JP3112328B2 - 厚膜チップ抵抗器 - Google Patents
厚膜チップ抵抗器Info
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- JP3112328B2 JP3112328B2 JP04013870A JP1387092A JP3112328B2 JP 3112328 B2 JP3112328 B2 JP 3112328B2 JP 04013870 A JP04013870 A JP 04013870A JP 1387092 A JP1387092 A JP 1387092A JP 3112328 B2 JP3112328 B2 JP 3112328B2
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- Japan
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、厚膜チップ抵抗器（特
に角板型精密級厚膜チップ抵抗器）の改良に関するもの
である。
に角板型精密級厚膜チップ抵抗器）の改良に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】厚膜チップ抵抗器は基本的に、アルミナ
等からなる絶縁基板の対向両側に導体膜が設けられ、こ
の導体膜に接触する抵抗体膜が基板上に形成され、抵抗
体膜及び基板上の導体膜の一部分を被覆する保護膜が基
板に施された構造を有する。この基本構成を備えた角板
型精密級厚膜チップ抵抗器として、図２に示すものがあ
る。この抵抗器は、アルミナ基板２０と、基板２０の対
向両側に設けられたＡｇ／Ｐｄ導体膜２２と、基板２０
上に形成された抵抗体膜２１と、導体膜２２上に順に成
膜されたＮｉ皮膜２３及びハンダ皮膜２４と、抵抗体膜
２１及び基板２０上の導体膜２２の一部分を被覆する保
護膜２９とで構成される。導体膜２２、Ｎｉ皮膜２３及
びハンダ皮膜２４で電極２５が構成され、保護膜２９は
アンダーコートガラス２６、ミドルコートガラス２７及
びオーバーコートガラス２８からなる。
等からなる絶縁基板の対向両側に導体膜が設けられ、こ
の導体膜に接触する抵抗体膜が基板上に形成され、抵抗
体膜及び基板上の導体膜の一部分を被覆する保護膜が基
板に施された構造を有する。この基本構成を備えた角板
型精密級厚膜チップ抵抗器として、図２に示すものがあ
る。この抵抗器は、アルミナ基板２０と、基板２０の対
向両側に設けられたＡｇ／Ｐｄ導体膜２２と、基板２０
上に形成された抵抗体膜２１と、導体膜２２上に順に成
膜されたＮｉ皮膜２３及びハンダ皮膜２４と、抵抗体膜
２１及び基板２０上の導体膜２２の一部分を被覆する保
護膜２９とで構成される。導体膜２２、Ｎｉ皮膜２３及
びハンダ皮膜２４で電極２５が構成され、保護膜２９は
アンダーコートガラス２６、ミドルコートガラス２７及
びオーバーコートガラス２８からなる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記のような抵抗器で
は、抵抗体膜２１がその縁部において導体膜２２にオー
バーラップしており、このオーバーラップ部分で抵抗体
膜２１と導体膜２２との導通が図られている。ところ
で、抵抗体膜２１は、Ａｇ／Ｐｄペーストを用いて導体
膜２２が形成された後に直ちに印刷・焼成により形成さ
れるが、この時に導体膜２２中の銀が抵抗体膜２１中に
拡散してしまう。銀が抵抗体膜２１中に混入すると、抵
抗温度特性がばらつくだけでなく、抵抗温度特性の低温
と高温における抵抗値の差（変動）が著しくなる。更に
は、銀拡散により抵抗温度特性が劣化するため、抵抗器
の製造歩留りが非常に低くなる。
は、抵抗体膜２１がその縁部において導体膜２２にオー
バーラップしており、このオーバーラップ部分で抵抗体
膜２１と導体膜２２との導通が図られている。ところ
で、抵抗体膜２１は、Ａｇ／Ｐｄペーストを用いて導体
膜２２が形成された後に直ちに印刷・焼成により形成さ
れるが、この時に導体膜２２中の銀が抵抗体膜２１中に
拡散してしまう。銀が抵抗体膜２１中に混入すると、抵
抗温度特性がばらつくだけでなく、抵抗温度特性の低温
と高温における抵抗値の差（変動）が著しくなる。更に
は、銀拡散により抵抗温度特性が劣化するため、抵抗器
の製造歩留りが非常に低くなる。
【０００４】従って、本発明の目的は、導体膜の成分で
ある銀が抵抗体膜中に拡散するのを防止できる厚膜チッ
プ抵抗器を提供することにある。
ある銀が抵抗体膜中に拡散するのを防止できる厚膜チッ
プ抵抗器を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明の厚膜チップ抵抗器は、従来の厚膜チップ抵
抗器において、Ａｇ／Ｐｄ導体膜と抵抗体膜とのオーバ
ーラップ部分にて、導体膜と抵抗体膜との間にＡｕ膜を
介設したことを特徴とする。
に、本発明の厚膜チップ抵抗器は、従来の厚膜チップ抵
抗器において、Ａｇ／Ｐｄ導体膜と抵抗体膜とのオーバ
ーラップ部分にて、導体膜と抵抗体膜との間にＡｕ膜を
介設したことを特徴とする。
【０００６】この厚膜チップ抵抗器では、Ａｇ／Ｐｄ導
体膜と抵抗体膜とは直接接触せず、両膜はＡｕ膜を介し
て電気的に接続されることになる。このため、導体膜中
の銀が抵抗体膜中に拡散しなくなり、抵抗温度特性のば
らつき及び低温と高温による抵抗値の差が改善され、製
造歩留りも良くなる。
体膜と抵抗体膜とは直接接触せず、両膜はＡｕ膜を介し
て電気的に接続されることになる。このため、導体膜中
の銀が抵抗体膜中に拡散しなくなり、抵抗温度特性のば
らつき及び低温と高温による抵抗値の差が改善され、製
造歩留りも良くなる。
【０００７】なお、本発明の抵抗器では、抵抗温度特性
が良好になるが、具体的には抵抗温度係数を±５０ｐｐ
ｍ／℃以内にし、温度変化による抵抗値変動の許容差も
±０．５％以内にすることが好ましい。
が良好になるが、具体的には抵抗温度係数を±５０ｐｐ
ｍ／℃以内にし、温度変化による抵抗値変動の許容差も
±０．５％以内にすることが好ましい。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の厚膜チップ抵抗器を実施例に
基づいて説明する。図１は、その一実施例に係る角板型
精密級厚膜チップ抵抗器の断面図を示す。この抵抗器
は、本発明の特徴であるＡｕ膜以外は図２に示す従来の
ものと全く同じ構成である。即ち、アルミナ基板１０の
対向両側にＡｇ／Ｐｄ導体膜１２、Ｎｉ皮膜１３及びハ
ンダ皮膜１４が順に成膜され、導体膜１２に接触する抵
抗体膜１１が基板１０上に形成され、膜１２、１３、１
４で電極１５が構成される。抵抗体膜１１と基板１０上
の導体膜１２の一部分とは保護膜１９で被覆され、保護
膜１９は基板１０上に順に設けたアンダーコートガラス
１６、ミドルコートガラス１７及びオーバーコートガラ
ス１８からなる。
基づいて説明する。図１は、その一実施例に係る角板型
精密級厚膜チップ抵抗器の断面図を示す。この抵抗器
は、本発明の特徴であるＡｕ膜以外は図２に示す従来の
ものと全く同じ構成である。即ち、アルミナ基板１０の
対向両側にＡｇ／Ｐｄ導体膜１２、Ｎｉ皮膜１３及びハ
ンダ皮膜１４が順に成膜され、導体膜１２に接触する抵
抗体膜１１が基板１０上に形成され、膜１２、１３、１
４で電極１５が構成される。抵抗体膜１１と基板１０上
の導体膜１２の一部分とは保護膜１９で被覆され、保護
膜１９は基板１０上に順に設けたアンダーコートガラス
１６、ミドルコートガラス１７及びオーバーコートガラ
ス１８からなる。
【０００９】抵抗体膜１１とＡｇ／Ｐｄ導体膜１２とが
接触する部分（オーバーラップ部分）には、Ａｕ膜１が
施されており、抵抗体膜１１と導体膜１２が直接接触し
ないようになっている。この実施例では、抵抗器は角板
型であるため、抵抗体膜１１は平面矩形状を呈し、Ａｕ
膜１は抵抗体膜１１と導体膜１２とのオーバーラップ部
分に沿って延在する。
接触する部分（オーバーラップ部分）には、Ａｕ膜１が
施されており、抵抗体膜１１と導体膜１２が直接接触し
ないようになっている。この実施例では、抵抗器は角板
型であるため、抵抗体膜１１は平面矩形状を呈し、Ａｕ
膜１は抵抗体膜１１と導体膜１２とのオーバーラップ部
分に沿って延在する。
【００１０】かかる構造の抵抗器は、アルミナ基板１０
にＡｇ／Ｐｄペーストを印刷・焼成して導体膜１２を形
成した後、基板１０上に在る導体膜１２の縁部上にＡｕ
ペーストを印刷・焼成してＡｕ膜１を形成し、次いでＡ
ｕ膜１及び基板１０上に抵抗ペーストを印刷・焼成して
抵抗体膜１１とすることにより作製されるものであるた
め、抵抗体膜１１の形成時に導体膜１２の成分である銀
がＡｕ膜１によって抵抗ペースト中に拡散しない。しか
も、抵抗体膜１１と導体膜１２との電気的接続は良導電
性であるＡｕ膜１を介して行われるため、両膜１１、１
２の導電性も良好である。
にＡｇ／Ｐｄペーストを印刷・焼成して導体膜１２を形
成した後、基板１０上に在る導体膜１２の縁部上にＡｕ
ペーストを印刷・焼成してＡｕ膜１を形成し、次いでＡ
ｕ膜１及び基板１０上に抵抗ペーストを印刷・焼成して
抵抗体膜１１とすることにより作製されるものであるた
め、抵抗体膜１１の形成時に導体膜１２の成分である銀
がＡｕ膜１によって抵抗ペースト中に拡散しない。しか
も、抵抗体膜１１と導体膜１２との電気的接続は良導電
性であるＡｕ膜１を介して行われるため、両膜１１、１
２の導電性も良好である。
【００１１】
【発明の効果】
本発明の厚膜チップ抵抗器は、以上説明
したようにＡｇ／Ｐｄ導体膜と抵抗体膜とのオーバーラ
ップ部分にて、導体膜と抵抗体膜との間にＡｕ膜を介設
したので、下記の効果を有する。 （１）導体膜中の銀がＡｕ膜によって抵抗体膜中に拡散
しなくなるので、抵抗温度特性のばらつきを抑えること
ができるだけでなく、抵抗温度特性の低温と高温におけ
る抵抗値の差（変動）を少なくすることができる。 （２）Ａｕ膜はオーバーラップ部分にて導体膜と抵抗体
膜との間に介設される３層構造であるので、Ａｕ膜を設
けたとしても抵抗器の二次元方向のサイズは殆ど変わら
ない。 （３）Ａｕ膜はオーバーラップ部分にて導体膜と抵抗体
膜との間に介設される３層構造であるので、Ａｕ膜と抵
抗体膜との接触面積を十分に確保できるにもかかわら
ず、抵抗器の二次元方向のサイズは殆ど変わらない。
したようにＡｇ／Ｐｄ導体膜と抵抗体膜とのオーバーラ
ップ部分にて、導体膜と抵抗体膜との間にＡｕ膜を介設
したので、下記の効果を有する。 （１）導体膜中の銀がＡｕ膜によって抵抗体膜中に拡散
しなくなるので、抵抗温度特性のばらつきを抑えること
ができるだけでなく、抵抗温度特性の低温と高温におけ
る抵抗値の差（変動）を少なくすることができる。 （２）Ａｕ膜はオーバーラップ部分にて導体膜と抵抗体
膜との間に介設される３層構造であるので、Ａｕ膜を設
けたとしても抵抗器の二次元方向のサイズは殆ど変わら
ない。 （３）Ａｕ膜はオーバーラップ部分にて導体膜と抵抗体
膜との間に介設される３層構造であるので、Ａｕ膜と抵
抗体膜との接触面積を十分に確保できるにもかかわら
ず、抵抗器の二次元方向のサイズは殆ど変わらない。
【００１２】
【発明の効果】本発明の厚膜チップ抵抗器は、以上説明
したように態様又は態様としたので、下記の効果を
有する。 （１）態様では導体膜中の銀がＡｕ膜によって抵抗体
膜中に拡散しなくなるので、態様では導体膜がＡｕか
らなるため、いずれも抵抗温度特性のばらつきを抑える
ことができるだけでなく、抵抗温度特性の低温と高温に
おける抵抗値の差（変動）を少なくすることができる。 （２）態様では、態様に比べて金の使用量が少ない
ため、生産コストを下げることが可能となる。
したように態様又は態様としたので、下記の効果を
有する。 （１）態様では導体膜中の銀がＡｕ膜によって抵抗体
膜中に拡散しなくなるので、態様では導体膜がＡｕか
らなるため、いずれも抵抗温度特性のばらつきを抑える
ことができるだけでなく、抵抗温度特性の低温と高温に
おける抵抗値の差（変動）を少なくすることができる。 （２）態様では、態様に比べて金の使用量が少ない
ため、生産コストを下げることが可能となる。
【図１】本発明の態様に係る角板型精密級厚膜チップ
抵抗器の断面図である。
抵抗器の断面図である。
【図２】従来例に係る角板型精密級厚膜チップ抵抗器の
断面図である。
断面図である。
１ Ａｕ膜 １０ アルミナ基板 １１ 抵抗体膜 １２ Ａｇ／Ｐｄ導体膜 １５ 電極 １９ 保護膜
Claims (1)
- 【請求項１】基板の対向両側にＡｇ／Ｐｄ導体膜を設
け、この導体膜に一部がオーバーラップして接触する抵
抗体膜を基板上に形成し、抵抗体膜と基板上に在る導体
膜の一部分とを被覆する保護膜を基板上に施した厚膜チ
ップ抵抗器において、前記 Ａｇ／Ｐｄ導体膜と抵抗体膜とのオーバーラップ部
分にて、導体膜と抵抗体膜との間にＡｕ膜を介設したこ
とを特徴とする厚膜チップ抵抗器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04013870A JP3112328B2 (ja) | 1992-01-29 | 1992-01-29 | 厚膜チップ抵抗器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04013870A JP3112328B2 (ja) | 1992-01-29 | 1992-01-29 | 厚膜チップ抵抗器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05205903A JPH05205903A (ja) | 1993-08-13 |
| JP3112328B2 true JP3112328B2 (ja) | 2000-11-27 |
Family
ID=11845276
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04013870A Expired - Fee Related JP3112328B2 (ja) | 1992-01-29 | 1992-01-29 | 厚膜チップ抵抗器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3112328B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2674523B2 (ja) * | 1993-12-16 | 1997-11-12 | 日本電気株式会社 | セラミック配線基板とその製造方法 |
| JP3142232B2 (ja) * | 1995-12-21 | 2001-03-07 | 釜屋電機株式会社 | 低抵抗のチップ形抵抗器、及び該抵抗器の製造方法 |
| US7884698B2 (en) * | 2003-05-08 | 2011-02-08 | Panasonic Corporation | Electronic component, and method for manufacturing the same |
-
1992
- 1992-01-29 JP JP04013870A patent/JP3112328B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05205903A (ja) | 1993-08-13 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |