JP2523862B2 - チップ抵抗器 - Google Patents
チップ抵抗器Info
- Publication number
- JP2523862B2 JP2523862B2 JP1086275A JP8627589A JP2523862B2 JP 2523862 B2 JP2523862 B2 JP 2523862B2 JP 1086275 A JP1086275 A JP 1086275A JP 8627589 A JP8627589 A JP 8627589A JP 2523862 B2 JP2523862 B2 JP 2523862B2
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- Japan
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- electrode
- surface electrode
- silver
- electrodes
- substrate
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、電子回路に一般に使用される精密級厚膜角
形チップ抵抗器(以下チップ抵抗器と略す)に関するも
のである。
形チップ抵抗器(以下チップ抵抗器と略す)に関するも
のである。
従来の技術 従来、この種のチップ抵抗器は第3図に示すように銀
パラジウム系の電極を使用し、プリコートガラスを施し
た後、抵抗体をトリミングし、さらにはんだ付けの信頼
性のためNiめっきを施した後、すずめっきあるいははん
だめっきを施した構造になっている。ここで、第3図に
於いて、9は銀パラジウム系上面電極、10は抵抗体、11
はプリコートガラス、12はオーバコートガラス、13は側
面電極、14はNiめっき、15はすずめっきあるいははんだ
めっき、16はセラミック基板である。
パラジウム系の電極を使用し、プリコートガラスを施し
た後、抵抗体をトリミングし、さらにはんだ付けの信頼
性のためNiめっきを施した後、すずめっきあるいははん
だめっきを施した構造になっている。ここで、第3図に
於いて、9は銀パラジウム系上面電極、10は抵抗体、11
はプリコートガラス、12はオーバコートガラス、13は側
面電極、14はNiめっき、15はすずめっきあるいははんだ
めっき、16はセラミック基板である。
発明が解決しようとする課題 最近、ユーザからより信頼性の高いチップ抵抗器の要
望が出てきた。しかしながら、上面電極特に抵抗体と接
触している部分が銀パラジウム系では限界がある。それ
は、抵抗値変化のメカニズムの主たる原因が、上面電極
の銀が抵抗体中へ移行することによるものであるからで
ある。従って、より信頼性を向上させるためには、上面
電極材料を金系に変更することにより可能となる。しか
しながら、現状の金系材料はハイブリッドIC用であり、
めっき下地用になっていない。すなわち、導体中のガラ
スフリットも耐めっき液性を考慮していないし、さらに
そのガラスフリットの量も少なくして、より純金属に近
づけることにより特性を出している。しかしながら、チ
ップ抵抗器を考えた場合、どうしてもめっきを施してい
ないとはんだ付けの信頼性が確保できない。さらに、金
系電極に重ねて一般的に上面電極として使用している85
0℃焼成用銀系あるいは銀−パラジウム電極材料を印刷
し焼成した場合、金系電極材料と銀系あるいは銀−パラ
ジウム系の焼結温度の違いにより境界部にクラックが入
ってしまい断線の可能性が発生してしまうという問題が
あった。
望が出てきた。しかしながら、上面電極特に抵抗体と接
触している部分が銀パラジウム系では限界がある。それ
は、抵抗値変化のメカニズムの主たる原因が、上面電極
の銀が抵抗体中へ移行することによるものであるからで
ある。従って、より信頼性を向上させるためには、上面
電極材料を金系に変更することにより可能となる。しか
しながら、現状の金系材料はハイブリッドIC用であり、
めっき下地用になっていない。すなわち、導体中のガラ
スフリットも耐めっき液性を考慮していないし、さらに
そのガラスフリットの量も少なくして、より純金属に近
づけることにより特性を出している。しかしながら、チ
ップ抵抗器を考えた場合、どうしてもめっきを施してい
ないとはんだ付けの信頼性が確保できない。さらに、金
系電極に重ねて一般的に上面電極として使用している85
0℃焼成用銀系あるいは銀−パラジウム電極材料を印刷
し焼成した場合、金系電極材料と銀系あるいは銀−パラ
ジウム系の焼結温度の違いにより境界部にクラックが入
ってしまい断線の可能性が発生してしまうという問題が
あった。
本発明は、このような問題を解決するもので現状と同
じはんだ付けが可能でかつより信頼性の高いチップ抵抗
器を目的としたものである。
じはんだ付けが可能でかつより信頼性の高いチップ抵抗
器を目的としたものである。
課題を解決するための手段 この問題を解決するため本発明は、基板の上面に形成
した金系からなる一対の第1上面電極と、この第1上面
電極に一部が重なるように第1上面電極間に形成した抵
抗皮膜と、上記第1上面電極に一部が重なるように基板
の両端部の上面にそれぞれ形成した600℃付近の温度で
焼成可能な銀−パラジウム系あるいは銀系からなる一対
の第2上面電極と、この第2上面電極の基板端部上の部
分を除き上記第2上面電極、抵抗膜および第1上面電極
を覆う保護膜と、上記第2上面電極の外部に露出した部
分においてそれぞれ接続されかつ基板の端面から底面に
かけて形成したはんだ付け可能な電極部を備えたもので
ある。
した金系からなる一対の第1上面電極と、この第1上面
電極に一部が重なるように第1上面電極間に形成した抵
抗皮膜と、上記第1上面電極に一部が重なるように基板
の両端部の上面にそれぞれ形成した600℃付近の温度で
焼成可能な銀−パラジウム系あるいは銀系からなる一対
の第2上面電極と、この第2上面電極の基板端部上の部
分を除き上記第2上面電極、抵抗膜および第1上面電極
を覆う保護膜と、上記第2上面電極の外部に露出した部
分においてそれぞれ接続されかつ基板の端面から底面に
かけて形成したはんだ付け可能な電極部を備えたもので
ある。
作 用 この構成により、はんだ付けの信頼性を現状チップ抵
抗器と同等に確保ができかつ金系電極材料を上面電極と
して使用ができるようになり現状の厚膜精密級チップ抵
抗器に比べより高信頼性のチップ抵抗器を得ることがで
きる。
抗器と同等に確保ができかつ金系電極材料を上面電極と
して使用ができるようになり現状の厚膜精密級チップ抵
抗器に比べより高信頼性のチップ抵抗器を得ることがで
きる。
実施例 第1図は本発明の一実施例によるチップ抵抗器の断面
図であり、第1図において、1は金ペースト焼成による
第1上面電極、2は第1上面電極1と重なりを持つ抵抗
膜、3は第1上面電極1と重なりを持ちかつ抵抗膜2と
は接触せずさらに600℃焼成用銀パラジウムペースト焼
成による第2上面電極、4は第1上面電極1および抵抗
膜2さらに第2上面電極3の一部を覆う保護膜、5はプ
リコート、6は第2上面電極3と接触する側面および底
面電極、7ははんだ付けの際の銀くわれ防止用Niめっき
膜、8ははんだめっき膜、9はセラミック基板であり、
セラミック基板9上の長手方向の両端に対向する第1上
面電極1および第2上面電極が設けられ、そしてセラミ
ック基板9の第1上面電極1間に抵抗体2が設けられ、
その抵抗体2および第1上面電極1全体さらに第2上面
電極の一部を保護膜4が覆っている。また、第2図は実
施例の工程図である。
図であり、第1図において、1は金ペースト焼成による
第1上面電極、2は第1上面電極1と重なりを持つ抵抗
膜、3は第1上面電極1と重なりを持ちかつ抵抗膜2と
は接触せずさらに600℃焼成用銀パラジウムペースト焼
成による第2上面電極、4は第1上面電極1および抵抗
膜2さらに第2上面電極3の一部を覆う保護膜、5はプ
リコート、6は第2上面電極3と接触する側面および底
面電極、7ははんだ付けの際の銀くわれ防止用Niめっき
膜、8ははんだめっき膜、9はセラミック基板であり、
セラミック基板9上の長手方向の両端に対向する第1上
面電極1および第2上面電極が設けられ、そしてセラミ
ック基板9の第1上面電極1間に抵抗体2が設けられ、
その抵抗体2および第1上面電極1全体さらに第2上面
電極の一部を保護膜4が覆っている。また、第2図は実
施例の工程図である。
この場合抵抗体と接触している電極は金電極であり、
まためっき液に接触するのは銀パラジウム電極であり、
めっき液による電極への影響は受けない。また、その銀
パラジウム電極が600℃焼成用であるため、金電極との
接触部境界のクラックも発生しない。従って、この場合
金電極による信頼性向上が図かれるとともに、はんだ付
けの信頼性も確保できる。
まためっき液に接触するのは銀パラジウム電極であり、
めっき液による電極への影響は受けない。また、その銀
パラジウム電極が600℃焼成用であるため、金電極との
接触部境界のクラックも発生しない。従って、この場合
金電極による信頼性向上が図かれるとともに、はんだ付
けの信頼性も確保できる。
発明の効果 以上のように本発明によれば、従来のハイブリッドIC
等に使用している金系電極材料をチップ抵抗器に使用す
ることができ、より信頼性の高いチップ抵抗器を得るこ
とができる。また、第2上面電極の銀パラジウムは側面
電極に使用する材料を使用すれば良く特別な材料を開発
することもない。さらに、上面電極は第1上面電極のみ
金系電極材料を使用するため、材料費のアップも少なく
抑えることができる。また、めっき液に接触するのは60
0℃焼成用銀パラジウムで一般用チップ抵抗器に使用し
ている材料であり、信頼性も同等得ることができる。
等に使用している金系電極材料をチップ抵抗器に使用す
ることができ、より信頼性の高いチップ抵抗器を得るこ
とができる。また、第2上面電極の銀パラジウムは側面
電極に使用する材料を使用すれば良く特別な材料を開発
することもない。さらに、上面電極は第1上面電極のみ
金系電極材料を使用するため、材料費のアップも少なく
抑えることができる。また、めっき液に接触するのは60
0℃焼成用銀パラジウムで一般用チップ抵抗器に使用し
ている材料であり、信頼性も同等得ることができる。
第1図は本発明の一実施例によるチップ抵抗器の断面
図、第2図は本発明の一実施例の工程図、第3図は従来
の厚膜精密級チップ抵抗器の断面図である。 1……第1上面電極、2……抵抗膜、3……第2上面電
極、4……オーバコート、5……プリコート、6……側
面電極、7……Niめっき、8……はんだめっき、9……
セラミック基板。
図、第2図は本発明の一実施例の工程図、第3図は従来
の厚膜精密級チップ抵抗器の断面図である。 1……第1上面電極、2……抵抗膜、3……第2上面電
極、4……オーバコート、5……プリコート、6……側
面電極、7……Niめっき、8……はんだめっき、9……
セラミック基板。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 実願 昭56−4597号(実開 昭57− 119501号)の願書に添付した明細書及び 図面の内容を撮影したマイクロフィルム (JP,U) 実願 昭53−179554号(実開 昭55− 96605号)の願書に添付した明細書及び 図面の内容を撮影したマイクロフィルム (JP,U)
Claims (1)
- 【請求項1】基板の上面に形成した金系からなる一対の
第1上面電極と、この第1上面電極に一部が重なるよう
に第1上面電極間に形成した抵抗膜と、上記第1上面電
極に一部が重なるように基板の両端部の上面にそれぞれ
形成した600℃付近の温度で焼成可能な銀−パラジウム
系あるいは銀系からなる一対の第2上面電極と、この第
2上面電極の基板端部上の部分を除き上記第2上面電
極、抵抗膜および第1上面電極を覆う保護膜と、上記第
2上面電極の外部に露出した部分においてそれぞれ接続
されかつ基板の端面から底面にかけて形成したはんだ付
け可能な電極部を備えたチップ抵抗器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1086275A JP2523862B2 (ja) | 1989-04-05 | 1989-04-05 | チップ抵抗器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1086275A JP2523862B2 (ja) | 1989-04-05 | 1989-04-05 | チップ抵抗器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02265207A JPH02265207A (ja) | 1990-10-30 |
JP2523862B2 true JP2523862B2 (ja) | 1996-08-14 |
Family
ID=13882275
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1086275A Expired - Lifetime JP2523862B2 (ja) | 1989-04-05 | 1989-04-05 | チップ抵抗器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2523862B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3142232B2 (ja) * | 1995-12-21 | 2001-03-07 | 釜屋電機株式会社 | 低抵抗のチップ形抵抗器、及び該抵抗器の製造方法 |
JP3665545B2 (ja) * | 2000-08-17 | 2005-06-29 | 太陽社電気株式会社 | チップ抵抗器及びその製造方法 |
JP3935687B2 (ja) * | 2001-06-20 | 2007-06-27 | アルプス電気株式会社 | 薄膜抵抗素子およびその製造方法 |
JP5957693B2 (ja) * | 2012-06-13 | 2016-07-27 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | チップ抵抗器 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5596605U (ja) * | 1978-12-27 | 1980-07-04 | ||
JPS6233281Y2 (ja) * | 1981-01-16 | 1987-08-26 |
-
1989
- 1989-04-05 JP JP1086275A patent/JP2523862B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH02265207A (ja) | 1990-10-30 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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EXPY | Cancellation because of completion of term |