係数は大きくなつ
ていく。又焼成時間が長い程、抵抗温度係数は大
きくなる。したがつて焼成温度を830〜890℃程度
の範囲で、かつ焼成時間を30〜60分の範囲で適宜
調整すれば、所望の抵抗温度係数の抵抗体が得ら
れるようになる。 このようにして抵抗温度係数が調整できる理由
としては、焼成時間と焼成温度とによつてルテニ
ウムと酸化ルテニウムとの間で酸化又は還元が行
なわれ、両者のブレンド量が変化することに基く
ものと考えられる。 この考案にしたがい、保護膜としてガラス質を
用いる場合、その焼成温度によつて抵抗体の抵抗
値に大きなバラツキを生じることが確められてい
る。次表に前記した組成の抵抗ペースト（シート
抵抗値が1KΩ）を用いて感温抵抗器を製作した
場合の、抵抗体焼成後、600℃でガラスを焼成し
たあと及び850℃で焼成したあとの、それぞれの
抵抗平均値及び標準偏差を示したものである。使
用したガラスは低融点ホウケイ酸鉛ガラスであ
る。
【表】
上表から理解されるように、焼成温度を高めて
いく程、抵抗値のバラツキが大きくなる。したが
つてこのバラツキを低減するには、できるだけ焼
成温度の低いガラス成分を用いることが望まし
い。具体的には使用する抵抗ペーストの焼成温度
より低いものを選ぶようにする。たとえば上記し
た抵抗ペーストの焼成温度は約850℃であるから、
これより焼成温度の低いガラス成分を使用すれば
よい。さきに例示した低融点ホウケイ酸ガラスは
その軟化点が350〜600℃前後であるから、好都合
である。 このガラス質成分の焼成温度を高めていくと、
抵抗値のバラツキが大きくなる原因としては、温
度が高くなるにつれてガラス成分が抵抗体内に拡
散しやすくなつていくことに基因するものと考え
られる。 以上詳述したようにこの考案によれば、厚膜の
感温抵抗体を用いるので、抵抗体の十分大きいこ
の種抵抗体が得られるようになるとともに、ガラ
ス成分による保護膜を用いるので使用温度範囲も
十分高い温度まで可能となるといつた効果を奏す
る。
いく程、抵抗値のバラツキが大きくなる。したが
つてこのバラツキを低減するには、できるだけ焼
成温度の低いガラス成分を用いることが望まし
い。具体的には使用する抵抗ペーストの焼成温度
より低いものを選ぶようにする。たとえば上記し
た抵抗ペーストの焼成温度は約850℃であるから、
これより焼成温度の低いガラス成分を使用すれば
よい。さきに例示した低融点ホウケイ酸ガラスは
その軟化点が350〜600℃前後であるから、好都合
である。 このガラス質成分の焼成温度を高めていくと、
抵抗値のバラツキが大きくなる原因としては、温
度が高くなるにつれてガラス成分が抵抗体内に拡
散しやすくなつていくことに基因するものと考え
られる。 以上詳述したようにこの考案によれば、厚膜の
感温抵抗体を用いるので、抵抗体の十分大きいこ
の種抵抗体が得られるようになるとともに、ガラ
ス成分による保護膜を用いるので使用温度範囲も
十分高い温度まで可能となるといつた効果を奏す
る。
第１図はこの考案の実施例を示す平面図、第２
図は同断面図、第３図は抵抗温度係数を示す特性
図である。 １……基板、２……電極、３……抵抗体、４…
…保護膜。
図は同断面図、第３図は抵抗温度係数を示す特性
図である。 １……基板、２……電極、３……抵抗体、４…
…保護膜。
Claims (1)
- 絶縁性の基板の表面に互いに相対する電極を設
け、前記両電極間にまたがるように、ルテニウ
ム、酸化ルテニウム及び貴金属を主成分とする厚
膜で感温性の抵抗体を設け、前記抵抗体を前記抵
抗体よりも焼成温度の低いガラス質の焼成体から
なる保護膜でコーテイングしてなる感温抵抗器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6426284U JPS60176504U (ja) | 1984-04-28 | 1984-04-28 | 感温抵抗器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6426284U JPS60176504U (ja) | 1984-04-28 | 1984-04-28 | 感温抵抗器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60176504U JPS60176504U (ja) | 1985-11-22 |
| JPH0314001Y2 true JPH0314001Y2 (ja) | 1991-03-28 |
Family
ID=30595180
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6426284U Granted JPS60176504U (ja) | 1984-04-28 | 1984-04-28 | 感温抵抗器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60176504U (ja) |
-
1984
- 1984-04-28 JP JP6426284U patent/JPS60176504U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60176504U (ja) | 1985-11-22 |
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