JP2533247Y2

JP2533247Y2 - バリスタ

Info

Publication number: JP2533247Y2
Application number: JP1988134180U
Authority: JP
Inventors: 周一女部田
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 1988-10-14
Filing date: 1988-10-14
Publication date: 1997-04-23
Anticipated expiration: 2003-10-14
Also published as: JPH0256403U

Description

【考案の詳細な説明】〈産業上の利用分野〉本考案は、主として、チップ型のバリスタに関するも
のである。

〈従来の技術〉従来のこの種のバリスタは、バリスタ素体の上にバリ
スタ電極を形成した後、前記バリスタ電極の端部上に、
外部接続用となる端子電極を焼付けて形成していた。第
３図及び第４図は、従来のバリスタの断面図で、１はバ
リスタ素体、２、３はバリスタ電極、４、５は端子電
極、６、７はガラス等でなる保護層である。バリスタ素
体１は、例えばZnOを主成分とする焼結体でなり、厚み
方向の２面を主面とする板状に形成してある。

バリスタ電極２、３は、互いに相反する端部がバリス
タ素体１の端部に達するようにして、バリスタ素体１の
主面上に直接に形成する。一般には、これらのバリスタ
電極２、３は、バリスタ素体１に対してオーミックコン
タクトとなるように形成する。

端子電極４、５は、回路基板上の導体パターン等のよ
うな外部導体に対する接続部分となる部分であって、バ
リスタ電極２、３に接続するように設けられる。その接
続構造として、従来は、バリスタ電極２、３の相反する
一端を、バリスタ素体１の端部まで延長して形成し、バ
リスタ電極２、３の端部上に、Ag、Ag−Pd合金等を導電
成分としガラスフリットを含有させた導電性ペーストを
塗布し、かつ、焼き付けることによって、端子電極４、
５を形成していた。

保護膜６、７は、第３図の従来例では、端子電極４、
５を形成した後、端子電極４、５の一部及びバリスタ電
極２、３の全体を覆うように形成し、第４図の従来例で
は、端子電極４、５を形成する前に、端子電極４、５の
接続される部分を残して、バリスタ電極２、３を覆うよ
うに形成してある。

〈考案が解決しようとする課題〉上述したように、従来は、バリスタ電極２、３に対す
る端子電極４、５の接続構造として、バリスタ電極２、
３の相反する一端を、バリスタ素体１の端部まで延長し
て形成し、このバリスタ電極２、３の端部上に、端子電
極４、５を焼付して形成していたため、次のような問題
点があった。

（イ）端子電極４、５の電極材料として、一般的に用い
られるガラスフリット含有のAg、Ag−Pd合金ペースト
は、850℃前後の焼付温度で、最も良好な密着強度が得
られる。

ところが、ZnO系焼結体でなるバリスタ素体１は、高
温熱処理によって還元され、バリスタ特性が変化し、ま
たは劣化し易いという性質を有する。特に、電極にガラ
スフリットを含有する場合は、700℃を越える温度範囲
で、バリスタ特性の変化及び劣化が著しくなる。

このため、端子電極４、５を最適焼付温度850℃前後
で焼付け処理して形成した場合、その下にあるバリスタ
電極２、３とバリスタ素体１との接触界面で、バリスタ
特性が変化し、また劣化してしまうという問題点があっ
た。

（ロ）上述の特性変化及び劣化を回避する手段として、
バリスタ電極２、３、端子電極４、５及びガラス保護膜
６、７を、700℃以下の温度、例えば500〜600℃の温度
条件で、焼き付ける試みもなされている。しかし、この
ような手段を採った場合は、特性の変化及び劣化を完全
に抑えることができないばかりか、端子電極４、５の密
着力、引張強度等が低下してしまうという問題点を生じ
る。

本考案の課題は、端子電極焼付処理に伴うバリスタ特
性の変化及び劣化の影響を回避したバリスタを提供する
ことである。

本考案のもう１つの課題は、バリスタ素体に対する端
子電極の密着力、引張強度を充分に大きくしたバリスタ
を提供することである。

本考案の更にもう１つの課題は、上述した利点を持つ
面実装用バリスタを提供することである。

本考案の更にもう１つの課題は、面実装時の半田熱に
起因するバリスタ特性の変化及び劣化の影響を回避し得
るバリスタを提供することである。

〈課題を解決するための手段〉上述する課題解決のため、本考案に係るバリスタは、
バリスタ素体上に、バリスタ電極及び端子電極を有す
る。前記端子電極は、前記バリスタ素体の相対向する両
側端部において、前記バリスタ素体の側端面と、体対向
する両主面の端部とを覆うように、前記バリスタ素体に
導電性ペーストを直接に塗布し、かつ、焼き付けて形成
された焼付電極でなり、回路基板上の導体パターン等の
ような外部導体と接続するための接続部分を構成する。
前記バリスタ電極は、前記バリスタ素体の相対向する前
記両主面に設けられ、端部が前記主面上で前記端子電極
上に重なるように形成され、前記端子電極のそれぞれに
対して、個別に接続されている。

〈作用〉端子電極は、バリスタ素体の相対向する両側端部にお
いて、バリスタ素体に導電性ペーストを直接に塗布し、
かつ、焼き付けて形成された焼付電極でなり、バリスタ
電極は、端子電極上に重なるように形成されているか
ら、端子電極の焼付熱処理のために、端子電極の下側に
おいて、バリスタ素体に特性劣化を生じても、バリスタ
電極とバリスタ素体との間で得られる接触に関して、実
質的な悪影響が出ない。このため、端子電極焼付処理に
伴うバリスタ特性の変化及び劣化の影響を回避すること
が可能になる。

端子電極は、バリスタ素体の側端面及び相対向する両
主面の端部を覆うように、バリスタ素体に導電性ペース
トを直接に塗布し、かつ、焼き付けて形成されているか
ら、バリスタ素体に対する端子電極の密着力、引張強度
を充分に大きくできる。

端子電極は、バリスタ素体の相対向する両側端部にお
いて、バリスタ素体に導電性ペーストを直接に塗布し、
かつ、焼き付けて形成された焼付電極でなり、回路基板
上の導体パターン等のような外部導体と接続するための
接続部分を構成しているから、上述した利点を持つ面実
装用バリスタを実現できる。

しかも、端子電極は、バリスタ素体の相対向する両側
端部において、バリスタ素体に導電性ペーストを直接に
塗布し、かつ、焼き付けて形成された焼付電極でなり、
バリスタ電極は、端子電極上に重なるように形成されて
いるから、面実装作業において、端子電極を導体パター
ンに半田付けしたときの半田熱のために、端子電極の下
側において、バリスタ素体に特性劣化を生じても、バリ
スタ電極とバリスタ素体との間で得られる接触に関し
て、実質的な悪影響が出ない。このため、面実装時の半
田熱に起因するバリスタ特性の変化及び劣化の影響を回
避し得る。

〈実施例〉第１図は本考案に係るバリスタの正面断面図、第２図
は保護膜を除いた状態での平面図を示す。図において、
第３図及び第４図と同一の参照符号は同一性ある構成部
分を示す。バリスタ素体１は、ZnOを主成分とする焼結
体の他に、SrTiO₃、TiO₂、SnO₂、Fe₂O₃から選ばれた１
種を主成分とする焼結体も使用できる。

端子電極４、５は、Ag、Ag−Pd合金等を導電成分とし
ガラスフリットを含有させた導電性ペーストを、バリス
タ素体１の上に直接に塗布し、600〜900℃の温度、望ま
しくは、850℃前後の温度で焼き付ける。端子電極４、
５は、従来と同様に、バリスタ素体１の相反する両端に
設けられ、その側端面と、バリスタ電極２、３が設けら
れる両主面の端部を部分的に覆うように設けられてい
る。これらの端部電極４、５は、前述したように、面実
装する場合に回路基板上の導体パターン等のような外部
導体に対する接続部分として用いられる。

バリスタ電極２、３は、端子電極４、５を形成した
後、その上に端部が重なるようにして、バリスタ素体１
の主面上に被着形成する。バリスタ電極２、３は、従来
と同様に、銀を主成分とし、バリスタ素体１に対してオ
ーミック接触を構成するように形成することができる。
バリスタ電極２、３は、熱処理によるバリスタ特性の変
化及び劣化を避けるため、700℃以下の温度、例えば500
〜600℃程度の温度で焼付処理を行なうのが望ましい。

保護膜６、７は、Ｂ、Si、Pb、Zn等の酸化物を含むガ
ラスフリットを塗布し、約600℃以下の温度で焼付処理
して形成する。

上記構造において、端子電極４、５は、600〜900℃、
望ましくは850℃前後の温度で焼付して、バリスタ素体
１の上に直接形成してあるので、バリスタ素体１に対す
る端子電極４、５の密着力、引張強度を充分に大きくで
きる。

端子電極４、５を焼付処理するときの熱処理により、
バリスタ素体１は、端子電極４、５と接触する部分で、
特性劣化を招くが、この部分はバリスタとして使用しな
い領域なので、バリスタ電極２、３とバリスタ素体１と
の間には特性劣化の影響が出ない。このため、端子電極
４、５の密着強度及び引張力が大きく、導体パターン等
に半田付けした場合の機械的接合強度が大きく、安定
で、しかも、端子電極４、５の焼付処理に伴う特性の変
化または劣化の影響を受けないバリスタを提供できる。

端子電極４、５は、バリスタ素体１の相対向する両側
端部において、バリスタ素体１に導電性ペーストを直接
に塗布し、かつ、焼き付けて形成された焼付電極でな
り、回路基板上の導体パターン等のような外部導体に対
する接続部分を構成しているから、上述した利点を持つ
面実装用バリスタを実現できる。

しかも、端子電極４、５は、バリスタ素体１の相対向
する両側端部において、バリスタ素体１に導電性ペース
トを直接に塗布し、かつ、焼き付けて形成された焼付電
極でなり、バリスタ電極は、端子電極上に重なるように
形成されているから、面実装作業において、端子電極を
導体パターンに半田付けしたときの半田熱のために、端
子電極の下側において、バリスタ素体に特性劣化を生じ
ても、バリスタ電極２、３とバリスタ素体１との間で得
られる接触に関して、実質的な悪影響が出ない。このた
め、面実装時の半田熱に起因するバリスタ特性の変化及
び劣化の影響を回避することが可能になる。

〈考案の効果〉以上述べたように、本考案によれば、次のような効果
を得ることができる。

a.端子電極焼付処理に伴うバリスタ特性の変化及び劣化
の影響を回避したバリスタを提供できる。

b.バリスタ素体に対する端子電極の密着力、引張強度を
充分に大きくしたバリスタを提供できる。

c.上述した利点を持つ面実装用バリスタを提供できる。

d.面実装時の半田熱に起因するバリスタ特性の変化及び
劣化の影響を回避し得るバリスタを提供できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案に係るバリスタの正面断面図、第２図は
ガラス保護膜を除いた状態での平面図、第３図及び第４
図は従来のバリスタの各正面断面図をそれぞれ示してい
る。１……バリスタ素体２、３……バリスタ電極４、５……端子電極６、７……保護膜

Claims

(57)【実用新案登録請求の範囲】

【請求項１】バリスタ素体上に、バリスタ電極及び端子
電極を有するバリスタであって、前記端子電極は、前記バリスタ素体の相対向する両側端
部において、前記バリスタ素体の側端面と、相対向する
両主面の端部とを覆うように、前記バリスタ素体に導電
性ペーストを直接に塗布し、かつ、焼き付けて形成され
た焼付電極でなり、回路基板上の外部導体と接続するた
めの接続部分を構成しており、前記バリスタ電極は、前記バリスタ素体の相対向する前
記両主面に設けられ、端部が前記主面上で前記端子電極
上に重なり、前記バリスタ電極のそれぞれが、前記端子
電極の何れか一方と各別に接続されていることを特徴とするバリスタ。
【請求項２】前記バリスタ素体は、ZnO、SrTiO₃、Ti
O₂、SnO₂、Fe₂O₃から選ばれた１種を主成分とする焼結
体でなることを特徴とする実用新案登録請求の範囲第１
項に記載のバリスタ。